KR20210106343A - Wafer processing method - Google Patents

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유스케 후지이
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

Disclosed is a wafer processing method for reliably conducting the so-called TAIKO grinding to form a circular concave portion corresponding to a device region and an annular convex portion corresponding to a peripheral surplus region on a back surface of a wafer. The wafer processing method includes: a machining preparation step (1001) of holding the wafer with the chuck table, and fixing a rough grinding wheel having a diameter corresponding to the radius of the wafer to the lower end of the spindle; a confinement grinding step (1002) of grinding the back surface of the wafer corresponding to a device region except for the central part of the wafer held by the chuck table with a rough grinding wheel, and forming an annular concave portion and a central convex portion; a position adjustment step (1003) of spacing away the rough grinding wheel from the wafer, and moving toward the outer peripheral edge of the wafer; and a circular grinding step (1004) of grinding the back surface of the wafer corresponding to the device area including a central concave portion, removing the central convex portion to form a circular concave portion, and forming an annular convex portion on the back surface of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}Wafer processing method {WAFER PROCESSING METHOD}

본 발명은, 웨이퍼의 가공 방법, 특히 소위 TAIKO(등록상표) 연삭하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for processing a wafer, particularly to a method for processing a wafer subjected to so-called TAIKO (registered trademark) grinding.

반도체 디바이스의 경박단소화(輕薄短少化)가 진행되어, 반도체 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 두께가 100 μm 이하로 연삭 가공된다. 연삭면에 발생하는 연삭 변형에 의해서 연삭 후의 웨이퍼에는 뒤틀림이 발생한다. 뒤틀림이 발생한 웨이퍼의 이면에 메탈 등의 성막을 하는 것이 매우 곤란하기 때문에, 웨이퍼의 외주 가장자리를 제외한 영역만 연삭하여, 웨이퍼의 이면에 디바이스 영역에 대응하는 원형 오목부와, 외주 잉여 영역에 대응하는 환형 볼록부를 형성하는 소위 TAIKO 연삭 기술이 이용된다(예컨대, 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2 참조).As semiconductor devices are becoming lighter, thinner and smaller, the wafer on which the semiconductor devices are formed is ground to a thickness of 100 µm or less. Distortion occurs in the wafer after grinding due to grinding deformation occurring on the grinding surface. Since it is very difficult to form a film of metal or the like on the back surface of the warped wafer, only the area excluding the outer peripheral edge of the wafer is ground, and a circular concave portion corresponding to the device area is formed on the back surface of the wafer, and a circular recess corresponding to the outer peripheral surplus area A so-called TAIKO grinding technique for forming annular convex portions is used (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

일본특허등록 제5390740호 공보Japanese Patent Registration No. 5390740 일본특허등록 제4758222호 공보Japanese Patent Registration No. 4758222

TAIKO 연삭에서는, 웨이퍼보다 소직경의 연삭 휠을 이용하기 위해, 웨이퍼와 동일 이상의 직경의 통상의 연삭 휠에 비해, 연삭 지석 하나당 제거량이 상대적으로 커지고, TAIKO 연삭이 안정적으로 실시할 수 없는 경우가 있다. 또한, 동일한 회전수로 회전시켜도 소직경이기 때문에 회전 속도를 올리기 어려운 것도 동일한 경향의 원인이 되고 있다.In TAIKO grinding, in order to use a grinding wheel with a diameter smaller than that of the wafer, the removal amount per grinding wheel is relatively large compared to a normal grinding wheel having the same diameter as the wafer, and TAIKO grinding may not be performed stably. . Moreover, even if it rotates at the same rotation speed, since it is a small diameter, it is also the cause of the same tendency that it is difficult to raise rotation speed.

특히, 이면에 형성된 산화막이나 질화막 등은, 연삭이 어렵고, 스핀들 모터의 부하 전류값이 규정치를 넘어서, TAIKO 연삭이 안정적으로 실시될 수 없는 경우가 있다. 또한, 소위 고도핑(highly doped) 웨이퍼도 같은 경향을 보이고 있다.In particular, the oxide film or nitride film formed on the back surface is difficult to grind, the load current value of the spindle motor exceeds the specified value, and TAIKO grinding cannot be stably performed in some cases. Also, so-called highly doped wafers show the same trend.

본 발명은, 웨이퍼의 이면에 디바이스 영역에 대응하는 원형 오목부와 외주 잉여 영역에 대응하는 환형 볼록부를 형성하는 소위 TAIKO 연삭을 안정적으로 실시하는 것을 가능하게 하는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a wafer processing method that enables stably performing so-called TAIKO grinding in which a circular concave portion corresponding to a device region and an annular convex portion corresponding to an outer peripheral surplus region are formed on the back surface of the wafer. do.

상술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해서 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 가지는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼를 유지하는 유지면을 가지고 회전 가능한 척 테이블로 웨이퍼를 유지하고, 상기 유지면에 수직인 회전축의 스핀들의 하단에 웨이퍼의 반경에 상당하는 직경의 연삭 휠을 고정하는 가공 준비 단계와, 상기 척 테이블로 유지한 웨이퍼의 중앙 부분을 제외한 디바이스 영역에 대응하는 웨이퍼의 이면을 상기 연삭 휠로 연삭하고, 환형 오목부를 형성하고 상기 환형 오목부에 둘러싸인 중앙 볼록부를 웨이퍼의 이면에 형성하는 한정 연삭 단계와, 상기 한정 연삭 단계 실시 후, 상기 연삭 휠을 상기 웨이퍼로부터 이격시킨 후, 상기 연삭 휠을 웨이퍼의 외주 가장자리를 향해 상대적으로 이동시키는 위치 조정 단계와, 상기 위치 조정 단계를 실시한 후, 상기 연삭 휠을 이용하여, 상기 중앙 볼록부를 포함한 상기 디바이스 영역에 대응하는 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 상기 디바이스 영역에 대응한 웨이퍼의 이면의 상기 중앙 볼록부를 제거하고 원형 오목부를 형성하고, 상기 외주 잉여 영역에 대응하는 웨이퍼의 이면에 환형 볼록부를 형성하는 원형 연삭 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems and achieve the object, the wafer processing method of the present invention includes a device region in which a device is formed in each region partitioned by a plurality of division lines intersecting each other, and a device region surrounding the device region. A method of processing a wafer having an outer peripheral surplus area on its surface, wherein the wafer is held by a rotatable chuck table having a holding surface for holding the wafer, and a diameter corresponding to the radius of the wafer at the lower end of a spindle of a rotation axis perpendicular to the holding surface a processing preparation step of fixing the grinding wheel of A limited grinding step of forming a convex portion on the back surface of the wafer, and after the limited grinding step is performed, the grinding wheel is spaced apart from the wafer, and a position adjustment step of relatively moving the grinding wheel toward the outer peripheral edge of the wafer; After performing the positioning step, by using the grinding wheel, the back surface of the wafer corresponding to the device region including the central convex part is ground, and the central convex part on the back surface of the wafer corresponding to the device region is removed and a circular shape is used. and a circular grinding step of forming a concave portion and forming an annular convex portion on the back surface of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region.

상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 상기 원형 연삭 단계 실시 후, 상기 연삭 휠보다 미세한 지립이 본드로 고정된 연삭 지석을 가지는 마무리 연삭 휠로 상기 원형 오목부를 더 깊게 연삭하는 마무리 연삭 단계를 포함해도 좋다.In the processing method of the wafer, after the circular grinding step is performed, a finishing grinding step of grinding the circular concave portion deeper with a finishing grinding wheel having a grinding wheel having abrasive grains fixed by bond than the grinding wheel may be included.

상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 상기 한정 연삭 단계에서 형성하는 상기 환형 오목부보다, 상기 원형 연삭 단계에서 형성하는 상기 원형 오목부 쪽이 깊게 형성되어도 좋다.In the wafer processing method, the circular recess formed in the circular grinding step may be formed deeper than the annular recess formed in the limited grinding step.

본원 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼의 이면에 디바이스 영역에 대응하는 원형 오목부와 외주 잉여 영역에 대응하는 환형 볼록부를 형성하는 소위 TAIKO 연삭을 안정적으로 실시하는 것을 가능하게 하는 효과를 발휘한다.The wafer processing method of the present invention exhibits the effect of stably performing so-called TAIKO grinding in which a circular concave portion corresponding to the device region and an annular convex portion corresponding to the outer peripheral surplus region are formed on the back surface of the wafer.

도 1은, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 웨이퍼의 사시도이다.
도 2는, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법으로 이용되는 연삭 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 3은, 도 2에 나타난 연삭 장치의 조 연삭 유닛 및 마무리 연삭 유닛을 하방으로부터 나타내는 사시도이다.
도 4는, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 5는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 가공 준비 단계에 있어서 웨이퍼의 표면과 보호 부재를 대향시킨 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6은, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 가공 준비 단계에 있어서 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 점착한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 7은, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 한정 연삭 단계의 개시 직후의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은, 도 7에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 접촉시킨 상태를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 9는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 한정 연삭 단계의 종료시의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은, 도 9에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 11은, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 위치 조정 단계에 있어서 조 연삭 유닛을 상승시켜서 조 연삭 휠을 웨이퍼로부터 이격시킨 상태를 일부 단면에서 나타내는 측면도이다.
도 12는, 도 11에 나타난 조 연삭 휠을 웨이퍼의 외주 가장자리를 향해 상대적으로 이동시킨 상태를 일부 단면에서 나타내는 측면도이다.
도 13은, 도 12에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 14는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 원형 연삭 단계의 개시 직후의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 접촉시킨 상태를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 15는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 원형 연삭 단계의 종료시의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 16은, 도 15에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 17은, 실시형태 1의 변형예와 관련되는 웨이퍼의 가공 방법의 한정 연삭 단계에 있어서, 최초로 환형 오목부 및 중앙 볼록부를 형성한 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view of a wafer to be processed in a method for processing a wafer according to Embodiment 1;
Fig. 2 is a perspective view showing a configuration example of a grinding apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment.
It is a perspective view which shows the rough grinding unit and the finish grinding unit of the grinding apparatus shown in FIG. 2 from below.
4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment.
Fig. 5 is a perspective view showing a state in which the surface of the wafer and the protection member are opposed to each other in the processing preparation step of the processing method of the wafer shown in Fig. 4;
FIG. 6 is a perspective view showing a state in which a protective member is adhered to the surface of the wafer in the processing preparation step of the processing method of the wafer shown in FIG. 4 .
Fig. 7 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer immediately after the start of the limited grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4;
Fig. 8 is a side view schematically showing a state in which the rough grinding wheel shown in Fig. 7 and the wafer are brought into contact with each other in a partial section.
Fig. 9 is a cross-sectional view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer at the end of the limited grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4 .
FIG. 10 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 9 .
Fig. 11 is a side view showing a state in which the coarse grinding unit is raised and the coarse grinding wheel is separated from the wafer in a partial section in the position adjustment step of the wafer processing method shown in Fig. 4 .
12 is a side view showing a state in which the rough grinding wheel shown in FIG. 11 is relatively moved toward the outer peripheral edge of the wafer in a partial cross section.
Fig. 13 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in Fig. 12 .
Fig. 14 is a side view schematically showing a state in which the rough grinding wheel and the wafer are brought into contact immediately after the start of the circular grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4 in a partial cross section.
Fig. 15 is a side view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer at the end of the circular grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4 in a partial section.
Fig. 16 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in Fig. 15 .
17 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which an annular concave portion and a central convex portion are first formed in the limited grinding step of the wafer processing method according to the modified example of the first embodiment.

