JP2018059026A - Adhesive tape and semiconductor protective tape - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive tape and a semiconductor protective tape which prevent lowering of a degree of transparency and can prevent occurrence of peeling and residues, even when plasma ashing is performed in a state where an adhesive tape is stuck to a semiconductor device and reinforced.SOLUTION: An adhesive tape has at least a curable resin, a polymerization initiator, a curable adhesive layer containing a crosslinking agent, and an inorganic base material layer composed of an inorganic substance.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、透明度が低下せず、剥離や残渣の発生を防止することができる粘着テープ及び半導体保護テープに関する。 The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape and a semiconductor protective tape that can prevent peeling and residue from being generated even when plasma ashing is performed in a state where the pressure-sensitive adhesive tape is attached to a semiconductor device and reinforced.

半導体チップの製造工程において、半導体チップの処理時の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために粘着テープ(半導体ウエハ保護テープ)によって半導体チップを補強することが一般的に行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、ウエハを保護する目的で粘着テープを貼付した上で研削工程が行われている。また、粘着テープでウエハを補強したまま、基板や他の半導体チップ上の電極と導電接続することも行われている。
このような半導体ウエハ保護テープとしては、例えば、特許文献1には基材フィルムの片面に架橋されたポリマー層が形成され、この架橋されたポリマー層が形成された面に、剥離可能に調整されているウエハ貼付用の粘着剤層が積層されているバックグラインドテープであって、基材フィルムの引っ張り弾性率がフィルムの長手方向と幅方向の平均値で2GPa以上であり、該バックグラインドテープの反りが4mm以下であるバックグラインドテープが開示されている。
In the manufacturing process of a semiconductor chip, it is generally performed to reinforce the semiconductor chip with an adhesive tape (semiconductor wafer protection tape) in order to facilitate handling during processing of the semiconductor chip and prevent damage. . For example, when a thick film wafer cut from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to form a thin film wafer, the grinding process is performed after applying an adhesive tape to protect the wafer. ing. In addition, conductive connection with electrodes on a substrate or another semiconductor chip is also performed while reinforcing the wafer with an adhesive tape.
As such a semiconductor wafer protective tape, for example, in Patent Document 1, a crosslinked polymer layer is formed on one surface of a base film, and the surface on which the crosslinked polymer layer is formed is adjusted to be peelable. A back grind tape on which a pressure-sensitive adhesive layer for wafer sticking is laminated, wherein the tensile modulus of the base film is 2 GPa or more in the average value in the longitudinal direction and the width direction of the film, A back grind tape having a warp of 4 mm or less is disclosed.

近年、半導体装置の製造において表面処理層の表面を滑らかにするためにプラズマアッシングが行われることがある。プラズマアッシングとは、酸素ガスを可視光線やマイクロ波等の非電離放射線を用いてプラズマ化し、それによって生じる酸素ラジカルによって、有機物を二酸化炭素、水等に酸化、蒸発させて除去する手法である。プラズマアッシングによって、半導体装置のウエハにダメージを与えることなく表面処理層に用いられるポリアミド樹脂やポリイミド樹脂等を除去、研削することができる。しかしながら、従来の粘着テープを貼り付けたままプラズマアッシングを行うと、粘着テープが剥離してしまうという問題があった。また、半導体装置の処理後に粘着テープを剥離する際、半導体装置に糊残り(残渣)が発生してしまうという問題もあった。 In recent years, plasma ashing may be performed in order to smooth the surface of a surface treatment layer in the manufacture of a semiconductor device. Plasma ashing is a technique in which oxygen gas is turned into plasma using non-ionizing radiation such as visible light or microwaves, and organic substances are oxidized and evaporated to carbon dioxide, water, and the like by oxygen radicals generated thereby. Plasma ashing can remove and grind polyamide resin, polyimide resin, and the like used for the surface treatment layer without damaging the wafer of the semiconductor device. However, when plasma ashing is performed with a conventional adhesive tape attached, the adhesive tape peels off. In addition, when the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off after the semiconductor device is processed, there is a problem that adhesive residue (residue) is generated in the semiconductor device.

粘着テープの剥離及び残渣の問題は、薬液処理や高温処理を行う工程において従来から発生しており、種々の対策が提案されてきた。例えば、特許文献2には、高弾性率層と低弾性率層の複合体からなる基材を有することで、エッチング工程に用いても剥離不良や糊残りを防止できる半導体ウエハ表面保護用粘着テープが開示されている。しかしながら、このような従来の耐薬品性、耐熱性粘着テープは、薬液処理や高温処理を行う工程においては高い効果を発揮するものの、プラズマアッシング工程においては粘着テープの剥離や糊残りを防止することができなかった。 The problem of peeling of the adhesive tape and residue has conventionally occurred in the process of chemical treatment and high temperature treatment, and various countermeasures have been proposed. For example, Patent Document 2 discloses a semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape having a base material composed of a composite of a high elastic modulus layer and a low elastic modulus layer, which can prevent peeling failure and adhesive residue even when used in an etching process. Is disclosed. However, such conventional chemical-resistant and heat-resistant adhesive tapes are highly effective in chemical treatment and high-temperature treatment processes, but prevent peeling of adhesive tape and adhesive residue in plasma ashing processes. I could not.

