JP2018024814A - 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 - Google Patents
研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018024814A JP2018024814A JP2016239892A JP2016239892A JP2018024814A JP 2018024814 A JP2018024814 A JP 2018024814A JP 2016239892 A JP2016239892 A JP 2016239892A JP 2016239892 A JP2016239892 A JP 2016239892A JP 2018024814 A JP2018024814 A JP 2018024814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing slurry
- cerium oxide
- mass
- oxide particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の研磨砥粒は、添加剤で表面が被覆されており、pH8以下でゼータ電位がプラスである無機研磨粒子からなる研磨砥粒である。そして、前記添加剤は、ピコリン酸又はグルタミン酸であることが好ましい。前記無機研磨粒子は、酸化セリウム粒子であることが好ましい。ピコリン酸又はグルタミン酸で表面が被覆されており、pH8以下でゼータ電位がプラスである酸化セリウム粒子からなる研磨砥粒は、ピコリン酸又はグルタミン酸の存在下で酸化セリウムを湿式粉砕する工程を有する研磨砥粒の製造方法で製造された研磨砥粒である。
【選択図】図2
Description
また、酸化セリウム粒子は、取扱性に優れ、所望の特性を効果的に発現できる観点から、粒子径分布が狭いことが好ましく、特に、累積体積90容量%における体積累積粒径D90と体積累積粒径D50との比(D90/D50)は1.0以上5.0以下とすることが好ましく、さらに好ましくは1.0以上3.0以下である。
pHの測定装置としては、例えば、株式会社堀場製作所製のpHイオンメーターD51、電極型式9625−10Dを用いることができる。
本実施形態の研磨砥粒は、酸化セリウム粒子の表面に多量のピコリン酸又はグルタミン酸が被覆されているので、実施例1及び実施例7の記載から明らかなように、比較例1〜比較例3の酸化セリウム粒子に比べて、研磨傷の発生を抑制しつつ研磨レートを向上させることができる。
しかし、少なくとも出願時においては、著しく過大な経済的支出及び時間を要してしまう為、上述した特性又は構造を測定した上で、それらの特性又は構造を、請求項に規定することが技術的に不可能であった。
そこで、特許出願の性質上、迅速性等を必要とすることに鑑みて、上述した特性を規定することに代えて、「ピコリン酸又はグルタミン酸の存在下で酸化セリウムを湿式粉砕する工程を有する研磨砥粒の製造方法」という、その物の製造方法を、物の発明の請求項に記載して、請求項に係る本発明の研磨砥粒を特定している。
このように、本発明の出願時においては、本発明の研磨砥粒をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるという事情(「不可能的事情」)が存在している。
研磨速度の向上という点では被研磨物の種類にもよるが、本実施形態の研磨スラリーのpHが6以上8以下の範囲が好ましい。酸化セリウム粒子のゼータ電位の点ではベスト(最も高い)な領域ではないが、研磨パッドとの関係もあって本実施形態の研磨スラリーのpHが6以上8以下の領域での研磨速度は、研磨スラリーのpH4.5〜6の範囲に比べ向上し、研磨スラリーのpH3〜4.5の範囲に比べ大きく向上する。尚、研磨スラリーのpHが4.5以下の領域では酸化セリウム粒子の帯電量を高く維持できるメリットがあるが、被研磨物が例えばシリコン酸化膜である場合には該シリコン酸化膜のゼータ電位がゼロに近づくため、研磨速度が下がるので、研磨傷抑制の効果はpHが4.5超の場合の方が有利になる。しかし、本実施形態の研磨スラリーはpH3〜4.5の範囲でも、研磨傷の発生の抑制と研磨レートの向上の両立を十分に達成することができ、研磨スラリーのpH4.5〜6の範囲では、研磨傷の発生の抑制と研磨レートの向上の両立を更に達成することができ、研磨スラリーのpH6〜8の範囲では、研磨傷の発生の抑制と研磨レートの向上の両立を殊更達成することができる。
蒸留水にピコリン酸を添加し、ピコリン酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕して、実施例1の研磨スラリーを得た。用いたビーズは直径1mmの株式会社ニッカトー製のものであった。得られた実施例1の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が110nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が研磨スラリーを基準として0.6質量%であった。また、ピコリン酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して1.25質量%であった。実施例1の研磨スラリーの全量(出来上がり量)は4.0kgであった。またpH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表1に示すpH値に調整した。研磨スラリーのpH値は下記方法により評価した。
