KR102282258B1 - Processing method of a wafer - Google Patents

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유 이이지마
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 가공성이 좋고 또한 효율적으로 게터링층의 형성을 실시할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 웨이퍼의 가공 방법은, 연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법이다. 웨이퍼의 가공 방법은, 제 1 회전 속도로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도로 회전하는 연마 패드를 맞닿게 하여 연마하는 연마 공정 (ST4) 과, 연마 공정 (ST4) 중의 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 소정 속도로 회전하는 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 연마 공정 (ST4) 후에 연속하여, 척 테이블을 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 포함한다.(Problem) To provide a processing method of a wafer which has good processability and can efficiently form a gettering layer.
(Solution) The processing method of a wafer is a processing method of a wafer using the polishing pad containing both the abrasive grain for polishing and the abrasive grain for gettering. The wafer processing method includes a polishing step (ST4) in which a polishing pad rotating at a predetermined speed is brought into contact with a wafer held on a chuck table rotating at a first rotation speed while supplying an alkaline polishing liquid, and polishing is performed (ST4); ) while maintaining a state in which the polishing pad rotating at a predetermined speed is brought into contact with the wafer held by the rotating chuck table during the polishing step (ST4), the chuck table is continuously rotated at a second rotation speed smaller than the first rotation speed. and a gettering layer forming step (ST5) of forming a gettering layer on the wafer while rotating and supplying a liquid that does not react with the wafer.

Description

웨이퍼의 가공 방법{PROCESSING METHOD OF A WAFER}Wafer processing method {PROCESSING METHOD OF A WAFER}

본 발명은, 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of processing a wafer.

웨이퍼를 척 테이블로 유지하여 회전시키면서, 연마 패드를 회전시키고 웨이퍼에 가압하여 연마액을 공급하면서 연마한 후, 척 테이블과 연마 패드를 회전시키고 린스액을 공급하면서, 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 것이 실시된다 (예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).A method of forming a gettering layer on the wafer while holding and rotating the wafer by a chuck table, rotating the polishing pad and applying pressure to the wafer while supplying a polishing liquid, and then rotating the chuck table and the polishing pad and supplying a rinse liquid (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

일본 공개특허공보 2013-247132호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-247132 일본 공개특허공보 2013-244537호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-244537

특허문헌 1 및 2 의 발명은, 연마 패드를 사용하여, 연마와 그 후의 게터링층 형성을 연속하여 실시하고 있다. 그러나, 특허문헌 1 및 2 의 발명은, 각각의 처리에 있어서, 웨이퍼에 효율적으로 게터링층을 형성하기 위한 척 테이블의 바람직한 회전수에는 주목하고 있지 않다. 웨이퍼의 가공에서는, 게터링층을 효율적으로 형성하는 것이 요망되고 있다.In invention of patent documents 1 and 2, grinding|polishing and subsequent gettering layer formation are performed continuously using a polishing pad. However, the invention of patent documents 1 and 2 does not pay attention to the preferable rotation speed of the chuck table for each process WHEREIN: For efficiently forming a gettering layer on a wafer. In the processing of a wafer, it is desired to form a gettering layer efficiently.

본 발명은, 효율적으로 게터링층의 형성을 실시할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to provide the processing method of the wafer which can form a gettering layer efficiently.

상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법으로서, 제 1 회전 속도로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 하여 연마하는 연마 공정과, 그 연마 공정 중의 회전하는 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼에 그 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 그 연마 공정 후에 연속하여, 그 척 테이블을 그 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-mentioned subject and achieve the objective, the processing method of the wafer of this invention is a processing method of a wafer using the polishing pad containing both the abrasive grain for polishing and the abrasive grain for gettering, Comprising: 1st rotation speed A polishing step of abutting the polishing pad rotating at a predetermined speed while supplying an alkaline polishing solution to the wafer held on the chuck table rotating with The polishing pad rotating at a predetermined speed is maintained in abutting state, the chuck table is continuously rotated after the polishing step at a second rotation speed smaller than the first rotation speed, and the liquid does not react with the wafer It characterized in that it comprises a gettering layer forming process of forming a gettering layer on the wafer while supplying.

그 제 2 회전 속도는, 서서히 작아져도 된다.The second rotational speed may gradually decrease.

본 발명에 의하면, 연마 공정시보다 게터링층 형성 공정의 척 테이블의 회전 속도가 작기 때문에, 연마 공정보다 게터링층 형성 공정의 연마 패드와 웨이퍼의 상대 속도를 크게 할 수 있고, 효율적으로 게터링층의 형성을 실시할 수 있다.According to the present invention, since the rotation speed of the chuck table in the gettering layer forming step is lower than in the polishing step, the relative speed between the polishing pad and the wafer in the gettering layer forming step can be increased compared to the polishing step, and the gettering can be performed efficiently. A layer can be formed.

도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타낸 연삭 연마 장치의 연마 수단의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다.
도 6 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 7 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도와 하중을 나타내는 도면이다.
도 8 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 개편화 (個片化) 공정을 나타내는 도면이다.
도 9 는, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다.
도 10 은, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 11 은, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도를 나타내는 도면이다.
도 12 는, 실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도 및 하중을 나타내는 도면이다.1 is a perspective view showing a device wafer to be processed in a method for processing a wafer according to a first embodiment.
Fig. 2 is a perspective view of a configuration example of a grinding and polishing apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment.
3 : is a perspective view which shows the structural example of the grinding|polishing means of the grinding|polishing apparatus shown in FIG. 2. FIG.
4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment.
5 is a diagram showing a polishing step of the wafer processing method according to the first embodiment.
6 is a diagram showing a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment.
7 is a diagram showing the rotational speed and load of the polishing step and the gettering layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment.
Fig. 8 is a diagram showing a step of dividing the wafer into pieces in the processing method of the wafer according to the first embodiment.
9 is a diagram showing a polishing step of the wafer processing method according to the second embodiment.
Fig. 10 is a diagram showing a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the second embodiment.
11 is a diagram showing rotational speeds of a polishing step and a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the third embodiment.
12 is a diagram showing the rotational speed and load of the polishing step and the gettering layer forming step of the wafer processing method according to the fourth embodiment.

본 발명을 실시하기 위한 형태 (실시형태) 에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION The form (embodiment) for implementing this invention is demonstrated in detail, referring drawings. This invention is not limited by the content described in the following embodiment. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art, and those that are substantially the same. In addition, the structures described below can be combined suitably. Moreover, various abbreviation|omission, substitution, or change of a structure can be implemented in the range which does not deviate from the summary of this invention.

[실시형태 1][Embodiment 1]

본 발명의 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도이다. 도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다. 도 3 은, 도 2 에 나타낸 연삭 연마 장치의 연마 수단의 구성예를 나타내는 사시도이다.A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a perspective view showing a device wafer to be processed in a method for processing a wafer according to a first embodiment. Fig. 2 is a perspective view of a configuration example of a grinding and polishing apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment. 3 : is a perspective view which shows the structural example of the grinding|polishing means of the grinding|polishing apparatus shown in FIG. 2. FIG.