また、粘着テープを貼り付けたままプラズマアッシングを行うと、粘着テープが白濁し、透明度が低下するという問題もあった。プラズマアッシング後の半導体装置は、基板等に接続されるが、その際、光によって接続位置を調整するアライメントが行われる。しかし、粘着テープが白濁すると光が透過しにくくなるため、正確な位置合わせが行えず、アライメント不良となる場合があった。 In addition, when plasma ashing is performed with the adhesive tape attached, the adhesive tape becomes cloudy and the transparency is lowered. After the plasma ashing, the semiconductor device is connected to a substrate or the like. At that time, alignment for adjusting the connection position by light is performed. However, when the pressure-sensitive adhesive tape becomes cloudy, it becomes difficult for light to pass therethrough, so that accurate alignment cannot be performed and alignment failure may occur.

特開2010−34379号公報JP 2010-34379 A 特開2013−225647号公報JP 2013-225647 A

本発明は、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、透明度が低下せず、剥離や残渣の発生を防止することができる粘着テープ及び半導体保護テープを提供することを目的とする。 The present invention provides a pressure-sensitive adhesive tape and a semiconductor protective tape that can prevent peeling and generation of residue without lowering transparency even when plasma ashing is performed in a state where the pressure-sensitive adhesive tape is attached to a semiconductor device and reinforced. For the purpose.

本発明は、少なくとも硬化性樹脂、重合開始剤、及び、架橋剤を含有する硬化型粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有する粘着テープである。
以下に本発明を詳述する。
The present invention is a pressure-sensitive adhesive tape having a curable pressure-sensitive adhesive layer containing at least a curable resin, a polymerization initiator, and a crosslinking agent, and an inorganic base material layer composed of an inorganic substance.
The present invention is described in detail below.

本発明者らは、プラズマアッシング工程において粘着テープの剥離や糊残りが起こる問題について検討した。その結果、粘着テープの粘着剤層及び基材がプラズマによって分解されることが原因であることを見出した。
図1(a)に示すように、プラズマアッシング前の半導体装置2は片方の面に表面処理層3が積層されており、もう一方の面には基材11と粘着剤層12からなる粘着テープ1が貼り付けられている。粘着テープによって補強された半導体装置は、半導体装置の損傷を防ぐ目的で接触面積の小さな橋脚4の上に置かれている(以下、橋脚4の上に半導体装置が置かれている状態を「中空状態」と言う。)。
このような半導体装置にプラズマアッシングが行われると、図1(b)に示すように、粘着テープの粘着剤層12は、周縁部からプラズマによる分解を受け、粘着テープの剥離が起こる。この分解は、半導体装置の中心方向へ向かって進んでいくが、均等には起こらず、半導体装置2周辺の粘着剤の一部が分解されずに残り、残渣となることがあった。また、粘着剤層は、分解によって基材11周辺の部分と、半導体装置2周辺の部分に分かれているため、粘着テープの剥離工程時に半導体装置2周辺の粘着剤が残渣となりやすかった。
The present inventors examined the problem that peeling of adhesive tape or adhesive residue occurred in the plasma ashing process. As a result, it discovered that it was a cause that the adhesive layer and base material of an adhesive tape were decomposed | disassembled by plasma.
As shown in FIG. 1A, a semiconductor device 2 before plasma ashing has a surface treatment layer 3 laminated on one surface, and an adhesive tape comprising a substrate 11 and an adhesive layer 12 on the other surface. 1 is pasted. The semiconductor device reinforced by the adhesive tape is placed on the bridge pier 4 having a small contact area for the purpose of preventing damage to the semiconductor device (hereinafter, the state in which the semiconductor device is placed on the bridge pier 4 is “hollow”). State ").
When plasma ashing is performed on such a semiconductor device, as shown in FIG. 1B, the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive tape is decomposed by plasma from the peripheral portion, and the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off. Although this decomposition proceeds toward the center of the semiconductor device, it does not occur evenly, and a part of the adhesive around the semiconductor device 2 may remain undecomposed and become a residue. In addition, since the adhesive layer is divided into a part around the base material 11 and a part around the semiconductor device 2 by decomposition, the adhesive around the semiconductor device 2 tends to be a residue during the adhesive tape peeling process.

