JP2018032951A - 電力増幅モジュール - Google Patents
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 62
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 31
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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- H—ELECTRICITY
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/225—Indexing scheme relating to amplifiers the input circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/237—A parallel resonance being added in series in the input circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/391—Indexing scheme relating to amplifiers the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
-
- H—ELECTRICITY
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F2200/402—A series resonance being added in shunt in the output circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage
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- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
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Abstract
【課題】素子のばらつきがあっても高調波終端回路の特性劣化が抑制される電力増幅モジュールを提供すること。
【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、増幅器の後段に設けられ、増幅信号の高調波成分を減衰させる高調波終端回路であって、少なくとも1つのFETを備える高調波終端回路と、少なくとも1つのFETのゲート電圧を制御することにより、少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整する制御回路と、を備え、制御回路が少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整することにより、高調波終端回路の共振周波数が調整される。
【選択図】図1
【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、増幅器の後段に設けられ、増幅信号の高調波成分を減衰させる高調波終端回路であって、少なくとも1つのFETを備える高調波終端回路と、少なくとも1つのFETのゲート電圧を制御することにより、少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整する制御回路と、を備え、制御回路が少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整することにより、高調波終端回路の共振周波数が調整される。
【選択図】図1
Description
本発明は、電力増幅モジュールに関する。
携帯電話の通信網を用いる携帯端末においては、基地局へ送信する無線周波数(RF:Radio Frequency)信号の電力を増幅するための電力増幅モジュールが用いられる。電力増幅モジュールでは、増幅器から出力される増幅信号の高調波成分(増幅信号の基本周波数の整数倍の周波数を有する信号)を減衰させるために、高調波終端回路が用いられる。例えば、特許文献1には、LC直列共振回路により構成される高調波終端回路であって、信号のモードに応じて特性を変更可能な回路が開示されている。
ところで、近年の電力増幅モジュールの実装基板の薄型化、及びRF信号の高周波化(例えば、3.5GHz程度以上の周波数)に伴い、素子のばらつきに起因する高調波終端回路の特性の劣化が問題となり得る。この点、特許文献1に開示される回路では、インダクタ及びキャパシタ等の素子サイズが予め決められており、素子のばらつきに応じて高調波終端回路の特性を調整することはできない。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、素子のばらつきがあっても高調波終端回路の特性劣化が抑制される電力増幅モジュールを提供することを目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明の一側面に係る電力増幅モジュールは、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、増幅器の後段に設けられ、増幅信号の高調波成分を減衰させる高調波終端回路であって、少なくとも1つのFETを備える高調波終端回路と、少なくとも1つのFETのゲート電圧を制御することにより、少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整する制御回路と、を備え、制御回路が少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整することにより、高調波終端回路の共振周波数が調整される。