실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 게터링층 (G) 을 형성함과 함께, 웨이퍼 (W) 를 디바이스 칩 (DT) (도 1 중에 점선으로 나타낸다) 으로 분할하는 방법이다. 웨이퍼 (W) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 실리콘을 모재로 하는 원판상의 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼 (W) 는, 표면 (WS) 에 격자상으로 형성되는 복수의 분할 예정 라인 (S) 에 의해 구획된 영역에 디바이스 (DV) 가 형성되어 있다. 즉, 웨이퍼 (W) 는, 표면 (WS) 에 복수의 디바이스 (DV) 가 형성되어 있다. 웨이퍼 (W) 는, 표면 (WS) 의 이면측의 이면 (WR) 에 연삭 가공 등이 실시되어, 소정의 두께까지 박화 (薄化) 된 후에, 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 이 형성된다. 게터링층 (G) 은, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 즉 각 디바이스 (DV) 의 이면 (WR) 에 결정 결함, 변형 등 (게터링 사이트라고 한다) 이 형성된 층이며, 이 게터링 사이트에 금속 오염을 일으키는 불순물을 포획, 고착하는 층이다. 실시형태 1 에 있어서, 웨이퍼 (W) 는, 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 이 형성된 후, 디바이스 (DV) 를 포함하는 디바이스 칩 (DT) 으로 분할된다. 실시형태 1 에 있어서, 웨이퍼 (W) 의 외경은, 300 ㎜ 이다.In the wafer processing method according to the first embodiment, a gettering layer G is formed on the back surface WR of the wafer W shown in FIG. 1 , and the wafer W is converted into a device chip DT ( FIG. 1 ). (indicated by a dotted line in the middle). The wafer W is, as shown in FIG. 1, the disk-shaped semiconductor wafer and optical device wafer which use silicon as a base material. As for the wafer W, the device DV is formed in the area|region partitioned by the some division|segmentation line S formed in the grid|lattice form on the surface WS. That is, in the wafer W, a plurality of devices DV are formed on the surface WS. The wafer W is subjected to grinding processing or the like on the back surface WR on the back surface side of the front surface WS to be thinned to a predetermined thickness, and then a gettering layer G on the back surface WR side this is formed The gettering layer G is a layer in which crystal defects, strains, etc. (referred to as gettering sites) are formed on the back surface WR of the wafer W, that is, the back surface WR of each device DV, and this gettering site It is a layer that traps and fixes impurities that cause metal contamination. In the first embodiment, the wafer W is divided into device chips DT including the device DV after the gettering layer G is formed on the back surface WR side. In Embodiment 1, the outer diameter of the wafer W is 300 mm.

실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 적어도 도 2 에 나타내는 가공 장치로서의 연삭 연마 장치 (1) 를 사용한다. 연삭 연마 장치 (1) 는, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 박형화를 위해서 연삭 가공함과 함께, 연삭 가공된 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 고정밀도로 평탄화하고 또한 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 을 형성하기 위해서 연마 가공하는 것이다. 연삭 연마 장치 (1) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 장치 본체 (2) 와, 제 1 연삭 수단 (3) 과, 제 2 연삭 수단 (4) 과, 연마 수단 (5) 과, 턴테이블 (6) 상에 설치된 예를 들어 4 개의 척 테이블 (7) 과, 카세트 (8, 9) 와, 위치 맞춤 수단 (10) 과, 반입 수단 (11) 과, 세정 수단 (13) 과, 반출입 수단 (14) 과, 제어 수단 (100) 을 주로 구비하고 있다.The wafer processing method according to the first embodiment uses at least a grinding and polishing apparatus 1 as a processing apparatus shown in FIG. 2 . The grinding and polishing apparatus 1 grinds the back surface WR of the wafer W in order to reduce the thickness, and flattens the ground back surface WR of the wafer W with high precision, and also In order to form the gettering layer G on the back surface WR side, it grind|polishes. The grinding and polishing apparatus 1 is, as shown in FIG. 2, the apparatus main body 2, the 1st grinding means 3, the 2nd grinding means 4, the grinding|polishing means 5, and the turntable 6 ) provided on, for example, four chuck tables 7 , cassettes 8 and 9 , positioning means 10 , carrying-in means 11 , cleaning means 13 , and carrying-in/out means 14 . ) and the control means 100 are mainly provided.

제 1 연삭 수단 (3) 은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠 (31) 이 회전되면서 조(粗)연삭 위치 (B) 의 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 연직 방향과 평행한 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 조연삭 가공하기 위한 것이다. 동일하게, 제 2 연삭 수단 (4) 은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠 (41) 이 회전되면서 마무리 연삭 위치 (C) 에 위치하는 척 테이블 (7) 에 유지된 조연삭이 끝난 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 마무리 연삭 가공하기 위한 것이다.The first grinding means 3 includes a grinding wheel 31 having a grinding wheel mounted on the lower end of the spindle while rotating the wafer W held on the chuck table 7 in the rough grinding position B. It is for rough-grinding the back surface WR of the wafer W by being pressed along the Z-axis direction parallel to the perpendicular direction to the back surface WR. Similarly, in the second grinding means 4, the coarse grinding held on the chuck table 7 located at the finish grinding position C while the grinding wheel 41 having a grinding wheel mounted on the lower end of the spindle is rotated is performed. This is for finishing the back surface WR of the wafer W by being pressed against the back surface WR of the finished wafer W along the Z-axis direction.

실시형태 1 에 있어서, 연마 수단 (5) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 스핀들의 하단에 장착된 연마 패드 (51) 를 척 테이블 (7) 의 유지면에 대향하여 배치시킨다. 연마 수단 (5) 은, 연마 패드 (51) 가 회전되면서, 연마 위치 (D) 에 위치하는 척 테이블 (7) 의 유지면에 유지된 마무리 연삭이 끝난 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 Z 축 방향을 따라 가압된다. 연마 수단 (5) 은, 연마 패드 (51) 가 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 연마 가공하기 위한 것이다. 연마 수단 (5) 의 연마 패드 (51) 는, 연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함한다. 연마용 지립은, 연마 가공에 적합한 지립이고, 예를 들어, 실리카 (SiO2), 지르코니아 (ZrO2) 및 세리아 (CeO2) 중 적어도 1 이상에 의해 구성된 지립이다. 게터링용 지립은, 게터링층 (G) 을 형성하는 데에 적합한 지립이고, 예를 들어, GC (녹색 탄화규소), WA (화이트 알런덤), 다이아몬드 중 적어도 1 이상에 의해 구성된 지립이다.In Embodiment 1, the grinding|polishing means 5 arrange|positions the abrasive pad 51 attached to the lower end of the spindle to face the holding surface of the chuck table 7, as shown in FIG. The polishing means 5 is attached to the back surface WR of the finish-grinded wafer W held on the holding surface of the chuck table 7 positioned at the polishing position D while the polishing pad 51 is rotated. pressed along the axial direction. The polishing means 5 is for polishing the back surface WR of the wafer W by pressing the polishing pad 51 against the back surface WR of the wafer W along the Z-axis direction. The abrasive pad 51 of the grinding|polishing means 5 contains both the abrasive grain for grinding|polishing and the abrasive grain for gettering. Abrasive grains for polishing is a suitable abrasive for polishing, for example, at least abrasive grains composed by at least one of silica (SiO 2), zirconia (ZrO 2), and ceria (CeO 2). The abrasive grain for gettering is an abrasive grain suitable for forming the gettering layer (G), For example, it is an abrasive grain comprised by at least 1 or more of GC (green silicon carbide), WA (white alundum), and diamond.

