JP2018027687A - コポリマー複層電解質を使用したネガ型現像方法及びそれから作製された物品 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明に有用なフォトレジスト組成物は、酸感受性である、すなわち、フォトレジスト組成物の層の一部として、樹脂及び組成物層が、ソフトベーク、活性化放射線への露光、及び露光後ベーク後に光酸発生剤によって発生する酸との反応の結果として、有機現像液中での溶解度の変化を受ける、マトリックス樹脂を含む化学増幅フォトレジスト組成物を含む。溶解度の変化は、マトリックスポリマー中の光酸不安定エステルまたはアセタール基などの酸開裂性脱離基が活性化放射線への露光及び熱処置時に光酸促進脱保護反応を受けて酸またはアルコール基を生成するときにもたらされる。本発明に有用な好適なフォトレジスト組成物は商業的に入手可能である。
この実施例は、ポリ(N,N’−ジメチルアミノエチルメタクリレート)−ブロック−ポリ(t−ブチルメタクリレート)(PDMAEMA−b−PtBMA)を含有するブロックコポリマーを含む第1の組成物の合成を詳述する。
この例は、ポリ(N,N’−ジメチルアミノエチルメタクリレート)−ブロック−ポリ(アダマンチルメタクリレート)−ブロック−ポリ(t−ブチルメタクリレート)(PDMAEMA−b−PAdMA−b−PtBMA)の合成を詳述する。アダマンチルメタクリレート(AdMA)は、中性ブロックの形成に使用される繰り返し単位である。そのため、中性ブロックは、ポリ(1−アドマンチルメタクリレート)を含む。実施例1からのPtBMAをマクロ開始剤として使用して、AdMAモノマーを上記で説明したものと同様の手順を使用して重合させた。2.00gのPtBMA、13.3gのAdMA、0.014gのジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、PGMEA(15mL)、及び磁気攪拌バーを50mLの無空気反応器に装填した。混合物を3回凍結−ポンプ−解凍し、次いでフラスコを70℃で16時間ヒート油浴内に置いた。反応後、フラスコを冷却し、次いで反応混合物を10mLのTHFに溶解し、1Lのアセトニトリル中に沈殿させた。沈殿物を回収し、再沈殿させた。ポリマー(PAdMA−b−PtBMA)を回収し、真空オーブン内で室温において一晩乾燥させた。得られたPAdMA−b−PtBMAは、15.2kg/molのMn及び1.17のPDIを有していた。
この実施例は、ポリ(N,N’−ジメチルアミノエチルメタクリレート)−ブロック−ポリ(アダマンチルメタクリレート−ランダム−1,1−ジフェニルエチルメタクリレート)(PDMAEMA−b−P(AdMA−r−PPMA))の合成を詳述する。モノマー及び溶媒を3回凍結−ポンプ−解凍して酸素を除去した。3つのモノマー全てを、使用前に活性化Al2O3で更に精製し、シクロヘキサンで約50体積%濃度に希釈した。約7〜10重量%の固形分の反応濃度に必要とされる量のテトラヒドロフラン(THF)を、予め乾燥したLiClを含有する反応器に移した。内容物をドライアイス/イソプロパノール浴内で−78℃に冷却した。THFを、緑色が観察されるまで0.7Mシクロヘキサン中のsec−ブチルリチウム(SBL)開始剤で滴定した。緑色が十分に消失するまで反応浴を室温に温めた。反応浴を再び−78℃に冷却し、続いてジフェニルエチレン(DPE)0.442g、及びsecブチルリチウム開始剤(3.79g、シクロへキサン中0.43M)を加えて明るい赤色を得た。ADMA(シクロヘキサン中25重量%溶液の38.16g)及びPPMA(シクロヘキサン中33%溶液の28.5グラム)を反応フラスコに加え、内容物を2時間攪拌した。反応アリコートを、無酸素メタノール中でポリマー混合物をカニューレ注入することにより回収した。沈殿したポリマーをGPCによりMnについて分析した。次いで、DMAEMAモノマー(1.32g)を反応フラスコに加え、内容物を−78℃で追加の0.5時間攪拌した。次いで、反応アリコートを無酸素メタノール中で急冷した。反応生成物をメタノール中で沈殿させて粉末状の白色沈殿物を得、これをオーブン内で50℃において8時間真空乾燥させて20グラムの乾燥ポリマーを生じさせた。第1のブロックをGPCにより分析して、43kg/molのMn及び1.05のMw/Mnを得た。
この実施例は、実施例1のPDMAEMA−b−PtBMAを使用して層毎の成長を詳述する。この実施例は、フォトレジスト基板上のブロックコポリマーの3つの層の適用を詳述する。モデルアニオン性表面は、4−メチル−2−ペンタノール中のn−ブチルメタクリレート(40%)及びメタクリル酸(60%)のランダムコポリマー(P(nBMA−r−MAA))(2重量%)をコーティングして、90℃のソフトベーク後に62nmの厚さの膜を得ることにより、ブランクのシリコンウェハ上に調製した。工程のプロセス条件及び一連の膜成長を実証する厚さの結果を表1に要約する。次いで、工程1(表1の工程1、プロセスA1参照、図1(B)参照)について、1重量%のブロックコポリマーPDMAEMA−b−PtBMAのn−ブチルアセテート(nBA)溶液を膜上にオーバーコーティングし、110℃でベークし、nBAでリンスして余剰の材料を除去し、膜の厚さを記録した(表1の工程1、プロセスA1参照−図1(C)参照)。