研磨スラリーのpH値を、pH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表1に示すように調整する以外は、実施例1の研磨スラリーと同様にして、実施例2〜実施例6の研磨スラリーを得た。
蒸留水にグルタミン酸を添加し、グルタミン酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕して、実施例7の研磨スラリーを得た。用いたビーズは実施例1のビーズと同じものであった。得られた実施例7の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が110nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が研磨スラリーを基準として0.6質量%であった。また、グルタミン酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して1.25質量%であった。実施例7の研磨スラリーの全量は4.0kgであった。またpH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表1に示すpH値に調整した。研磨スラリーのpH値は下記方法により評価した。
研磨スラリーのpH値を、pH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表1に示すように調整する以外は、実施例7の研磨スラリーと同様にして、実施例8〜実施例12の研磨スラリーを得た。
蒸留水に、ピコリン酸又はグルタミン酸の替わりに無機粒子の分散剤として一般的に用いられるポリアクリル酸を添加し、ポリアクリル酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた焼成してなる高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕して、比較例1の研磨スラリーを得た。用いたビーズは実施例1のビーズと同じものであった。得られた比較例1の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が110nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が研磨スラリーを基準として0.6質量%であった。また、ポリアクリル酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して1.25質量%であった。比較例1の研磨スラリーの全量は4.0kgであった。またpH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表1に示すpH値に調整した。研磨スラリーのpH値は下記方法により評価した。
蒸留水に無機粒子の分散剤として一般的に用いられるポリアクリル酸を添加し、ポリアクリル酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた焼成してなる高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:110nm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕した。用いたビーズは実施例1のビーズと同じものであった。その後、ピコリン酸を添加して、比較例2の研磨スラリーを得た。得られた比較例2の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が110nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が研磨スラリーを基準として0.6質量%であった。また、ポリアクリル酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して1.25質量%であり、ピコリン酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して1.25質量%であった。比較例2の研磨スラリーの全量は4.0kgであった。またpH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表1に示すpH値に調整した。研磨スラリーのpH値は下記方法により評価した。
蒸留水に無機粒子の分散剤として一般的に用いられるポリアクリル酸を添加し、ポリアクリル酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた焼成してなる高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕した。用いたビーズは実施例1のビーズと同じものであった。その後、グルタミン酸を添加して、比較例3の研磨スラリーを得た。得られた比較例3の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が110nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が研磨スラリーを基準として0.6質量%であった。また、ポリアクリル酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して1.25質量%であり、グルタミン酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して1.25質量%であった。比較例3の研磨スラリーの全量は4.0kgであった。またpH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表1に示すpH値に調整した。研磨スラリーのpH値は下記方法により評価した。