本発明によれば、素子のばらつきがあっても高調波終端回路の特性劣化が抑制される電力増幅モジュールを提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る電力増幅モジュール100Aの構成を示す図である。電力増幅モジュール100Aは、無線周波数(RF:Radio Frequency)信号である入力信号RFinを増幅して、増幅信号RFout2を出力するモジュールである。電力増幅モジュール100Aは、例えば、増幅器110、整合回路120A、及び制御電圧生成回路130Aを備える。なお、図1では、説明を簡単にするために、電力増幅モジュール100Aが備える他の構成要素(例えば、チョークインダクタ、バイアス回路等)は示されていない。
増幅器110は、入力信号RFinを増幅して増幅信号RFout1を出力する。増幅器110は、増幅用のトランジスタを備える。増幅用のトランジスタは、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)等のバイポーラトランジスタである。なお、増幅用のトランジスタとして、電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)を用いてもよい。
整合回路120Aは、増幅器110と後段の回路(例えば、スイッチ回路)との間に設けられ、増幅器110の出力インピーダンスと後段の回路の入力インピーダンスとを整合する。増幅器110から出力される増幅信号RFout1は、整合回路120Aを通じて増幅信号RFout2として出力される。整合回路120Aは、例えば、インダクタL1,L2、キャパシタC1、及び高調波終端回路140,150Aを備える。
インダクタL1、インダクタL2、及びキャパシタC1は、この順に直列接続され、インダクタL1の一端が増幅器110の出力端子に接続され、キャパシタC1の他端から増幅信号RFout2を出力する。キャパシタC1は、増幅信号RFout1の直流(DC)成分を除去するDCカットキャパシタとしても機能する。
高調波終端回路140,150Aは、各々、インダクタ及びキャパシタを含むLC直列共振回路である。LC直列共振回路は、共振周波数の近傍の周波数の成分を減衰させる機能を有する。従って、当該共振周波数が入力信号RFinの高調波(例えば、二倍波)の周波数と一致するようにLC直列共振回路を設計することにより、増幅信号RFout1に含まれる高調波成分を減衰させることができる。なお、例えばLC直列共振回路がインダクタンスLのインダクタとキャパシタンスCのキャパシタにより構成される場合、共振周波数f0は、f0=1/2π√LCによって表される。
高調波終端回路140は、例えば、直列接続されたキャパシタC2及びインダクタL3を備える。キャパシタC2は、一端がインダクタL1とインダクタL2との接続点に接続され、他端がインダクタL3の一端に接続される。インダクタL3の他端は接地される。
高調波終端回路150Aは、LC直列共振回路におけるキャパシタンス及びインダクタンスの少なくともいずれか一方を調整可能とした構造である。具体的には、例えば、高調波終端回路150Aは、キャパシタC3、インダクタL4,L5(第1インダクタ),L6(第2インダクタ)、及びFET(MN1)を備える。
キャパシタC3、インダクタL4、及びインダクタL5は、この順に直列接続される。キャパシタC3は、一端がインダクタL2とキャパシタC1との接続点に接続され、他端がインダクタL4の一端に接続される。インダクタL5は、一端がインダクタL4の他端に接続され、他端が接地される(すなわち、基準電位が供給される)。インダクタL6は、インダクタL5と並列接続され、一端がインダクタL4とインダクタL5との接続点に接続され、他端がFET(MN1)のドレインに接続される。インダクタL6は、高調波終端回路150Aにおける合成インダクタンスを調整するためのインダクタである。
FET(MN1)は、例えば、NチャネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)であり、ドレインがインダクタL6の他端に接続され、ゲートに制御電圧生成回路130Aから制御電圧Vcont1が供給され、ソースが接地される。FET(MN1)の機能の詳細については後述する。
制御電圧生成回路130A(制御回路)は、制御電圧Vcont1を生成し、FET(MN1)のゲートに供給する。制御電圧生成回路130Aは、高調波終端回路150Aの共振周波数と入力信号RFinの高調波の周波数とのずれに応じて、制御電圧Vcont1を適切に制御する。制御電圧生成回路130Aは、例えば、制御IC及びDAコンバータを備え、制御ICが出力する制御信号に応じてDAコンバータが出力電圧を生成する構成としてもよい。なお、制御電圧生成回路130Aの構成はこれに限られない。