본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION The form (embodiment) for implementing this invention is demonstrated in detail, referring drawings. This invention is not limited by the content described in the following embodiment. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art, and those that are substantially the same. In addition, it is possible to combine the structures described below as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

(실시형태 1)(Embodiment 1)

본 발명의 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 웨이퍼의 사시도이다. 도 2는, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법에서 이용되는 연삭 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 3은, 도 2에 나타난 연삭 장치의 조 연삭 유닛 및 마무리 연삭 유닛을 하방으로부터 나타내는 사시도이다. 도 4는, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다.A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a perspective view of a wafer to be processed in a method for processing a wafer according to Embodiment 1; 2 is a perspective view showing a configuration example of a grinding apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment. It is a perspective view which shows the rough grinding unit and the finish grinding unit of the grinding apparatus shown in FIG. 2 from below. 4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment.

실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법은, 도 1에 나타내는 웨이퍼(200)를 가공하는 방법이다. 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼(200)는, 실리콘을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 사파이어, SiC(탄화규소) 등을 모재로 하는 광 디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼이다. 실시형태 1에서는, 웨이퍼(200)는, 원반 형상의 모재가 실리콘으로 구성되고, 적어도 이면(201) 측에 산화막 또는 질화막 등의 막(202)이 형성되어 있다.A wafer processing method according to the first embodiment is a method for processing the wafer 200 shown in FIG. 1 . The wafer 200 to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment is a wafer such as a disk-shaped semiconductor wafer made of silicon as a base material, or an optical device wafer made of sapphire, silicon carbide (SiC), or the like as a base material. In the first embodiment, the wafer 200 has a disk-shaped base material made of silicon, and a film 202 such as an oxide film or a nitride film is formed at least on the back surface 201 side.

실시형태 1에서는, 웨이퍼(200)는, 이면(201) 측에 막(202)이 형성되어 있다. 웨이퍼(200)는, 막(202)이 형성되어 있지 않은 것보다 막(202)이 형성됨으로써, 모재가 실리콘으로 구성되어 막(202)이 형성되어 있지 않은 웨이퍼보다 이면(201) 측이 연삭하기 어려운 것(즉, 난연삭성(難硏削性)의 웨이퍼)이다.In the first embodiment, the film 202 is formed on the back surface 201 side of the wafer 200 . As for the wafer 200, since the film 202 is formed rather than the film 202 is not formed, the back surface 201 side is easier to grind than the wafer on which the film 202 is not formed because the base material is made of silicon. It is a difficult one (ie, a non-grindable wafer).

웨이퍼(200)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 디바이스 영역(203)과, 디바이스 영역(203)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(204)을 표면(205)에 가지고 있다. 디바이스 영역(203)은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인(206)에 의해서 구획된 각 영역에 디바이스(207)가 형성되어 있다. 디바이스(207)는, IC(Integrated　Circuit) 또는 LSI(Large　Scale　Integration) 등의 집적회로이다. 또한, 외주 잉여 영역(204)은, 웨이퍼(200)의 표면(205)의 디바이스 영역(203)을 둘러싸고 또한 디바이스(207)가 형성되어 있지 않은 영역이다.As shown in FIG. 1 , the wafer 200 has a device region 203 and an outer peripheral surplus region 204 surrounding the device region 203 on the surface 205 . In the device region 203 , a device 207 is formed in each region partitioned by a plurality of division lines 206 intersecting each other. The device 207 is an integrated circuit such as an integrated circuit (IC) or a large scale integration (LSI). In addition, the peripheral surplus region 204 is a region surrounding the device region 203 of the surface 205 of the wafer 200 and in which the device 207 is not formed.

다음에, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법에서 이용되는 도 2에 나타내는 연삭 장치(1)를 설명한다. 연삭 장치(1)는, 웨이퍼(200)의 이면(201)을 연삭(가공에 상당)하는 가공 장치이다. 연삭 장치(1)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 장치 본체(2)와, 조 연삭 유닛(3)(연삭 유닛에 상당)과, 마무리 연삭 유닛(4)(연삭 유닛에 상당)과, 연삭 이송 유닛(5)과, 턴 테이블(6)과, 턴 테이블(6) 상에 설치된 복수(실시형태 1에서는 3 개)의 척 테이블(7)과, 카세트(8, 9)와, 위치 맞춤 유닛(10)과, 반송 유닛(11)과, 세정 유닛(12)과, 반출입 유닛(13)과, 제어 유닛(100)을 주로 구비하고 있다.Next, the grinding apparatus 1 shown in FIG. 2 used in the processing method of the wafer which concerns on Embodiment 1 is demonstrated. The grinding apparatus 1 is a processing apparatus for grinding (corresponding to processing) the back surface 201 of the wafer 200 . As shown in Fig. 2, the grinding device 1 includes an apparatus main body 2, a rough grinding unit 3 (corresponding to a grinding unit), and a finish grinding unit 4 (corresponding to a grinding unit); A grinding transfer unit 5, a turntable 6, a plurality (three in Embodiment 1) chuck tables 7 installed on the turntable 6, cassettes 8 and 9, and alignment A unit 10 , a conveyance unit 11 , a cleaning unit 12 , a carry-in/out unit 13 , and a control unit 100 are mainly provided.

턴 테이블(6)은, 장치 본체(2)의 상면에 설치된 원반 형상의 테이블이고, 수평면 내에서 회전 가능하게 설치되고, 미리 정해진 타이밍에 회전 구동된다. 이 턴 테이블(6) 상에는, 예컨대 3 개의 척 테이블(7)이, 예컨대 120 도의 위상 각으로 등간격으로 배치되어 있다. 이들 3 개의 척 테이블(7)은, 유지면(71)에 진공 척을 구비한 척 테이블 구조이고, 웨이퍼(200)가 유지면(71) 상에 재치되어서, 웨이퍼(200)를 흡인 유지한다. 이들 척 테이블(7)은, 연삭시에, 수직 방향 즉 Z축 방향과 평행한 축심 둘레로, 회전 구동 기구에 의해 수평면 내에서 회전 구동된다. 이와 같이, 척 테이블(7)은, 웨이퍼(200)를 유지하는 유지면(71)을 가지고, 축심 둘레로 회전 가능한 것이다.The turn table 6 is a disk-shaped table provided on the upper surface of the apparatus main body 2, is rotatably installed in a horizontal plane, and is rotationally driven at a predetermined timing. On this turn table 6, for example, three chuck tables 7 are arranged at equal intervals at a phase angle of, for example, 120 degrees. These three chuck tables 7 have a chuck table structure in which a vacuum chuck is provided on a holding surface 71 , and the wafer 200 is placed on the holding surface 71 to hold the wafer 200 by suction. These chuck tables 7 are rotationally driven in a horizontal plane by a rotational drive mechanism in the vertical direction, ie, about an axis parallel to the Z-axis direction, during grinding. In this way, the chuck table 7 has a holding surface 71 for holding the wafer 200 and is rotatable about its axis.

척 테이블(7)은, 턴 테이블(6)의 회전에 의해서, 반입출 영역(301), 조 연삭 영역(302), 마무리 연삭 영역(303), 반입출 영역(301)으로 순차 이동된다.The chuck table 7 is sequentially moved to the carry-in/out area 301 , the rough grinding area 302 , the finish grinding area 303 , and the carry-in/out area 301 by rotation of the turn table 6 .

또한, 반입출 영역(301)은, 척 테이블(7)에 웨이퍼(200)를 반입 반출하는 영역이고, 조 연삭 영역(302)은, 조 연삭 유닛(3)으로 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)를 조 연삭(연삭에 상당함)하는 영역이고, 마무리 연삭 영역(303)은, 마무리 연삭 유닛(4)으로 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)를 마무리 연삭(연삭에 상당)하는 영역이다.In addition, the carrying-in/out area 301 is an area for loading and unloading wafers 200 to and from the chuck table 7 , and the rough grinding area 302 is held by the chuck table 7 by the rough grinding unit 3 . The wafer 200 is a region for rough grinding (corresponding to grinding), and the finish grinding region 303 is a finish grinding unit 4 for finishing grinding (for grinding) the wafer 200 held on the chuck table 7 . considerable) area.

