JP2018040029A - 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 631
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 141
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 141
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 111
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 108
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 63
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 253
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 100
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 99
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 53
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
Description
ヘテロ接合型太陽電池は、単結晶シリコン太陽電池と比較して変換効率が高く、また、アモルファスシリコン層を用いているため、シリコンの使用量を減らすことができる等の利点がある。
この裏面電極は、金属からなりスパッタリングによる成膜で形成されるものであるが、スパッタリングによって金属層を形成する際には、かなりの高温になるため、他の膜に対する影響を回避するため、成膜の際(前後)に冷却を行う必要がある。
また、ヘテロ接合型太陽電池として受光面に金属からなる電極層を有する場合であっても、同様の課題がある。
そして、上述した課題は、ヘテロ接合型太陽電池の成膜対象基板上に金属層を形成する場合のみならず、成膜対象基板上に金属からなるスパッタ膜を形成する場合にも生ずるものである。
また、本発明は、単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、前記真空槽内に設けられ、基板保持器に保持された成膜対象基板の第1面上に透明導電酸化物層の成膜を行うスパッタ源を有する第1の透明導電酸化物層成膜領域と、前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上に透明導電酸化物層の成膜を行うスパッタ源を有する第2の透明導電酸化物層成膜領域と、前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第2面側から冷却を行う冷却領域と、前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面上に金属層の成膜を行うスパッタ源を有する金属層成膜領域と、鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域を通過するように設けられた搬送経路と、前記基板保持器を水平にした状態で前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記搬送経路に沿って所定方向に搬送する第1の搬送部と、前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送する第2の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、前記第1の搬送部が、前記第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域のうち一方を通過し、かつ、前記第2の搬送部が、前記第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域のうち他方を通過するとともに、前記第1の搬送部が、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域のうち一方を通過し、かつ、前記第2の搬送部が、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域のうち他方を通過するように設けられている成膜装置である。
また、本発明は成膜装置であって、成膜後の成膜対象基板を保持した前記基板保持器を前記基板保持器搬送機構から取り出し、取り出した当該基板保持器を前記基板保持器搬送機構に導入するように構成されている成膜装置である。
また、本発明は成膜装置であって、前記基板保持器は、当該搬送方向に対して直交する方向に複数の成膜対象基板を並べて保持するように構成されている成膜装置である。
また、本発明は上記いずれかの成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面側から冷却を行う冷却工程と、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する成膜方法である。
また、本発明は上記いずれかの成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって第2の透明導電酸化物層を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第2面側から冷却を行う冷却工程と、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する成膜方法である。
また、本発明は成膜方法であって、成膜後の成膜対象基板を保持した前記基板保持器を前記基板保持器搬送機構から取り出し、取り出した当該基板保持器を前記基板保持器搬送機構に導入し、前記冷却工程及び前記金属層成膜工程を複数回行う工程を有する成膜方法である。
また、本発明は前記記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、n型単結晶シリコン基板の第1面上に、アモルファスシリコン層及びテクスチャー構造の反射防止膜が順次設けられるとともに、前記n型単結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層とn型アモルファスシリコン層が隣接して設けられた成膜対象基板を用意し、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第1面側から冷却を行う冷却工程と、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって裏面電極用の金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する太陽電池の製造方法である。