次に、本実施形態におけるキャパシタンス及びインダクタンスの調整機能について説明する。FETは一般的に、ドレイン・ソース間に寄生容量が存在する。具体的には、FETのゲート電圧を高くするか、もしくはゲート幅又はゲート長を大きくすることにより寄生容量が増加することが知られている。従って、FETの寄生容量を制御することにより、当該FETを備える回路の合成キャパシタンスを調整することができる。高調波終端回路150Aにおいては、FET(MN1)のゲートに供給される制御電圧Vcont1が制御されるため、寄生容量が調整され、高調波終端回路150Aの合成キャパシタンスが調整される。
また、FET(MN1)のゲート電圧が制御されることにより、FET(MN1)のオン及びオフが切り替わる。これにより、FET(MN1)と直列接続されたインダクタL6の導通の有無も切り替わる。従って、制御電圧Vcont1が制御されることにより、高調波終端回路150Aの合成インダクタンスが調整される。
図2は、高調波終端回路150Aの等価回路を示す図である。FETは一般的に寄生容量及びオン抵抗を含む。従って、図2においてFET(MN1)は、並列接続されたキャパシタCTと抵抗素子RTにより表されている。図2に示される各素子のインピーダンスをそれぞれ、キャパシタC3:−j×(1/(ωC3))、キャパシタCT:−j×(1/(ωCT))、インダクタL4:jωL4、インダクタL5:jωL5、インダクタL6:jωL6、抵抗素子RT:RTとする。ここで、ωは高調波終端回路150Aに供給される交流信号の中心周波数に対応する角周波数である。図2に示されるP1・P2間の合成インピーダンスZ(すなわち、図1に示される接続点P1から見た高調波終端回路150Aの合成インピーダンスZ)は、以下の式(1)で表される。
ここで、A=(ωCTRT)2+1、B=ωL6{(ωCTRT)2+1}−ωCTRTである。上記式(1)において、虚部が0となるとき(すなわち、以下の式(2)を満たすとき)のω(=ω0)が高調波終端回路150Aの共振周波数(角周波数)であり、共振周波数f0(Hz)は、f0=ω0/2πとなる。
本実施形態においては、FET(MN1)のゲート電圧を制御することにより、寄生容量の容量値(すなわち、CT)及びオン抵抗の抵抗値(すなわち、RT)の値が変動する。具体的には、FET(MN1)のゲート電圧の上昇に伴って、寄生容量の容量値は増加し、オン抵抗の抵抗値は低下する。また、FET(MN1)のオン及びオフが切り替わることにより、インダクタL6の導通の有無も切り替わる。従って、上記式(1)より、合成インピーダンスZが変動し、高調波終端回路150Aの共振周波数ω0が調整可能であることが分かる。具体的には、高調波終端回路150Aの共振周波数と入力信号RFinの高調波の周波数との間にずれが生じた場合、高調波終端回路150Aの共振周波数が入力信号RFinの高調波の周波数に近づくように、当該共振周波数を補正することができる。
上述の構成により、電力増幅モジュール100Aは、高調波終端回路150Aの共振周波数と入力信号RFinの高調波の周波数のずれに応じてFET(MN1)のゲートに供給される制御電圧Vcont1を制御することにより、高調波終端回路150Aの合成インピーダンスZを調整し、共振周波数を調整することができる。これにより、素子のばらつきがあっても、高調波終端回路の共振周波数を補正することにより、高調波終端回路の特性劣化が抑制される。
なお、高調波終端回路140,150Aが減衰する高調波成分は二倍波に限られず、三倍以上の高調波成分であってもよい。また、高調波終端回路150Aは、高調波終端回路140におけるインダクタL3の代わりに直列接続されたインダクタL4,L5を備えているが、当該インダクタL4,L5は分けずに1つのインダクタとしてもよい。インダクタL3をインダクタL4,L5に分け、調整用のインダクタL6をインダクタL5のみと並列接続する構成とすることにより、調整用のインダクタL6のサイズを小さくすることができる。
図3は、高調波終端回路150Aにおける信号減衰のシミュレーション結果を示す図である。図3において、横軸は周波数(GHz)、縦軸は高調波終端回路150Aにおける信号減衰(dB)である。図3に示されるグラフは、減衰させる高調波の周波数の目標値が1.65〜1.81GHzの範囲に含まれる場合に、FET(MN1)のゲート電圧を0.65V、0.7V、0.8V、1.0Vとした時の信号減衰の様子を示している。なお、本シミュレーションにおいて、FET(MN1)のゲート長は10μmであり、ゲート幅は400μmである。
図3に示されるように、高調波終端回路150Aでは、FET(MN1)のゲート電圧を制御することにより、高調波終端回路の共振周波数を所望の値に補正可能であることが分かる。例えば、図3に示される例においては、ゲート電圧が0.8Vの場合に、共振周波数が高調波成分の範囲の略中央にあり、当該範囲の高調波成分が略均等に減衰されている。従って、ゲート電圧を例えば0.8Vに調整することにより、高調波終端回路の特性の劣化を抑制することができる。なお、本シミュレーションにおいては、ゲート電圧を上げるほど共振周波数が低周波数側に移動している。
