JP7357567B2 - Wafer processing method - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハの加工方法、特に所謂ＴＡＩＫＯ（登録商標）研削するウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method, and more particularly to a wafer processing method using so-called TAIKO (registered trademark) grinding.

半導体デバイスの軽薄短小化が進み、半導体デバイスが形成されたウェーハは、厚さが１００μｍ以下に研削加工される。研削面に発生する研削歪みによって研削後のウェーハには反りが発生する。反りが発生したウェーハの裏面にメタルなどの成膜をするのが非常に困難であることから、ウェーハの外周縁を除いた領域だけ研削して、ウェーハの裏面にデバイス領域に対応する円形凹部と、外周余剰領域に対応する環状凸部を形成する所謂ＴＡＩＫＯ研削技術が用いられる（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。 Semiconductor devices are becoming lighter, thinner, and shorter, and wafers on which semiconductor devices are formed are ground to a thickness of 100 μm or less. Warpage occurs in the wafer after grinding due to grinding distortion generated on the ground surface. Since it is extremely difficult to deposit a metal film on the back side of a warped wafer, we grind only the area excluding the outer periphery of the wafer and create a circular recess on the back side of the wafer that corresponds to the device area. , the so-called TAIKO grinding technique is used to form an annular convex portion corresponding to the outer peripheral surplus area (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

特許第５３９０７４０号公報Patent No. 5390740 特許第４７５８２２２号公報Patent No. 4758222

ＴＡＩＫＯ研削では、ウェーハより小径の研削ホイールを用いるため、ウェーハと同等以上の直径の通常の研削ホイールに比べ、研削砥石一つ当たりの除去量が相対的に大きくなり、ＴＡＩＫＯ研削が安定的に実施できないことがある。また、同じ回転数で回転させても小径のため回転速度が上げにくいことも同様な傾向の原因となっている。 TAIKO grinding uses a grinding wheel with a smaller diameter than the wafer, so compared to a normal grinding wheel with a diameter equal to or larger than the wafer, the removal amount per grinding wheel is relatively large, and TAIKO grinding can be performed stably. There are things I can't do. A similar trend is also caused by the fact that even if the shaft is rotated at the same number of revolutions, it is difficult to increase the rotational speed due to its small diameter.

特に、裏面に形成された酸化膜や窒化膜などは、研削が難しく、スピンドルモータの負荷電流値が規定値を超えて、ＴＡＩＫＯ研削が安定的に実施できないことがある。また、所謂ハイドープウェーハも同様の傾向にある。 In particular, it is difficult to grind an oxide film or a nitride film formed on the back surface, and the load current value of the spindle motor may exceed a specified value, making it impossible to stably perform TAIKO grinding. Also, so-called highly doped wafers have a similar tendency.

本発明は、ウェーハの裏面にデバイス領域に対応する円形凹部と外周余剰領域に対応する環状凸部とを形成する所謂ＴＡＩＫＯ研削を安定的に実施することを可能とするウェーハの加工方法を提供することを目的とする。 The present invention provides a wafer processing method that makes it possible to stably perform so-called TAIKO grinding, which forms circular concave portions corresponding to device regions and annular convex portions corresponding to peripheral surplus regions on the back surface of the wafer. The purpose is to

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウェーハの加工方法であって、ウェーハを保持する保持面を有し回転可能なチャックテーブルでウェーハを保持し、該保持面に垂直な回転軸のスピンドルの下端にウェーハの半径に相当する直径の研削ホイールを固定する加工準備ステップと、該チャックテーブルに保持したウェーハの中央部分を除いたデバイス領域に対応するウェーハの裏面を該研削ホイールで研削し、環状凹部を形成するとともに該環状凹部に囲まれた中央凸部をウェーハの裏面に形成する限定研削ステップと、該限定研削ステップ実施後、該研削ホイールを該ウェーハから離した後、該研削ホイールをウェーハの外周縁に向かって相対的に移動させる位置調整ステップと、該位置調整ステップを実施後、該研削ホイールを用いて、該中央凸部を含む該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削し、該デバイス領域に対応したウェーハの裏面の該中央凸部を除去するとともに円形凹部を形成し、該外周余剰領域に対応するウェーハの裏面に環状凸部を形成する円形研削ステップと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the objects, the wafer processing method of the present invention provides a device region in which a device is formed in each region partitioned by a plurality of dividing lines that intersect with each other, and a device region in which a device is formed in each region, A method for processing a wafer having a peripheral surplus area surrounding the wafer on its surface, the wafer being held by a rotatable chuck table having a holding surface for holding the wafer, and a spindle having a rotation axis perpendicular to the holding surface. A processing preparation step of fixing a grinding wheel with a diameter corresponding to the radius of the wafer at the lower end, and grinding the back surface of the wafer corresponding to the device area excluding the central part of the wafer held on the chuck table with the grinding wheel to form an annular shape. A limited grinding step of forming a concave portion and a central convex portion surrounded by the annular concave portion on the back surface of the wafer, and after performing the limited grinding step, separating the grinding wheel from the wafer, and then removing the grinding wheel from the wafer. a position adjustment step of relatively moving toward the outer peripheral edge of the wafer; and after performing the position adjustment step, using the grinding wheel, grind the back surface of the wafer corresponding to the device area including the central convex portion; a circular grinding step of removing the central convex portion on the back surface of the wafer corresponding to the device region and forming a circular concave portion, and forming an annular convex portion on the back surface of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region; Features.

前記ウェーハの加工方法において、該円形研削ステップ実施後、該研削ホイールより細かい砥粒がボンドで固定された研削砥石を有する仕上げ研削ホイールで該円形凹部を更に深く研削する仕上げ研削ステップを備えても良い。 The method for processing a wafer may further include, after the circular grinding step, a final grinding step of further grinding the circular recess with a final grinding wheel having a grinding wheel to which finer abrasive grains than the grinding wheel are fixed with a bond. good.

前記ウェーハの加工方法において、該限定研削ステップで形成する該環状凹部より、該円形研削ステップで形成する該円形凹部の方が深く形成されても良い。 In the wafer processing method, the circular recess formed in the circular grinding step may be formed deeper than the annular recess formed in the limited grinding step.

本願発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの裏面にデバイス領域に対応する円形凹部と外周余剰領域に対応する環状凸部とを形成する所謂ＴＡＩＫＯ研削を安定的に実施することを可能とする、という効果を奏する。 The wafer processing method of the present invention makes it possible to stably perform so-called TAIKO grinding, which forms a circular concave portion corresponding to the device area and an annular convex portion corresponding to the outer peripheral surplus area on the back surface of the wafer. be effective.