연마 수단 (5) 은, 전환 밸브 (12) 를 통하여 연마액 공급원 (15) 으로부터 알칼리성 연마액을 연마 패드 (51) 와는 별체의 노즐 (16) 로부터 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 공급하면서, 연마 패드 (51) 를 사용하여 소위 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 가공을 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 실시한 후, 전환 밸브 (12) 를 통하여 린스액 공급원 (17) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체 (실시형태 1 에 있어서는, 순수) 를 노즐 (16) 로부터 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 공급하면서, 연마 패드 (51) 를 사용하여 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 을 형성한다. 또, 연마 수단 (5) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 연마 패드 (51) 를 스핀들과 함께, Z 축 방향과 직교하고 또한 장치 본체 (2) 의 폭 방향과 평행한 X 축 방향으로 이동시키는 X 축 이동 수단 (52) 을 구비한다. 실시형태 1 에 있어서, 연마 패드 (51) 의 외경은 450 ㎜ 이다.The polishing means 5 supplies the alkaline polishing liquid from the polishing liquid supply source 15 through the switching valve 12 to the back surface WR of the wafer W from a nozzle 16 separate from the polishing pad 51 . , a so-called CMP (Chemical Mechanical Polishing) process is performed on the back surface WR of the wafer W using the polishing pad 51, and then the wafer W and the wafer W are discharged from the rinse liquid supply source 17 through the switching valve 12. While supplying a non-reacting liquid (pure water in Embodiment 1) from the nozzle 16 to the back surface WR of the wafer W, the polishing pad 51 is used to the back surface WR side of the wafer W to form a gettering layer (G). Further, as shown in FIG. 3 , the polishing means 5 moves the polishing pad 51 together with the spindle in the X-axis direction orthogonal to the Z-axis direction and parallel to the width direction of the apparatus body 2 . An X-axis moving means (52) is provided. In Embodiment 1, the outer diameter of the polishing pad 51 is 450 mm.

턴테이블 (6) 은, 장치 본체 (2) 의 상면에 형성된 원반상의 테이블이고, 수평면 내에서 회전 가능하게 형성되고, 소정의 타이밍으로 회전 구동된다. 이 턴테이블 (6) 상에는, 예를 들어 4 개의 척 테이블 (7) 이, 예를 들어 90 도의 위상각으로 등간격으로 배치 형성되어 있다. 이들 4 개의 척 테이블 (7) 은, 상면에 진공 척을 구비한 척 테이블 구조의 것이고, 재치 (載置) 된 웨이퍼 (W) 를 진공 흡착하여 유지한다. 이들 척 테이블 (7) 은, 연삭 가공시 및 연마 가공시에는, 연직 방향과 평행한 축을 회전축으로 하여, 회전 구동 기구에 의해 수평면 내에서 회전 구동된다. 이와 같이, 척 테이블 (7) 은, 피가공물로서의 웨이퍼 (W) 를 회전 가능하게 유지하는 유지면을 갖고 있다. 이와 같은 척 테이블 (7) 은, 턴테이블 (6) 의 회전에 의해, 반입 반출 위치 (A), 조연삭 위치 (B), 마무리 연삭 위치 (C), 연마 위치 (D), 반입 반출 위치 (A) 로 순차 이동된다.The turntable 6 is a disk-shaped table formed on the upper surface of the apparatus main body 2, is formed rotatably in a horizontal plane, and is rotationally driven at a predetermined timing. On this turntable 6, for example, four chuck tables 7 are arranged and formed at equal intervals at a phase angle of, for example, 90 degrees. These four chuck tables 7 have a chuck table structure provided with a vacuum chuck on the upper surface, and vacuum-suck and hold the mounted wafer W. These chuck tables 7 are rotationally driven in a horizontal plane by a rotational drive mechanism using an axis parallel to the vertical direction as a rotational axis at the time of grinding and grinding|polishing. In this way, the chuck table 7 has a holding surface that rotatably holds the wafer W as a workpiece. Such chuck table 7 is carried in/out position (A), rough grinding position (B), finish grinding position (C), grinding position (D), and carrying-in/out position (A) by rotation of turntable 6 ) is moved sequentially.

카세트 (8, 9) 는, 복수의 슬롯을 갖는 웨이퍼 (W) 를 수용하기 위한 수용기이다. 일방의 카세트 (8) 는, 연삭 연마 가공 전의 표면 (WS) 에 보호 부재 (P) (도 5 에 나타낸다) 가 첩착 (貼着) 된 웨이퍼 (W) 를 수용하고, 타방의 카세트 (9) 는, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 수용한다. 또, 위치 맞춤 수단 (10) 은, 카세트 (8) 로부터 꺼내진 웨이퍼 (W) 가 임시 재치되어, 그 중심 위치 맞춤을 실시하기 위한 테이블이다.The cassettes 8 and 9 are receivers for accommodating the wafer W having a plurality of slots. One cassette 8 accommodates a wafer W having a protective member P (shown in FIG. 5 ) adhered to the surface WS before grinding and polishing, and the other cassette 9 is , the wafer W after grinding and polishing is accommodated. Moreover, the aligning means 10 is a table for temporarily placing the wafer W taken out from the cassette 8, and performing the center aligning.

반입 수단 (11) 은, 흡착 패드를 가지며, 위치 맞춤 수단 (10) 으로 위치 맞춰진 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하여 반입 반출 위치 (A) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다. 반입 수단 (11) 은, 반입 반출 위치 (A) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 유지된 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하여 세정 수단 (13) 에 반출한다.The carrying-in means 11 has a suction pad, adsorbs-holds the wafer W before the grinding and polishing process aligned by the positioning means 10, and carries it on the chuck table 7 located at the carrying-in/out position A. do. The carrying-in means 11 adsorbs and holds the wafer W after grinding and polishing held on the chuck table 7 located at the carrying-in/out position A, and carries it out to the cleaning means 13.

반출입 수단 (14) 은, 예를 들어 U 자형 핸드 (14a) 를 구비하는 로봇 픽이고, U 자형 핸드 (14a) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하여 반송한다. 구체적으로는, 반출입 수단 (14) 은, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼 (W) 를 카세트 (8) 로부터 위치 맞춤 수단 (10) 에 반출함과 함께, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 세정 수단 (13) 으로부터 카세트 (9) 에 반입한다. 세정 수단 (13) 은, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 세정하고, 연삭 및 연마된 가공면에 부착되어 있는 연삭 찌꺼기 및 연마 찌꺼기 등의 콘타미네이션을 제거한다.The carrying-in/out means 14 is, for example, a robot pick provided with the U-shaped hand 14a, and the U-shaped hand 14a adsorbs and holds the wafer W and conveys it. Specifically, the carrying-in/out means 14 carries out the wafer W before the grinding and polishing processing from the cassette 8 to the alignment means 10, and the cleaning means 13 for the wafer W after the grinding and polishing processing. ) into the cassette 9 from The cleaning means 13 cleans the wafer W after grinding and polishing, and removes contamination such as grinding scum and polishing dregs adhering to the ground and polished surface.