図4は、本発明の第1実施形態の変形例に係る電力増幅モジュールの構成を示す図である。図4に示される電力増幅モジュール100Bは、図1に示される電力増幅モジュール100Aに比べて、整合回路120Aの代わりに整合回路120Bを備え、制御電圧生成回路130Aの代わりに制御電圧生成回路130Bを備える。整合回路120Bは、高調波終端回路150Aの代わりに高調波終端回路150Bを備える。なお、当該実施形態以降では、第1実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
高調波終端回路150Bは、高調波終端回路150Aに比べて、FET(MN2,MN3,MN4)をさらに備える。FET(MN2,MN3,MN4)は、FET(MN1)と並列接続される。すなわち、FET(MN1,MN2,MN3,MN4)は、ドレインがそれぞれインダクタL6の他端に接続され、ゲートにそれぞれ制御電圧Vcont1,Vcont2,Vcont3,Vcont4が供給され、ソースがそれぞれ接地される。
制御電圧生成回路130Bは、制御電圧Vcont1〜Vcont4を生成し、FET(MN1〜MN4)のゲートに供給することにより、FET(MN1〜MN4)のゲート電圧を個別に制御する。具体的には、制御電圧生成回路130Bは、例えばFET(MN1〜MN4)がオンとなる電圧(例えば、FETの閾値電圧以上の電圧)、又はFET(MN1〜MN4)がオフとなる電圧(例えば、0V)のいずれかを生成して、制御電圧Vcont1〜Vcont4として出力する。このように制御電圧Vcont1〜Vcont4の電圧値を個別に制御することにより、FET(MN1〜MN4)のオン又はオフの組み合わせを様々に変化させることができる。これにより、FET(MN1〜MN4)のそれぞれの寄生容量を合成した合成キャパシタンスを調整することができる。なお、FET(MN1〜MN4)の素子サイズの比は、例えば、1:2:4:8となるように構成してもよい。
上述の構成においても、電力増幅モジュール100Bは、電力増幅モジュール100Aと同様に、高調波終端回路150Aの共振周波数と入力信号RFinの高調波の周波数のずれに応じて制御電圧Vcont1〜Vcont4を制御することにより、高調波終端回路150Bの合成インピーダンスZを調整し、共振周波数を調整することができる。これにより、素子のばらつきがあっても、高調波終端回路の共振周波数を補正することにより、高調波終端回路の特性劣化が抑制される。
また、高調波終端回路150Bは、複数のFETのうち、いずれかのFET(例えば、2つのFET)がオンであり、残りのFET(例えば、残りの2つのFET)がオフである状態を初期状態として設計してもよい。これにより、共振周波数が目標値より高い場合はオンにするFETの個数を増やし、共振周波数が目標値より低い場合はオンにするFETの個数を減らすことにより、共振周波数を高低のいずれにも補正することができる。
なお、本実施形態においては、制御電圧Vcont1〜Vcont4はFET(MN1〜MN4)のオン及びオフを切り替える2値制御を例として説明したが、制御電圧Vcont1〜Vcont4は、電力増幅モジュール100Aと同様に連続的な電圧値としてもよい。また、並列接続されるFETの数は4つに限られず、2つ又は3つであってもよく、5つ以上であってもよい。
図5は、高調波終端回路150Bにおける信号減衰のシミュレーション結果を示す図である。図5において、横軸は周波数(GHz)、縦軸は高調波終端回路150Bにおける信号減衰(dB)である。図5に示されるグラフは、減衰させる高調波の周波数の目標値が1.65〜1.81GHzの範囲に含まれる場合に、オンとなるFETの数を変化させた時の信号減衰の様子を示している。なお、本シミュレーションにおいては、FET(MN1〜MN4)のオン及びオフを切り替える代わりに、FETのゲート幅を200μm、300μm、400μm、800μm(ゲート長はいずれも10μm)としてFETのオン及びオフの操作を等価的に表している。
図5に示されるように、高調波終端回路150Bでは、FETのゲート幅を変える(すなわち、オンとなるFETの数を変化させる)ことにより、高調波終端回路150Bの共振周波数を所望の値に補正可能であることが分かる。具体的には、オンとなるFETの個数が多いほど共振周波数が低下し、オンとなるFETの個数が少ないほど共振周波数が上昇することが分かる。なお、本シミュレーションにおいては、ゲート幅が400μmのときに、共振周波数が高調波成分の範囲の略中央にあり、当該範囲の高調波成分が略均等に減衰されている。従って、ゲート幅が例えば400μmであるFETと等価的な回路構成とすることにより、高調波終端回路の特性の劣化を抑制することができる。
図6は、本発明の第2実施形態に係る電力増幅モジュールの構成を示す図である。図6に示される電力増幅モジュール100Cは、図1に示される電力増幅モジュール100Aに比べて、整合回路120Aの代わりに整合回路120Cを備える。整合回路120Cは高調波終端回路150Aの代わりに高調波終端回路150Cを備える。
高調波終端回路150Cは、LC直列共振回路におけるキャパシタンスとインダクタンスのうち、キャパシタンスを調整可能とした構造である。具体的には、高調波終端回路150Cは、例えば、キャパシタC3と並列接続されたFET(MN5)を備える。FET(MN5)は、ドレインがキャパシタC3の一端に接続され、ゲートに制御電圧生成回路130Aから制御電圧Vcont5が供給され、ソースがキャパシタC3の他端に接続される。