조 연삭 유닛(3)은, 조 연삭용의 연삭 지석(31)을 구비하는 조 연삭용의 조 연삭 휠(32)이 장착되어서, 조 연삭 영역(302)의 척 테이블(7)의 유지면(71)에 유지된 웨이퍼(200)의 이면(201)을 조 연삭하는 연삭 유닛이다. 마무리 연삭 유닛(4)은, 마무리 연삭용의 연삭 지석(41)을 구비하는 마무리 연삭용의 마무리 연삭 휠(42)이 장착되어서, 마무리 연삭 영역(303)의 척 테이블(7)의 유지면(71)에 유지된 웨이퍼(200)의 이면(201)을 마무리 연삭하는 연삭 유닛이다. 또한, 연삭 유닛(3, 4)은, 구성이 대략 동일하므로, 이하, 동일 부분에 동일 부호를 교부하여 설명한다.The coarse grinding unit 3 is equipped with a coarse grinding wheel 32 for coarse grinding provided with a grinding wheel 31 for coarse grinding, and the holding surface of the chuck table 7 in the coarse grinding area 302 ( It is a grinding unit for rough grinding the back surface 201 of the wafer 200 held by the 71 . The finish grinding unit 4 is equipped with a finish grinding wheel 42 for finish grinding provided with a grinding wheel 41 for finish grinding, so that the holding surface of the chuck table 7 in the finish grinding area 303 ( This is a grinding unit for finish grinding the back surface 201 of the wafer 200 held by the wafer 71 . In addition, since the grinding units 3 and 4 have substantially the same structure, below, the same code|symbol is attached|subjected to the same part and it demonstrates.

조 연삭 유닛(3) 및 마무리 연삭 유닛(4)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 연삭 휠(32, 42)을 스핀들(33)의 하단에 장착하고 있다. 연삭 휠(32, 42)은, 원환 형상의 환형 베이스(34)와, 환형 베이스(34)의 하면(341)에 고정된 복수의 연삭 지석(31, 41)을 가진다. 연삭 지석(31, 41)은, 환형 베이스(34)의 하면(341)의 외연부에 원주 방향으로 나열되어 있다. 복수의 연삭 지석(31, 41)의 하면(311, 411)은, 원환 형상을 형성하고 있다. 연삭 지석(31, 41)은, 지립이 본드로 고정된 것이다. 마무리 연삭 휠(42)의 연삭 지석(41)의 지립은, 조 연삭 휠(32)의 연삭 지석(31)의 지립보다 미세하다.The rough grinding unit 3 and the finish grinding unit 4 are equipped with the grinding wheels 32 and 42 at the lower end of the spindle 33, as shown in FIG. The grinding wheels 32 , 42 have an annular annular base 34 , and a plurality of grinding wheels 31 , 41 fixed to the lower surface 341 of the annular base 34 . The grinding wheels 31 and 41 are arranged in a circumferential direction on the outer edge of the lower surface 341 of the annular base 34 . The lower surfaces 311 and 411 of the some grinding grindstones 31 and 41 form an annular shape. As for the grinding grindstones 31 and 41, the abrasive grain is fixed with the bond. The abrasive grains of the grinding wheel 41 of the finishing grinding wheel 42 are finer than the abrasive grains of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 .

실시형태 1에서는, 연삭 휠(32, 42)의 복수의 연삭 지석(31, 41)의 하면(311, 411)이 형성하는 원환 형상의 외직경(35)(연삭 휠(32, 42)의 직경에 상당)은, 웨이퍼(200)의 반경(208)과 동일하다. 본 발명에서는, 연삭 휠(32, 42)의 복수의 연삭 지석(31, 41)의 하면(311, 411)이 형성하는 원환 형상의 외직경(35)가, 웨이퍼(200)의 반경(208)과 동일한 것을 연삭 휠(32, 42)의 직경인 외직경이 웨이퍼(200)의 반경(208)에 상당한다고 한다.In Embodiment 1, the annular outer diameter 35 (the diameter of the grinding wheels 32 and 42) formed by the lower surfaces 311 and 411 of the plurality of grinding wheels 31 and 41 of the grinding wheels 32 and 42. ) is equal to the radius 208 of the wafer 200 . In the present invention, the annular outer diameter 35 formed by the lower surfaces 311 and 411 of the plurality of grinding wheels 31 and 41 of the grinding wheels 32 and 42 is the radius 208 of the wafer 200 . It is assumed that the outer diameter, which is the diameter of the grinding wheels 32 and 42 , corresponds to the radius 208 of the wafer 200 .

스핀들(33)은, 스핀들 하우징(36)(도 2에 나타냄) 내에 유지면(71)과 수직인 Z축 방향과 평행한 회전축(38) 둘레로 회전 가능하게 수용되고, 스핀들 하우징(36)에 장착된 스핀들 모터(37)(도 2에 나타냄)에 의해 축심 둘레로 회전된다. 스핀들(33)은, 원기둥 형상으로 형성되고, 하단에 연삭 휠(32, 42)을 장착하기 위한 휠 마운트(39)가 설치되어 있다. 휠 마운트(39)는, 스핀들(33)의 하단으로부터 외주 방향으로 전체 둘레에 걸쳐서 돌출하고, 외주면의 평면 형상이 원형에 형성되고 있다. 휠 마운트(39)는, 하면(391)에 환형 베이스(34)의 상면(342)이 중첩되어서, 연삭 휠(32, 42)을 도시하지 않는 볼트에 의해 고정한다. 스핀들(33)과 휠 마운트(39)는, 서로 동축이 되는 위치에 배치되어 있다.The spindle 33 is rotatably accommodated in a spindle housing 36 (shown in FIG. 2 ) about an axis of rotation 38 parallel to the Z-axis direction perpendicular to the holding surface 71 , and in the spindle housing 36 . It is rotated about its axis by a mounted spindle motor 37 (shown in Fig. 2). The spindle 33 is formed in a cylindrical shape, and a wheel mount 39 for mounting the grinding wheels 32 and 42 is provided at the lower end thereof. The wheel mount 39 protrudes over the entire circumference from the lower end of the spindle 33 in the outer circumferential direction, and has a circular planar shape on the outer circumferential surface. In the wheel mount 39, the upper surface 342 of the annular base 34 is superposed on the lower surface 391, and the grinding wheels 32 and 42 are fixed by bolts (not shown). The spindle 33 and the wheel mount 39 are arranged at positions coaxial with each other.

연삭 유닛(3, 4)은, 스핀들 모터(37)에 의해 스핀들(33) 및 연삭 휠(32, 42)이 회전축(38) 둘레로 회전되고 연삭수를 연삭 영역(302, 303)의 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)의 이면(201)에 공급하면서 연삭 이송 유닛(5)에 의해 연삭 지석(31, 41)이 척 테이블(7)에 미리 정해진 전송 속도로 접근되는 것에 의해서, 웨이퍼(200)의 이면(201)을 조 연삭 또는 마무리 연삭한다.The grinding units 3 and 4 have a spindle 33 and grinding wheels 32 and 42 rotated around a rotating shaft 38 by a spindle motor 37 and a grinding water is applied to the chuck table in the grinding regions 302 and 303 . The grinding wheels 31 and 41 are approached by the grinding transfer unit 5 to the chuck table 7 at a predetermined transfer speed while being supplied to the back surface 201 of the wafer 200 held by (7). The back surface 201 of the wafer 200 is rough-ground or finish-ground.

연삭 이송 유닛(5)은, 연삭 유닛(3, 4)을 Z축 방향으로 이동시키는 것이다. 실시형태 1에 있어서, 연삭 이송 유닛(5)은, 장치 본체(2)의 수평 방향과 평행한 Y축 방향의 일단부로부터 입설한 입설 기둥(21)에 설치되고 있다. 연삭 이송 유닛(5)은, 축심 둘레로 회전 가능하게 설치된 주지의 볼 나사, 볼 나사를 축심 둘레로 회전시키는 주지의 모터 및 각 연삭 유닛(3, 4)의 스핀들 하우징(36)을 Z축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 주지의 가이드 레일을 구비한다.The grinding transfer unit 5 moves the grinding units 3 and 4 in the Z-axis direction. In Embodiment 1, the grinding transfer unit 5 is provided in the standing pillar 21 erected from one end of the Y-axis direction parallel to the horizontal direction of the apparatus main body 2 . The grinding transfer unit 5 includes a known ball screw rotatably installed around an axis, a known motor for rotating the ball screw about the axis, and a spindle housing 36 of each grinding unit 3 and 4 in the Z-axis direction. and a well-known guide rail for movably supporting the .

또한, 실시형태 1에 있어서, 조 연삭 유닛(3) 및 마무리 연삭 유닛(4)은, 연삭 휠(32, 42)의 회전 중심인 회전축(38)과 척 테이블(7)의 회전 중심인 축심이, 서로 수평 방향으로 간격을 두고 평행하게 배치되고, 연삭 지석(31, 41)이 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)의 이면(201)의 중심(210) 또는 중심(210) 부근을 지나는 위치와, 휠 마운트(39)가 연삭 영역(302, 303)의 척 테이블(7)과 동축이 되는 위치에 걸쳐서, 슬라이드 이동 기구(16)에 의해 연삭 이송 유닛(5) 및 입설 기둥(21)마다 수평 방향을 따라서 이동된다. 슬라이드 이동 기구(16)는, 축심 둘레로 회전 가능하게 설치된 주지의 볼 나사, 볼 나사를 축심 둘레로 회전시키는 주지의 모터 및 각 연삭 유닛(3, 4)을 지지한 입설 기둥(21)을 수평 방향으로 이동 가능하게 지지하는 주지의 가이드 레일을 구비한다.Further, in the first embodiment, the rough grinding unit 3 and the finish grinding unit 4 have a rotation shaft 38 that is the rotation center of the grinding wheels 32 and 42 and an shaft center that is the rotation center of the chuck table 7 . , the center 210 or the vicinity of the center 210 of the back surface 201 of the wafer 200 arranged in parallel with each other at intervals in the horizontal direction and the grinding wheels 31 and 41 held on the chuck table 7 . The grinding transfer unit 5 and the standing post 21 by the sliding mechanism 16 over the position through which the wheel mount 39 becomes coaxial with the chuck table 7 of the grinding areas 302 and 303 . ) is moved along the horizontal direction. The slide mechanism 16 is a well-known ball screw provided rotatably around the shaft center, a known motor that rotates the ball screw around the shaft center, and the vertical column 21 supporting each grinding unit 3 and 4 horizontally. A well-known guide rail supported so as to be movable in the direction is provided.