また、従来の粘着テープは、基材11にポリプロピレンやポリエチレンテレフタレート等の高分子を用いているため、粘着剤層12と同様にプラズマによる分解を受ける。このとき分解は一様には起こらず、基材11表面では分解の程度の違いによって微細な凹凸が形成される。微細な凹凸構造は光を散乱させ光の透過を妨げるため、その結果、透明度が低下して白濁が起こっていた。また、基材11が分解を受けると基材の応力が変化し、基材が収縮するため、粘着テープ1に反りが発生し、剥離や残渣の原因となっていた。特にプラズマアッシングが中空状態で行われる場合は、プラズマが台の隙間から侵入し、基材11と接触しやすくなるため、粘着テープの白濁や剥離が発生しやすくなっていた。 In addition, since the conventional adhesive tape uses a polymer such as polypropylene or polyethylene terephthalate for the base material 11, it undergoes plasma decomposition in the same manner as the adhesive layer 12. At this time, decomposition does not occur uniformly, and fine irregularities are formed on the surface of the base material 11 depending on the degree of decomposition. The fine concavo-convex structure scatters light and hinders light transmission, and as a result, the transparency is lowered and white turbidity occurs. Moreover, when the base material 11 is decomposed, the stress of the base material changes and the base material contracts, so that the adhesive tape 1 is warped, which causes peeling and residues. In particular, when the plasma ashing is performed in a hollow state, the plasma easily enters the gap between the tables and comes into contact with the base material 11, so that the adhesive tape is likely to become clouded or peeled off.

上記の知見より本発明者らは更に検討を進めた結果、無機物質からなる無機基材層と、硬化性樹脂を含有する硬化型粘着剤層とを有する粘着テープを用いることで、粘着テープを半導体装置に貼り付けたままプラズマアッシングを行った場合でも粘着テープの白濁や剥離、残渣の発生を防止できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 From the above findings, the present inventors have further studied, and as a result, by using an adhesive tape having an inorganic base material layer made of an inorganic substance and a curable adhesive layer containing a curable resin, It has been found that even when plasma ashing is performed while being attached to a semiconductor device, the adhesive tape can be prevented from becoming clouded, peeled off, and generating residues, and the present invention has been completed.

本発明の粘着テープは、少なくとも硬化性樹脂、重合開始剤、及び、架橋剤を含有する硬化型粘着剤層を有する。
硬化性樹脂と重合開始剤を含有した硬化型粘着剤層は、外部刺激によって硬化させることにより、プラズマに対する耐性を獲得する。その結果、プラズマが粘着剤層の周縁部を分解することで生じる剥離や残渣を抑えることができる。また、硬化型粘着剤層が架橋剤を含有することで、硬化する際に充分な架橋構造を形成することができるため、プラズマに対する耐性をより高めることができる。
The pressure-sensitive adhesive tape of the present invention has a curable pressure-sensitive adhesive layer containing at least a curable resin, a polymerization initiator, and a crosslinking agent.
A curable pressure-sensitive adhesive layer containing a curable resin and a polymerization initiator acquires resistance to plasma by being cured by an external stimulus. As a result, it is possible to suppress peeling and residue generated by the plasma decomposing the peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer. In addition, since the curable pressure-sensitive adhesive layer contains a cross-linking agent, a sufficient cross-linked structure can be formed at the time of curing, so that the resistance to plasma can be further increased.

上記硬化性樹脂を架橋、硬化する刺激としては、光、熱、電磁波、電子線、超音波等が挙げられる。なかでも、光又は熱であることが好ましい。
上記硬化性樹脂が光硬化性である場合、上記重合開始剤は光による刺激によって励起されることが好ましい。
上記硬化性樹脂が光硬化性である場合の樹脂成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化成分が挙げられる。
上記硬化性樹脂が熱硬化性である場合、上記重合開始剤は熱による刺激によって励起されることが好ましい。
上記硬化性樹脂が熱硬化性である場合の樹脂成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化成分が挙げられる。
Examples of the stimulus for crosslinking and curing the curable resin include light, heat, electromagnetic waves, electron beams, and ultrasonic waves. Of these, light or heat is preferred.
When the curable resin is photocurable, the polymerization initiator is preferably excited by light stimulation.
Examples of the resin component in the case where the curable resin is photocurable include a photocurable component containing a polymerizable polymer as a main component and a photopolymerization initiator.
When the curable resin is thermosetting, the polymerization initiator is preferably excited by heat stimulation.
Examples of the resin component when the curable resin is thermosetting include a thermosetting component containing a polymerizable polymer as a main component and a thermal polymerization initiator.

上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った(メタ)アクリル系ポリマー(以下、官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーという)をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物(以下、官能基含有不飽和化合物という)と反応させることにより得ることができる。 The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can obtain by making it react with the compound (henceforth a functional group containing unsaturated compound) which has a functional group to perform and a radically polymerizable unsaturated bond.

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常2〜18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万〜200万程度である。 The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic polymer having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー;アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー;アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー;アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー;アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid and methacrylic acid; a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and an epoxy group containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomers; Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.

上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の(メタ)アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.