また、本発明は前記記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた成膜対象基板を用意し、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって第2の透明導電酸化物層を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第2面側から冷却を行う冷却工程と、前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって表面電極用の金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する太陽電池の製造方法である。
図1は、本発明に係る成膜装置の実施の形態の全体を示す概略構成図である。
また、図2は、本実施の形態における基板保持器搬送機構の概略構成を示す平面図、図3は、同基板保持器搬送機構の要部を示す正面図である。
さらにまた、図5(a)(b)は、本実施の形態の基板保持器搬送機構の搬送折り返し部の構成を示すもので、図5(a)は平面図、図5(b)は、図5(a)のB−B線断面図ある。
真空槽2の内部には、後述する基板保持器11を搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構3が設けられている。
ここで、基板保持器搬送機構3は、その詳細な構成は後述するが、例えばスプロケット等からなる同一径の円形の第1及び第2の駆動輪31、32を有し、これら第1及び第2の駆動輪31、32が、それぞれの回転軸線を平行にした状態で所定距離をおいて配置されている。
本実施の形態では、第1及び第2の駆動輪31、32に、図示しない駆動機構から回転駆動力が伝達されて動作するように構成されている。
このガイド部材38は、一連のレール状に形成され、図3に示すように、第1の駆動輪31の上部の基板保持器導入部30Aから搬送折り返し部30Bを経て第1の駆動輪31の下部の基板保持器排出部30Cに渡って、搬送駆動部材33と平行に設けられている。
なお、ガイド部材38は、第1の駆動輪31に対し、後述する基板搬入搬出機構6側の領域には設けられていない。
本実施の形態の冷却領域7は、第1の駆動輪31と第2の駆動輪32との間で搬送駆動部材33の往路側搬送部33aの上方に一対の冷却機構7a、7bが並べて配置され、基板保持器11によって保持された基板50の第1面(本実施の形態では表側面)側から基板50を冷却するように構成されている。
なお、搬送駆動部材33の往路側搬送部33aを挟んで冷却機構7a、7bの反対側、即ち往路側搬送部33aの下方には、第1及び第2の金属層成膜領域4、5から冷却機構7a、7bに対する熱を遮蔽するための遮蔽部材7cが設けられている。
本実施の形態では、真空槽2内の基板保持器搬送機構3の下部に、スパッタ源4Tを有する第1の金属層成膜領域4と、スパッタ源5Tを有する第2の金属層成膜領域5とが設けられている。
なお、第1及び第2の金属層成膜領域4、5には、所定のスパッタガスを導入するガス導入機構(図示せず)がそれぞれ設けられている。
本実施の形態では、基板搬入搬出機構6の支持部62上に搬送ロボット64が設けられ、この搬送ロボット64上に上述した基板保持器11を支持して基板保持器11を鉛直上下方向に移動させ、かつ、搬送ロボット64によって基板保持器搬送機構3との間で基板保持器11を受け渡し且つ受け取るように構成されている。
この基板搬入搬出室2Aは、例えば上述した基板搬入搬出機構6の支持部62の上方の位置に連通口2Bを介して設けられており、例えば基板搬入搬出室2Aの上部には、開閉可能な蓋部2aが設けられている。
基板保持器搬送機構3には、上述した第1及び第2の駆動輪31、32が一対の側部フレーム26にそれぞれ設けられている。
一方、第2の駆動輪32は、搬送方向に対して直交する同一の回転軸線を中心として回転駆動される駆動軸35をそれぞれ有し、各駆動軸35は連結部材34を介して第2の駆動輪32にそれぞれ連結されている(図2、図5(a)(b)参照)。
これら保持駆動部36は、基板保持器11を保持して搬送駆動するためのもので、搬送駆動部材33の外方側に突出するように搬送駆動部材33に取り付けられ、その先端部には、例えば搬送方向下流側に向けて形成された例えばJフック形状(搬送方向下流側の突部の高さが搬送方向上流側の突部の高さより低い形状)の保持凹部37が設けられている。
本実施の形態では、図2及び図3に示すように、搬送駆動部材33の往路側搬送部33aの近傍に往路側基板保持器支持機構18aが設けられるとともに、搬送駆動部材33の復路側搬送部33cの近傍に復路側基板保持器支持機構18bが設けられ、搬送される基板保持器11の下面の両縁部を支持するように配置構成されている。
図4(a)〜(c)に示すように、この基板保持器11は、例えば長尺枠状の本体部11aに、その長手方向即ち搬送方向に対して直交する方向に例えば矩形状の複数の基板50を一列に並べてそれぞれ保持する複数の保持部13が設けられている。
一方、各保持部13における本体部11aの中腹部分には、各基板50を載置可能な矩形枠状の凹部からなる載置部16がそれぞれ設けられている。
これら各載置部16は、凹部の底面が例えば本体部11aの表面及び裏面と平行な平面状に形成され、成膜の際に各基板50を水平に保持するように構成されている。
これらの支持軸12は、本体部11aの長手方向に延びる回転軸線を中心として断面円形状に形成され、それぞれの基部12aが両側に向って細くなるような円錐台形状に形成され、それぞれの先端部12bが基部12aより小径の円柱形状に形成されている。
まず、図3及び図5(a)(b)に示すように、基板保持器搬送機構3における第2の駆動輪32に対して第1の駆動輪31側の隣接する位置には、基板50を折り返して搬送する際に基板保持器11を支持してその姿勢を制御する姿勢制御機構20が設けられている。
そして、この駆動軸21に、一対の基板保持器支持機構18の間隔より小さい間隔をおいて、一対の支持アーム22が取り付けられている(図5(a)参照)。
これらの支持アーム22は、直線棒状の部材からなり、その両端部にそれぞれ支持ローラ23が設けられている。
また、基板保持器11の支持軸12が設けられた側を前方にして基板保持器11を基板保持器導入部30Aに対して導入するものとする(図9(a)参照)。
これにより、図9(a)に示すように、基板保持器11の下面11bが往路側基板保持器支持機構18aによって支持される。
具体的には、図16(a)に示す基板50の反射防止膜53の表面を冷却機構7a、7bによって上方から冷却する。
上述したように、本実施の形態では、基板保持器11に保持された基板50の第1面は全面的に露出しているため、基板50の全体が十分に冷却される。
本実施の形態では、上述したように、搬送駆動部材33の保持駆動部36によって基板保持器11の支持軸12が保持されるとともに、基板保持器11の下面11bが往路側基板保持器支持機構18aによって支持された状態で搬送折り返し部30Bに向って搬送される(図9(a)(b)参照)。
この姿勢制御機構20の一対の支持アーム22は、上述したように、第2の駆動輪32と同期して第2の駆動輪32と同一方向に回転するように構成されている。
その結果、本実施の形態では、搬送折り返し部30Bを通過する際に、基板保持器11が搬送駆動部材33の保持駆動部36から脱落することはない。
以上より、本実施の形態によれば、搬送折り返し部30Bを経由して搬送する際に基板保持器11の上下関係を変えることなく搬送を行うことができる。