제어 수단 (100) 은, 연삭 연마 장치 (1) 를 구성하는 상기 서술한 구성 요소를 각각 제어하는 것이다. 즉, 제어 수단 (100) 은, 웨이퍼 (W) 에 대한 가공 동작을 연삭 연마 장치 (1) 에 실행시키는 것이다. 제어 수단 (100) 은, 컴퓨터 프로그램을 실행 가능한 컴퓨터이다. 제어 수단 (100) 은, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다. 제어 수단 (100) 의 CPU 는, ROM 에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 RAM 상에서 실행하여, 연삭 연마 장치 (1) 를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 수단 (100) 의 CPU 는, 생성된 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통하여 연삭 연마 장치 (1) 의 각 구성 요소에 출력한다. 또, 제어 수단 (100) 은, 가공 동작 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시되지 않은 표시 수단이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 입력 수단과 접속되어 있다. 입력 수단은, 표시 수단에 형성된 터치 패널과, 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.The control means 100 controls the above-mentioned components which comprise the grinding-polishing apparatus 1, respectively. That is, the control means 100 causes the grinding and polishing apparatus 1 to perform a processing operation for the wafer W. The control means 100 is a computer capable of executing a computer program. The control means 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage unit having a memory such as a read only memory (ROM) or a random access memory (RAM), and an input/output interface unit. have The CPU of the control means 100 generates a control signal for controlling the grinding and polishing apparatus 1 by executing the computer program stored in the ROM on the RAM. The CPU of the control means 100 outputs the generated control signal to each component of the grinding and polishing apparatus 1 via the input/output interface device. In addition, the control means 100 is connected to an unillustrated display means constituted by a liquid crystal display device or the like for displaying a processing operation state, an image, or the like, or an input means used by an operator to register processing content information and the like. . The input means is constituted by at least one of a touch panel formed on the display means, a keyboard, and the like.

다음으로, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 대해 설명한다. 도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다. 도 5 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다. 도 6 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다. 도 7 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도와 하중을 나타내는 도면이다. 도 8 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 개편화 공정을 나타내는 도면이다. 도 7 의 가로축은, 연마 공정 (ST4) 개시부터의 시간을 나타내고, 도 7 의 세로축은, 척 테이블 (7) 및 연마 패드 (51) 의 회전수, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중의 값을 나타내고 있다. 도 7 에 있어서, 척 테이블 (7) 의 회전수를 가는 실선으로 나타내고, 연마 패드 (51) 의 회전수 및 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 굵은 파선으로 나타내고 있다.Next, the processing method of the wafer which concerns on Embodiment 1 is demonstrated. 4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment. 5 is a diagram showing a polishing step of the wafer processing method according to the first embodiment. 6 is a diagram showing a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment. 7 is a diagram showing the rotational speed and load of the polishing step and the gettering layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 8 is a diagram showing a step of dividing a wafer according to the first embodiment. The horizontal axis of FIG. 7 represents the time from the start of the polishing step ST4, and the vertical axis of FIG. 7 represents the rotation speed of the chuck table 7 and the polishing pad 51, and the polishing pad 51 to the wafer W. The value of the applied load is shown. In FIG. 7 , the rotation speed of the chuck table 7 is indicated by a thin solid line, and the rotation speed of the polishing pad 51 and the load for pressing the polishing pad 51 to the wafer W are indicated by a thick broken line.

웨이퍼의 가공 방법 (이하, 단순히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 유지 공정 (ST1) 과, 조연삭 공정 (ST2) 과, 마무리 연삭 공정 (ST3) 과, 연마 공정 (ST4) 과, 게터링층 형성 공정 (ST5) 과, 개편화 공정 (ST6) 을 포함한다. 유지 공정 (ST1) 에서는, 먼저, 오퍼레이터는, 연삭 연마 가공 전의 보호 부재 (P) 가 표면 (WS) 에 첩착된 웨이퍼 (W) 를 수용한 카세트 (8) 와, 웨이퍼 (W) 를 수용하고 있지 않는 카세트 (9) 를 장치 본체 (2) 에 장착하고, 가공 정보를 제어 수단 (100) 에 등록한다. 오퍼레이터는, 연삭 연마 장치 (1) 에 가공 동작의 개시 지시를 입력하고, 제어 수단 (100) 이, 연삭 연마 장치 (1) 의 가공 동작을 개시한다.As shown in FIG. 4 , the wafer processing method (hereinafter simply referred to as a processing method) includes a holding step (ST1), a rough grinding step (ST2), a finish grinding step (ST3), and a polishing step (ST4). ), a gettering layer forming step (ST5), and a separate step (ST6) are included. In the holding step ST1, first, the operator receives the cassette 8 containing the wafer W with the protective member P before the grinding and polishing processing attached to the surface WS, and the wafer W is not accommodated. A cassette 9 that is not used is mounted on the apparatus main body 2 and processing information is registered in the control means 100 . The operator inputs a start instruction of a machining operation to the grinding and polishing apparatus 1 , and the control means 100 starts the processing operation of the grinding and polishing apparatus 1 .

유지 공정 (ST1) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 반출입 수단 (14) 이 카세트 (8) 로부터 웨이퍼 (W) 를 꺼내고, 위치 맞춤 수단 (10) 에 반출하고, 위치 맞춤 수단 (10) 이, 웨이퍼 (W) 의 중심 위치 맞춤을 실시하고, 반입 수단 (11) 이 위치 맞춰진 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 측을 반입 반출 위치 (A) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다. 유지 공정 (ST1) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 측을 보호 부재 (P) 를 개재하여 척 테이블 (7) 에서 유지하고, 이면 (WR) 을 노출시켜, 턴테이블 (6) 에서 웨이퍼 (W) 를 조연삭 위치 (B), 마무리 연삭 위치 (C), 연마 위치 (D) 및 반입 반출 위치 (A) 에 순서대로 반송한다. 또한, 연삭 연마 장치 (1) 는, 턴테이블 (6) 이 90 도 회전도로, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼 (W) 가 반입 반출 위치 (A) 의 척 테이블 (7) 에 반입된다.In the holding step ST1 , in the grinding and polishing apparatus 1 , the carrying-in/out means 14 takes out the wafer W from the cassette 8 , and carries it out to the positioning means 10 , and the positioning means 10 is , centering of the wafer W is performed, and the carrying-in means 11 carries the positioned front surface WS side of the wafer W onto the chuck table 7 positioned at the carrying-in/out position A. . In the holding step ST1, the grinding and polishing apparatus 1 holds the front surface WS side of the wafer W on the chuck table 7 via the protection member P, and exposes the back surface WR. , the wafer W is sequentially transferred from the turntable 6 to the rough grinding position B, the finish grinding position C, the grinding position D, and the carry-in/out position A. Moreover, in the grinding and polishing apparatus 1, the turntable 6 rotates 90 degrees, and the wafer W before grinding-and-polishing is carried in to the chuck table 7 of the carrying-in/out position A. As shown in FIG.

조연삭 공정 (ST2) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 조연삭 위치 (B) 에서 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 제 1 연삭 수단 (3) 을 사용하여 조연삭 가공하고, 마무리 연삭 공정 (ST3) 에서는, 마무리 연삭 위치 (C) 에서 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 제 2 연삭 수단 (4) 을 사용하여 마무리 연삭 가공한다.In the rough grinding process ST2, the grinding and polishing apparatus 1 rough-grinds the back surface WR of the wafer W at the rough grinding position B using the first grinding means 3 to perform the finish grinding. In the step ST3, the second grinding means 4 is used to finish grinding the back surface WR of the wafer W at the finish grinding position C. As shown in FIG.