高調波終端回路150Cにおいても、図1に示される高調波終端回路150Aと同様に、FET(MN5)のゲートに供給される制御電圧Vcont5を制御することにより、FET(MN5)の寄生容量が調整される。これにより、高調波終端回路150Cの合成キャパシタンスが調整され、高調波終端回路150Cの共振周波数が補正される。本実施形態においては、例えば、共振周波数が目標値より高い場合は、制御電圧Vcont5の電圧を上げ、FET(MN5)の寄生容量を増大させる。これにより、高調波終端回路150Cの合成キャパシタンスも増大するため、共振周波数を下げることができる。このような構成によっても、電力増幅モジュール100Cは、図1に示される電力増幅モジュール100Aと同様の効果を得ることができる。
図7は、高調波終端回路150Cにおける信号減衰のシミュレーション結果を示す図である。図7において、横軸は周波数(GHz)、縦軸は高調波終端回路150Cにおける信号減衰(dB)である。図7に示されるグラフは、減衰させる高調波の周波数の目標値が1.65〜1.81GHzの範囲に含まれる場合に、FET(MN5)のゲート電圧を3.5Vとした時の信号減衰の様子である。なお、本シミュレーションにおいて、FET(MN5)のゲート長は10μmであり、ゲート幅は400μmである。
図7に示されるように、高調波終端回路150Cでは、FET(MN5)のゲート電圧を適切に制御することにより、高調波終端回路の共振周波数を補正可能であることが分かる。具体的には、補正前(すなわち、FET(MN5)のゲート電圧が0Vである。)には、共振周波数が減衰させる高調波の周波数の上限側(1.81GHz側)にずれており、当該範囲における信号の減衰レベルに差がある。一方、FET(MN5)のゲート電圧を3.5Vに上げることにより、共振周波数が当該範囲の略中央に移動し、当該範囲の高調波成分が略均等に減衰されていることが分かる。従って、ゲート電圧を例えば3.5Vに調整することにより、高調波終端回路の特性の劣化を抑制することができる。
図8は、本発明の第2実施形態の変形例に係る電力増幅モジュールの構成を示す図である。図8に示される電力増幅モジュール100Dは、図6に示される電力増幅モジュール100Cに比べて、整合回路120Cの代わりに整合回路120Dを備え、制御電圧生成回路130Aの代わりに制御電圧生成回路130Bを備える。整合回路120Dは高調波終端回路150Cの代わりに高調波終端回路150Dを備える。
高調波終端回路150Dは、高調波終端回路150Cに比べて、FET(MN6,MN7,MN8)をさらに備える。FET(MN6,MN7,MN8)は、FET(MN5)と並列接続される。すなわち、FET(MN5,MN6,MN7,MN8)は、ドレインがそれぞれキャパシタC3の一端に接続され、ゲートにそれぞれ制御電圧Vcont5,Vcont6,Vcont7,Vcont8が供給され、ソースがそれぞれキャパシタC3の他端に接続される。FET(MN5〜MN8)の機能については、図4に示される高調波終端回路150BにおけるFET(MN1〜MN4)と同様であるため、詳細な説明は省略する。
上述の構成においても、電力増幅モジュール100Dは、電力増幅モジュール100Bと同様に、制御電圧Vcont5〜Vcont8を制御することにより、高調波終端回路150Dの合成インピーダンスZを調整し、共振周波数を調整することができる。このような構成によっても、電力増幅モジュール100Dは、図4に示される電力増幅モジュール100Bと同様の効果を得ることができる。
次に、本発明に係る電力増幅モジュールにおける高調波終端回路の調整方法の一例について説明する。電力増幅モジュールは、例えば、製造後に高調波終端回路の特性の検査が行われ、当該特性が所定の基準を満たすか否かにより選別される。次に、所定の基準を満たさないもののうち、上述の高調波終端回路の調整を施すことにより特性が改善すると見込まれるものに調整が施される。これにより、特性が所定の基準を満たせば出荷され、満たさなければ廃棄される。ここで、電力増幅モジュールの出荷後に、誤操作により当該調整が変更されることを防止するため、電力増幅モジュールの出荷後には当該調整が不可能となることが好ましい。
本実施形態においては、例えば、高調波終端回路の特性の制御において、電子的なプログラム操作により出力値を変更可能な素子(例えば、efuseセル等)を用いることにより、当該特性の調整が可能な状態(すなわち、データの書き換えが可能な状態)から調整が不可能な状態(すなわち、データの書き換えが不可能な状態)に切り替えることができる。ここで、efuseセルは、大電流を流すことにより抵抗値が増大して出力値が変化する素子であり、一度出力値が変化すると元に戻せない性質を持つ。従って、efuseセルの初期状態を書き換え可能な状態として、当該状態において制御電圧生成回路が生成する制御電圧を調整した後、efuseセルに大電流を流し書き換え不可能な状態に切り替える。これにより、高調波終端回路の特性が適切に調整された状態が保持され、出荷後の誤操作による調整の変更を防止することができる。