これにより、本実施の形態における基本的な冷却工程及び成膜工程が終了する。
さらに、上述した動作及び工程を繰り返すことにより、当該基板59に対して3回以上の冷却工程及び成膜工程を行うことも可能である。
これら第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域81、82には、所定のスパッタガスを導入するガス導入機構(図示せず)がそれぞれ設けられている。
なお、本実施の形態の場合、第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域81、82は、それぞれ第2の駆動輪32の近傍に設けられている。
本実施の形態の金属層成膜領域9は、基板50Aの第1面(本実施の形態では表側面)上に後述する金属層55Aを形成するもので、上記実施の形態の第1及び第2の金属層成膜領域4、5と同等の構成を有している。
本実施の形態の冷却領域7は、第1の駆動輪31と第2の駆動輪32との間において、搬送駆動部材33の復路側搬送部33cの下方に冷却機構7aが配置され、基板保持器11Aによって保持された基板50Aに対し金属層を形成する第1面と反対側の第2面(本実施の形態では裏側面)を冷却するように構成されている。
具体的には、図24(b)に示すように、基板50Aのp型アモルファスシリコン層53Aの表面に、スパッタリングによって第1の透明導電酸化物層54Aを全面的に形成する。
その後、例えば図21及び図22に示すように、基板搬入搬出機構6の支持部62を基板保持器取り出し位置に配置して搬送ロボット64を用い、第1及び第2の透明導電酸化物層54A、58Aの成膜が終了した基板50Aを保持した基板保持器11Aを、基板保持器排出部30Cから基板搬入搬出機構6側に取り出して搬送ロボット64と共に支持部62上に配置する。
この動作の際、基板保持器11Aに保持された基板50Aの第1面(表側面)上に、金属層成膜領域9を通過する際に、基板保持器11Aの上方に位置するスパッタ源9Tによってスパッタリングによる成膜を行う。
以上の工程により、本実施の形態における、1回目の透明導電酸化物層の形成工程、冷却工程、金属層形成工程が終了し、成膜後の基板59Aを得る。
例えば上記実施の形態では、基板保持器11として、長尺枠状の本体部11aの長手方向に複数の基板50を一列に並べて保持するものを例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、例えば本体部11aの長手方向に複数の基板50を複数列(二〜三列)に並べて保持するように構成することもできる。
ただし、本発明は、ヘテロ接合型太陽電池の成膜対象基板の片面に電極用の金属層を形成する場合に特に有効となるものである。
そして、これに伴い、金属層形成領域と冷却領域の上下関係を逆にすることもできる。
2…真空槽
3…基板保持器搬送機構
4…第1の金属層成膜領域
4T…スパッタ源
5…第2の金属層成膜領域
5T…スパッタ源
6…基板搬入搬出機構
7…冷却領域
11…基板保持器
30A…基板保持器導入部
30B…搬送折り返し部
30C…基板保持器排出部
33…搬送駆動部材
33a…往路側搬送部(第1の搬送部)
33b…折り返し部
33c…復路側搬送部(第2の搬送部)
50…成膜対象基板
59…成膜済の成膜対象基板
Claims (9)
- 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、
前記真空槽内に設けられ、基板保持器に保持された成膜対象基板に対して第1面側から冷却を行う冷却領域と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上に金属層の成膜を行うスパッタ源を有する金属層成膜領域と、
鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域を通過するように設けられた搬送経路と、
前記基板保持器を水平にした状態で前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、
前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記搬送経路に沿って所定方向に搬送する第1の搬送部と、前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送する第2の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、
前記第1の搬送部が、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域のうち一方を通過し、かつ、前記第2の搬送部が、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域のうち他方を通過するように設けられている成膜装置。 - 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、
前記真空槽内に設けられ、基板保持器に保持された成膜対象基板の第1面上に透明導電酸化物層の成膜を行うスパッタ源を有する第1の透明導電酸化物層成膜領域と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上に透明導電酸化物層の成膜を行うスパッタ源を有する第2の透明導電酸化物層成膜領域と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第2面側から冷却を行う冷却領域と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面上に金属層の成膜を行うスパッタ源を有する金属層成膜領域と、
鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域を通過するように設けられた搬送経路と、
前記基板保持器を水平にした状態で前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、
前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記搬送経路に沿って所定方向に搬送する第1の搬送部と、前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送する第2の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、
前記第1の搬送部が、前記第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域のうち一方を通過し、かつ、前記第2の搬送部が、前記第1及び第2の透明導電酸化物層成膜領域のうち他方を通過するとともに、