카세트(8, 9)는, 복수의 슬롯을 가지는 웨이퍼(200)를 수용하기 위한 수용 용기이다. 한쪽의 카세트(8)는, 연삭 전의 웨이퍼(200)를 수용하고, 다른 쪽의 카세트(9)는, 연삭 후의 웨이퍼(200)를 수용한다. 또한, 위치 맞춤 유닛(10)은, 카세트(8)로부터 취출된 웨이퍼(200)가 임시 배치되어서, 그 중심 위치 맞춤을 행하기 위한 테이블이다.The cassettes 8 and 9 are storage containers for accommodating the wafer 200 having a plurality of slots. One cassette 8 accommodates the wafer 200 before grinding, and the other cassette 9 accommodates the wafer 200 after grinding. In addition, the positioning unit 10 is a table for temporarily placing the wafer 200 taken out from the cassette 8 and aligning the center thereof.

반송 유닛(11)은, 2 개 형성되어 있다. 2 개의 반송 유닛(11)은, 웨이퍼(200)를 흡착하는 흡착 패드를 가지고 있다. 한쪽의 반송 유닛(11)은, 위치 맞춤 유닛(10)으로 위치 맞춤된 연삭 전의 웨이퍼(200)를 흡착 유지하여 반입출 영역(301)에 위치하는 척 테이블(7) 상에 반입한다. 다른 쪽의 반송 유닛(11)은, 반입출 영역(301)에 위치하는 척 테이블(7) 상에 유지된 연삭 후의 웨이퍼(200)를 흡착 유지하여 세정 유닛(12)에 반출한다.Two conveyance units 11 are provided. The two transfer units 11 have a suction pad for sucking the wafer 200 . One transfer unit 11 adsorbs and holds the wafer 200 before grinding positioned by the alignment unit 10 , and carries it on the chuck table 7 located in the carry-in/out area 301 . The other transfer unit 11 adsorbs and holds the ground wafer 200 held on the chuck table 7 located in the carry-in/out area 301 , and carries it out to the cleaning unit 12 .

반출입 유닛(13)은, 예컨대 U자형 핸드(131)를 구비하는 로봇 픽이고, U자형 핸드(131)에 의해서 웨이퍼(200)를 흡착 유지하여 반송한다. 구체적으로는, 반출입 유닛(13)은, 연삭 전의 웨이퍼(200)를 카세트(8)로부터 취출하여, 위치 맞춤 유닛(10)에 반출하고, 연삭 후의 웨이퍼(200)를 세정 유닛(12)으로부터 취출하여, 카세트(9)에 반입한다. 세정 유닛(12)은, 연삭 후의 웨이퍼(200)를 세정하고, 연삭 된 이면(201)에 부착되어 있는 연삭 부스러기 등의 오염물을 제거한다.The carrying-in/out unit 13 is, for example, a robot pick provided with a U-shaped hand 131 , and adsorbs and holds the wafer 200 by the U-shaped hand 131 , and transports it. Specifically, the carry-in/out unit 13 takes out the wafer 200 before grinding from the cassette 8 , carries it out to the alignment unit 10 , and takes out the wafer 200 after grinding from the cleaning unit 12 . Thus, it is loaded into the cassette 9 . The cleaning unit 12 cleans the wafer 200 after grinding and removes contaminants such as grinding debris adhering to the ground back surface 201 .

제어 유닛(100)은, 연삭 장치(1)를 구성하는 상술한 각 구성요소를 각각 제어하는 것이다. 즉, 제어 유닛(100)은, 웨이퍼(200)에 대한 연삭 동작을 연삭 장치(1)에 실행시키는 것이다. 제어 유닛(100)은, CPU(central　processing　unit)와 같은 마이크로 프로세서를 가지는 연산 처리 장치와, ROM(read　only　memory) 또는 RAM(random　access　memory) 같은 메모리를 가지는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 가지는 컴퓨터이다.The control unit 100 controls each of the above-described components constituting the grinding apparatus 1, respectively. That is, the control unit 100 causes the grinding apparatus 1 to perform a grinding operation on the wafer 200 . The control unit 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as read only memory (ROM) or random access memory (RAM), and an input/output interface device. it's a computer

제어 유닛(100)의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억된 컴퓨터 프로그램에 따라서 연산 처리를 행하여, 연삭 장치(1)를 제어하기 위한 제어 신호를, 입출력 인터페이스 장치를 통해 연삭 장치(1)의 상술한 구성요소에 출력한다. 또한, 제어 유닛(100)은, 가공 동작 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 표시 유닛이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 이용하는 입력 유닛과 접속되고 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 설치된 터치 패널과, 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.The arithmetic processing device of the control unit 100 performs arithmetic processing according to the computer program stored in the storage device, and transmits a control signal for controlling the grinding device 1 to the grinding device 1 via the input/output interface device. Output to one component. In addition, the control unit 100 is connected to a display unit constituted by a liquid crystal display device or the like that displays a processing operation state, an image, or the like, or an input unit used when an operator registers processing content information and the like. The input unit is constituted by at least one of a touch panel provided on the display unit, a keyboard, and the like.

실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법은, 연삭 휠(32, 42)을 이용하여, 디바이스 영역(203)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)을 연삭하고, 디바이스 영역(203)에 대응한 웨이퍼(200)의 이면(201)에 원형 오목부(211)(도 15, 16에 나타냄)를 형성하고, 외주 잉여 영역(204)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)에 환형 볼록부(212)(도 15, 16에 나타냄)를 형성하는, 소위 TAIKO 연삭을 웨이퍼(200)에 행하는 가공 방법이다. 또한, 디바이스 영역(203)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)이란, 웨이퍼(200)의 이면(201) 중 디바이스 영역(203)과 웨이퍼(200)의 두께 방향으로 겹쳐지는 영역이고, 외주 잉여 영역(204)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)이란, 웨이퍼(200)의 이면(201) 중 외주 잉여 영역(204)과 웨이퍼(200)의 두께 방향으로 겹쳐지는 영역이다.In the wafer processing method according to the first embodiment, the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 is ground by using the grinding wheels 32 and 42 , and is then applied to the device region 203 . A circular concave portion 211 (shown in FIGS. 15 and 16 ) is formed on the rear surface 201 of the corresponding wafer 200 , and an annular portion 211 is formed on the rear surface 201 of the wafer 200 corresponding to the outer peripheral surplus region 204 . This is a processing method in which the wafer 200 is subjected to so-called TAIKO grinding to form the convex portions 212 (shown in FIGS. 15 and 16 ). In addition, the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 is a region overlapping the device region 203 and the wafer 200 in the thickness direction of the back surface 201 of the wafer 200, The rear surface 201 of the wafer 200 corresponding to the outer peripheral surplus region 204 is a region overlapping the outer peripheral surplus region 204 of the rear surface 201 of the wafer 200 in the thickness direction of the wafer 200 .

실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법은, 도 4에 도시한 바와 같이, 가공 준비 단계(1001)와, 한정 연삭 단계(1002)와, 위치 조정 단계(1003)와, 원형 연삭 단계(1004)와, 마무리 연삭 단계(1005)와, 세정 수용 단계(1006)를 구비한다.As shown in FIG. 4 , the wafer processing method according to the first embodiment includes a processing preparation step 1001 , a limited grinding step 1002 , a positioning step 1003 , and a circular grinding step 1004 . and a finishing grinding step (1005) and a cleaning receiving step (1006).

(가공 준비 단계)(Preparation for processing)

도 5는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 가공 준비 단계에 있어서 웨이퍼의 표면과 보호 부재를 대향시킨 상태를 나타내는 사시도이다. 도 6은, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 가공 준비 단계에 있어서 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 점착한 상태를 나타내는 사시도이다.Fig. 5 is a perspective view showing a state in which the surface of the wafer and the protection member are opposed to each other in the processing preparation step of the processing method of the wafer shown in Fig. 4; FIG. 6 is a perspective view showing a state in which a protective member is adhered to the surface of the wafer in the processing preparation step of the processing method of the wafer shown in FIG. 4 .

가공 준비 단계(1001)는, 연삭 장치(1)의 척 테이블(7)로 웨이퍼(200)를 유지하고, 스핀들(33)의 하단에 연삭 휠(32, 42)을 고정하는 단계이다. 실시형태 1에 있어서, 가공 준비 단계(1001)에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(200)의 표면(205)에 보호 부재(213)를 대향시킨 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(200)의 표면(205)에 보호 부재(213)를 점착한다. 실시형태 1에서는, 보호 부재(213)는, 웨이퍼(200)와 동일한 크기의 원판형으로 형성되고, 가요성을 가지는 합성 수지 또는 강성을 가지는 기판에 의해 구성되어 있다.The processing preparation step 1001 is a step of holding the wafer 200 by the chuck table 7 of the grinding apparatus 1 and fixing the grinding wheels 32 and 42 to the lower end of the spindle 33 . In the first embodiment, in the processing preparation step 1001 , as shown in FIG. 5 , after the protection member 213 is opposed to the surface 205 of the wafer 200 , as shown in FIG. 6 , The protection member 213 is adhered to the surface 205 of the wafer 200 . In the first embodiment, the protection member 213 is formed in a disk shape having the same size as the wafer 200 and is made of a flexible synthetic resin or a rigid substrate.

실시형태 1에 있어서, 가공 준비 단계(1001)에서는, 오퍼레이터가 연삭 장치(1)의 각 연삭 유닛(3, 4)의 스핀들(33)의 하단에 연삭 휠(32, 42)을 고정하고, 표면(205)에 보호 부재(213)가 점착된 웨이퍼(200)를 보호 부재(213)를 하향으로 하여, 카세트(8)를 수용한다. 가공 준비 단계(1001)에서는, 오퍼레이터에 의해, 가공 조건이 제어 유닛(100)에 등록되고, 연삭 전의 보호 부재(213)가 점착된 웨이퍼(200)를 수용한 카세트(8) 및 웨이퍼(200)를 수용하고 있지 않은 카세트(9)가 장치 본체(2)에 설치된다. 가공 준비 단계(1001)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 오퍼레이터로부터 가공 동작의 개시 지시를 접수하면, 가공 동작을 개시한다.In Embodiment 1, in the machining preparation step 1001, the operator fixes the grinding wheels 32, 42 to the lower ends of the spindles 33 of the respective grinding units 3, 4 of the grinding device 1, and The wafer 200 to which the protection member 213 is adhered to the 205 is placed with the protection member 213 facing down to accommodate the cassette 8 . In the processing preparation step 1001, the processing conditions are registered in the control unit 100 by the operator, and the cassette 8 and the wafer 200 containing the wafer 200 to which the protection member 213 before grinding has been adhered. A cassette 9 not accommodating it is installed in the apparatus main body 2 . In the machining preparation step 1001 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 starts the machining operation upon receiving an instruction to start the machining operation from the operator.