연마 공정 (ST4) 은, 척 테이블 (7) 에 웨이퍼 (W) 를 유지하고, 척 테이블 (7) 을 제 1 회전 속도 (R1) (도 7 에 나타낸다) 로 회전시키고, 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도 (R0) 로 회전하는 연마 패드 (51) 를 맞닿게 하여 연마하는 공정이다. 연마 공정 (ST4) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 유지 공정 (ST1) 에 있어서 척 테이블 (7) 에 웨이퍼 (W) 를 유지하고 있다. 연마 공정 (ST4) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 위치 (D) 의 척 테이블 (7) 을 제 1 회전 속도 (R1) 로 회전시키고, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킴과 함께, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 전환 밸브 (12) 를 통하여 연마액 공급원 (15) 으로부터 연마액을 공급하면서 연마 패드 (51) 를 제 1 하중 (F1) 으로 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 가압하여, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 CMP 연마 가공한다. 여기서 말하는 연마액으로는, 연마를 위한 입자를 포함하지 않는 액이어도 되고, 웨이퍼 (W) 를 구성하는 실리콘에 대한 연마성을 향상시키는 실리카 등의 고상 반응 미립자를 포함하는 연마액이어도 된다.In the polishing step ST4 , the wafer W is held on the chuck table 7 , the chuck table 7 is rotated at a first rotation speed R1 (shown in FIG. 7 ), and the chuck table 7 is It is a process of grinding|polishing by making contact with the abrasive pad 51 rotating at predetermined speed R0 while supplying alkaline polishing liquid to the hold|maintenance wafer W. In the polishing step ST4 , the grinding and polishing apparatus 1 holds the wafer W on the chuck table 7 in the holding step ST1 . In the polishing step ST4, the grinding and polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 at the polishing position D at a first rotational speed R1, and rotates the polishing pad 51 at a predetermined speed R0. While rotating, as shown in FIG. 5 , the polishing pad 51 is loaded with the first load while supplying the polishing liquid from the polishing liquid supply source 15 through the switching valve 12 to the rear surface WR of the wafer W. At (F1), the wafer W held by the chuck table 7 is pressed, and the back surface WR of the wafer W is subjected to CMP polishing. The polishing liquid referred to herein may be a liquid not containing particles for polishing, or may be a polishing liquid containing solid reactive fine particles such as silica that improves polishing properties with respect to silicon constituting the wafer W.

또한, 실시형태 1 에 있어서, 연마 공정 (ST4) 의 연마 패드 (51) 의 소정 속도 (R0) 는 500 rpm 이고, 척 테이블 (7) 의 제 1 회전 속도 (R1) 는 505 rpm 이며, 연마 패드 (51) 의 제 1 하중 (F1) 의 값은 25 kPa 이고, 연마액의 공급량은 1 리터/min 이다.Further, in Embodiment 1, the predetermined speed R0 of the polishing pad 51 in the polishing step ST4 is 500 rpm, the first rotation speed R1 of the chuck table 7 is 505 rpm, and the polishing pad The value of the first load F1 in (51) is 25 kPa, and the supply amount of the polishing liquid is 1 liter/min.

게터링층 형성 공정 (ST5) 은, 연마 공정 (ST4) 중의 회전하는 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 소정 속도 (R0) 로 회전하는 연마 패드 (51) 를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 연마 공정 (ST4) 후에 연속하여, 척 테이블 (7) 을 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작은 제 2 회전 속도 (R2) 로 회전시키고, 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수를 공급하면서 소정 속도 (R0) 로 회전하는 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 맞닿게 하여 게터링층 (G) 을 형성하는 공정이다. 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 경과하면, 전환 밸브 (12) 를 전환하여, 린스액 공급원 (17) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수를 공급시키고, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 보다 긴 시간 (T1) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T1) 보다 긴 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킨 채, 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 제 1 회전 속도 (R1) 로부터 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작은 제 2 회전 속도 (R2) 까지 감소시킨다.In the gettering layer forming step ST5, the polishing pad 51 rotating at a predetermined speed R0 is brought into contact with the wafer W held by the rotating chuck table 7 during the polishing step ST4. and continuously after the polishing step ST4, the chuck table 7 is rotated at a second rotation speed R2 smaller than the first rotation speed R1, and pure water, which is a liquid that does not react with the wafer W, is removed. This is a step of forming the gettering layer (G) by bringing the polishing pad 51 rotating at a predetermined speed (R0) into contact with the wafer (W) while supplying it. In the gettering layer forming step ST5 , when the time T0 has elapsed from the start of the polishing step ST4 , the grinding and polishing apparatus 1 switches the switching valve 12 , When pure water, which is a liquid that does not react with (W), is supplied, and a time T1 longer than time T0 has elapsed from the start of the polishing step ST4, a time longer than the time T1 from the start of the polishing step ST4 The rotational speed of the chuck table 7 is lower than the first rotational speed R1 from the first rotational speed R1 while rotating the polishing pad 51 at the predetermined speed R0 until (T2) elapses. Decrease up to the second rotational speed R2.

또, 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 T1 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 의 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 제 1 하중 (F1) 보다 작은 제 2 하중 (F2) 까지 감소시킨다. 이렇게 하여, 게터링층 형성 공정 (ST5) 은, 연마 공정 (ST4) 중의 웨이퍼 (W) 에 연마 패드 (51) 를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 연마 공정 (ST4) 후에 연속하여 실시된다. 또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도를 연마 공정 (ST4) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도로 유지한 채, 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 실시한다. 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 위치 (D) 의 척 테이블 (7) 을 제 2 회전 속도 (R2) 로 회전시키고, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킴과 함께, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 전환 밸브 (12) 를 통하여 린스액 공급원 (17) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수를 공급하면서, 연마 패드 (51) 를 제 2 하중 (F2) 으로 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 가압하여, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 을 형성한다.Moreover, in gettering layer formation process ST5, when T1 passes from the start of grinding|polishing process ST4, the grinding-polishing apparatus 1 grind|polishes until time T2 passes from the start of grinding|polishing process ST4. The load applied to the wafer W of the pad 51 is reduced to a second load F2 smaller than the first load F1. In this way, the gettering layer forming step ST5 is continuously performed after the polishing step ST4 while maintaining the state in which the polishing pad 51 is brought into contact with the wafer W during the polishing step ST4. Moreover, the processing method which concerns on Embodiment 1 maintains the rotation speed of the polishing pad 51 of the gettering layer formation process (ST5) at the rotation speed of the polishing pad 51 of a grinding|polishing process (ST4), gettering A layer formation step (ST5) is performed. In the gettering layer forming step ST5, the grinding and polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 at the polishing position D at the second rotation speed R2, and rotates the polishing pad 51 at a predetermined speed ( While rotating by R0), as shown in FIG. 6 , pure water as a liquid that does not react with the wafer W is supplied from the rinse liquid supply source 17 through the switching valve 12 on the back surface WR of the wafer W. while supplying the polishing pad 51 to the wafer W held by the chuck table 7 with the second load F2, the gettering layer G on the back surface WR side of the wafer W to form

또한, 실시형태 1 에 있어서, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 의 소정 속도 (R0) 는 500 rpm 이고, 척 테이블 (7) 의 제 2 회전 속도 (R2) 는 60 rpm 이며, 연마 패드 (51) 의 제 2 하중 (F2) 의 값은 5 kPa 이고, 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수의 공급량은 1 리터/min 이다.Further, in the first embodiment, the predetermined speed R0 of the polishing pad 51 in the gettering layer forming step ST5 is 500 rpm, and the second rotation speed R2 of the chuck table 7 is 60 rpm, , the value of the second load F2 of the polishing pad 51 is 5 kPa, and the supply amount of pure water, which is a liquid that does not react with the wafer W, is 1 liter/min.