上記光重合開始剤は、例えば、250〜800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物;ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物;フォスフィンオキシド誘導体化合物;ビス(η5−シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。なかでも紫外線によって励起される光重合開始剤であることが好ましい。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone; Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; ketal derivative compounds such as benzyldimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, benzophenone, Michler's ketone, Chlorothioxanthone, Todecylthioxanthone, Dimethylthioxanthone, Diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenylpropane, etc. These radical photopolymerization initiators. Among these, a photopolymerization initiator excited by ultraviolet rays is preferable. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記硬化型粘着剤層が、例えば側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと250〜800nmの波長で活性化する光重合開始剤を含有する場合、365nm以上の波長の光を照射することにより、上記光硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることができる。
このような硬化型粘着剤層に対しては、例えば、波長365nmの光を5mW以上の照度で照射することが好ましく、10mW以上の照度で照射することがより好ましく、20mW以上の照度で照射することが更に好ましく、50mW以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長365nmの光を300mJ以上の積算照度で照射することが好ましく、500mJ以上、10000mJ以下の積算照度で照射することがより好ましく、500mJ以上、7500mJ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、1000mJ以上、5000mJ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
When the curable pressure-sensitive adhesive layer contains, for example, a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a photopolymerization initiator activated at a wavelength of 250 to 800 nm, light having a wavelength of 365 nm or more is emitted. By irradiation, the photocurable pressure-sensitive adhesive layer can be crosslinked and cured.
For such a curable pressure-sensitive adhesive layer, for example, light with a wavelength of 365 nm is preferably irradiated with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiation with an illuminance of 20 mW or more. More preferably, irradiation with an illuminance of 50 mW or more is particularly preferable. In addition, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 365 nm with an integrated illuminance of 300 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 10,000 mJ or less, and more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 7500 mJ or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 5000 mJ or less.

上記熱重合開始剤は、熱により分解し、重合を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate active radicals that initiate polymerization. Examples thereof include dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, t-butyl peroxybenzoate, t- Examples include butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, and di-t-butyl peroxide. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート型架橋剤等が挙げられる。特に、基材に対する密着安定性に優れるため、イソシアネート系架橋剤が好ましい。上記イソシアネート系架橋剤として、例えば、コロネートHX(日本ポリウレタン工業社製)、コロネートL(日本ポリウレタン工業社製)、マイテックNY260A(三菱化学社製)等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 As said crosslinking agent, an isocyanate type crosslinking agent, an aziridine type crosslinking agent, an epoxy-type crosslinking agent, a metal chelate type crosslinking agent etc. are mentioned, for example. In particular, an isocyanate-based crosslinking agent is preferable because of excellent adhesion stability to the substrate. Examples of the isocyanate-based crosslinking agent include Coronate HX (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), and Mytec NY260A (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). These crosslinking agents may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記架橋剤の使用量は特に制限されないが、上記硬化性樹脂100重量部に対する好ましい下限が0.05重量部、好ましい上限が10重量部である。上記架橋剤の使用量がこの範囲であることで、充分に硬化型粘着剤層の架橋を行うことができる。 Although the usage-amount of the said crosslinking agent is not restrict | limited in particular, The preferable minimum with respect to 100 weight part of said curable resins is 0.05 weight part, and a preferable upper limit is 10 weight part. When the amount of the crosslinking agent used is within this range, the curable pressure-sensitive adhesive layer can be sufficiently crosslinked.

上記硬化型粘着剤層は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、硬化性が向上する。
上記ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が1万以下であるものが好ましく、より好ましくは、硬化成分の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が5000以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2〜20個のものである。
The curable pressure-sensitive adhesive layer preferably further contains a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer. By containing a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer, curability is improved.
The radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 or less and a molecular weight so that a three-dimensional network of the curing component can be efficiently formed. Among them, the number of radically polymerizable unsaturated bonds is 2 to 20.

上記ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール#700ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらのラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer is, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or Examples thereof include the same methacrylates as described above. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polypropylene glycol # 700 diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These radical polymerizable polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.

上記硬化型粘着剤層は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、後述する粘着テープ剥離工程において、硬化型粘着剤層に刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく半導体装置から粘着テープを剥離することができる。 The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain a gas generating agent that generates gas upon stimulation. When the curable pressure-sensitive adhesive layer contains the gas generating agent, it is easier to generate gas from the gas generating agent by stimulating the curable pressure-sensitive adhesive layer in the adhesive tape peeling step described later. In addition, the adhesive tape can be peeled from the semiconductor device without leaving any adhesive residue.

上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができるが、ケトプロフェンや2−キサントン酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、1H−テトラゾール、5,5’−ビステトラゾールジアンモニウム塩、5,5’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等のテトラゾール化合物又はその塩等の耐熱性に優れる気体発生剤を用いることが好ましい。 The gas generating agent is not particularly limited. For example, a conventionally known gas generating agent such as an azo compound or an azide compound can be used. However, a carboxylic acid compound such as ketoprofen or 2-xanthone acetic acid or a salt thereof, or 1H— It is preferable to use a gas generating agent having excellent heat resistance such as tetrazole compounds such as tetrazole, 5,5′-bistetrazole diammonium salt, 5,5′-bistetrazoleamine monoammonium salt, or salts thereof.

上記硬化型粘着剤層中の上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記硬化性樹脂100重量部に対する好ましい下限が5重量部、好ましい上限が50重量部である。上記気体発生剤の含有量がこの範囲内にあると、充分な剥離性向上効果が得られる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は10重量部、より好ましい上限は30重量部である。 Although content of the said gas generating agent in the said curable adhesive layer is not specifically limited, The preferable minimum with respect to 100 weight part of the said curable resin is 5 weight part, and a preferable upper limit is 50 weight part. When the content of the gas generating agent is within this range, a sufficient peelability improving effect can be obtained. The minimum with more preferable content of the said gas generating agent is 10 weight part, and a more preferable upper limit is 30 weight part.