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる研削装置の構成例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a configuration example of a grinding device used in the wafer processing method according to the first embodiment. 図３は、図２に示された研削装置の粗研削ユニット及び仕上げ研削ユニットを下方から示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a rough grinding unit and a finish grinding unit of the grinding apparatus shown in FIG. 2 from below. 図４は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment. 図５は、図４に示されたウェーハの加工方法の加工準備ステップにおいてウェーハの表面と保護部材とを対向させた状態を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the surface of the wafer and the protection member are opposed to each other in the processing preparation step of the wafer processing method shown in FIG. 図６は、図４に示されたウェーハの加工方法の加工準備ステップにおいてウェーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a state in which a protective member is attached to the surface of the wafer in the processing preparation step of the wafer processing method shown in FIG. 図７は、図４に示されたウェーハの加工方法の限定研削ステップの開始直後の粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。FIG. 7 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer immediately after the limited grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 4 is started. 図８は、図７に示された粗研削ホイールとウェーハとを当接させた状態を一部断面で模式的に示す側面図である。FIG. 8 is a side view schematically showing, partially in section, a state in which the rough grinding wheel shown in FIG. 7 and the wafer are in contact with each other. 図９は、図４に示されたウェーハの加工方法の限定研削ステップの終了時の粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer at the end of the limited grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１０は、図９に示された粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。FIG. 10 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 9. 図１１は、図４に示されたウェーハの加工方法の位置調整ステップにおいて粗研削ユニットを上昇させて粗研削ホイールをウェーハから離した状態を一部断面で示す側面図である。FIG. 11 is a side view, partially in cross section, showing a state in which the rough grinding unit is raised and the rough grinding wheel is separated from the wafer in the position adjustment step of the wafer processing method shown in FIG. 図１２は、図１１に示された粗研削ホイールをウェーハの外周縁に向かって相対的に移動させた状態を一部断面で示す側面図である。FIG. 12 is a side view, partially in section, showing a state in which the rough grinding wheel shown in FIG. 11 is relatively moved toward the outer peripheral edge of the wafer. 図１３は、図１２に示された粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。FIG. 13 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 12. 図１４は、図４に示されたウェーハの加工方法の円形研削ステップの開始直後の粗研削ホイールとウェーハとを当接させた状態を一部断面で模式的に示す側面図である。FIG. 14 is a side view schematically showing, partially in cross section, a state in which the rough grinding wheel and the wafer are in contact with each other immediately after the start of the circular grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１５は、図４に示されたウェーハの加工方法の円形研削ステップの終了時の粗研削ホイールとウェーハとを一部断面で模式的に示す側面図である。FIG. 15 is a side view schematically showing, partially in cross section, the rough grinding wheel and the wafer at the end of the circular grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１６は、図１５に示された粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。FIG. 16 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 15. 図１７は、実施形態１の変形例に係るウェーハの加工方法の限定研削ステップにおいて、最初に環状凹部及び中央凸部を形成した状態を模式的に示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a state in which an annular recess and a central convex portion are first formed in the limited grinding step of the wafer processing method according to a modification of the first embodiment.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Modes (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. Further, the constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Further, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる研削装置の構成例を示す斜視図である。図３は、図２に示された研削装置の粗研削ユニット及び仕上げ研削ユニットを下方から示す斜視図である。図４は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 [Embodiment 1]
A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be explained based on the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing a configuration example of a grinding device used in the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing a rough grinding unit and a finish grinding unit of the grinding apparatus shown in FIG. 2 from below. FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ２００を加工する方法である。実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象であるウェーハ２００は、シリコンを母材とする円板状の半導体ウェーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを母材とする光デバイスウェーハなどのウェーハである。実施形態１では、ウェーハ２００は、円盤状の母材がシリコンから構成され、少なくとも裏面２０１側に酸化膜又は窒化膜などの膜２０２が形成されている。 The wafer processing method according to the first embodiment is a method for processing the wafer 200 shown in FIG. The wafer 200 to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment is a wafer such as a disk-shaped semiconductor wafer made of silicon as a base material, or an optical device wafer made of sapphire, SiC (silicon carbide), or the like as a base material. It is. In the first embodiment, the wafer 200 has a disc-shaped base material made of silicon, and a film 202 such as an oxide film or a nitride film is formed on at least the back surface 201 side.

実施形態１では、ウェーハ２００は、裏面２０１側に２０２が形成されている。ウェーハ２００は、膜２０２が形成されていないものよりも膜２０２が形成されることで、母材がシリコンで構成されかつ膜２０２が形成されていないウェーハよりも裏面２０１側が研削し難いもの（即ち、難研削性のウェーハ）である。 In the first embodiment, the wafer 200 has the wafer 202 formed on the back surface 201 side. The wafer 200 has the film 202 formed thereon, so that the back surface 201 side of the wafer 200 is more difficult to grind than the wafer whose base material is silicon and where the film 202 is not formed (i.e., , a wafer that is difficult to grind).

ウェーハ２００は、図１に示すように、デバイス領域２０３と、デバイス領域２０３を囲繞する外周余剰領域２０４とを表面２０５に有している。デバイス領域２０３は、互いに交差する複数の分割予定ライン２０６によって区画された各領域にデバイス２０７が形成されている。デバイス２０７は、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路である。なお、外周余剰領域２０４は、ウェーハ２００の表面２０５のデバイス領域２０３を囲繞しかつデバイス２０７が形成されていない領域である。 As shown in FIG. 1, the wafer 200 has a device region 203 and a peripheral surplus region 204 surrounding the device region 203 on the surface 205. In the device region 203, a device 207 is formed in each region partitioned by a plurality of dividing lines 206 that intersect with each other. The device 207 is an integrated circuit such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration). Note that the peripheral surplus region 204 is a region surrounding the device region 203 on the front surface 205 of the wafer 200 and in which no device 207 is formed.

次に、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる図２に示す研削装置１を説明する。研削装置１は、ウェーハ２００の裏面２０１を研削（加工に相当）する加工装置である。研削装置１は、図２に示すように、装置本体２と、粗研削ユニット３（研削ユニットに相当）と、仕上げ研削ユニット４（研削ユニットに相当）と、研削送りユニット５と、ターンテーブル６と、ターンテーブル６上に設置された複数（実施形態１では３つ）のチャックテーブル７と、カセット８，９と、位置合わせユニット１０と、搬送ユニット１１と、洗浄ユニット１２と、搬出入ユニット１３と、制御ユニット１００とを主に備えている。 Next, the grinding apparatus 1 shown in FIG. 2 used in the wafer processing method according to the first embodiment will be explained. The grinding device 1 is a processing device that grinds (corresponds to processing) the back surface 201 of the wafer 200. As shown in FIG. 2, the grinding device 1 includes a device main body 2, a rough grinding unit 3 (corresponding to a grinding unit), a finish grinding unit 4 (corresponding to a grinding unit), a grinding feed unit 5, and a turntable 6. , a plurality of (three in the first embodiment) chuck tables 7 installed on the turntable 6, cassettes 8 and 9, a positioning unit 10, a transport unit 11, a cleaning unit 12, and a loading/unloading unit. 13 and a control unit 100.

ターンテーブル６は、装置本体２の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル６上には、例えば３つのチャックテーブル７が、例えば１２０度の位相角で等間隔に配設されている。これら３つのチャックテーブル７は、保持面７１に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、ウェーハ２００が保持面７１上に載置されて、ウェーハ２００を吸引保持する。これらチャックテーブル７は、研削時には、鉛直方向即ちＺ軸方向と平行な軸心回りに、回転駆動機構によって水平面内で回転駆動される。このように、チャックテーブル７は、ウェーハ２００を保持する保持面７１を有し、軸心回りに回転可能なものである。 The turntable 6 is a disk-shaped table provided on the upper surface of the device main body 2, is provided rotatably within a horizontal plane, and is driven to rotate at a predetermined timing. On this turntable 6, for example, three chuck tables 7 are arranged at equal intervals with a phase angle of, for example, 120 degrees. These three chuck tables 7 have a chuck table structure in which a vacuum chuck is provided on a holding surface 71, and the wafer 200 is placed on the holding surface 71 to hold the wafer 200 under suction. During grinding, these chuck tables 7 are rotated in a horizontal plane by a rotary drive mechanism about an axis parallel to the vertical direction, that is, the Z-axis direction. In this way, the chuck table 7 has a holding surface 71 that holds the wafer 200, and is rotatable around the axis.

チャックテーブル７は、ターンテーブル６の回転によって、搬入出領域３０１、粗研削領域３０２、仕上げ研削領域３０３、搬入出領域３０１に順次移動される。 The chuck table 7 is sequentially moved to a loading/unloading area 301, a rough grinding area 302, a finishing grinding area 303, and a loading/unloading area 301 by rotation of the turntable 6.

なお、搬入出領域３０１は、チャックテーブル７にウェーハ２００を搬入搬出する領域であり、粗研削領域３０２は、粗研削ユニット３でチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００を粗研削（研削に相当）する領域であり、仕上げ研削領域３０３は、仕上げ研削ユニット４でチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００を仕上げ研削（研削に相当）する領域である。 Note that the loading/unloading area 301 is an area for loading/unloading the wafer 200 to/from the chuck table 7, and the rough grinding area 302 is for rough grinding (equivalent to grinding) the wafer 200 held on the chuck table 7 by the rough grinding unit 3. The finishing grinding area 303 is an area where the finishing grinding unit 4 performs finishing grinding (equivalent to grinding) of the wafer 200 held on the chuck table 7.

粗研削ユニット３は、粗研削用の研削砥石３１を備える粗研削用の粗研削ホイール３２が装着されて、粗研削領域３０２のチャックテーブル７の保持面７１に保持されたウェーハ２００の裏面２０１を粗研削する研削ユニットである。仕上げ研削ユニット４は、仕上げ研削用の研削砥石４１を備える仕上げ研削用の仕上げ研削ホイール４２が装着されて、仕上げ研削領域３０３のチャックテーブル７の保持面７１に保持されたウェーハ２００の裏面２０１を仕上げ研削する研削ユニットである。なお、研削ユニット３，４は、構成が略同一であるので、以下、同一部分に同一符号を付して説明する。 The rough grinding unit 3 is equipped with a rough grinding wheel 32 for rough grinding equipped with a grinding wheel 31 for rough grinding, and is configured to handle the back surface 201 of the wafer 200 held on the holding surface 71 of the chuck table 7 in the rough grinding area 302. This is a grinding unit that performs rough grinding. The finish grinding unit 4 is equipped with a finish grinding wheel 42 for finish grinding equipped with a grinding wheel 41 for finish grinding, and handles the back surface 201 of the wafer 200 held on the holding surface 71 of the chuck table 7 in the finish grinding area 303. This is a grinding unit that performs finish grinding. Note that since the grinding units 3 and 4 have substantially the same configuration, the same parts will be described below with the same reference numerals.