가공 동작에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 각 연삭 유닛(3, 4)의 스핀들(33)을 회전축(38) 둘레로 회전시키고, 반출입 유닛(13)에 카세트(8)로부터 웨이퍼(200)를 1 장 꺼내게 하여, 위치 맞춤 유닛(10)에 반출시킨다. 제어 유닛(100)은, 위치 맞춤 유닛(10)에 웨이퍼(200)의 중심 위치 맞춤을 실시하게 하고, 반송 유닛(11)에 위치 맞춤된 웨이퍼(200)의 표면(205) 측을 반입출 영역(301)에 위치하는 척 테이블(7) 상에 반입한다. 이때, 척 테이블(7)에 반입된 웨이퍼(200)는, 척 테이블(7)과 동축이 되는 위치에 위치된다.In the machining operation, the control unit 100 of the grinding device 1 rotates the spindle 33 of each grinding unit 3 , 4 around the rotation shaft 38 , and the cassette 8 is placed in the carry-in/out unit 13 . One wafer 200 is taken out from the wafer, and the wafer 200 is carried out to the positioning unit 10 . The control unit 100 causes the alignment unit 10 to align the center of the wafer 200 , and moves the front surface 205 side of the wafer 200 aligned to the transfer unit 11 to the loading/unloading area. It is loaded on the chuck table 7 located at 301 . At this time, the wafer 200 loaded onto the chuck table 7 is located at a position coaxial with the chuck table 7 .

가공 준비 단계(1001)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 웨이퍼(200)의 표면(205) 측을 보호 부재(213)를 통해 반입출 영역(301)의 척 테이블(7)에 흡인 유지하여, 한정 연삭 단계(1002)로 진행된다.In the processing preparation step 1001 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 moves the front surface 205 side of the wafer 200 through the protection member 213 to the chuck table 7 of the loading/unloading area 301 . ) by holding the suction, proceeds to the limited grinding step (1002).

(한정 연삭 단계)(limited grinding step)

도 7은, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 한정 연삭 단계의 개시 직후의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 8은, 도 7에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 접촉시킨 상태를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 9는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 한정 연삭 단계의 종료시의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 10은, 도 9에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다.Fig. 7 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer immediately after the start of the limited grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4; Fig. 8 is a side view schematically showing a state in which the rough grinding wheel shown in Fig. 7 and the wafer are brought into contact with each other in a partial section. Fig. 9 is a cross-sectional view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer at the end of the limited grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4 . FIG. 10 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in FIG. 9 .

한정 연삭 단계(1002)는, 척 테이블(7)로 유지한 웨이퍼(200)의 중앙 부분을 제외한 디바이스 영역(203)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)을 조 연삭 휠(32)로 연삭하고, 환형 오목부(214)(도 9 및 도 10에 나타냄)를 형성하고, 환형 오목부(214)에 둘러싸인 중앙 볼록부(215)(도 9 및 도 10에 나타냄)를 웨이퍼(200)의 이면(201)에 형성하는 단계이다. 한정 연삭 단계(1002)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 턴 테이블(6)을 회전하고, 반입출 영역(301)에서 웨이퍼(200)를 유지한 척 테이블(7)을 조 연삭 영역(302)으로 이동하여, 이면(201)을 노출시켜서 턴 테이블(6)로 웨이퍼(200)를 조 연삭 영역(302)에 반송한다.In the limited grinding step 1002 , the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 excluding the central portion of the wafer 200 held by the chuck table 7 is polished with a rough grinding wheel 32 . The wafer 200 is ground to form an annular recess 214 (shown in FIGS. 9 and 10) and a central convex section 215 (shown in FIGS. 9 and 10) surrounded by the annular recess 214 by grinding. It is a step of forming on the back surface 201 of In the limited grinding step 1002 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 rotates the turntable 6 and holds the chuck table 7 holding the wafer 200 in the loading/unloading area 301 . It moves to the rough grinding area 302 , the back surface 201 is exposed, and the wafer 200 is conveyed to the rough grinding area 302 by the turntable 6 .

한정 연삭 단계(1002)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 슬라이드 이동 기구(16)에 조 연삭 유닛(3)을 수평 방향으로 이동시켜서, 도 7에 도시한 바와 같이, 조 연삭 유닛(3)의 스핀들(33)의 회전축(38)과 턴 테이블(6)의 축심 즉 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)의 중심(210)을 수평 방향으로 간격을 두고 배치한다(즉 웨이퍼(200)와 조 연삭 휠(32)을 비동축이 되는 위치에 위치시킨다). 또한, 한정 연삭 단계(1002)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 평면시에 있어서, 조 연삭 휠(32)의 연삭 지석(31)의 내주 측에 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)의 중심(210)을 위치시키고, 척 테이블(7)을 축심 둘레로 회전시킨다. 또한, 실시형태 1에 있어서, 한정 연삭 단계(1002)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 평면시에 있어서, 척 테이블(7)과 조 연삭 유닛(3)의 조 연삭 휠(32)을 같은 방향으로 회전시킨다.In the limited grinding step 1002 , the control unit 100 of the grinding device 1 moves the rough grinding unit 3 to the slide mechanism 16 in the horizontal direction, and as shown in FIG. 7 , the The axis of rotation 38 of the spindle 33 of the grinding unit 3 and the axis of the turn table 6, that is, the center 210 of the wafer 200 held on the chuck table 7 are arranged at intervals in the horizontal direction. (that is, the wafer 200 and the rough grinding wheel 32 are positioned at a non-coaxial position). Further, in the limited grinding step 1002 , the control unit 100 of the grinding device 1 is mounted on the chuck table 7 on the inner periphery side of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 in plan view. The center 210 of the held wafer 200 is positioned, and the chuck table 7 is rotated around the axis. Moreover, in Embodiment 1, in the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 is a planar view. WHEREIN: The chuck table 7 and the coarse grinding wheel of the coarse grinding unit 3 are (32) rotate in the same direction.

한정 연삭 단계(1002)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 연삭 이송 유닛(5)에 조 연삭 유닛(3)을 하강시키고, 도 8에 도시한 바와 같이, 조 연삭 유닛(3)의 조 연삭 휠(32)의 연삭 지석(31)의 하면(311)을 웨이퍼(200)의 이면(201)에 접촉시키고, 가공 내용 정보로 정해진 연삭 이송 속도로 조 연삭 유닛(3)을 하강시킨다. 그러면, 연삭 지석(31)이 이면(201)의 중앙 부분을 제외한 디바이스 영역(203)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)을 연삭하고, 디바이스 영역(203)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)의 막(202)과 모재를 차례로 연삭한다. 한정 연삭 단계(1002)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 도 9에 도시한 바와 같이, 이면(201)으로부터 가공 내용 정보로 정해진 깊이(216)까지 조 연삭 유닛(3)으로 연삭하면, 위치 조정 단계(1003)로 진행된다.In the limited grinding step 1002, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 lowers the coarse grinding unit 3 to the grinding transfer unit 5, and as shown in FIG. 8, the coarse grinding unit ( 3), the lower surface 311 of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 is brought into contact with the rear surface 201 of the wafer 200, and the rough grinding unit 3 is operated at a grinding feed rate determined by the processing content information. lower it Then, the grinding wheel 31 grinds the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 excluding the central portion of the back surface 201 , and the wafer 200 corresponding to the device region 203 . The film 202 of the back surface 201 and the base material are sequentially ground. In the limited grinding step 1002 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 controls the rough grinding unit 3 from the back surface 201 to the depth 216 determined by the processing content information, as shown in FIG. 9 . , it proceeds to the positioning step 1003 .

또한, 한정 연삭 단계(1002)에서는, 웨이퍼(200)와 조 연삭 휠(32)이 비동축이 되는 위치에 위치되고, 평면시에 있어서 조 연삭 휠(32)의 연삭 지석(31)의 내주 측에 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)의 중심(210)이 위치되므로, 한정 연삭 단계(1002) 후의 웨이퍼(200)의 이면(201)에는, 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 디바이스 영역(203)의 웨이퍼(200)의 이면(201)에, 이면(201)으로부터 오목한 환형 오목부(214)가 형성됨과 함께, 환형 오목부(214)에 의해 둘러싸인 중앙 볼록부(215)가 형성된다. 환형 오목부(214)는, 평면 형상이 원환 형상으로 형성되고, 중앙 볼록부(215)는, 평면 형상이 원형으로 형성된다. 환형 오목부(214)와 중앙 볼록부(215)는, 웨이퍼(200)와 동축이 되는 위치에 형성된다. 또한, 본 발명에서는, 웨이퍼(200)의 모재가 실리콘으로 구성되므로, 한정 연삭 단계(1002)에서는, 적어도 환형 오목부(214)의 바닥면에 모재가 노출될 정도로 조 연삭 휠(32)을 연삭 이송하면 좋고, 즉, 적어도 연삭 지석(31)의 하면(311)에 접촉하는 막(202)을 제거하면 좋다.Further, in the limited grinding step 1002 , the wafer 200 and the coarse grinding wheel 32 are positioned at a non-coaxial position, and the inner peripheral side of the grinding wheel 31 of the coarse grinding wheel 32 in a plan view Since the center 210 of the wafer 200 held on the chuck table 7 is positioned on the back surface 201 of the wafer 200 after the limiting grinding step 1002, as shown in FIGS. 9 and 10 , , an annular concave portion 214 concave from the back surface 201 is formed on the back surface 201 of the wafer 200 in the device region 203 , and a central convex portion 215 surrounded by the annular concave portion 214 . is formed The annular recessed portion 214 is formed in an annular planar shape, and the central convex portion 215 is formed in a circular planar shape. The annular concave portion 214 and the central convex portion 215 are formed at a position coaxial with the wafer 200 . In addition, in the present invention, since the base material of the wafer 200 is made of silicon, in the limited grinding step 1002, the rough grinding wheel 32 is ground to such an extent that at least the base material is exposed on the bottom surface of the annular concave portion 214 . What is necessary is just to transfer, that is, what is necessary is just to remove the film|membrane 202 which contacts the lower surface 311 of the grinding wheel 31 at least.