次いで、工程2(図1(D)参照)を開始するために、p−トルエンスルホン酸(pTSA)の2重量%イソブチルイソブチレート(IBIB)溶液(総固形分20重量%)及びn−ブチルメタクリレート(25%)及びイソブチルメタクリレート(75%)のランダムコポリマー(P(nBMA−r−iBMA)(全固形分80重量%)で膜積層物をコーティングし、次いでその積層物を150℃でベークし、IBIBでリンスすることにより酸層を除去し、厚さを再度測定した(表1のプロセスB1参照、図1(E)参照)。PDMAEMA−b−PtBMAのnBA溶液を再度膜上にオーバーコーティングし、110℃でベークし、nBAでリンスして、余剰の材料を除去し、膜の厚さを記録した(表1のプロセスA2参照、図1(G)参照)。酸処置材料(プロセスB)とこれに続くブロックコポリマー(プロセスA)のこの交互のプロセスをもう1回繰り返して3つの膜層の成長をもたらした。このプロセスは、工程1の後に3.3nmの成長、工程2の後に追加の7.3nmの成長、及び工程3における5.7nmの更なる成長をもたらし、16.3nmの合計膜成長をもたらした。
この実施例は、実施例2のPDMAEMA−b−PAdMA−b−PtBMAを使用した層毎の成長を詳述する。工程のプロセス条件及び一連の膜成長を実証する厚さの結果を以下の表2に要約する。この実施例は、フォトレジスト基板上のブロックコポリマーの3つの層の適用を詳述する。
この実施例は、実施例2のPDMAEMA−b−PAdMA−b−PtBMAを使用した層毎の成長を詳述する。工程のプロセス条件及び一連の膜成長を実証する厚さの結果を以下の表2に要約する。この実施例は、フォトレジスト基板上のブロックコポリマーの4つの層の適用を詳述する。
この実施例は、ネガ型現像されたフォトレジストにおけるトレンチパターンの形成を実証する。
この実施例は、ブロックコポリマーの適用によるトレンチ特徴部の収縮の形成を実証する。1.5重量%の実施例3からのPDMAEMA−b−P(AdMA−ランダム−PPMA)と0.15重量%の熱酸発生剤トリエチルアンモニウムパラトルエンスルホネートの2−ヘプタノン溶液を調製し、0.2μmの超高分子量ポリエチレン(UPE)フィルターを通して濾過した。TEL CLEAN TRACK(商標)LITHIUS(商標)i+コーター/現像液で、1500rpmでスピンコーティングすることにより実施例7からの2枚のウェハをこの溶液でオーバーコーティングした。パターン形成されたウェハを60℃で60秒間ソフトベークし、スピンコーター上でn−ブチルアセテートでリンスした。処置したウェハの1枚をSEMにより観察し、代表的なSEM顕微鏡写真を図2Bに示す。ライン間の平均間隔(CD2)をパターンの中央の高さで測定したところCD2=46nmであり、平均収縮量ΔCDa(ΔCDa=CD1−CD2)を計算したところΔCDa=14nmであった。
この実施例は、ブロックコポリマーの複層電解質型適用によるトレンチ特徴部の収縮の形成を実証する。1.5重量%の実施例3からのPDMAEMA−b−P(AdMA−ランダム−PPMA)の2−ヘプタノン溶液を調製し、0.2μmの超高分子量ポリエチレン(UPE)フィルターを通して濾過した。実施例8からのウェハを140℃で60秒間ベークして、カルボン酸生成のためのPPMAの部分的な脱ブロックを誘導した。そのウェハをブロックコポリマー溶液でTEL CLEAN TRACK(商標)LITHIUS(商標)i+コーター/現像液で、1500rpmでスピンコーティングすることにより追加的にオーバーコーティングした。パターン形成されたウェハを60℃で60秒間ソフトベークし、スピンコーター上でn−ブチルアセテートでリンスした。得られたパターンをSEMにより観察し、代表的なSEM顕微鏡写真を図2Cに示す。ライン間の平均間隔(CD3)をパターンの中央の高さで測定したところCD3=41nmであった。総平均収縮量ΔCDb(ΔCDb=CD1−CD3)は19nmであり、ブロックコポリマーの第2のコーティングからの追加の収縮量ΔΔCD(ΔΔCD=ΔCDb−ΔCDa)は5nmであった。
Claims (10)
- 複層物品であって、
基板と、
前期基板上に配置された2つ以上の層であって、前記層の各々が、第1のブロック及び第2のブロックを含むブロックコポリマーを含み、前記第1のブロックが、水素受容体または水素供与体を含有する繰り返し単位を含み、前記第2のブロックが、前記第1のブロックの前記繰り返し単位が水素受容体を含有する場合には水素供与体を、前記第1のブロックの前記繰り返し単位が水素供与体を含有する場合には水素受容体を含有する繰り返し単位を含む、2つ以上の層と、を含み、
前記2つ以上の層の最内層の前記第1のブロックが、前記基板と結合し、前記最内層上に配置された各層の前記第1のブロックが、対応する下地層の前記第2のブロックと結合し、最外の前記2つ以上の層の前記第2のブロックの前記水素供与体または水素受容体がブロックされる、複層物品。 - 前記2つ以上の層が、第1の層及び第2の層を含み、前記第1の層が、前記最内層であり、前記基板と結合し、前記第2の層が、前記最外層であり、前記第1の層と結合する、請求項1に記載の複層物品。
- 前記第1のブロックの前記繰り返し単位が、水素受容体を含有する、請求項1または2に記載の複層物品。
- 水素受容体を含有する前記第1のブロックの前記繰り返し単位が、窒素含有基を含む、請求項3に記載の複層物品。