또, 실시형태 1 에 있어서, 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연마 패드 (51) 의 외주가 웨이퍼 (W) 의 중심을 덮고, 또한 웨이퍼 (W) 의 외연으로부터 비어져 나오도록 연마 패드 (51) 를 위치 부여한다. 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 보다 긴 시간 (T3) 경과하면, 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 종료한다.Further, in the first embodiment, in the processing method, in the polishing step (ST4) and the gettering layer forming step (ST5), the outer periphery of the polishing pad 51 covers the center of the wafer W, and the wafer W The polishing pad 51 is positioned so as to protrude from the outer edge of the . The processing method complete|finishes gettering layer formation process (ST5) when time (T3) longer than time (T2) passes from the start of grinding|polishing process (ST4).

연삭 연마 장치 (1) 는, 게터링층 형성 공정 (ST5) 후에, 게터링층 형성 공정 (ST5) 이 실시된 웨이퍼 (W) 를 반입 반출 위치 (A) 에 위치 부여하고, 반입 수단 (11) 에 의해 세정 수단 (13) 에 반입하고, 세정 수단 (13) 으로 세정하고, 세정 후의 웨이퍼 (W) 를 반출입 수단 (14) 으로 카세트 (9) 에 반입한다.The grinding and polishing apparatus 1 positions the wafer W to which the gettering layer forming process (ST5) was given to the carrying-in/out position (A) after the gettering layer forming process (ST5), and carrying-in means (11) is carried in to the cleaning means 13 , cleaned by the cleaning means 13 , and the cleaned wafer W is loaded into the cassette 9 by the carrying in/out means 14 .

개편화 공정 (ST6) 에서는, 카세트 (9) 내로부터 웨이퍼 (W) 를 꺼내고, 표면 (WS) 으로부터 보호 부재 (P) 를 벗긴 후, 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 에 폴리비닐알코올 (polyvinyl alcohol : PVA) 또는 폴리비닐피롤리돈 (polyvinyl pyrrolidone : PVP) 등을 포함하는 수용성 수지에 의해 구성되는 도시되지 않은 보호막을 형성하고, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측을 도 8 에 나타내는 레이저 가공기 (20) 의 척 테이블 (21) 에 흡인 유지한다. 개편화 공정 (ST6) 은, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공기 (20) 의 레이저광 조사 유닛 (22) 을 분할 예정 라인 (S) 을 따라 상대적으로 이동시키면서 레이저광 조사 유닛 (22) 으로부터 레이저광 (LR) 을 분할 예정 라인 (S) 에 조사하여, 분할 예정 라인 (S) 에 애블레이션 가공을 실시하여 하프 컷한 후, 외력을 가하여, 웨이퍼 (W) 를 분할 예정 라인 (S) 을 따라 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화한다. 레이저광 (LR) 을 조사하여 풀 컷하는 경우에는, 개편화 공정 (ST6) 에 있어서, 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화한 후, 도시되지 않은 보호막을 제거하고, 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 을 세정하고, 보호막을 세정하여 파편과 함께 제거한다.In the segmentation step (ST6), the wafer W is taken out from the cassette 9 and the protective member P is peeled off from the surface WS, and then polyvinyl alcohol (polyvinyl alcohol) is applied to the surface WS of the wafer W. A laser (not shown) formed of a water-soluble resin containing alcohol: PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP) or the like, and showing the back surface (WR) side of the wafer (W) in FIG. 8 . It is held by the chuck table 21 of the processing machine 20 . As shown in FIG. 8, the laser beam irradiation unit 22 of the laser processing machine 20 is moved relatively moving the laser beam irradiation unit 22 of the division|segmentation plan line S, and the laser beam irradiation unit 22 is a laser separation process (ST6) as shown in FIG. After irradiating the light LR to the dividing line S, ablation is applied to the dividing line S and half-cutting, and then applying an external force to separate the wafers W along the dividing line S. into a device chip (DT) of In the case of full cut by irradiating the laser beam LR, the wafer W is divided into individual device chips DT in the separation step ST6, and then a protective film (not shown) is removed and the wafer The surface (WS) of (W) is washed, and the protective film is washed and removed together with the debris.

실시형태 1 에 있어서, 개편화 공정 (ST6) 은, 레이저광 (LR) 을 사용한 애블레이션 가공에 의해 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화했지만, 본 발명에서는, 개편화 공정 (ST6) 은, 레이저광을 조사하여 웨이퍼 (W) 의 내부에 개질층을 형성하여 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화해도 되고, 절삭 블레이드를 사용한 절삭 가공에 의해 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화해도 된다.In the first embodiment, in the step of segmentation (ST6), the wafer W is divided into individual device chips DT by ablation processing using a laser beam LR, but in the present invention, the step of segmenting into pieces In (ST6), the wafer W may be divided into individual device chips DT by irradiating laser light to form a modified layer inside the wafer W, or the wafer (W) may be divided into individual device chips DT by cutting using a cutting blade. W) may be divided into individual device chips DT.

이상과 같이, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서의 척 테이블 (7) 과 연마 패드 (51) 의 상대 속도가 연마 공정 (ST4) 에서의 상대 속도보다 커진다. 이 때문에, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 게터링층 (G) 의 형성에 관련된 소요 시간을 억제할 수 있다. 그 결과, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.As described above, in the processing method according to the first embodiment, since the rotation speed of the chuck table 7 in the gettering layer forming step ST5 is smaller than that in the polishing step ST4, in the gettering layer forming step ST5, The relative speed of the chuck table 7 and the polishing pad 51 becomes larger than the relative speed in the polishing step ST4. For this reason, the processing method which concerns on Embodiment 1 can suppress the time required concerning formation of the gettering layer (G). As a result, the processing method which concerns on Embodiment 1 can form the gettering layer (G) efficiently.