上記硬化型粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを配合することにより上記硬化型粘着剤層の凝集力が上がる。このため、リフロー工程後に保護が不要となったときに、粘着テープを半導体チップから糊残りすることなく容易に剥離できる。 The curable pressure-sensitive adhesive layer may further contain an inorganic filler such as fumed silica. By blending the inorganic filler, the cohesive force of the curable pressure-sensitive adhesive layer is increased. For this reason, when protection becomes unnecessary after the reflow process, the adhesive tape can be easily peeled off without leaving adhesive residue from the semiconductor chip.

上記硬化型粘着剤層は、更に、シリコーン化合物を含有してもよい。なかでも上記硬化型粘着剤層が光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分を含有する場合には、該光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。
シリコーン化合物は、耐薬品性、耐熱性に優れることから、リフロー工程における高温処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有する場合には、光照射又は加熱することにより上記光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と化学反応して上記光硬化型粘着剤成分中又は熱硬化型粘着剤成分中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。
The curable pressure-sensitive adhesive layer may further contain a silicone compound. In particular, when the curable pressure-sensitive adhesive layer contains a photocurable pressure-sensitive adhesive component or a thermosetting pressure-sensitive adhesive component, a functional group capable of crosslinking with the photocurable pressure-sensitive adhesive component or the thermosetting pressure-sensitive adhesive component is used. You may contain the silicone compound which has.
Since the silicone compound is excellent in chemical resistance and heat resistance, the adhesive is prevented from being burnt even after high temperature treatment in the reflow process, and at the time of peeling, it bleeds out to the adherend interface to facilitate peeling. When the silicone compound has a crosslinkable functional group with the photocurable pressure-sensitive adhesive component or the thermosetting pressure-sensitive adhesive component, the photocurable pressure-sensitive adhesive component or the thermosetting pressure-sensitive adhesive component can be obtained by light irradiation or heating. And the silicone compound is not adhered to the adherend and contaminated.

上記硬化型粘着剤層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。 The curable pressure-sensitive adhesive layer may further contain known additives such as a plasticizer, a resin, a surfactant, a wax, and a fine particle filler.

上記硬化型粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は5μm、好ましい上限は200μmである。上記硬化型粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力で半導体装置に貼着でき、かつ、処理後の半導体装置に反りが発生するのを防止することができる。上記硬化型粘着剤層の厚みのより好ましい下限は10μm、より好ましい上限は100μmである。 Although the thickness of the said curable adhesive layer is not specifically limited, A preferable minimum is 5 micrometers and a preferable upper limit is 200 micrometers. When the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer is within this range, it can be adhered to the semiconductor device with sufficient adhesive force, and warpage can be prevented from occurring in the processed semiconductor device. The minimum with more preferable thickness of the said curable adhesive layer is 10 micrometers, and a more preferable upper limit is 100 micrometers.

上記無機基材層を構成する無機物質は特に限定されず、例えばAu、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr等の金属やIn、CdO、CdIn、CdSnO、TiO、SnO、ZnO、ZnSiO3等の金属酸化物などが挙げられる。なかでも、光よって硬化型粘着剤層を硬化することができ、プラズマアッシング後に粘着テープを貼り付けたままアライメントを行えることから、光透過性の無機物質を用いることが好ましい。上記光透過性の無機物質としては、In、CdO、CdIn、CdSnO、TiO、SnO、ZnO、ZnSiO等が挙げられる。 Inorganic substance constituting the inorganic base material layer is not particularly limited, for example Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, Al, metals and In such as Cr 2 O 3, CdO, CdIn 2 O 4, Cd 2 Examples thereof include metal oxides such as SnO 4 , TiO 2 , SnO 2 , ZnO, and ZnSiO 3 . Among them, it is preferable to use a light-transmitting inorganic substance because the curable pressure-sensitive adhesive layer can be cured by light and alignment can be performed with the adhesive tape attached after plasma ashing. Examples of the light transmissive inorganic substance include In 2 O 3 , CdO, CdIn 2 O 4 , Cd 2 SnO 4 , TiO 2 , SnO 2 , ZnO, and ZnSiO 3 .

上記無機基材層は、紫外線透過率が1%以上であることが好ましい。
上記無機基材層の紫外線透過率が1%以上であることで、十分に紫外線によって粘着剤層が硬化できる。紫外線透過率が1%以上である上記無機物質としては、In、CdO、CdIn、CdSnO、TiO、SnO、ZnO、ZnSiO等が挙げられる。
The inorganic base material layer preferably has an ultraviolet transmittance of 1% or more.
When the inorganic base material layer has an ultraviolet transmittance of 1% or more, the pressure-sensitive adhesive layer can be sufficiently cured by ultraviolet rays. Examples of the inorganic substance having an ultraviolet transmittance of 1% or more include In 2 O 3 , CdO, CdIn 2 O 4 , Cd 2 SnO 4 , TiO 2 , SnO 2 , ZnO, and ZnSiO 3 .