(위치 조정 단계)(position adjustment step)

도 11은, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 위치 조정 단계에 있어서 조 연삭 유닛을 상승시켜서 조 연삭 휠을 웨이퍼로부터 이격시킨 상태를 일부 단면에서 나타내는 측면도이다. 도 12는, 도 11에 나타난 조 연삭 휠을 웨이퍼의 외주 가장자리를 향해 상대적으로 이동시킨 상태를 일부 단면에서 나타내는 측면도이다. 도 13은, 도 12에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다.Fig. 11 is a side view showing a state in which the coarse grinding unit is raised and the coarse grinding wheel is separated from the wafer in a partial section in the position adjustment step of the wafer processing method shown in Fig. 4; 12 is a side view showing a state in which the rough grinding wheel shown in FIG. 11 is relatively moved toward the outer peripheral edge of the wafer in a partial cross section. Fig. 13 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in Fig. 12 .

위치 조정 단계(1003)는, 한정 연삭 단계(1002) 실시 후, 조 연삭 휠(32)을 웨이퍼(200)로부터 이격시킨 후, 조 연삭 휠(32)을 웨이퍼(200)의 외주 가장자리를 향해 상대적으로 이동시키는 단계이다. 위치 조정 단계(1003)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 도 11에 도시한 바와 같이, 연삭 이송 유닛(5)에 조 연삭 유닛(3)을 상승시키고, 조 연삭 휠(32)의 연삭 지석(31)을 척 테이블(7)에 유지 된 웨이퍼(200)으로부터 이격시킨다.In the positioning step 1003 , after the limited grinding step 1002 is performed, the rough grinding wheel 32 is spaced apart from the wafer 200 , and then the rough grinding wheel 32 is moved relative to the outer peripheral edge of the wafer 200 . It is a step to move to In the positioning step 1003, the control unit 100 of the grinding device 1 raises the coarse grinding unit 3 on the grinding transfer unit 5, as shown in FIG. 11, and the coarse grinding wheel ( The grinding wheel 31 of 32) is spaced apart from the wafer 200 held on the chuck table 7 .

위치 조정 단계(1003)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 슬라이드 이동 기구(16)에 조 연삭 유닛(3)의 조 연삭 휠(32)을 조 연삭 영역(302)의 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(200)의 외주 가장자리를 향해서 이동한다. 실시형태 1에 있어서, 위치 조정 단계(1003)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 조 연삭 휠(32)의 일부의 연삭 지석(31)의 외연을 웨이퍼(200)의 디바이스 영역(203)과 외주 잉여 영역(204)의 경계 상에 위치시키고, 다른 일부의 연삭 지석(31)의 하면(311)을 웨이퍼(200)의 중심(210) 상에 위치시켜서, 원형 연삭 단계(1004)로 진행된다.In the positioning step 1003 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 attaches the coarse grinding wheel 32 of the coarse grinding unit 3 to the slide movement mechanism 16 to the chuck in the coarse grinding area 302 . It moves toward the outer peripheral edge of the wafer 200 held on the table 7 . In Embodiment 1, in the position adjustment step 1003, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 controls a part of the rough grinding wheel 32 as a grinding wheel ( 31) is positioned on the boundary between the device region 203 and the outer peripheral surplus region 204 of the wafer 200, and the lower surface 311 of the other part of the grinding wheel 31 is placed at the center ( 210 , proceeding to the circular grinding step 1004 .

(원형 연삭 단계)(Circular grinding step)

도 14는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 원형 연삭 단계의 개시 직후의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 접촉시킨 상태를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 15는, 도 4에 나타난 웨이퍼의 가공 방법의 원형 연삭 단계의 종료시의 조 연삭 휠과 웨이퍼를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 16은, 도 15에 나타난 조 연삭 휠과 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 평면도이다.Fig. 14 is a side view schematically showing a state in which the rough grinding wheel and the wafer are brought into contact immediately after the start of the circular grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4 in a partial cross section. Fig. 15 is a side view schematically showing the rough grinding wheel and the wafer at the end of the circular grinding step of the wafer processing method shown in Fig. 4 in a partial section. Fig. 16 is a plan view schematically showing the rough grinding wheel and wafer shown in Fig. 15 .

원형 연삭 단계(1004)는, 위치 조정 단계(1003)를 실시 후, 조 연삭 휠(32)을 이용하여 중앙 볼록부(215)를 포함한 디바이스 영역(203)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)을 연삭하고, 디바이스 영역(203)에 대응한 웨이퍼(200)의 이면(201)의 중앙 볼록부(215)를 제거하고, 원형 오목부(211)를 형성하고, 외주 잉여 영역(204)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)에 환형 볼록부(212)를 형성하는 단계이다.In the circular grinding step 1004, after the positioning step 1003 is performed, the back surface of the wafer 200 ( 201 is ground, the central convex portion 215 of the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 is removed, a circular concave portion 211 is formed, and an outer peripheral surplus region 204 is removed. Forming the annular convex portion 212 on the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to .

원형 연삭 단계(1004)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 연삭 이송 유닛(5)에 조 연삭 유닛(3)을 하강시키고, 도 14에 도시한 바와 같이, 조 연삭 유닛(3)의 조 연삭 휠(32)의 연삭 지석(31)의 하면(311)을 웨이퍼(200)의 이면(201)의 환형 오목부(214)의 외주 측의 영역과 중앙 볼록부(215)의 영역에 접촉시키고, 가공 내용 정보로 정해진 연삭 이송 속도로 조 연삭 유닛(3)을 하강시킨다. 그러면, 연삭 지석(31)이 디바이스 영역(203)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)의 환형 오목부(214)의 외주 측의 영역과 중앙 볼록부(215)의 영역을 연삭하여 제거한다.In the circular grinding step 1004, the control unit 100 of the grinding device 1 lowers the coarse grinding unit 3 to the grinding transfer unit 5, and as shown in FIG. 14, the coarse grinding unit ( In 3), the lower surface 311 of the grinding wheel 31 of the rough grinding wheel 32 is separated from the area on the outer periphery of the annular concave portion 214 of the back surface 201 of the wafer 200 and the central convex portion 215 . The area is brought into contact, and the rough grinding unit 3 is lowered at the grinding feed rate determined by the processing content information. Then, the grinding wheel 31 grinds and removes the region on the outer periphery of the annular concave portion 214 of the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the device region 203 and the region of the central convex portion 215 . do.

원형 연삭 단계(1004)에서는, 연삭 개시시, 연삭 지석(31)이 중앙 볼록부(215)의 모서리 및 환형 오목부(214)의 모서리에 접촉하여, 연삭 지석(31)이 드레싱된다. 원형 연삭 단계(1004)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 도 15에 도시한 바와 같이, 이면(201)으로부터 한정 연삭 단계(1002)의 깊이(216)보다 깊은 가공 내용 정보로 정해진 깊이(217)까지 조 연삭 유닛(3)으로 연삭하면, 마무리 연삭 단계(1005)로 진행된다.In the circular grinding step 1004, at the start of grinding, the grinding wheel 31 is brought into contact with the corner of the central convex portion 215 and the corner of the annular concave portion 214, and the grinding wheel 31 is dressed. In the circular grinding step 1004, the control unit 100 of the grinding apparatus 1, as shown in FIG. 15, processing content information deeper than the depth 216 of the limited grinding step 1002 from the back surface 201 When grinding with the rough grinding unit 3 to a depth 217 determined by , the process proceeds to a finish grinding step 1005 .

또한, 위치 조정 단계(1003)에서는, 조 연삭 휠(32)의 일부의 연삭 지석(31)의 외연이 웨이퍼(200)의 디바이스 영역(203)과 외주 잉여 영역(204)과의 경계상에 위치 부여되고 다른 일부의 연삭 지석(31)의 하면(311)이 웨이퍼(200)의 중심(210) 상에 위치되므로, 원형 연삭 단계(1004) 후의 웨이퍼(200)의 이면(201)에는, 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 디바이스 영역(203)의 웨이퍼(200)의 이면(201) 전체에, 원형 오목부(211)가 형성됨과 함께, 외주 잉여 영역(204)에 대응하는 웨이퍼(200)의 이면(201)에 이면(201)이 연삭되지 않고 잔존한 환형 볼록부(212)가 형성된다. 이렇게 하여, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법에서는, 한정 연삭 단계(1002)에서 형성하는 환형 오목부(214)보다, 원형 연삭 단계(1004)에서 형성하는 원형 오목부(211)가 깊게 형성된다. 또한, 실시형태 1에서는, 한정 연삭 단계(1002), 위치 조정 단계(1003) 및 원형 연삭 단계(1004)의 사이, 조 연삭 영역(302)에 위치된 척 테이블(7)은, 동일한 방향으로 회전되고 있다.Further, in the positioning step 1003 , the outer edge of the grinding wheel 31 of a part of the rough grinding wheel 32 is positioned on the boundary between the device area 203 and the outer peripheral surplus area 204 of the wafer 200 . Since the lower surface 311 of the grinding wheel 31 provided and the other part is located on the center 210 of the wafer 200, the back surface 201 of the wafer 200 after the circular grinding step 1004 is shown in Fig. 15 And as shown in FIG. 16 , circular concave portions 211 are formed on the entire back surface 201 of the wafer 200 in the device region 203 , and the wafer 200 corresponding to the outer peripheral surplus region 204 . ), an annular convex portion 212 that remains without the rear surface 201 being ground is formed on the rear surface 201 of the . In this way, in the wafer processing method according to the first embodiment, the circular recessed portion 211 formed in the circular grinding step 1004 is formed deeper than the annular recessed portion 214 formed in the limited grinding step 1002 . do. Further, in the first embodiment, the chuck table 7 positioned in the rough grinding area 302 between the limited grinding step 1002, the positioning step 1003 and the circular grinding step 1004 rotates in the same direction. is becoming

(마무리 연삭 단계)(finish grinding step)

마무리 연삭 단계(1005)는, 원형 연삭 단계(1004) 실시 후, 마무리 연삭 휠(42)로 원형 오목부(211)를 더 깊게 연삭하는 단계이다. 마무리 연삭 단계(1005)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 턴 테이블(6)을 회전시켜서, 조 연삭 영역(302)에서 원형 연삭 단계(1004)가 실시된 웨이퍼(200)를 유지한 척 테이블(7)을 마무리 연삭 영역(303)으로 이동하여, 이면(201)을 노출시켜서 턴 테이블(6)로 웨이퍼(200)을 마무리 연삭 영역(303)에 반송한다.The finish grinding step 1005 is a step of further grinding the circular recessed portion 211 with the finish grinding wheel 42 after the circular grinding step 1004 is performed. In the finish grinding step 1005 , the control unit 100 of the grinding device 1 rotates the turntable 6 to perform the circular grinding step 1004 in the rough grinding area 302 . is moved to the finish grinding region 303 , the back surface 201 is exposed, and the wafer 200 is transferred to the finish grinding region 303 by the turn table 6 .