前記第1の搬送部が、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域のうち一方を通過し、かつ、前記第2の搬送部が、前記金属層成膜領域及び前記冷却領域のうち他方を通過するように設けられている成膜装置。 - 成膜後の成膜対象基板を保持した前記基板保持器を前記基板保持器搬送機構から取り出し、取り出した当該基板保持器を前記基板保持器搬送機構に導入するように構成されている請求項1又は2のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記基板保持器は、当該搬送方向に対して直交する方向に複数の成膜対象基板を並べて保持するように構成されている請求項1乃至3のいずれか1項記載の成膜装置。
- 請求項1、3又は4のいずれか1項記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面側から冷却を行う冷却工程と、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する成膜方法。 - 請求項2乃至4のいずれか1項記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって第2の透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第2面側から冷却を行う冷却工程と、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する成膜方法。 - 成膜後の成膜対象基板を保持した前記基板保持器を前記基板保持器搬送機構から取り出し、取り出した当該基板保持器を前記基板保持器搬送機構に導入し、前記冷却工程及び前記金属層成膜工程を複数回行う工程を有する請求項5又は6のいずれか1項記載の成膜方法。
- 請求項1、3又は4のいずれか1項記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
n型単結晶シリコン基板の第1面上に、アモルファスシリコン層及びテクスチャー構造の反射防止膜が順次設けられるとともに、前記n型単結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層とn型アモルファスシリコン層が隣接して設けられた成膜対象基板を用意し、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第1面側から冷却を行う冷却工程と、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって裏面電極用の金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する太陽電池の製造方法。 - 請求項2乃至4のいずれか1項記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた成膜対象基板を用意し、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって第1の透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の透明導電酸化物層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第2面上にスパッタリングによって第2の透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち一方によって前記基板保持器を前記冷却領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板に対して第2面側から冷却を行う冷却工程と、
前記基板保持器搬送機構の前記第1及び第2の搬送部のうち他方によって前記基板保持器を前記金属層成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記所定方向と反対に搬送し、前記基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第1面上にスパッタリングによって表面電極用の金属層の成膜を行う金属層成膜工程とを有する太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016173636A JP6754530B2 (ja) | 2016-09-06 | 2016-09-06 | 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 |
CN201710795258.9A CN107794511A (zh) | 2016-09-06 | 2017-09-06 | 成膜装置、成膜方法以及太阳能电池的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016173636A JP6754530B2 (ja) | 2016-09-06 | 2016-09-06 | 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018040029A true JP2018040029A (ja) | 2018-03-15 |
JP6754530B2 JP6754530B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=61531809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016173636A Active JP6754530B2 (ja) | 2016-09-06 | 2016-09-06 | 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6754530B2 (ja) |
CN (1) | CN107794511A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6997863B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2022-01-18 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4500407A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Disk or wafer handling and coating system |
JP5542488B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
-
2016
- 2016-09-06 JP JP2016173636A patent/JP6754530B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-06 CN CN201710795258.9A patent/CN107794511A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6754530B2 (ja) | 2020-09-16 |
CN107794511A (zh) | 2018-03-13 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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