上記無機基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は10μm、好ましい上限は200μmである。上記無機基材層の厚みがこの範囲内にあると、適度な屈曲性のため粘着テープの基材として半導体装置の補強ができるとともに、粘着テープ剥離工程において粘着テープをめくるようにして容易に剥離することができる。 Although the thickness of the said inorganic base material layer is not specifically limited, A preferable minimum is 10 micrometers and a preferable upper limit is 200 micrometers. If the thickness of the inorganic base material layer is within this range, the semiconductor device can be reinforced as a base material for the adhesive tape due to moderate flexibility, and easily peeled off by turning the adhesive tape in the adhesive tape peeling process. can do.

上記粘着テープは、無機基材層のほかにプラスチックからなるプラスチック基材層を有することが好ましい。粘着テープが無機基材層に加えてプラスチック基材層を有することによって、粘着テープの強度と柔軟性をより高めることができる。上記プラスチックとしては、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート等が挙げられる。なお、粘着テープがプラスチック基材層を有する場合、プラズマアッシングによる基材の分解を防止するという本発明の効果を得るためには、プラスチック基材層が硬化型粘着剤層と無機基材層との間に積層される。 The adhesive tape preferably has a plastic substrate layer made of plastic in addition to the inorganic substrate layer. When the adhesive tape has a plastic substrate layer in addition to the inorganic substrate layer, the strength and flexibility of the adhesive tape can be further increased. Examples of the plastic include a sheet made of a resin such as acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), nylon, urethane, polyimide, or a sheet having a network structure. Etc. When the adhesive tape has a plastic substrate layer, in order to obtain the effect of the present invention that prevents decomposition of the substrate due to plasma ashing, the plastic substrate layer comprises a curable adhesive layer, an inorganic substrate layer, and It is laminated between.

上記重合開始剤が熱重合開始剤である場合、上記無機基材層及びプラスチックからなる基材層は耐熱性の物質で構成されていることが好ましい。上記無機基材層及びプラスチック基材層が耐熱性を有すると、硬化型粘着剤層を熱硬化させる際に、熱によるテープの剥離や反りを防止することができる。耐熱性の上記無機物質としては、例えば、Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr等の金属やIn、CdO、CdIn、CdSnO、TiO、SnO、ZnO、ZnSiO等の金属酸化物などが挙げられる。耐熱性の上記プラスチックとしては、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート等が挙げられる。 When the polymerization initiator is a thermal polymerization initiator, the inorganic base material layer and the base material layer made of plastic are preferably made of a heat-resistant substance. When the inorganic base material layer and the plastic base material layer have heat resistance, when the curable pressure-sensitive adhesive layer is thermoset, peeling and warping of the tape due to heat can be prevented. Examples of the heat-resistant inorganic substance include metals such as Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, Al, and Cr, and In 2 O 3 , CdO, CdIn 2 O 4 , Cd 2 SnO 4 , TiO 2 , Examples thereof include metal oxides such as SnO 2 , ZnO, and ZnSiO 3 . Examples of the heat-resistant plastic include, for example, a sheet made of a resin such as acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), nylon, urethane, polyimide, or a network structure. The sheet | seat etc. which have are mentioned.

上記プラスチック基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は10μm、好ましい上限は200μmである。上記プラスチック基材層の厚みがこの範囲内にあると、半導体装置の補強ができるとともに、粘着テープ剥離工程において粘着テープをめくるようにして容易に剥離することができる。 Although the thickness of the said plastic base material layer is not specifically limited, A preferable minimum is 10 micrometers and a preferable upper limit is 200 micrometers. When the thickness of the plastic substrate layer is within this range, the semiconductor device can be reinforced and easily peeled off by turning the adhesive tape in the adhesive tape peeling step.

本発明の粘着テープを製造する方法は特に限定されず、例えば、硬化性樹脂、重合開始剤、架橋剤、及び、必要に応じて他の成分を、溶剤を用いて溶解混合し、塗工して乾燥させた後で無機基材層上に積層する方法や、無機基材層上に直接塗工して乾燥する方法が挙げられる。 The method for producing the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is not particularly limited. For example, the curable resin, the polymerization initiator, the crosslinking agent, and other components as necessary are dissolved and mixed using a solvent, and then applied. And a method of laminating on the inorganic base material layer after drying and a method of directly coating and drying on the inorganic base material layer.

本発明の粘着テープは半導体の製造工程において半導体装置を保護するために好適に用いることができるが、プラズマアッシング工程の半導体保護テープとして特に好適に用いることができる。
このようなプラズマアッシング工程における半導体装置の保護に用いられる半導体保護テープであって、本発明の粘着テープからなる半導体保護テープもまた、本発明の1つである。
The pressure-sensitive adhesive tape of the present invention can be suitably used for protecting a semiconductor device in a semiconductor manufacturing process, but can be particularly suitably used as a semiconductor protective tape in a plasma ashing process.
A semiconductor protective tape used for protecting a semiconductor device in such a plasma ashing process and comprising the adhesive tape of the present invention is also one aspect of the present invention.