또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도를 연마 공정 (ST4) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도로 유지한 채, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 에 걸쳐 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 감소시킨다. 이와 같이, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 에 걸쳐, 연마 패드 (51) 보다 소직경의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 변화시키므로, 연마 패드 (51) 의 회전 속도를 변화시키는 경우보다, 회전 속도를 변화시키는 데에 걸리는 소요 시간을 억제할 수 있다. 그 결과, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 으로 이행하는 소요 시간을 억제할 수 있고, 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.Moreover, the processing method which concerns on Embodiment 1 maintains the rotation speed of the polishing pad 51 of the gettering layer formation process (ST5) at the rotation speed of the polishing pad 51 of a polishing process (ST4), The grinding|polishing process The rotation speed of the chuck table 7 is reduced from (ST4) to the gettering layer forming process (ST5). As described above, in the processing method according to the first embodiment, the rotational speed of the chuck table 7 having a smaller diameter than that of the polishing pad 51 is changed from the polishing step ST4 to the gettering layer forming step ST5. Compared with the case of changing the rotational speed of the polishing pad 51, the time required for changing the rotational speed can be suppressed. As a result, the processing method according to the first embodiment can suppress the time required to move from the polishing step (ST4) to the gettering layer forming step (ST5), and can efficiently form the gettering layer (G). can

[실시형태 2][Embodiment 2]

본 발명의 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 9 는, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다. 도 10 은, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다. 또한, 도 9 및 도 10 은, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.A wafer processing method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 9 is a diagram showing a polishing step of the wafer processing method according to the second embodiment. Fig. 10 is a diagram showing a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the second embodiment. In addition, in FIG.9 and FIG.10, the same code|symbol is attached|subjected to the same part as Embodiment 1, and description is abbreviate|omitted.

실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 실시하는 연마 수단 (5) 의 구성이 실시형태 1 과 상이한 것 이외, 실시형태 1 과 동일하다.The wafer processing method (hereinafter, simply referred to as a processing method) according to the second embodiment has a configuration of the polishing means 5 for performing the polishing step (ST4) and the gettering layer forming step (ST5) as in the first embodiment Except for being different, it is the same as that of Embodiment 1.

실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 실시하는 연마 수단 (5) 은, 도 9 및 도 10 에 나타내는 바와 같이, 연마액 공급원 (15) 으로부터의 연마액 또는 린스액 공급원 (17) 으로부터의 액체를 연마 패드 (51) 의 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 맞닿는 연마면의 중앙에 공급하는 공급 통로 (18) 를 중심으로 형성하고 있다. 또, 실시형태 2 에 관련된 가공 방법의 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연마 패드 (51) 의 전체로 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 전체를 덮도록, 연마 패드 (51) 를 위치 부여한다. 실시형태 2 에 있어서, 연마 패드 (51) 의 외경은, 웨이퍼 (W) 의 외경과 동등한, 300 ㎜ 이다.In the processing method according to the second embodiment, the polishing means 5 for performing the polishing step (ST4) and the gettering layer forming step (ST5) is supplied from the polishing liquid supply source 15 as shown in FIGS. 9 and 10 . The supply passage 18 for supplying the polishing liquid or the liquid from the rinse liquid supply source 17 of the polishing pad 51 to the center of the polishing surface in contact with the back surface WR of the wafer W of the polishing pad 51 is formed as a center. In addition, in the polishing step (ST4) and the gettering layer forming step (ST5) of the processing method according to the second embodiment, the polishing pad 51 covers the entire back surface WR of the wafer W with the polishing pad 51 . (51) is positioned. In Embodiment 2, the outer diameter of the polishing pad 51 is equal to the outer diameter of the wafer W, and is 300 mm.

실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 가공성이 좋고 또한 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.In the processing method according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, since the rotational speed of the chuck table 7 in the gettering layer forming step ST5 is smaller than that in the polishing step ST4, the workability is good and efficient A turing layer (G) can be formed.

[실시형태 3][Embodiment 3]

본 발명의 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 11 은, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도를 나타내는 도면이다. 또한, 도 11 은, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 11 의 가로축은, 연마 공정 (ST4) 개시부터의 시간을 나타내고, 도 11 의 세로축은, 척 테이블 (7) 및 연마 패드 (51) 의 회전수를 나타내고 있다. 도 11 에 있어서, 척 테이블 (7) 의 회전수를 가는 실선으로 나타내고, 연마 패드 (51) 의 회전수를 굵은 파선으로 나타내고 있다.A wafer processing method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 11 is a diagram showing rotational speeds of a polishing step and a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the third embodiment. In addition, in FIG. 11, the same code|symbol is attached|subjected to the same part as Embodiment 1, and description is abbreviate|omitted. The horizontal axis of FIG. 11 represents the time from the start of the grinding|polishing process ST4, and the vertical axis of FIG. 11 has shown the rotation speed of the chuck table 7 and the polishing pad 51. As shown in FIG. In FIG. 11, the rotation speed of the chuck table 7 is shown by the thin solid line, and the rotation speed of the polishing pad 51 is shown by the thick broken line.

실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도가 실시형태 1 과 상이한 것 이외, 실시형태 1 과 동일하다.In the wafer processing method (hereinafter, simply referred to as processing method) according to the third embodiment, the rotation speed of the chuck table 7 in the polishing step ST4 and the gettering layer forming step ST5 is different from that of the first embodiment. Other than that, it is the same as that of Embodiment 1.

실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 보다 긴 시간 (T1) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T1) 보다 길고 시간 (T2) 보다 짧은 시간 (T2A) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킨 채, 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 제 1 회전 속도 (R1) 로부터 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작고 또한 제 2 회전 속도 (R2) 보다 큰 제 2 회전 속도 (R2A) 까지 감소시킨다. 실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2A) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킨 채, 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 제 2 회전 속도 (R2A) 로부터 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작은 제 2 회전 속도 (R2) 까지 감소시킨다. 이와 같이, 실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 척 테이블 (7) 의 회전수를 단계적으로 서서히 작게 하지만, 연속적으로 서서히 작게 해도 된다.In the gettering layer forming step (ST5) of the processing method according to the third embodiment, the grinding and polishing apparatus 1, when a time T1 longer than the time T0 has elapsed from the start of the polishing step ST4, the polishing step ( The rotational speed of the chuck table 7 while rotating the polishing pad 51 at the predetermined speed R0 from the start of ST4) until a time T2A longer than time T1 and shorter than time T2 elapses. from the first rotational speed R1 to a second rotational speed R2A that is less than the first rotational speed R1 and greater than the second rotational speed R2. In the gettering layer forming process (ST5) of the processing method which concerns on Embodiment 3, when time T2A passes from the start of grinding|polishing process (ST4), the grinding-polishing apparatus 1 is time from the start of grinding|polishing process (ST4) The rotation speed of the chuck table 7 is lower than the first rotation speed R1 from the second rotation speed R2A while rotating the polishing pad 51 at the predetermined speed R0 until (T2) elapses. Decrease up to the second rotational speed R2. Thus, in the gettering layer formation process (ST5) of the processing method which concerns on Embodiment 3, although the grinding-polishing apparatus 1 makes the rotation speed of the chuck table 7 gradually small step by step, you may make it small continuously gradually. .

실시형태 3 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.In the processing method according to the third embodiment, similarly to the first embodiment, since the rotation speed of the chuck table 7 in the gettering layer forming step ST5 is smaller than that in the polishing step ST4, the gettering layer G ) can be formed.

또, 실시형태 3 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 단계적으로 서서히 작게 하므로, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 으로 이행할 때의 연마 수단 (5) 의 부하를 억제할 수 있다.Moreover, in the processing method which concerns on Embodiment 3, since the rotation speed of the chuck table 7 of the gettering layer formation process ST5 is gradually made small step by step similarly to Embodiment 1, gettering from grinding|polishing process ST4. The load of the grinding|polishing means 5 at the time of shifting to layer formation process ST5 can be suppressed.