실시형태 1에서는, 마무리 연삭 단계(1005)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 슬라이드 이동 기구(16)에 마무리 연삭 유닛(4)을 수평 방향으로 이동시켜서, 마무리 연삭 휠(42)의 일부의 연삭 지석(41)의 외연을 웨이퍼(200)의 디바이스 영역(203)과 외주 잉여 영역(204)과의 경계 상에 위치시키고, 다른 일부의 연삭 지석(41)의 하면(411)을 웨이퍼(200)의 중심(210) 상에 위치시켜서, 마무리 연삭 영역(303)에 위치된 척 테이블(7)을 마무리 연삭 휠(42)과 동일한 방향으로 회전시키면서, 연삭 이송 유닛(5)에 마무리 연삭 유닛(4)을 하강시킨다.In Embodiment 1, in the finish grinding step 1005 , the control unit 100 of the grinding device 1 horizontally moves the finish grinding unit 4 to the slide mechanism 16, so that the finish grinding wheel ( The outer edge of a part of the grinding wheel 41 of 42 is positioned on the boundary between the device region 203 and the surplus region 204 of the wafer 200, and the lower surface 411 of the other part of the grinding wheel 41 is ) on the center 210 of the wafer 200, while rotating the chuck table 7 positioned in the finish grinding area 303 in the same direction as the finish grinding wheel 42, the grinding transfer unit 5 The finish grinding unit 4 is lowered to

마무리 연삭 단계(1005)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 마무리 연삭 유닛(4)으로 원형 오목부(211)의 바닥면을 가공 내용 정보로 정해진 깊이만큼 연삭하고, 그 후, 연삭 이송 유닛(5)에 마무리 연삭 유닛(4)을 상승시켜서, 세정 수용 단계(1006)로 진행된다.In the finish grinding step 1005 , the control unit 100 of the grinding device 1 grinds the bottom surface of the circular concave portion 211 with the finish grinding unit 4 to a depth determined by the processing content information, and then , raising the finish grinding unit 4 to the grinding transfer unit 5 , and proceeds to the cleaning receiving step 1006 .

(세정 수용 단계)(cleaning acceptance stage)

세정 수용 단계(1006)는, 마무리 연삭 단계(1005) 실시 후, 웨이퍼(200)를 세정하고, 카세트(9)에 수용하는 단계이다. 세정 수용 단계(1006)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)이, 턴 테이블(6)을 회전시켜서, 마무리 연삭 영역(303)에서 마무리 연삭 단계(1005)가 실시된 웨이퍼(200)를 유지한 척 테이블(7)을 반입출 영역(301)으로 이동시켜서, 이면(201)을 노출시켜서 턴 테이블(6)로 웨이퍼(200)를 반입출 영역(301)에 반송한다. 이렇게 하여, 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼(200)를, 조 연삭 영역(302), 마무리 연삭 영역(303), 반입출 영역(301)으로 차례로 반송하고, 한정 연삭 단계(1002), 위치 조정 단계(1003), 원형 연삭 단계(1004) 및 마무리 연삭 단계(1005)를 차례로 실시한다. 또한, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 턴 테이블(6)이 120 도 회전할 때마다, 연삭 전의 웨이퍼(200)를 반입출 영역(301)의 척 테이블(7)에 반입한다.The cleaning receiving step 1006 is a step of cleaning the wafer 200 and accommodating it in the cassette 9 after the finishing grinding step 1005 is performed. In the cleaning receiving step 1006 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 rotates the turntable 6 , and the wafer 200 on which the finish grinding step 1005 has been performed in the finish grinding area 303 . The chuck table 7 holding the . In this way, in the wafer processing method, the wafer 200 is sequentially transferred to the rough grinding region 302 , the finish grinding region 303 , and the loading/unloading region 301 , and the limited grinding step 1002 , the positioning step (1003), the circular grinding step (1004) and the finish grinding step (1005) are performed in sequence. In addition, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 carries the wafer 200 before grinding into the chuck table 7 of the carry-in/out area 301 every time the turn table 6 rotates by 120 degrees. .

세정 수용 단계(1006)에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 연삭 후의 웨이퍼(200)를 반송 유닛(11)에 의해 세정 유닛(12)에 반입하고, 세정 유닛(12)으로 세정하고, 세정 후의 웨이퍼(200)를 반출입 유닛(13)의 반송 패드로 웨이퍼(200)의 보호 부재(213) 측으로부터 유지하여, 카세트(9)에 반입한다. 또한, 실시형태 1에서는, 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 턴 테이블(6)을 120 도 회전할 때마다, 조 연삭 영역(302)에 위치된 웨이퍼(200)에 한정 연삭 단계(1002), 위치 조정 단계(1003) 및 원형 연삭 단계(1004)를 차례로 실시하고, 마무리 연삭 영역(303)에 위치된 웨이퍼(200)에 마무리 연삭 단계(1005)를 실시하고, 반입출 영역(301)에 위치된 척 테이블(7)로부터 연삭 후의 웨이퍼(200)를 세정 유닛(12)에 반송하고, 연삭 전의 웨이퍼(200)를 척 테이블(7)에 반송한다. 연삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 카세트(8) 내의 모든 웨이퍼(200)에 연삭을 행하면, 가공 동작 즉 웨이퍼의 가공 방법을 종료한다.In the cleaning receiving step 1006 , the control unit 100 of the grinding apparatus 1 carries the wafer 200 after grinding into the cleaning unit 12 by the transfer unit 11 , and to the cleaning unit 12 . The cleaned and cleaned wafer 200 is held from the protective member 213 side of the wafer 200 by a transfer pad of the carrying-in/out unit 13 and loaded into the cassette 9 . Further, in Embodiment 1, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 performs a limited grinding step on the wafer 200 positioned in the rough grinding area 302 every time the turntable 6 is rotated by 120 degrees. (1002), the positioning step 1003 and the circular grinding step 1004 are sequentially performed, and the finish grinding step 1005 is performed on the wafer 200 positioned in the finish grinding area 303, and the carrying-in/out area ( The wafer 200 after grinding is transferred to the cleaning unit 12 from the chuck table 7 positioned at 301 , and the wafer 200 before grinding is transferred to the chuck table 7 . When all the wafers 200 in the cassette 8 are ground, the control unit 100 of the grinding apparatus 1 ends the processing operation, that is, the processing method of the wafer.

이상과 같이, 실시형태 1과 관련되는 웨이퍼의 가공 방법은, 연삭이 어려운 난연삭성의 웨이퍼(200)라도, 한정 연삭 단계(1002)에 있어서 종래의 TAIKO 연삭보다 연삭하는 면적을 좁게 한정하여 중앙에 중앙 볼록부(215)를 남기는 연삭을 한 후, 원형 연삭 단계(1004)에 있어서 중앙 볼록부(215)를 포함한 디바이스 영역(203) 전체에 대응한 웨이퍼(200)의 이면(201)을 연삭한다. 이 때문에, 웨이퍼의 가공 방법은, 한정 연삭 단계(1002) 및 원형 연삭 단계(1004) 각각의 연삭 범위를 종래의 TAIKO 연삭보다 좁게 할 수 있고, 연삭 지석(31)에 걸리는 부하를 줄일 수 있다. 그 결과, 웨이퍼의 가공 방법은, 스핀들 모터(37)의 부하 전류값이 규정치를 넘는 것을 억제할 수 있고, 웨이퍼(200)의 이면(201)에 디바이스 영역(203)에 대응하는 원형 오목부(211)와 외주 잉여 영역(204)에 대응하는 환형 볼록부(212)를 형성하는 소위 TAIKO 연삭을 안정적으로 실시하는 것을 가능하게 한다라는 효과를 발휘한다.As described above, in the wafer processing method according to the first embodiment, even for a hard-to-grind wafer 200 that is difficult to grind, in the limited grinding step 1002, the grinding area is narrower than that of conventional TAIKO grinding, and the After grinding leaving the central convex portion 215 , the back surface 201 of the wafer 200 corresponding to the entire device region 203 including the central convex portion 215 is ground in a circular grinding step 1004 . . For this reason, in the processing method of a wafer, the grinding range of each of the limited grinding step 1002 and the circular grinding step 1004 can be made narrower than conventional TAIKO grinding, and the load applied to the grinding wheel 31 can be reduced. As a result, the wafer processing method can suppress the load current value of the spindle motor 37 from exceeding a specified value, and a circular recessed portion corresponding to the device region 203 is formed on the back surface 201 of the wafer 200 211) and the annular convex portion 212 corresponding to the outer periphery surplus region 204, so-called TAIKO grinding that forms the surplus region 204 can be stably performed.

또한, 웨이퍼의 가공 방법은, 원형 연삭 단계(1004)에 있어서, 중앙 볼록부(215)를 연삭할 때, 중앙 볼록부(215)의 모퉁이 및 환형 오목부(214)의 모서리에 연삭 지석(31)이 충돌함으로써 드레싱 효과도 얻을 수 있고, 연삭 상태를 양호하게 유지하는 효과도 발휘한다.Further, in the wafer processing method, in the circular grinding step 1004 , when grinding the central convex part 215 , the grinding wheel 31 is placed at the corner of the central convex part 215 and the corner of the annular recessed part 214 . ) colliding, a dressing effect can also be obtained, and the effect of maintaining a grinding state favorably is also exhibited.