次に、高調波終端回路の調整方法の他の一例について説明する。図9Aは、本発明に係る電力増幅モジュールの調整時における構成の一例を示す概略図であり、図9Bは、本発明に係る電力増幅モジュールの調整後における構成の一例を示す概略図である。図9A及び図9Bに示されるように、本発明に係る電力増幅モジュール1000は制御端子T1を備える。電力増幅モジュール1000は、製造後の検査において選別用冶具200に設置される。この時、制御端子T1にはコネクタ202を通じて外部から所定レベルの電圧が供給される(図9A参照)。ここで、電力増幅モジュール1000は、外部から制御端子T1に所定レベルの電圧が供給されている間のみ、高調波終端回路の特性の調整が可能となるように構成することができる。従って、電力増幅モジュール1000が選別用冶具200に設置されている場合は、高調波終端回路の特性を調整する書き込みを行うことができる。また、高調波終端回路の調整終了後、電力増幅モジュール1000は、製品のマザーボード300に実装されて出荷される。この時、制御端子T1には、例えば接地電位が供給される(図9B参照)。従って、電力増幅モジュール1000がマザーボード300に実装されている場合は、書き込みを行うことができない。このような構成によっても、電力増幅モジュールの出荷後の誤操作による調整の変更を防止することができる。なお、当該構成によれば、上述のefuseセルを用いることなく誤操作が防止されるため、部品点数が減少する。また、efuseセルへの書き込み時間が不要となる。なお、電力増幅モジュールの調整方法は上述の方法に限られない。
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。電力増幅モジュール100A〜100Dは、FETを備える高調波終端回路150A〜150Dと、当該FETのゲート電圧を制御する制御電圧生成回路130A,130Bと、を備え、FETの寄生容量の容量値を調整することにより、高調波終端回路150A〜150Dの共振周波数を調整することができる。これにより、素子のばらつきがあっても、高調波終端回路の共振周波数の補正により、高調波終端回路の特性劣化が抑制される。
また、電力増幅モジュール100A,100Bにおいて、高調波終端回路150A,150Bは、直列接続されたキャパシタC3及びインダクタL5と、インダクタL5と並列接続されたインダクタL6と、インダクタL6と直列接続されたFET(MN1)を備える。また、制御電圧Vcont1の制御により、FET(MN1)の寄生容量及びオン抵抗の抵抗値の調整、及びインダクタL6の導通の有無の切り替えることができる。これにより、高調波終端回路150A,150Bの合成インピーダンスZを調整し、共振周波数を補正することができる。
また、電力増幅モジュール100Bにおいて、高調波終端回路150Bは、並列接続されたFET(MN1〜MN4)を備え、制御電圧生成回路130BはFET(MN1〜MN4)の各々のゲート電圧を個別に制御する。これにより、FET(MN1〜MN4)のオン又はオフの組み合わせを様々に変化させることができる。従って、高調波終端回路150Bの合成インピーダンスZを調整し、共振周波数を補正することができる。
また、電力増幅モジュール100C,100Dにおいて、高調波終端回路150C,150Dは、直列接続されたキャパシタC3及びインダクタL4と、インダクタL4と並列接続されたFET(MN5)を備える。また、制御電圧Vcont5の制御により、FET(MN5)の寄生容量及びオン抵抗の抵抗値を調整することができる。これにより、高調波終端回路150C,150Dの合成インピーダンスZを調整し、共振周波数を補正することができる。
また、電力増幅モジュール100Dにおいて、高調波終端回路150Dは、並列接続されたFET(MN5〜MN8)を備え、制御電圧生成回路130BはFET(MN5〜MN8)の各々のゲート電圧を個別に制御する。これにより、FET(MN5〜MN8)のオン又はオフの組み合わせを様々に変化させることができる。従って、高調波終端回路150Bの合成インピーダンスZを調整し、共振周波数を補正することができる。
なお、高調波終端回路150A〜150Dにおいては、FETがインダクタ又はキャパシタのいずれか一方と並列接続された例が示されているが、高調波終端回路は、インダクタに並列接続されたFETとキャパシタに並列接続されたFETのいずれも備えていてもよい。これにより、例えば、共振周波数が高周波数側にずれた場合はキャパシタに並列接続されたFETの調整により低周波数側に補正し、共振周波数が低周波数側にずれた場合はインダクタに並列接続されたFETの調整により高周波数側に補正してもよい。
また、高調波終端回路150A〜150Dが備える各々のFETは、NチャネルFETの代わりにPチャネルFETを用いてもよい。
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更又は改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
100A,100B,100C,100D,1000 電力増幅モジュール
110 増幅器
120A,120B,120C,120D 整合回路
130A,130B 制御電圧生成回路
140,150A,150B,150C,150D 高調波終端回路
200 選別用冶具
202 コネクタ
300 マザーボード