[실시형태 4][Embodiment 4]

본 발명의 실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 12 는, 실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도 및 하중을 나타내는 도면이다. 또한, 도 12 는, 실시형태 3 과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 12 의 가로축은, 연마 공정 (ST4) 개시부터의 시간을 나타내고, 도 12 의 세로축은, 척 테이블 (7) 및 연마 패드 (51) 의 회전수, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중의 값을 나타내고 있다. 도 12 에 있어서, 척 테이블 (7) 의 회전수를 가는 실선으로 나타내고, 연마 패드 (51) 의 회전수 및 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 굵은 파선으로 나타내고 있다.A wafer processing method according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 12 is a diagram showing the rotational speed and load of the polishing step and the gettering layer forming step of the wafer processing method according to the fourth embodiment. In addition, in FIG. 12, the same code|symbol is attached|subjected to the same part as Embodiment 3, and description is abbreviate|omitted. The horizontal axis of FIG. 12 represents the time from the start of the polishing step ST4, and the vertical axis of FIG. 12 represents the rotation speed of the chuck table 7 and the polishing pad 51, and the polishing pad 51 to the wafer W. The value of the applied load is shown. In FIG. 12 , the rotation speed of the chuck table 7 is indicated by a thin solid line, and the rotation speed of the polishing pad 51 and the load for pressing the polishing pad 51 to the wafer W are indicated by a thick broken line.

실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중이 실시형태 3 과 상이한 것 이외, 실시형태 3 과 동일하다.In the wafer processing method (hereinafter, simply referred to as processing method) according to the fourth embodiment, a load for pressing the polishing pad 51 in the polishing step ST4 and the gettering layer forming step ST5 to the wafer W It is the same as that of Embodiment 3 except that it is different from this Embodiment 3.

실시형태 4 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 실시형태 3 과 동일하게, 척 테이블 (7) 의 회전수를 단계적으로 작게 하는 것에 더하여, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 보다 긴 시간 (T1) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T1) 보다 길고 시간 (T2) 보다 짧은 시간 (T2A) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 제 1 하중 (F1) 으로부터 제 1 하중 (F1) 보다 작고 또한 제 2 하중 (F2) 보다 큰 제 2 하중 (F2A) 까지 감소시킨다. 실시형태 4 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2A) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 제 2 하중 (F2A) 으로부터 제 1 하중 (F1) 보다 작은 제 2 하중 (F2) 까지 감소시킨다. 이와 같이, 실시형태 4 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 단계적으로 작게 하지만, 연속적으로 서서히 작게 해도 된다.In the gettering layer forming process ST5 of the working method which concerns on Embodiment 4, the grinding-polishing apparatus 1 grind|polishes in addition to making small the rotation speed of the chuck table 7 stepwise similarly to Embodiment 3, When the time T1 longer than the time T0 has elapsed from the start of the step ST4, the polishing is performed from the start of the polishing step ST4 until a time T2A longer than the time T1 and shorter than the time T2 elapses. The load for pressing the pad 51 against the wafer W is reduced from the first load F1 to a second load F2A smaller than the first load F1 and larger than the second load F2. In the gettering layer forming process (ST5) of the processing method which concerns on Embodiment 4, when time T2A passes from the start of grinding|polishing process (ST4), the grinding-polishing apparatus 1 is time from the start of grinding|polishing process (ST4) Until (T2) elapses, the load for pressing the polishing pad 51 against the wafer W is reduced from the second load F2A to a second load F2 smaller than the first load F1. As described above, in the gettering layer forming step ST5 of the working method according to the fourth embodiment, the grinding and polishing apparatus 1 reduces the load for pressing the polishing pad 51 to the wafer W step by step, but continuously may be gradually reduced.

실시형태 4 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 가공성이 좋고 또한 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.In the processing method according to the fourth embodiment, similarly to the first embodiment, since the rotational speed of the chuck table 7 in the gettering layer forming step ST5 is smaller than that in the polishing step ST4, the workability is good and efficient A turing layer (G) can be formed.

또, 실시형태 4 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도에 더하여, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 단계적으로 작게 하므로, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 으로 이행할 때의 연마 수단 (5) 의 부하를 억제할 수 있다.Further, in the processing method according to the fourth embodiment, the polishing pad 51 is pressed against the wafer W in addition to the rotation speed of the chuck table 7 in the gettering layer forming step ST5, similarly to the first embodiment. Since the load to be performed is made small step by step, the load of the grinding|polishing means 5 at the time of shifting from grinding|polishing process ST4 to gettering layer formation process ST5 can be suppressed.

각 실시형태에 의하면, 이하의 디바이스 칩의 제조 방법을 얻을 수 있다.According to each embodiment, the manufacturing method of the following device chip can be obtained.

(부기 1)(Annex 1)

연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법으로서,A method of processing a wafer using a polishing pad comprising both abrasive grains for polishing and abrasive grains for gettering,

제 1 회전 속도로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 하여 연마하는 연마 공정과,a polishing step of abutting the polishing pad rotating at a predetermined speed while supplying an alkaline polishing liquid to a wafer held on a chuck table rotating at a first rotation speed and polishing;

그 연마 공정 중의 회전하는 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼에 그 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 그 연마 공정 후에 연속하여, 그 척 테이블을 그 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정During the polishing step, the wafer held on the rotating chuck table is kept in contact with the polishing pad rotating at the predetermined speed, and continuously after the polishing step, the chuck table is moved at a lower speed than the first rotation speed. A gettering layer forming process in which a gettering layer is formed on the wafer while rotating at a small second rotational speed and supplying a liquid that does not react with the wafer

을 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법.A method of manufacturing a device chip comprising a.

또한, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

7 : 척 테이블
51 : 연마 패드
W : 웨이퍼
WS : 표면
WR : 이면
DV : 디바이스
G : 게터링층
R0 : 소정 속도
R1 : 제 1 회전 속도
R2, R2A : 제 2 회전 속도
ST4 : 연마 공정
ST5 : 게터링층 형성 공정7: chuck table
51: polishing pad
W: Wafer
WS: surface
WR: back side
DV: device
G: gettering layer
R0: predetermined speed
R1: first rotational speed
R2, R2A: 2nd rotation speed
ST4: Polishing process
ST5: Gettering layer forming process

Claims (2)

연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법으로서,
제 1 회전 속도로 제 1 방향으로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 그 제 1 방향으로 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 하여 그 웨이퍼를 연마하는 연마 공정과,
그 연마 공정 중의 회전하는 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼에 그 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 그 연마 공정 후에 연속하여, 그 척 테이블을 그 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 그 제 1 방향으로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 포함하는, 웨이퍼의 가공 방법.A method of processing a wafer using a polishing pad comprising both abrasive grains for polishing and abrasive grains for gettering, comprising:
a polishing step of polishing the wafer by abutting the polishing pad rotating at a predetermined speed in the first direction while supplying an alkaline polishing liquid to the wafer held on the chuck table rotating at a first rotation speed in a first direction;
During the polishing step, the wafer held on the rotating chuck table is kept in contact with the polishing pad rotating at the predetermined speed, and after the polishing step, the chuck table is continuously rotated at a lower speed than the first rotation speed. A method of processing a wafer, comprising: a gettering layer forming step of forming a gettering layer on the wafer while rotating it in its first direction at a small second rotational speed and supplying a liquid that does not react with the wafer. 제 1 항에 있어서,
그 제 2 회전 속도는 서서히 작아지는, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 1,
The second rotational speed is gradually decreased.
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