- 前記窒素含有基が、アミン、アミド、及びピリジン基から選択される、請求項4に記載の複層物品。
- 前記第1のブロックの前記繰り返し単位が、水素供与体を含有する、請求項1または2に記載の複層物品。
- 前記ブロックコポリマーのうちの1つ以上が、前記第1のブロックと前記第2のブロックとの間に配置された中性ポリマーのブロックを更に含む、請求項1または2に記載の複層物品。
- 前記基板が半導体基板である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複層物品。
- 前記基板が、フォトレジストパターンを含み、その上に前記2つ以上の層が配置され、前記最内層の前記ブロックコポリマーの前記第1のブロックが、前記フォトレジストパターンと結合する、請求項8に記載の複層物品。
- 前記フォトレジストパターンが、ネガ型現像プロセスによって形成され、前記フォトレジストパターンが、その表面上にカルボン酸及び/またはヒドロキシル基を含む、請求項9に記載の複層物品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/223,822 US9910353B2 (en) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom |
US15/223,822 | 2016-07-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018027687A true JP2018027687A (ja) | 2018-02-22 |
JP6434579B2 JP6434579B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=61009759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017144045A Expired - Fee Related JP6434579B2 (ja) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | コポリマー複層電解質を使用したネガ型現像方法及びそれから作製された物品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9910353B2 (ja) |
JP (1) | JP6434579B2 (ja) |
KR (1) | KR102048729B1 (ja) |
CN (1) | CN107665815A (ja) |
TW (1) | TWI636321B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117500923A (zh) | 2021-04-07 | 2024-02-02 | 巴特尔纪念研究院 | 用于鉴定和使用非病毒载体的快速设计、构建、测试和学习技术 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013545311A (ja) * | 2010-11-12 | 2013-12-19 | ダウ コーニング コーポレーション | ナノスケールフォトリソグラフィー |
WO2014003023A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | Jsr株式会社 | パターン形成用組成物及びパターン形成方法 |
US20150228475A1 (en) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | SK Hynix Inc. | Methods of fabricating a pattern using the block co-polymer materials |
JP2016035576A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | パターン収縮法 |
JP2016034748A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-03-17 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ブロックコポリマーを製造するための方法およびそれから製造される物品 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8083953B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films |
WO2011098851A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-18 | King Abdullah University Of Science And Technology | Self-assembled block copolymer membrane |
CN103221487A (zh) * | 2010-11-24 | 2013-07-24 | 道康宁公司 | 控制嵌段共聚物的形态 |