粗研削ユニット３及び仕上げ研削ユニット４は、図３に示すように、研削ホイール３２，４２をスピンドル３３の下端に装着している。研削ホイール３２，４２は、円環状の環状基台３４と、環状基台３４の下面３４１に固定された複数の研削砥石３１，４１とを有する。研削砥石３１，４１は、環状基台３４の下面３４１の外縁部に周方向に並べられている。複数の研削砥石３１，４１の下面３１１，４１１は、円環状を形成している。研削砥石３１，４１は、砥粒がボンドで固定されたものである。仕上げ研削ホイール４２の研削砥石４１の砥粒は、粗研削ホイール３２の研削砥石３１の砥粒よりも細かい。 The rough grinding unit 3 and the finish grinding unit 4 have grinding wheels 32 and 42 attached to the lower end of a spindle 33, as shown in FIG. The grinding wheels 32 and 42 include a circular annular base 34 and a plurality of grinding wheels 31 and 41 fixed to a lower surface 341 of the annular base 34. The grinding wheels 31 and 41 are arranged in the circumferential direction on the outer edge of the lower surface 341 of the annular base 34. The lower surfaces 311, 411 of the plurality of grinding wheels 31, 41 form an annular shape. The grinding wheels 31 and 41 have abrasive grains fixed with a bond. The abrasive grains of the grinding wheel 41 of the finishing grinding wheel 42 are finer than the abrasive grains of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32.

実施形態１では、研削ホイール３２，４２の複数の研削砥石３１，４１の下面３１１，４１１が形成する円環状の外径３５（研削ホイール３２，４２の直径に相当）は、ウェーハ２００の半径２０８と等しい。本発明では、研削ホイール３２，４２の複数の研削砥石３１，４１の下面３１１，４１１が形成する円環状の外径３５が、ウェーハ２００の半径２０８と等しいことを研削ホイール３２，４２の直径である外径がウェーハ２００の半径２０８に相当するという。 In the first embodiment, the outer diameter 35 (corresponding to the diameter of the grinding wheels 32, 42) of the annular shape formed by the lower surfaces 311, 411 of the plurality of grinding wheels 31, 41 of the grinding wheels 32, 42 is the radius 208 of the wafer 200. is equal to In the present invention, the diameter of the grinding wheels 32, 42 is such that the annular outer diameter 35 formed by the lower surfaces 311, 411 of the plurality of grinding wheels 31, 41 of the grinding wheels 32, 42 is equal to the radius 208 of the wafer 200. A certain outer diameter is said to correspond to the radius 208 of the wafer 200.

スピンドル３３は、スピンドルハウジング３６（図２に示す）内に保持面７１と垂直なＺ軸方向と平行な回転軸３８回りに回転自在に収容され、スピンドルハウジング３６に取り付けられたスピンドルモータ３７（図２に示す）により軸心回りに回転される。スピンドル３３は、円柱状に形成され、下端に研削ホイール３２，４２を装着するためのホイールマウント３９が設けられている。ホイールマウント３９は、スピンドル３３の下端から外周方向に全周に亘って突出し、外周面の平面形状が円形に形成されている。ホイールマウント３９は、下面３９１に環状基台３４の上面３４２が重ねられて、研削ホイール３２，４２を図示しないボルトにより固定する。スピンドル３３と、ホイールマウント３９とは、互いに同軸となる位置に配置されている。 The spindle 33 is rotatably housed in a spindle housing 36 (shown in FIG. 2) around a rotating shaft 38 that is parallel to the Z-axis direction perpendicular to the holding surface 71, and is connected to a spindle motor 37 (see FIG. 2) attached to the spindle housing 36. 2) around the axis. The spindle 33 is formed into a cylindrical shape, and a wheel mount 39 for mounting the grinding wheels 32, 42 is provided at the lower end. The wheel mount 39 protrudes from the lower end of the spindle 33 in the outer circumferential direction over the entire circumference, and has a circular planar shape on the outer circumferential surface. In the wheel mount 39, the upper surface 342 of the annular base 34 is superimposed on the lower surface 391, and the grinding wheels 32, 42 are fixed with bolts (not shown). The spindle 33 and the wheel mount 39 are arranged coaxially with each other.

研削ユニット３，４は、スピンドルモータ３７によりスピンドル３３及び研削ホイール３２，４２が回転軸３８回りに回転されるとともに研削水を研削領域３０２，３０３のチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００の裏面２０１に供給しながら研削送りユニット５により研削砥石３１，４１がチャックテーブル７に所定の送り速度で近づけられることによって、ウェーハ２００の裏面２０１を粗研削又は仕上げ研削する。 In the grinding units 3 and 4, a spindle 33 and grinding wheels 32 and 42 are rotated around a rotation axis 38 by a spindle motor 37, and grinding water is applied to the back surface 201 of a wafer 200 held on a chuck table 7 in grinding areas 302 and 303. The grinding wheels 31 and 41 are brought close to the chuck table 7 by the grinding feed unit 5 at a predetermined feed speed while being supplied to the chuck table 7, thereby roughly grinding or finishing the back surface 201 of the wafer 200.

研削送りユニット５は、研削ユニット３，４をＺ軸方向に移動させるものである。実施形態１において、研削送りユニット５は、装置本体２の水平方向と平行なＹ軸方向の一端部から立設した立設柱２１に設けられている。研削送りユニット５は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のモータ及び各研削ユニット３，４のスピンドルハウジング３６をＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。 The grinding feed unit 5 moves the grinding units 3 and 4 in the Z-axis direction. In the first embodiment, the grinding feed unit 5 is provided on an upright pillar 21 that stands from one end of the apparatus main body 2 in the Y-axis direction parallel to the horizontal direction. The grinding feed unit 5 moves a well-known ball screw rotatably provided around its axis, a well-known motor that rotates the ball screw around its axis, and a spindle housing 36 of each grinding unit 3, 4 in the Z-axis direction. It is equipped with a well-known guide rail that supports freely.

なお、実施形態１において、粗研削ユニット３及び仕上げ研削ユニット４は、研削ホイール３２，４２の回転中心である回転軸３８と、チャックテーブル７の回転中心である軸心とが、互いに水平方向に間隔をあけて平行に配置され、研削砥石３１，４１がチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００の裏面２０１の中心２１０又は中心２１０付近を通る位置と、ホイールマウント３９が研削領域３０２，３０３のチャックテーブル７と同軸となる位置とに亘って、スライド移動機構１６により研削送りユニット５及び立設柱２１毎水平方向に沿って移動される。スライド移動機構１６は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のモータ及び各研削ユニット３，４を支持した立設柱２１を水平方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。 In the first embodiment, in the rough grinding unit 3 and the finish grinding unit 4, the rotation shaft 38, which is the rotation center of the grinding wheels 32, 42, and the axis, which is the rotation center of the chuck table 7, are horizontally aligned with each other. The grinding wheels 31 and 41 are arranged parallel to each other with an interval between them, and the position where the grinding wheels 31 and 41 pass through the center 210 or the vicinity of the center 210 of the back surface 201 of the wafer 200 held on the chuck table 7, and the position where the wheel mount 39 is connected to the chuck of the grinding areas 302 and 303. The grinding feed unit 5 and the erected column 21 are moved along the horizontal direction by the slide movement mechanism 16 to a position coaxial with the table 7 . The slide movement mechanism 16 horizontally moves a well-known ball screw that is rotatably provided around its axis, a well-known motor that rotates the ball screw around its axis, and an erected column 21 that supports each of the grinding units 3 and 4. It is equipped with a well-known guide rail that movably supports it.

カセット８，９は、複数のスロットを有するウェーハ２００を収容するための収容容器である。一方のカセット８は、研削前のウェーハ２００を収容し、他方のカセット９は、研削後のウェーハ２００を収容する。また、位置合わせユニット１０は、カセット８から取り出されたウェーハ２００が仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。 The cassettes 8 and 9 are containers for accommodating wafers 200 having a plurality of slots. One cassette 8 accommodates wafers 200 before being ground, and the other cassette 9 accommodates wafers 200 after being ground. Further, the alignment unit 10 is a table on which the wafer 200 taken out from the cassette 8 is temporarily placed and for performing center alignment.