本発明によれば、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、透明度が低下せず、剥離や残渣の発生を防止することができる粘着テープ及び半導体保護テープを提供することができる。 According to the present invention, there is provided an adhesive tape and a semiconductor protective tape that can prevent peeling and residue from being generated even when plasma ashing is performed in a state where the adhesive tape is attached to a semiconductor device to be reinforced. Can be provided.

プラズマアッシングによる粘着テープの白濁、剥離及び残渣の発生の原因を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the cause of generation | occurrence | production of the cloudiness of the adhesive tape by plasma ashing, peeling, and a residue.

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
(光硬化型粘着剤の合成)
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとして2−エチルヘキシルアクリレート94重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル5重量部、ラウリルメルカプタン0.01重量部と、酢酸エチル80重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン0.01重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から1時間後及び2時間後にも、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンを0.01重量部ずつ添加し、更に、重合開始から4時間後にt−ヘキシルパーオキシピバレートを0.05重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から8時間後に、固形分55重量%、重量平均分子量60万の官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として2−イソシアナトエチルメタクリレート3.5重量部を加えて反応させて光硬化型粘着剤を得た。
Example 1
(Synthesis of photo-curing adhesive)
A reactor equipped with a thermometer, a stirrer, and a cooling tube was prepared. In this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate as an alkyl (meth) acrylate and 5 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate as a functional group-containing monomer After adding 0.01 parts by weight of lauryl mercaptan and 80 parts by weight of ethyl acetate, the reactor was heated to start refluxing. Subsequently, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator in the reactor, and polymerization was started under reflux. It was. Next, after 1 hour and 2 hours from the start of polymerization, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added, and the polymerization was started. 4 hours later, 0.05 part by weight of t-hexylperoxypivalate was added to continue the polymerization reaction. Then, 8 hours after the start of polymerization, an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
The resin solid content of 100 parts by weight of the ethyl acetate solution containing the functional group-containing (meth) acrylic polymer was added and reacted with 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate as the functional group-containing unsaturated compound. To obtain a photocurable pressure-sensitive adhesive.

(粘着テープの製造)
得られた光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、光重合開始剤(エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製)1重量部、可塑剤(根上工業社製、UN−5500)20重量部、及び、架橋剤(日本ポリウレタン社製、コロネートL−45)0.5重量部を混合して粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を調製した。
得られた粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を、厚み100μmの超薄板ガラス(G−leaf、日本電気硝子社製)上に乾燥後の硬化型粘着剤層の厚さが40μmとなるようにドクターナイフで塗工し、110℃、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、40℃、3日間静置養生を行い、粘着テープを得た。
(Manufacture of adhesive tape)
1 part by weight of a photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Nippon Shibel Hegner), a plasticizer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., UN-5500) per 100 parts by weight of the resin solid content of the resulting ethyl acetate solution of the photocurable adhesive. ) 20 parts by weight and 0.5 parts by weight of a crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane, Coronate L-45) were mixed to prepare an ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive composition.
The doctor obtained an ethyl acetate solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition on an ultra-thin glass plate (G-leaf, manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm so that the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer after drying is 40 μm. The coating solution was dried with a knife and heated at 110 ° C. for 5 minutes. Thereafter, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days to obtain an adhesive tape.

(実施例2)
基材として、厚み100μmの柔軟性のあるサファイア板を用いた以外は実施例1と同様にして粘着テープを得た。
(実施例3)
基材として、厚み100μmの超薄板ガラス(G−leaf、日本電気硝子社製)と厚み25μmのポリエチレンナフタレート(PEN)基材との積層体を用いた以外は実施例1と同様にして粘着テープを得た。
(Example 2)
An adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that a flexible sapphire plate having a thickness of 100 μm was used as the substrate.
(Example 3)
Adhesive adhesion as in Example 1 except that a laminate of an ultra-thin plate glass (G-leaf, manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm and a polyethylene naphthalate (PEN) substrate having a thickness of 25 μm was used as the substrate. I got a tape.

(比較例1、2)
基材として、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)基材又はポリエチレンナフタレート(PEN)基材を用いた以外は実施例1と同様にして粘着テープを得た。
(Comparative Examples 1 and 2)
A pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate (PET) substrate or a polyethylene naphthalate (PEN) substrate having a thickness of 50 μm was used as the substrate.

(評価)
実施例及び比較例で得られた粘着テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表1に示した。
(Evaluation)
About the adhesive tape obtained by the Example and the comparative example, it evaluated by the following method. The results are shown in Table 1.