JP5726807B2 (ja) * | 2012-04-24 | 2015-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
US9606440B2 (en) * | 2013-02-25 | 2017-03-28 | The University Of Queensland | Lithographically produced features |
US10739673B2 (en) * | 2014-06-20 | 2020-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Preparing patterned neutral layers and structures prepared using the same |
TWI627220B (zh) * | 2015-06-03 | 2018-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於圖案處理之組合物及方法 |
TWI617900B (zh) * | 2015-06-03 | 2018-03-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 圖案處理方法 |
CN106249540A (zh) * | 2015-06-03 | 2016-12-21 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 图案处理方法 |
TWI615460B (zh) * | 2015-06-03 | 2018-02-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於圖案處理的組合物和方法 |
-
2016
- 2016-07-29 US US15/223,822 patent/US9910353B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-07-19 CN CN201710590169.0A patent/CN107665815A/zh active Pending
- 2017-07-19 TW TW106124191A patent/TWI636321B/zh not_active IP Right Cessation
- 2017-07-25 KR KR1020170093841A patent/KR102048729B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-26 JP JP2017144045A patent/JP6434579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013545311A (ja) * | 2010-11-12 | 2013-12-19 | ダウ コーニング コーポレーション | ナノスケールフォトリソグラフィー |
WO2014003023A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | Jsr株式会社 | パターン形成用組成物及びパターン形成方法 |
US20150228475A1 (en) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | SK Hynix Inc. | Methods of fabricating a pattern using the block co-polymer materials |
JP2016034748A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-03-17 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ブロックコポリマーを製造するための方法およびそれから製造される物品 |
JP2016035576A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | パターン収縮法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102048729B1 (ko) | 2019-11-26 |
KR20180013741A (ko) | 2018-02-07 |
JP6434579B2 (ja) | 2018-12-05 |
CN107665815A (zh) | 2018-02-06 |
TWI636321B (zh) | 2018-09-21 |
US9910353B2 (en) | 2018-03-06 |
TW201804247A (zh) | 2018-02-01 |
US20180031971A1 (en) | 2018-02-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180601 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180531 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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