搬送ユニット１１は、２つ設けられている。２つの搬送ユニット１１は、ウェーハ２００を吸着する吸着パッドを有している。一方の搬送ユニット１１は、位置合わせユニット１０で位置合わせされた研削前のウェーハ２００を吸着保持して搬入出領域３０１に位置するチャックテーブル７上に搬入する。他方の搬送ユニット１１は、搬入出領域３０１に位置するチャックテーブル７上に保持された研削後のウェーハ２００を吸着保持して洗浄ユニット１２に搬出する。 Two transport units 11 are provided. The two transport units 11 have suction pads that suction the wafer 200. One transport unit 11 suction-holds the unground wafer 200 aligned by the alignment unit 10 and carries it onto the chuck table 7 located in the carry-in/out area 301 . The other transport unit 11 suction-holds the ground wafer 200 held on the chuck table 7 located in the carry-in/out area 301 and carries it out to the cleaning unit 12 .

搬出入ユニット１３は、例えばＵ字型ハンド１３１を備えるロボットピックであり、Ｕ字型ハンド１３１によってウェーハ２００を吸着保持して搬送する。具体的には、搬出入ユニット１３は、研削前のウェーハ２００をカセット８から取り出して、位置合わせユニット１０へ搬出するとともに、研削後のウェーハ２００を洗浄ユニット１２から取り出して、カセット９へ搬入する。洗浄ユニット１２は、研削後のウェーハ２００を洗浄し、研削された裏面２０１に付着している研削屑等のコンタミネーションを除去する。 The carry-in/out unit 13 is, for example, a robot pick equipped with a U-shaped hand 131, and the U-shaped hand 131 sucks and holds the wafer 200 and transports it. Specifically, the carry-in/out unit 13 takes out the wafer 200 before grinding from the cassette 8 and carries it out to the alignment unit 10, and also takes out the wafer 200 after grinding from the cleaning unit 12 and carries it into the cassette 9. . The cleaning unit 12 cleans the wafer 200 after being ground, and removes contamination such as grinding debris adhering to the ground back surface 201.

制御ユニット１００は、研削装置１を構成する上述した各構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニット１００は、ウェーハ２００に対する研削動作を研削装置１に実行させるものである。制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。 The control unit 100 controls each of the above-mentioned components constituting the grinding device 1. That is, the control unit 100 causes the grinding apparatus 1 to perform a grinding operation on the wafer 200. The control unit 100 includes an arithmetic processing device having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input/output interface device. It is a computer having the following.

制御ユニット１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、研削装置１を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して研削装置１の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニットや、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。 The arithmetic processing device of the control unit 100 performs arithmetic processing according to a computer program stored in a storage device, and sends a control signal for controlling the grinding device 1 to the above-mentioned grinding device 1 via an input/output interface device. Output to the specified component. The control unit 100 is also connected to a display unit including a liquid crystal display device that displays the status of machining operations, images, etc., and an input unit used by an operator to register machining content information and the like. The input unit includes at least one of a touch panel provided on the display unit, a keyboard, and the like.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、研削ホイール３２，４２を用いて、デバイス領域２０３に対応するウェーハ２００の裏面２０１を研削し、デバイス領域２０３に対応したウェーハ２００の裏面２０１に円形凹部２１１（図１５，１６に示す）を形成し、外周余剰領域２０４に対応するウェーハ２００の裏面２０１に環状凸部２１２（図１５，１６に示す）を形成する、所謂ＴＡＩＫＯ研削をウェーハ２００に施す加工方法である。なお、デバイス領域２０３に対応するウェーハ２００の裏面２０１とは、ウェーハ２００の裏面２０１のうちデバイス領域２０３とウェーハ２００の厚み方向に重なる領域であり、外周余剰領域２０４に対応するウェーハ２００の裏面２０１とは、ウェーハ２００の裏面２０１のうち外周余剰領域２０４とウェーハ２００の厚み方向に重なる領域である。 In the wafer processing method according to the first embodiment, the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 is ground using the grinding wheels 32 and 42, and a circular recess 211 is formed on the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203. (shown in FIGS. 15 and 16) and forms an annular convex portion 212 (shown in FIGS. 15 and 16) on the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the outer circumferential surplus area 204. It's a method. Note that the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 is a region of the back surface 201 of the wafer 200 that overlaps the device region 203 in the thickness direction of the wafer 200; is a region of the back surface 201 of the wafer 200 that overlaps the outer peripheral surplus region 204 in the thickness direction of the wafer 200.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図４に示すように、加工準備ステップ１００１と、限定研削ステップ１００２と、位置調整ステップ１００３と、円形研削ステップ１００４と、仕上げ研削ステップ１００５と、洗浄収容ステップ１００６とを備える。 As shown in FIG. 4, the wafer processing method according to the first embodiment includes a processing preparation step 1001, a limited grinding step 1002, a position adjustment step 1003, a circular grinding step 1004, a final grinding step 1005, and a cleaning storage step. step 1006.

（加工準備ステップ）
図５は、図４に示されたウェーハの加工方法の加工準備ステップにおいてウェーハの表面と保護部材とを対向させた状態を示す斜視図である。図６は、図４に示されたウェーハの加工方法の加工準備ステップにおいてウェーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図である。 (Processing preparation step)
FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the surface of the wafer and the protection member are opposed to each other in the processing preparation step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 6 is a perspective view showing a state in which a protective member is attached to the surface of the wafer in the processing preparation step of the wafer processing method shown in FIG.

加工準備ステップ１００１は、研削装置１のチャックテーブル７でウェーハ２００を保持し、スピンドル３３の下端に研削ホイール３２，４２を固定するステップである。実施形態１において、加工準備ステップ１００１では、図５に示すように、ウェーハ２００の表面２０５に保護部材２１３を対向させた後、図６に示すように、ウェーハ２００の表面２０５に保護部材２１３を貼着する。実施形態１では、保護部材２１３は、ウェーハ２００と同じ大きさの円板状に形成され、可撓性を有する合成樹脂または剛性を有する基板により構成されている。 The processing preparation step 1001 is a step in which the wafer 200 is held on the chuck table 7 of the grinding apparatus 1 and the grinding wheels 32 and 42 are fixed to the lower end of the spindle 33. In Embodiment 1, in the processing preparation step 1001, as shown in FIG. 5, after placing the protective member 213 on the front surface 205 of the wafer 200, as shown in FIG. Paste. In the first embodiment, the protection member 213 is formed into a disk shape having the same size as the wafer 200, and is made of a flexible synthetic resin or a rigid substrate.

実施形態１において、加工準備ステップ１００１では、オペレータが研削装置１の各研削ユニット３，４のスピンドル３３の下端に研削ホイール３２，４２を固定し、表面２０５に保護部材２１３が貼着されたウェーハ２００を保護部材２１３を下向きにして、カセット８を収容する。加工準備ステップ１００１では、オペレータにより、加工条件が制御ユニット１００に登録され、研削前の保護部材２１３が貼着されたウェーハ２００を収容したカセット８及びウェーハ２００を収容していないカセット９が装置本体２に設置される。加工準備ステップ１００１では、研削装置１の制御ユニット１００は、オペレータから加工動作の開始指示を受け付けると、加工動作を開始する。 In the first embodiment, in the processing preparation step 1001, the operator fixes the grinding wheels 32, 42 to the lower ends of the spindles 33 of the grinding units 3, 4 of the grinding apparatus 1, and removes the wafer with the protective member 213 attached to the surface 205. The cassette 8 is housed in the cassette 200 with the protection member 213 facing downward. In a processing preparation step 1001, the processing conditions are registered in the control unit 100 by the operator, and the cassette 8 containing the wafer 200 to which the protection member 213 before grinding is attached and the cassette 9 containing no wafer 200 are transferred to the main body of the apparatus. It will be installed at 2. In a machining preparation step 1001, the control unit 100 of the grinding device 1 starts the machining operation upon receiving an instruction to start the machining operation from the operator.

加工動作では、研削装置１の制御ユニット１００は、各研削ユニット３，４のスピンドル３３を回転軸３８回りに回転させ、搬出入ユニット１３にカセット８からウェーハ２００を１枚取り出させて、位置合わせユニット１０へ搬出させる。制御ユニット１００は、位置合わせユニット１０にウェーハ２００の中心位置合わせを行わせ、搬送ユニット１１に位置合わせされたウェーハ２００の表面２０５側を搬入出領域３０１に位置するチャックテーブル７上に搬入する。このとき、チャックテーブル７に搬入されたウェーハ２００は、チャックテーブル７と同軸となる位置に位置付けられる。 In the processing operation, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 rotates the spindle 33 of each grinding unit 3, 4 around the rotation axis 38, causes the loading/unloading unit 13 to take out one wafer 200 from the cassette 8, and aligns it. It is carried out to unit 10. The control unit 100 causes the alignment unit 10 to align the center of the wafer 200, and carries the front surface 205 side of the wafer 200 aligned with the transport unit 11 onto the chuck table 7 located in the carry-in/out area 301. At this time, the wafer 200 carried into the chuck table 7 is positioned coaxially with the chuck table 7.