(변형예)(variant example)

본 발명의 실시형태 1의 변형예와 관련되는 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 17은, 실시형태 1의 변형예와 관련되는 웨이퍼의 가공 방법의 한정 연삭 단계에 있어서, 최초로 환형 오목부 및 중앙 볼록부를 형성한 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 17은, 실시형태 1과 동일 부분에 동일 부호를 교부하고 설명을 생략한다.A wafer processing method according to a modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 17 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which an annular concave portion and a central convex portion are first formed in the limited grinding step of the wafer processing method according to the modified example of the first embodiment. In addition, in FIG. 17, the same code|symbol is attached|subjected to the same part as Embodiment 1, and description is abbreviate|omitted.

실시형태 1의 변형예와 관련되는 웨이퍼의 가공 방법은, 한정 연삭 단계(1002)를 웨이퍼(200)에 대한 조 연삭 휠(32)의 상대적인 위치를 중심(210) 부근의 위치로부터 외주 가장자리의 위치로 서서히 변경하면서 복수회 실시하여, 환형 오목부(214)와 중앙 볼록부(215)를 이면(201)에 형성한다. 또한, 도 17은, 한정 연삭 단계(1002)에 있어서, 조 연삭 휠(32)과 웨이퍼(200)를 동축이 되는 위치에 위치시켜서, 최초로 환형 오목부(214)와 중앙 볼록부(215)를 형성한 예를 나타내고 있다. 또한, 본 발명에서는, 최초로 환형 오목부(214)와 중앙 볼록부(215)를 형성할 때에, 도 17에 도시한 바와 같이, 조 연삭 휠(32)과 웨이퍼(200)를 동축이 되는 위치에 위치시키는데 한정되지 않고, 한정 연삭 단계(1002)를 웨이퍼(200)에 대한 조 연삭 휠(32)의 상대적인 위치를 중심(210) 부근의 위치로부터 외주 가장자리의 위치로 서서히 변경하면서 복수회 실시하면 좋다.In the wafer processing method according to the modified example of the first embodiment, the limited grinding step 1002 is the relative position of the rough grinding wheel 32 with respect to the wafer 200 from the position near the center 210 to the position of the outer periphery. The annular concave portion 214 and the central convex portion 215 are formed on the back surface 201 by carrying out a plurality of times while gradually changing to . 17 shows that, in the limited grinding step 1002, the rough grinding wheel 32 and the wafer 200 are positioned coaxially to form the annular concave portion 214 and the central convex portion 215 first. An example formed is shown. Further, in the present invention, when forming the annular concave portion 214 and the central convex portion 215 for the first time, as shown in FIG. 17 , the rough grinding wheel 32 and the wafer 200 are positioned coaxially. It is not limited to positioning, and the limited grinding step 1002 may be performed a plurality of times while gradually changing the relative position of the rough grinding wheel 32 with respect to the wafer 200 from the position near the center 210 to the position of the outer periphery. .

도 17에 나타내는 변형예와 관련되는 웨이퍼의 가공 방법은, 한정 연삭 단계(1002)를 웨이퍼(200)에 대한 조 연삭 휠(32)의 상대적인 위치를 중심(210) 부근의 위치로부터 외주 가장자리의 위치로 서서히 변경하면서 복수회 실시하므로, 연삭 지석(31)에 걸리는 부하를 실시형태보다 더 줄일 수 있다.In the wafer processing method according to the modified example shown in FIG. 17 , in the limited grinding step 1002 , the relative position of the rough grinding wheel 32 with respect to the wafer 200 is determined from the position near the center 210 to the position of the outer periphery. Since it is carried out a plurality of times while gradually changing to , the load applied to the grinding wheel 31 can be further reduced than in the embodiment.

또한, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. 상술한 실시형태 1에서는, 난연삭성의 웨이퍼(200)는, 모재가 실리콘으로 구성되어 외표면에 막(202)이 형성되고 있었지만, 본 발명에서는, 이것으로 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명에서는, 난연삭성의 웨이퍼(200)는, 모재가 사파이어 또는 유리 등으로 구성되어도 좋고, 도프재(예컨대, 붕소: B, 인: P, 주석: Sn 또는 비소: As)가 혼입됨으로써 저항율이 예컨대 0.001 Ωcm 이상이고 또한 0.1 Ωcm 로 조정된 소위 하이 도핑된 웨이퍼라도 좋다. 이러한 난 연삭 성의 웨이퍼(200)에 원형 오목부(211)와 환형 볼록부(212)를 형성할 때에는, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 조 연삭 유닛(3)과 마무리 연삭 유닛(4) 중 적어도 한쪽을 이용하여, 한정 연삭 단계(1002), 위치 조정 단계(1003) 및 원형 연삭 단계(1004)를 실시하면 좋다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. In the first embodiment described above, the base material is made of silicon and the film 202 is formed on the outer surface of the hard-to-grind wafer 200, but in the present invention, the present invention is not limited to this. For example, in the present invention, as for the wafer 200 having a grinding resistance, the base material may be composed of sapphire or glass, and a dope material (eg, boron: B, phosphorus: P, tin: Sn or arsenic: As) is mixed. A so-called high-doped wafer having a resistivity of, for example, 0.001 Ωcm or more and adjusted to 0.1 Ωcm may be sufficient. When the circular concave portion 211 and the annular convex portion 212 are formed on the difficult-to-grind wafer 200 , the wafer processing method of the present invention includes one of the rough grinding unit 3 and the finish grinding unit 4 . What is necessary is just to implement the limited grinding step 1002, the position adjustment step 1003, and the circular grinding step 1004 using at least one.

7　척 테이블
32　조 연삭 휠(연삭 휠)
33　스핀들
35　외직경(직경)
38　회전축
41　마무리 연삭용의 연삭 지석(연삭 지석)
42　마무리 연삭 휠(연삭 휠)
71　유지면
200　웨이퍼
201　이면
203　디바이스 영역
204　외주 잉여 영역
205　표면
206　분할 예정 라인
207　디바이스
208　반경
211　원형 오목부
212　환형 볼록부
214　환형 오목부
215　중앙 볼록부
1001　가공 준비 단계
1002　한정 연삭 단계
1003　위치 조정 단계
1004　원형 연삭 단계
1005　마무리 연삭 단계7 chuck table
32 jaw grinding wheel (grinding wheel)
33 spindle
35 outer diameter (diameter)
38 axis of rotation
41 Grinding wheel for finishing grinding (grinding wheel)
42 Finish grinding wheel (grinding wheel)
71 holding surface
200 wafers
201 side
203 Device Area
204 Outsourcing Surplus Area
205 surface
206 line to be split
207 device
208 radius
211 Circular recess
212 annular convex part
214 Annular recess
215 central convex
1001 Machining Preparation Steps
1002 limited grinding steps
1003 Position Adjustment Step
1004 round grinding steps
1005 Finish Grinding Steps

Claims (3)

서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해서 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 가지는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
웨이퍼를 유지하는 유지면을 가지고 회전 가능한 척 테이블로 웨이퍼를 유지하고, 상기 유지면에 수직인 회전축의 스핀들의 하단에 웨이퍼의 반경에 상당하는 직경의 연삭 휠을 고정하는 가공 준비 단계와,
상기 척 테이블로 유지한 웨이퍼의 중앙 부분을 제외한 디바이스 영역에 대응하는 웨이퍼의 이면을 상기 연삭 휠로 연삭하고, 환형 오목부를 형성하고 상기 환형 오목부에 둘러싸인 중앙 볼록부를 웨이퍼의 이면에 형성하는 한정 연삭 단계와,
상기 한정 연삭 단계 실시 후, 상기 연삭 휠을 상기 웨이퍼로부터 이격시킨 후, 상기 연삭 휠을 웨이퍼의 외주 가장자리를 향해 상대적으로 이동시키는 위치 조정 단계와,
상기 위치 조정 단계를 실시 후, 상기 연삭 휠을 이용하여, 상기 중앙 볼록부를 포함한 상기 디바이스 영역에 대응하는 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 상기 디바이스 영역에 대응한 웨이퍼의 이면의 상기 중앙 볼록부를 제거하고 원형 오목부를 형성하고, 상기 외주 잉여 영역에 대응하는 웨이퍼의 이면에 환형 볼록부를 형성하는 원형 연삭 단계
를 포함하는 웨이퍼의 가공 방법.A method of processing a wafer, comprising: a device region in which a device is formed in each region partitioned by a plurality of division lines intersecting each other, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region;
A processing preparation step of holding the wafer with a chuck table rotatable with a holding surface for holding the wafer, and fixing a grinding wheel with a diameter corresponding to the radius of the wafer at the lower end of a spindle of a rotation axis perpendicular to the holding surface;
A limited grinding step of grinding the back surface of the wafer corresponding to the device region except for the central portion of the wafer held by the chuck table with the grinding wheel, forming an annular concave portion and forming a central convex portion surrounded by the annular concave portion on the back surface of the wafer Wow,
After performing the limited grinding step, after separating the grinding wheel from the wafer, a position adjustment step of relatively moving the grinding wheel toward the outer peripheral edge of the wafer;
After performing the positioning step, the back surface of the wafer corresponding to the device region including the central convex part is ground by using the grinding wheel, and the central convex part on the back surface of the wafer corresponding to the device region is removed and a circular shape is used. A circular grinding step of forming a concave portion and forming an annular convex portion on the back surface of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region
A method of processing a wafer comprising a. 제1항에 있어서, 상기 원형 연삭 단계 실시 후, 상기 연삭 휠보다 미세한 지립이 본드로 고정된 연삭 지석을 가지는 마무리 연삭 휠로 상기 원형 오목부를 더 깊게 연삭하는 마무리 연삭 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.The wafer of claim 1, further comprising a finishing grinding step of grinding the circular concave portion deeper with a finishing grinding wheel having a grinding wheel having a grindstone having a finer abrasive grain than that of the grinding wheel fixed by bonding after the circular grinding step is performed. processing method. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 한정 연삭 단계에서 형성하는 상기 환형 오목부보다, 상기 원형 연삭 단계에서 형성하는 상기 원형 오목부가 깊게 형성되는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.The wafer processing method according to claim 1 or 2, wherein the circular recess formed in the circular grinding step is formed deeper than the annular recess formed in the limited grinding step.
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