L1,L2,L3,L4,L5,L6 インダクタ
C1,C2,C3,CT キャパシタ
RT 抵抗素子
MN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MN6,MN7,MN8 FET
T1 制御端子
110 増幅器
120A,120B,120C,120D 整合回路
130A,130B 制御電圧生成回路
140,150A,150B,150C,150D 高調波終端回路
200 選別用冶具
202 コネクタ
300 マザーボード
L1,L2,L3,L4,L5,L6 インダクタ
C1,C2,C3,CT キャパシタ
RT 抵抗素子
MN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MN6,MN7,MN8 FET
T1 制御端子
Claims (5)
- 入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、
前記増幅器の後段に設けられ、前記増幅信号の高調波成分を減衰させる高調波終端回路であって、少なくとも1つのFETを備える高調波終端回路と、
前記少なくとも1つのFETのゲート電圧を制御することにより、前記少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整する制御回路と、
を備え、
前記制御回路が前記少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整することにより、前記高調波終端回路の共振周波数が調整される、電力増幅モジュール。 - 前記高調波終端回路は、前記増幅器の出力端子と基準電位との間に直列接続されたキャパシタ及び第1インダクタを備えるLC直列共振回路であり、
前記高調波終端回路は、前記第1インダクタと並列接続された第2インダクタをさらに備え、
前記少なくとも1つのFETは、前記第2インダクタと直列接続された、請求項1記載の電力増幅モジュール。 - 前記少なくとも1つのFETは、並列接続された複数のFETを含み、
前記制御回路は、前記複数のFETの各々のゲート電圧を個別に制御する、請求項2記載の電力増幅モジュール。 - 前記高調波終端回路は、前記増幅器の出力端子と基準電位との間に直列接続されたキャパシタ及び第1インダクタを備えるLC直列共振回路であり、
前記少なくとも1つのFETは、前記キャパシタと並列接続された、請求項1記載の電力増幅モジュール。 - 前記少なくとも1つのFETは、並列接続された複数のFETを含み、
前記制御回路は、前記複数のFETの各々のゲート電圧を個別に制御する、請求項4記載の電力増幅モジュール。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016163064A JP2018032951A (ja) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 電力増幅モジュール |
CN201710447477.8A CN107769734B (zh) | 2016-08-23 | 2017-06-14 | 功率放大模块 |
US15/682,897 US10236834B2 (en) | 2016-08-23 | 2017-08-22 | Power amplifier module |
US16/263,384 US10680561B2 (en) | 2016-08-23 | 2019-01-31 | Power amplifier module |
US16/868,004 US10985710B2 (en) | 2016-08-23 | 2020-05-06 | Power amplifier module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016163064A JP2018032951A (ja) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 電力増幅モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018032951A true JP2018032951A (ja) | 2018-03-01 |
Family
ID=61243413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016163064A Pending JP2018032951A (ja) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 電力増幅モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10236834B2 (ja) |
JP (1) | JP2018032951A (ja) |
CN (1) | CN107769734B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021215041A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | 株式会社村田製作所 | パワーアンプモジュール及び通信装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106656128A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-10 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 用于多晶体管串联射频开关的电压均匀化方法及射频开关 |