加工準備ステップ１００１では、研削装置１の制御ユニット１００は、ウェーハ２００の表面２０５側を保護部材２１３を介して搬入出領域３０１のチャックテーブル７に吸引保持して、限定研削ステップ１００２に進む。 In the processing preparation step 1001, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 suction-holds the front surface 205 side of the wafer 200 on the chuck table 7 of the loading/unloading area 301 via the protective member 213, and proceeds to the limited grinding step 1002.

（限定研削ステップ）
図７は、図４に示されたウェーハの加工方法の限定研削ステップの開始直後の粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。図８は、図７に示された粗研削ホイールとウェーハとを当接させた状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図９は、図４に示されたウェーハの加工方法の限定研削ステップの終了時の粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す断面図である。図１０は、図９に示された粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。 (limited grinding step)
FIG. 7 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer immediately after the limited grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 4 is started. FIG. 8 is a side view schematically showing, partially in section, a state in which the rough grinding wheel shown in FIG. 7 and the wafer are in contact with each other. FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer at the end of the limited grinding step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 10 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 9.

限定研削ステップ１００２は、チャックテーブル７に保持したウェーハ２００の中央部分を除いたデバイス領域２０３に対応するウェーハ２００の裏面２０１を粗研削ホイール３２で研削し、環状凹部２１４（図９及び図１０に示す）を形成するとともに、環状凹部２１４に囲まれた中央凸部２１５（図９及び図１０に示す）をウェーハ２００の裏面２０１に形成するステップである。限定研削ステップ１００２では、研削装置１の制御ユニット１００が、ターンテーブル６を回転して、搬入出領域３０１でウェーハ２００を保持したチャックテーブル７を粗研削領域３０２に移動して、裏面２０１を露出させてターンテーブル６でウェーハ２００を粗研削領域３０２に搬送する。 In the limited grinding step 1002, the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device area 203 excluding the central portion of the wafer 200 held on the chuck table 7 is ground with the rough grinding wheel 32, and an annular recess 214 (as shown in FIGS. 9 and 10) is ground. This is a step of forming a central protrusion 215 (shown in FIGS. 9 and 10) surrounded by an annular recess 214 on the back surface 201 of the wafer 200. In the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 rotates the turntable 6, moves the chuck table 7 holding the wafer 200 in the loading/unloading area 301 to the rough grinding area 302, and exposes the back surface 201. Then, the wafer 200 is transported to the rough grinding area 302 by the turntable 6.

限定研削ステップ１００２では、研削装置１の制御ユニット１００が、スライド移動機構１６に粗研削ユニット３を水平方向に移動させて、図７に示すように、粗研削ユニット３のスピンドル３３の回転軸３８とターンテーブル６の軸心即ちチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００の中心２１０とを水平方向に間隔をあけて配置する（即ちウェーハ２００と粗研削ホイール３２とを非同軸となる位置に位置付ける）。また、限定研削ステップ１００２では、研削装置１の制御ユニット１００が、平面視において、粗研削ホイール３２の研削砥石３１の内周側にチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００の中心２１０を位置付け、チャックテーブル７を軸心回りに回転する。なお、実施形態１において、限定研削ステップ１００２では、研削装置１の制御ユニット１００が、平面視において、チャックテーブル７と粗研削ユニット３の粗研削ホイール３２とを同方向に回転する。 In the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding device 1 causes the slide movement mechanism 16 to move the rough grinding unit 3 in the horizontal direction, and as shown in FIG. and the axis of the turntable 6, that is, the center 210 of the wafer 200 held on the chuck table 7, are spaced horizontally (that is, the wafer 200 and the rough grinding wheel 32 are positioned non-coaxially). . In the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 positions the center 210 of the wafer 200 held on the chuck table 7 on the inner peripheral side of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 in plan view, and Rotate the table 7 around its axis. In the first embodiment, in the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding device 1 rotates the chuck table 7 and the rough grinding wheel 32 of the rough grinding unit 3 in the same direction in plan view.

限定研削ステップ１００２では、研削装置１の制御ユニット１００が、研削送りユニット５に粗研削ユニット３を下降させ、図８に示すように、粗研削ユニット３の粗研削ホイール３２の研削砥石３１の下面３１１をウェーハ２００の裏面２０１に当接させ、加工内容情報で定められた研削送り速度で粗研削ユニット３を下降させる。すると、研削砥石３１が裏面２０１の中央部分を除いたデバイス領域２０３に対応するウェーハ２００の裏面２０１を研削し、デバイス領域２０３に対応するウェーハ２００の裏面２０１の膜２０２と母材とを順に研削する。限定研削ステップ１００２では、研削装置１の制御ユニット１００が、図９に示すように、裏面２０１から加工内容情報で定められた深さ２１６まで粗研削ユニット３で研削すると、位置調整ステップ１００３に進む。 In the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding device 1 lowers the rough grinding unit 3 to the grinding feed unit 5, and as shown in FIG. 311 is brought into contact with the back surface 201 of the wafer 200, and the rough grinding unit 3 is lowered at a grinding feed rate determined by the processing content information. Then, the grinding wheel 31 grinds the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 excluding the central portion of the back surface 201, and sequentially grinds the film 202 and the base material on the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203. do. In the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding device 1, as shown in FIG. .

なお、限定研削ステップ１００２では、ウェーハ２００と粗研削ホイール３２とが非同軸となる位置に位置付けられ、平面視において粗研削ホイール３２の研削砥石３１の内周側にチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００の中心２１０が位置付けられるので、限定研削ステップ１００２後のウェーハ２００の裏面２０１には、図９及び図１０に示すように、デバイス領域２０３のウェーハ２００の裏面２０１に、裏面２０１から凹の環状凹部２１４が形成されるとともに、環状凹部２１４により囲まれた中央凸部２１５とが形成される。環状凹部２１４は、平面形状が円環状に形成され、中央凸部２１５は、平面形状が円形に形成される。環状凹部２１４と中央凸部２１５とは、ウェーハ２００と同軸となる位置に形成される。また、本発明では、ウェーハ２００の母材がシリコンで構成されるので、限定研削ステップ１００２では、少なくとも環状凹部２１４の底面に母材が露出する程度粗研削ホイール３２を研削送りすれば良い、即ち、少なくとも研削砥石３１の下面３１１に接触する膜２０２を除去すれば良い。 In the limited grinding step 1002, the wafer 200 and the rough grinding wheel 32 are positioned non-coaxially, and the wafer held on the chuck table 7 is positioned on the inner circumferential side of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 in plan view. Since the center 210 of the wafer 200 is positioned, the back surface 201 of the wafer 200 after the limited grinding step 1002 has a concave annular shape formed from the back surface 201 on the back surface 201 of the wafer 200 in the device area 203, as shown in FIGS. A recess 214 is formed, and a central protrusion 215 surrounded by the annular recess 214 is formed. The annular recess 214 has a circular planar shape, and the central protrusion 215 has a circular planar shape. The annular recess 214 and the central protrusion 215 are formed at a position coaxial with the wafer 200. Further, in the present invention, since the base material of the wafer 200 is made of silicon, in the limited grinding step 1002, it is sufficient to grind and feed the rough grinding wheel 32 to the extent that the base material is exposed at least on the bottom surface of the annular recess 214. , it is sufficient to remove at least the film 202 that contacts the lower surface 311 of the grinding wheel 31.

（位置調整ステップ）
図１１は、図４に示されたウェーハの加工方法の位置調整ステップにおいて粗研削ユニットを上昇させて粗研削ホイールをウェーハから離した状態を一部断面で示す側面図である。図１２は、図１１に示された粗研削ホイールをウェーハの外周縁に向かって相対的に移動させた状態を一部断面で示す側面図である。図１３は、図１２に示された粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。 (position adjustment step)
FIG. 11 is a side view, partially in cross section, showing a state in which the rough grinding unit is raised and the rough grinding wheel is separated from the wafer in the position adjustment step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 12 is a side view, partially in section, showing a state in which the rough grinding wheel shown in FIG. 11 is relatively moved toward the outer peripheral edge of the wafer. FIG. 13 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 12.