(アッシング時の剥がれの評価)
粘着テープの硬化型粘着剤層側の面を、直径20cmのミラーウエハに貼り付けた。次いで、PC−300(SUMCO社製)を用いて出力300W、Oガス流量12sccm、真空度10Paの条件下にて10分間プラズマアッシング処理を行った。このときステージとウェハを橋脚で固定し、橋脚の高さはおよそ5mmとした。アッシング処理後、405nmの波長が粘着テープ表面の積算照度が2000mJ/cmになるよう照射し、粘着テープを剥離した。プラズマアッシング後のミラーウエハを目視にて観察し、粘着テープの剥がれが見られなかった場合を「○」、粘着テープの剥がれが一部見られた場合を「△」、粘着テープの剥がれが見られた場合を「×」、としてアッシング時の剥がれを評価した。
結果を表1に示した。
(Evaluation of peeling during ashing)
The surface on the curable pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive tape was attached to a mirror wafer having a diameter of 20 cm. Next, a plasma ashing process was performed for 10 minutes using PC-300 (manufactured by SUMCO) under the conditions of an output of 300 W, an O 2 gas flow rate of 12 sccm, and a vacuum degree of 10 Pa. At this time, the stage and the wafer were fixed by a pier, and the height of the pier was set to about 5 mm. After the ashing treatment, the adhesive tape was peeled off by irradiation with a wavelength of 405 nm so that the integrated illuminance on the surface of the adhesive tape was 2000 mJ / cm 2 . Visually observe the mirror wafer after plasma ashing. When the adhesive tape is not peeled off, “○” is indicated. When the adhesive tape is partially peeled off, “△” is indicated. The adhesive tape is peeled off. The case where the ashing was performed was evaluated as “x”, and peeling during ashing was evaluated.
The results are shown in Table 1.

(残渣付着性の評価)
プラズマアッシング後のミラーウエハから粘着テープをめくるように剥離した。シリコンウエハの表面を、電子顕微鏡を用いて100倍率で観察し、粘着テープの残渣が認められなかった場合を「○」、粘着テープの残渣が認められた場合を「×」として残渣付着性を評価した。
結果を表1に示した。
(Evaluation of residue adhesion)
The adhesive tape was peeled off from the mirror wafer after plasma ashing. The surface of the silicon wafer was observed at 100 magnifications using an electron microscope, and “○” was given when no adhesive tape residue was found, and “X” was given when the adhesive tape residue was found. evaluated.
The results are shown in Table 1.

(粘着テープの白濁の評価)
プラズマアッシング後のミラーウエハから粘着テープをめくるように剥離した。剥離後の粘着テープの基材表面を、目視で観察し、白濁しておらず透明な場合を「○」、白濁が認められた場合を「×」として粘着テープの白濁を評価した。
(Evaluation of cloudiness of adhesive tape)
The adhesive tape was peeled off from the mirror wafer after plasma ashing. The surface of the base material of the adhesive tape after peeling was visually observed, and the white turbidity of the adhesive tape was evaluated as “◯” when transparent and not white turbid, and “X” when white turbidity was observed.

Figure 2018059026
Figure 2018059026

本発明によれば、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、透明度が低下せず、剥離や残渣の発生を防止することができる粘着テープ及び半導体保護テープを提供することができる。 According to the present invention, there is provided an adhesive tape and a semiconductor protective tape that can prevent peeling and residue from being generated even when plasma ashing is performed in a state where the adhesive tape is attached to a semiconductor device to be reinforced. Can be provided.

1 粘着テープ
11 基材
12 粘着剤層
2 半導体装置
3 表面処理層
4 橋脚
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adhesive tape 11 Base material 12 Adhesive layer 2 Semiconductor device 3 Surface treatment layer 4 Bridge pier

Claims (8)

少なくとも硬化性樹脂、重合開始剤、及び、架橋剤を含有する硬化型粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有することを特徴とする粘着テープ。 A pressure-sensitive adhesive tape comprising: a curable pressure-sensitive adhesive layer containing at least a curable resin, a polymerization initiator, and a crosslinking agent; and an inorganic base material layer composed of an inorganic substance. プラスチック基材層が硬化型粘着剤層と無機基材層との間に積層されることを特徴とする請求項1記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, wherein the plastic base material layer is laminated between the curable pressure-sensitive adhesive layer and the inorganic base material layer. 無機基材層が光透過性であることを特徴とする請求項1、2記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, wherein the inorganic base material layer is light transmissive. 重合開始剤が光による刺激で励起されることを特徴とする請求項1、2又は3記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, 2, or 3, wherein the polymerization initiator is excited by stimulation with light. 重合開始剤を励起する光が紫外線であることを特徴とする請求項4に記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 4, wherein the light that excites the polymerization initiator is ultraviolet light. 無機基材層の紫外線透過率が1%以上であることを特徴とする請求項5記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 5, wherein the inorganic base material layer has an ultraviolet transmittance of 1% or more. 重合開始剤が熱による刺激で励起されることを特徴とする請求項1又は2記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1 or 2, wherein the polymerization initiator is excited by heat stimulation. プラズマアッシング工程における半導体装置の保護に用いられる半導体保護テープであって、請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の粘着テープからなることを特徴とする半導体保護テープ。 A semiconductor protective tape used for protecting a semiconductor device in a plasma ashing process, comprising the adhesive tape according to claim 1, 2, 3, 4, 6, or 7.
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