US11469711B2 (en) * | 2019-06-04 | 2022-10-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier circuit |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329641A (ja) | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 周波数・帯域幅切り換え増幅器 |
US8160518B2 (en) * | 2006-08-10 | 2012-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-mode transceiver having tunable harmonic termination circuit and method therefor |
JP5091773B2 (ja) | 2008-06-11 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 増幅器及び増幅器モジュール |
US8220947B2 (en) * | 2009-10-14 | 2012-07-17 | Advantest Corporation | Differential driver circuit |
US8791767B2 (en) * | 2010-10-29 | 2014-07-29 | Qualcomm Incorporated | Package inductance compensating tunable capacitor circuit |
CN201956975U (zh) * | 2010-12-24 | 2011-08-31 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 低噪声放大器 |
US8975981B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-03-10 | Qualcomm Incorporated | Impedance matching circuits with multiple configurations |
WO2014013869A1 (ja) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | 株式会社村田製作所 | 増幅モジュールおよびこれを備える送信モジュール |
JP6349242B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2018-06-27 | パナソニック株式会社 | 受信装置及びその歪み抑圧方法、半導体装置並びに電子機器 |
-
2016
- 2016-08-23 JP JP2016163064A patent/JP2018032951A/ja active Pending
-
2017
- 2017-06-14 CN CN201710447477.8A patent/CN107769734B/zh active Active
- 2017-08-22 US US15/682,897 patent/US10236834B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-31 US US16/263,384 patent/US10680561B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-06 US US16/868,004 patent/US10985710B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021215041A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | 株式会社村田製作所 | パワーアンプモジュール及び通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107769734A (zh) | 2018-03-06 |
US20200266773A1 (en) | 2020-08-20 |
US10680561B2 (en) | 2020-06-09 |
US20180062590A1 (en) | 2018-03-01 |
US10985710B2 (en) | 2021-04-20 |
US20190165742A1 (en) | 2019-05-30 |
CN107769734B (zh) | 2021-09-10 |
US10236834B2 (en) | 2019-03-19 |
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