位置調整ステップ１００３は、限定研削ステップ１００２実施後、粗研削ホイール３２をウェーハ２００から離した後、粗研削ホイール３２をウェーハ２００の外周縁に向かって相対的に移動させるステップである。位置調整ステップ１００３では、研削装置１の制御ユニット１００が、図１１に示すように、研削送りユニット５に粗研削ユニット３を上昇させて、粗研削ホイール３２の研削砥石３１をチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００から離す。 The position adjustment step 1003 is a step in which the rough grinding wheel 32 is separated from the wafer 200 after the limited grinding step 1002 is performed, and then the rough grinding wheel 32 is moved relatively toward the outer peripheral edge of the wafer 200. In the position adjustment step 1003, the control unit 100 of the grinding device 1 causes the grinding feed unit 5 to raise the rough grinding unit 3 and hold the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 on the chuck table 7, as shown in FIG. separated from the wafer 200.

位置調整ステップ１００３では、研削装置１の制御ユニット１００が、スライド移動機構１６に粗研削ユニット３の粗研削ホイール３２を粗研削領域３０２のチャックテーブル７に保持されたウェーハ２００の外周縁に向けて移動する。実施形態１において、位置調整ステップ１００３では、研削装置１の制御ユニット１００が、図１２及び図１３に示すように、粗研削ホイール３２の一部の研削砥石３１の外縁をウェーハ２００のデバイス領域２０３と外周余剰領域２０４との境界上に位置付け、他の一部の研削砥石３１の下面３１１をウェーハ２００の中心２１０上に位置付けて、円形研削ステップ１００４に進む。 In the position adjustment step 1003, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 causes the slide movement mechanism 16 to direct the rough grinding wheel 32 of the rough grinding unit 3 toward the outer peripheral edge of the wafer 200 held on the chuck table 7 in the rough grinding area 302. Moving. In the first embodiment, in the position adjustment step 1003, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 aligns the outer edge of a part of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 with the device area 203 of the wafer 200, as shown in FIGS. The lower surfaces 311 of some of the other grinding wheels 31 are positioned on the center 210 of the wafer 200, and the process proceeds to circular grinding step 1004.

（円形研削ステップ）
図１４は、図４に示されたウェーハの加工方法の円形研削ステップの開始直後の粗研削ホイールとウェーハとを当接させた状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図１５は、図４に示されたウェーハの加工方法の円形研削ステップの終了時の粗研削ホイールとウェーハとを一部断面で模式的に示す側面図である。図１６は、図１５に示された粗研削ホイールとウェーハとを模式的に示す平面図である。 (Circular grinding step)
FIG. 14 is a side view schematically showing, partially in cross section, a state in which the rough grinding wheel and the wafer are in contact with each other immediately after the start of the circular grinding step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 15 is a side view schematically showing, partially in cross section, the rough grinding wheel and the wafer at the end of the circular grinding step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 16 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 15.

円形研削ステップ１００４は、位置調整ステップ１００３を実施後、粗研削ホイール３２を用いて中央凸部２１５を含むデバイス領域２０３に対応するウェーハ２００の裏面２０１を研削し、デバイス領域２０３に対応したウェーハ２００の裏面２０１の中央凸部２１５を除去するとともに、円形凹部２１１を形成し、外周余剰領域２０４に対応するウェーハ２００の裏面２０１に環状凸部２１２を形成するステップである。 In the circular grinding step 1004, after performing the position adjustment step 1003, the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 including the central convex portion 215 is ground using the rough grinding wheel 32, and the wafer 200 corresponding to the device region 203 is In this step, the central convex portion 215 of the back surface 201 of the wafer 200 is removed, a circular concave portion 211 is formed, and an annular convex portion 212 is formed on the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the peripheral surplus area 204.

円形研削ステップ１００４では、研削装置１の制御ユニット１００が、研削送りユニット５に粗研削ユニット３を下降させ、図１４に示すように、粗研削ユニット３の粗研削ホイール３２の研削砥石３１の下面３１１をウェーハ２００の裏面２０１の環状凹部２１４の外周側の領域と中央凸部２１５の領域とに当接させ、加工内容情報で定められた研削送り速度で粗研削ユニット３を下降させる。すると、研削砥石３１がデバイス領域２０３に対応するウェーハ２００の裏面２０１の環状凹部２１４の外周側の領域と中央凸部２１５の領域とを研削して除去する。 In the circular grinding step 1004, the control unit 100 of the grinding device 1 lowers the rough grinding unit 3 to the grinding feed unit 5, and as shown in FIG. 311 is brought into contact with the outer circumferential area of the annular recess 214 and the area of the central protrusion 215 on the back surface 201 of the wafer 200, and the rough grinding unit 3 is lowered at a grinding feed rate determined by the processing content information. Then, the grinding wheel 31 grinds and removes the area on the outer peripheral side of the annular recess 214 and the area of the central protrusion 215 on the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device area 203.

円形研削ステップ１００４では、研削開始時、研削砥石３１が中央凸部２１５の角及び環状凹部２１４の角に当接して、研削砥石３１がドレッシングされる。円形研削ステップ１００４では、研削装置１の制御ユニット１００が、図１５に示すように、裏面２０１から限定研削ステップ１００２の深さ２１６よりも深い加工内容情報で定められた深さ２１７まで粗研削ユニット３で研削すると、仕上げ研削ステップ１００５に進む。 In the circular grinding step 1004, at the start of grinding, the grinding wheel 31 comes into contact with the corners of the central convex portion 215 and the corners of the annular recess 214, thereby dressing the grinding wheel 31. In the circular grinding step 1004, the control unit 100 of the grinding device 1 operates the rough grinding unit from the back surface 201 to a depth 217 determined by the machining content information, which is deeper than the depth 216 of the limited grinding step 1002, as shown in FIG. After the grinding is performed in Step 3, the process proceeds to the final grinding step 1005.

なお、位置調整ステップ１００３では、粗研削ホイール３２の一部の研削砥石３１の外縁がウェーハ２００のデバイス領域２０３と外周余剰領域２０４との境界上に位置付けられ、他の一部の研削砥石３１の下面３１１がウェーハ２００の中心２１０上に位置付けられるので、円形研削ステップ１００４後のウェーハ２００の裏面２０１には、図１５及び図１６に示すように、デバイス領域２０３のウェーハ２００の裏面２０１全体に、円形凹部２１１が形成されるとともに、外周余剰領域２０４に対応するウェーハ２００の裏面２０１に裏面２０１が研削されずに残存した環状凸部２１２が形成される。こうして、実施形態１に係るウェーハの加工方法では、限定研削ステップ１００２で形成する環状凹部２１４より、円形研削ステップ１００４で形成する円形凹部２１１の方が深く形成される。また、実施形態１では、限定研削ステップ１００２、位置調整ステップ１００３及び円形研削ステップ１００４の間、粗研削領域３０２に位置付けられたチャックテーブル７は、同方向に回転されている。 In addition, in the position adjustment step 1003, the outer edges of some of the grinding wheels 31 of the rough grinding wheel 32 are positioned on the boundary between the device area 203 and the outer peripheral surplus area 204 of the wafer 200, and the outer edges of some of the other grinding wheels 31 Since the bottom surface 311 is positioned over the center 210 of the wafer 200, the back surface 201 of the wafer 200 after the circular grinding step 1004 includes the entire back surface 201 of the wafer 200 in the device area 203, as shown in FIGS. A circular concave portion 211 is formed, and an annular convex portion 212 is formed on the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the peripheral surplus region 204, where the back surface 201 remains without being ground. Thus, in the wafer processing method according to the first embodiment, the circular recess 211 formed in the circular grinding step 1004 is deeper than the annular recess 214 formed in the limited grinding step 1002. Furthermore, in the first embodiment, the chuck table 7 positioned in the rough grinding area 302 is rotated in the same direction during the limited grinding step 1002, the position adjustment step 1003, and the circular grinding step 1004.

（仕上げ研削ステップ）
仕上げ研削ステップ１００５は、円形研削ステップ１００４実施後、仕上げ研削ホイール４２で円形凹部２１１を更に深く研削するステップである。仕上げ研削ステップ１００５では、研削装置１の制御ユニット１００が、ターンテーブル６を回転して、粗研削領域３０２で円形研削ステップ１００４が実施されたウェーハ２００を保持したチャックテーブル７を仕上げ研削領域３０３に移動して、裏面２０１を露出させてターンテーブル６でウェーハ２００を仕上げ研削領域３０３に搬送する。 (Final grinding step)
The final grinding step 1005 is a step in which the circular recess 211 is ground deeper using the final grinding wheel 42 after the circular grinding step 1004 is performed. In the finish grinding step 1005, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 rotates the turntable 6 to transfer the chuck table 7 holding the wafer 200, which has been subjected to the circular grinding step 1004 in the rough grinding area 302, to the finish grinding area 303. The wafer 200 is moved to expose the back surface 201 and the turntable 6 transports the wafer 200 to the final grinding area 303.

実施形態１では、仕上げ研削ステップ１００５では、研削装置１の制御ユニット１００が、スライド移動機構１６に仕上げ研削ユニット４を水平方向に移動させて、仕上げ研削ホイール４２の一部の研削砥石４１の外縁をウェーハ２００のデバイス領域２０３と外周余剰領域２０４との境界上に位置付け、他の一部の研削砥石４１の下面４１１をウェーハ２００の中心２１０上に位置付けて、仕上げ研削領域３０３に位置付けられたチャックテーブル７を仕上げ研削ホイール４２と同方向に回転させながら、研削送りユニット５に仕上げ研削ユニット４を下降させる。 In the first embodiment, in the finish grinding step 1005, the control unit 100 of the grinding device 1 causes the slide movement mechanism 16 to move the finish grinding unit 4 in the horizontal direction, so that the outer edge of the grinding wheel 41 of a part of the finish grinding wheel 42 is removed. is positioned on the boundary between the device area 203 and the peripheral excess area 204 of the wafer 200, and the lower surface 411 of some of the other grinding wheels 41 is positioned on the center 210 of the wafer 200, and the chuck is positioned in the final grinding area 303. While rotating the table 7 in the same direction as the finish grinding wheel 42, the finish grinding unit 4 is lowered to the grinding feed unit 5.

仕上げ研削ステップ１００５では、研削装置１の制御ユニット１００が、仕上げ研削ユニット４で円形凹部２１１の底面を加工内容情報で定められた深さ研削し、その後、研削送りユニット５に仕上げ研削ユニット４を上昇させて、洗浄収容ステップ１００６に進む。 In the finish grinding step 1005, the control unit 100 of the grinding device 1 causes the finish grinding unit 4 to grind the bottom surface of the circular recess 211 to a depth determined by the machining content information, and then sends the finish grinding unit 4 to the grinding feed unit 5. and then proceed to cleaning storage step 1006.

（洗浄収容ステップ）
洗浄収容ステップ１００６は、仕上げ研削ステップ１００５実施後、ウェーハ２００を洗浄し、カセット９に収容するステップである。洗浄収容ステップ１００６では、研削装置１の制御ユニット１００が、ターンテーブル６を回転して、仕上げ研削領域３０３で仕上げ研削ステップ１００５が実施されたウェーハ２００を保持したチャックテーブル７を搬入出領域３０１に移動して、裏面２０１を露出させてターンテーブル６でウェーハ２００を搬入出領域３０１に搬送する。こうして、ウェーハの加工方法は、ウェーハ２００を、粗研削領域３０２、仕上げ研削領域３０３、搬入出領域３０１に順に搬送し、限定研削ステップ１００２、位置調整ステップ１００３、円形研削ステップ１００４及び仕上げ研削ステップ１００５を順に実施する。なお、研削装置１の制御ユニット１００は、ターンテーブル６が１２０度回転する度に、研削前のウェーハ２００を搬入出領域３０１のチャックテーブル７に搬入する。 (Cleaning accommodation step)
The cleaning and storing step 1006 is a step in which the wafer 200 is cleaned and stored in the cassette 9 after the final grinding step 1005 is performed. In the cleaning storage step 1006 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 rotates the turntable 6 and transfers the chuck table 7 holding the wafer 200 that has been subjected to the final grinding step 1005 in the final grinding area 303 to the loading/unloading area 301 . The wafer 200 is moved to expose the back surface 201 and is transported to the loading/unloading area 301 by the turntable 6 . In this way, the wafer processing method sequentially transports the wafer 200 to the rough grinding area 302, the finish grinding area 303, and the loading/unloading area 301, and then the limited grinding step 1002, the position adjustment step 1003, the circular grinding step 1004, and the final grinding step 1005. Perform the steps in order. Note that the control unit 100 of the grinding apparatus 1 carries the wafer 200 before grinding into the chuck table 7 in the carry-in/out area 301 every time the turntable 6 rotates 120 degrees.

洗浄収容ステップ１００６では、研削装置１の制御ユニット１００は、研削後のウェーハ２００を搬送ユニット１１により洗浄ユニット１２に搬入し、洗浄ユニット１２で洗浄し、洗浄後のウェーハ２００を搬出入ユニット１３の搬送パッドでウェーハ２００の保護部材２１３側から保持して、カセット９へ搬入する。なお、実施形態１では、研削装置１の制御ユニット１００は、ターンテーブル６を１２０度回転する度に、粗研削領域３０２に位置付けられたウェーハ２００に限定研削ステップ１００２、位置調整ステップ１００３及び円形研削ステップ１００４を順に実施し、仕上げ研削領域３０３に位置付けられたウェーハ２００に仕上げ研削ステップ１００５を実施し、搬入出領域３０１に位置付けられたチャックテーブル７から研削後のウェーハ２００を洗浄ユニット１２に搬送し、研削前のウェーハ２００をチャックテーブル７に搬送する。研削装置１の制御ユニット１００は、カセット８内の全てのウェーハ２００に研削を施すと、加工動作即ちウェーハの加工方法を終了する。 In the cleaning storage step 1006 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 transports the ground wafer 200 to the cleaning unit 12 using the transport unit 11 , cleans it in the cleaning unit 12 , and transfers the cleaned wafer 200 to the loading/unloading unit 13 . The wafer 200 is held from the protection member 213 side by the transfer pad and carried into the cassette 9. In the first embodiment, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 performs limited grinding step 1002, position adjustment step 1003, and circular grinding on the wafer 200 positioned in the rough grinding area 302 every time the turntable 6 is rotated 120 degrees. Steps 1004 are performed in sequence, a final grinding step 1005 is performed on the wafer 200 located in the final grinding area 303, and the wafer 200 after grinding is transferred from the chuck table 7 located in the loading/unloading area 301 to the cleaning unit 12. , transports the wafer 200 before grinding to the chuck table 7. When all the wafers 200 in the cassette 8 are ground, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 ends the processing operation, that is, the wafer processing method.

以上のように、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、研削が難しい難研削性のウェーハ２００であっても、限定研削ステップ１００２において従来のＴＡＩＫＯ研削よりも研削する面積を狭く限定して中央に中央凸部２１５を残す研削をした後、円形研削ステップ１００４において中央凸部２１５を含めたデバイス領域２０３全体に対応したウェーハ２００の裏面２０１を研削する。このために、ウェーハの加工方法は、限定研削ステップ１００２及び円形研削ステップ１００４それぞれの研削範囲を従来のＴＡＩＫＯ研削よりも狭くでき、研削砥石３１にかかる負荷を減らすことができる。その結果、ウェーハの加工方法は、スピンドルモータ３７の負荷電流値が規定値を超えることを抑制でき、ウェーハ２００の裏面２０１にデバイス領域２０３に対応する円形凹部２１１と外周余剰領域２０４に対応する環状凸部２１２とを形成する所謂ＴＡＩＫＯ研削を安定的に実施することを可能とする、という効果を奏する。 As described above, in the wafer processing method according to the first embodiment, even if the wafer 200 is difficult to grind, the area to be ground is narrowly limited in the limited grinding step 1002 compared to the conventional TAIKO grinding, and After grinding is performed to leave the central convex portion 215, in a circular grinding step 1004, the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the entire device region 203 including the central convex portion 215 is ground. For this reason, in the wafer processing method, the grinding range of each of the limited grinding step 1002 and the circular grinding step 1004 can be narrower than in the conventional TAIKO grinding, and the load on the grinding wheel 31 can be reduced. As a result, the wafer processing method can suppress the load current value of the spindle motor 37 from exceeding a specified value, and the back surface 201 of the wafer 200 has a circular recess 211 corresponding to the device area 203 and an annular recess corresponding to the outer peripheral surplus area 204. This has the effect of making it possible to stably perform so-called TAIKO grinding to form the convex portions 212.

また、ウェーハの加工方法は、円形研削ステップ１００４において、中央凸部２１５を研削する際、中央凸部２１５の角及び環状凹部２１４の角に研削砥石３１が衝突することでドレッシング効果も得られ、研削状態を良好に保つ効果も奏する。 Further, in the wafer processing method, when grinding the central convex portion 215 in the circular grinding step 1004, a dressing effect is also obtained by the grinding wheel 31 colliding with the corners of the central convex portion 215 and the corners of the annular concave portion 214, It also has the effect of keeping the grinding condition good.

〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１７は、実施形態１の変形例に係るウェーハの加工方法の限定研削ステップにおいて、最初に環状凹部及び中央凸部を形成した状態を模式的に示す断面図である。なお、図１７は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modified example]
A wafer processing method according to a modification of Embodiment 1 of the present invention will be described based on the drawings. FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a state in which an annular recess and a central convex portion are first formed in the limited grinding step of the wafer processing method according to a modification of the first embodiment. In addition, in FIG. 17, the same parts as in Embodiment 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態１の変形例に係るウェーハの加工方法は、限定研削ステップ１００２をウェーハ２００に対する粗研削ホイール３２の相対的な位置を中心２１０寄りの位置から外周縁の位置に徐々に変更しながら複数回実施して、環状凹部２１４と中央凸部２１５とを裏面２０１に形成する。なお、図１７は、限定研削ステップ１００２において、粗研削ホイール３２とウェーハ２００とを同軸となる位置に位置付けて、最初に環状凹部２１４と中央凸部２１５とを形成した例を示している。なお、本発明では、最初に環状凹部２１４と中央凸部２１５とを形成する際に、図１７に示すように、粗研削ホイール３２とウェーハ２００とを同軸となる位置に位置付けるに限定されずに、限定研削ステップ１００２をウェーハ２００に対する粗研削ホイール３２の相対的な位置を中心２１０寄りの位置から外周縁の位置に徐々に変更しながら複数回実施すれば良い。 The wafer processing method according to the modification of the first embodiment includes performing the limited grinding step 1002 multiple times while gradually changing the relative position of the rough grinding wheel 32 with respect to the wafer 200 from a position near the center 210 to a position near the outer periphery. This process forms an annular recess 214 and a central protrusion 215 on the back surface 201. Note that FIG. 17 shows an example in which, in the limited grinding step 1002, the rough grinding wheel 32 and the wafer 200 are positioned coaxially, and the annular recess 214 and the central protrusion 215 are first formed. Note that in the present invention, when first forming the annular recess 214 and the central protrusion 215, the rough grinding wheel 32 and the wafer 200 are not limited to being positioned coaxially as shown in FIG. , the limited grinding step 1002 may be performed multiple times while gradually changing the relative position of the rough grinding wheel 32 with respect to the wafer 200 from a position near the center 210 to a position near the outer periphery.

図１７に示す変形例に係るウェーハの加工方法は、限定研削ステップ１００２をウェーハ２００に対する粗研削ホイール３２の相対的な位置を中心２１０寄りの位置から外周縁の位置に徐々に変更しながら複数回実施するので、研削砥石３１にかかる負荷を実施形態よりも更に減らすことができる。 In the wafer processing method according to the modification shown in FIG. 17, the limited grinding step 1002 is performed multiple times while gradually changing the relative position of the rough grinding wheel 32 with respect to the wafer 200 from a position near the center 210 to a position near the outer periphery. Therefore, the load applied to the grinding wheel 31 can be further reduced than in the embodiment.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。上述した実施形態１では、難研削性のウェーハ２００は、母材がシリコンで構成され外表面に膜２０２が形成されていたが、本発明では、これに限定されない。例えば、本発明では、難研削性のウェーハ２００は、母材がサファイア又はガラスなどで構成されても良く、ドープ材（例えば、ホウ素：Ｂ、リン：Ｐ、錫：Ｓｎ又はヒ素：Ａｓ）が混入されることで抵抗率が例えば０．００１Ωｃｍ以上でかつ０．１Ωｃｍに調整された所謂ハイドープ品のウェーハでも良い。これらの難研削性のウェーハ２００に円形凹部２１１と環状凸部２１２を形成する際には、本発明のウェーハの加工方法は、粗研削ユニット３と仕上げ研削ユニット４との少なくとも一方を用いて、限定研削ステップ１００２、位置調整ステップ１００３及び円形研削ステップ１００４を実施すれば良い。 Note that the present invention is not limited to the above embodiments. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the invention. In the first embodiment described above, the difficult-to-grind wafer 200 has a base material made of silicon and a film 202 formed on the outer surface, but the present invention is not limited to this. For example, in the present invention, the difficult-to-grind wafer 200 may have a base material made of sapphire or glass, and a doped material (for example, boron: B, phosphorus: P, tin: Sn, or arsenic: As). It may also be a so-called high-doped wafer, in which the resistivity is adjusted to, for example, 0.001 Ωcm or more and 0.1 Ωcm. When forming the circular recesses 211 and the annular protrusions 212 on these difficult-to-grind wafers 200, the wafer processing method of the present invention uses at least one of the rough grinding unit 3 and the finish grinding unit 4, A limited grinding step 1002, a position adjustment step 1003, and a circular grinding step 1004 may be performed.

７ チャックテーブル
３２ 粗研削ホイール（研削ホイール）
３３ スピンドル
３５ 外径（直径）
３８ 回転軸
４１ 仕上げ研削用の研削砥石（研削砥石）
４２ 仕上げ研削ホイール（研削ホイール）
７１ 保持面
２００ ウェーハ
２０１ 裏面
２０３ デバイス領域
２０４ 外周余剰領域
２０５ 表面
２０６ 分割予定ライン
２０７ デバイス
２０８ 半径
２１１ 円形凹部
２１２ 環状凸部
２１４ 環状凹部
２１５ 中央凸部
１００１ 加工準備ステップ
１００２ 限定研削ステップ
１００３ 位置調整ステップ
１００４ 円形研削ステップ
１００５ 仕上げ研削ステップ 7 Chuck table 32 Rough grinding wheel (grinding wheel)
33 Spindle 35 Outer diameter (diameter)
38 Rotating shaft 41 Grinding wheel for finish grinding (grinding wheel)
42 Finish grinding wheel (grinding wheel)
71 Holding surfaces 200 Waha 201 Back side 203 device area 204 Device area 204 outer surplus area 205 surface 205 surface 206 Division line 208 Device 211 Yen -shaped concave part 3rd position adjustment step 1004 Circular grinding step 1005 Finish grinding step

Claims (3)

互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハを保持する保持面を有し回転可能なチャックテーブルでウェーハを保持し、該保持面に垂直な回転軸のスピンドルの下端にウェーハの半径に相当する直径の研削ホイールを固定する加工準備ステップと、
該チャックテーブルに保持したウェーハの中央部分を除いたデバイス領域に対応するウェーハの裏面を該研削ホイールで研削し、環状凹部を形成するとともに該環状凹部に囲まれた中央凸部をウェーハの裏面に形成する限定研削ステップと、
該限定研削ステップ実施後、該研削ホイールを該ウェーハから離した後、該研削ホイールをウェーハの外周縁に向かって相対的に移動させる位置調整ステップと、
該位置調整ステップを実施後、該研削ホイールを用いて、該中央凸部を含む該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削し、該デバイス領域に対応したウェーハの裏面の該中央凸部を除去するとともに円形凹部を形成し、該外周余剰領域に対応するウェーハの裏面に環状凸部を形成する円形研削ステップと、を備えるウェーハの加工方法。 A method for processing a wafer having on its surface a device region in which devices are formed in each region divided by a plurality of dividing lines that intersect with each other, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, the method comprising:
a processing preparation step of holding the wafer on a rotatable chuck table having a holding surface for holding the wafer, and fixing a grinding wheel having a diameter corresponding to the radius of the wafer to the lower end of a spindle with a rotation axis perpendicular to the holding surface; ,
The back surface of the wafer corresponding to the device area excluding the center portion of the wafer held on the chuck table is ground with the grinding wheel to form an annular recess and a central protrusion surrounded by the annular recess is formed on the back surface of the wafer. a limited grinding step to form;
After performing the limited grinding step, after separating the grinding wheel from the wafer, a position adjustment step of moving the grinding wheel relatively toward an outer peripheral edge of the wafer;
After performing the position adjustment step, the grinding wheel is used to grind the back side of the wafer corresponding to the device area including the central convex portion, and the central convex portion on the back side of the wafer corresponding to the device area is removed. and a circular grinding step of forming a circular concave portion and forming an annular convex portion on the back surface of the wafer corresponding to the peripheral surplus area. 該円形研削ステップ実施後、該研削ホイールより細かい砥粒がボンドで固定された研削砥石を有する仕上げ研削ホイールで該円形凹部を更に深く研削する仕上げ研削ステップを備える請求項１に記載のウェーハの加工方法。 Processing of the wafer according to claim 1, further comprising a final grinding step of grinding the circular concave portion more deeply with a final grinding wheel having a grinding wheel to which abrasive grains finer than the grinding wheel are fixed with a bond after performing the circular grinding step. Method. 該限定研削ステップで形成する該環状凹部より、該円形研削ステップで形成する該円形凹部の方が深く形成される請求項１又は請求項２に記載のウェーハの加工方法。 3. The method of processing a wafer according to claim 1, wherein the circular recess formed in the circular grinding step is deeper than the annular recess formed in the limited grinding step.
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