実施例1〜実施例12の研磨スラリー及び比較例1〜比較例3の研磨スラリーにおいて、酸化セリウム粒子のゼータ電位を、下記方法により評価した。その結果を下記表1に示した。また、実施例1及び実施例7の研磨スラリーにおいて、酸化セリウム粒子の表面へのピコリン酸又はグルタミン酸の滴下量を、下記方法により評価した。その結果を下記表1に示した。さらに、実施例1〜実施例12の研磨スラリー及び比較例1〜比較例3の研磨スラリーにおいて、研磨レート及び研摩傷を、それぞれ下記方法により評価した。それらの結果を下記表1に示した。
研磨開始前の各研磨スラリー25℃での酸化セリウム粒子のゼータ電位を測定した。ゼータ電位は大塚電子株式会社製の「ELSZ ゼータ電位・粒径測定システム」の電気泳動光散乱測定法の原理を用いた。
研磨開始前の各研磨スラリーの25℃でのpHを測定した。pHは株式会社堀場製作所製のpHイオンメーターD51、電極型式9625−10Dを用いた。
実施例1及び実施例7の研磨スラリーを2週間、室温20℃、湿度50%RHの環境下で静置し酸化セリウムを沈降させた。その後、各研磨スラリーの上澄み液を100g採取した。そして、採取した各上澄み液を、遠心分離機〔AS ONE社製のCN−2060(品番)〕にて、3500rpmで20分間回転させ遠心分離した。遠心分離後された液から上澄み液を95g採取して、各測定サンプルを得た。各サンプルに0.1質量%の水酸化カリウム水溶液を滴下し、pH7となるまでの水酸化カリウム水溶液の滴下量を測定しフリー(吸着しないで液中に残存する量)のピコリン酸またはグルタミン酸量を求めた。これとは別に、実施例1で添加したピコリン酸と同じ添加量のピコリン酸のみからなる水溶液を比較参考例1の水溶液として作製し、0.1質量%の水酸化カリウム水溶液を滴下して、pH7となるまでの水酸化カリウム水溶液の滴下量を測定した(表2参照)。同様に、実施例7で添加したグルタミン酸と同じ添加量のグルタミン酸のみからなる水溶液を比較参考例2の水溶液として作製し、0.1質量%の水酸化カリウム水溶液を滴下して、pH7となるまでの水酸化カリウム水溶液の滴下量を測定した(表2参照)。
各研磨スラリーを用いて、以下の手順で研磨を行った。被研磨物として表面にSiO2膜が形成されたシリコン基板である6インチ熱酸化膜を用意した。研磨機には片面研磨装置である岡本工作機械製作所製のSPP600S GRIND−X(商品名)を用い、研磨パッドにはニッタ・ハース社製のIC−1400を用いた。研磨条件は、加工圧力:3PSI(214gf/cm2)、研磨ヘッドの回転数:83rpm、プラテン回転数:89rpm、研磨スラリー供給速度:200ml/min、研磨時間:1minであった。次に、光干渉式膜厚測定装置〔NANO metrics製の Nanospec6100〕を用いて、研磨前後での被研磨物の厚みの減少量から、1分間当たりの研磨レート(研磨速度)を求めた。
前記研磨レート測定後の被研磨物の表面を、ブルカー・エイエックスエス株式会社製のAFM(原子間力顕微鏡)「Dimension Icon AFM」を使用して、1視野(10μm×10μm)を3箇所観察して、スクラッチの有無を確認し、以下の評価基準で評価した。
S:3箇所観察した際に、最大太さが0.1μm以上のスクラッチ(大スクラッチ)の数が0個であり、最大太さが0.01μm以上0.1μm未満のスクラッチ(中スクラッチ)の数が0個である。
A:3箇所観察した際に、大スクラッチの数が0個であり、中スクラッチの数が1個である。
B:3箇所観察した際に、大スクラッチの数が1個であり、中スクラッチの数が1個である。
蒸留水にピコリン酸を添加し、ピコリン酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕してスラリーを得た。用いたビーズは直径1mmの株式会社ニッカトー製のものであった。その後、得られたスラリーに更に後添加剤を加えずに水のみを加えて実施例13の研磨スラリーを得た。得られた実施例13の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が17nmであり、酸化セリウム粒子の濃度(含有量)が研磨スラリー全質量基準で0.15質量%であった。また、ピコリン酸の仕込量が研磨スラリー全質量基準で0.002質量%であった。また、実施例13の研磨スラリーの全量(出来上がり量)は10kgであった。またpH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表3に示すpH値に調整した。研磨スラリーのpH値は上記方法により評価した。
得られたスラリーに更に後添加剤としてピコリン酸を加えて実施例14〜実施例17の研磨スラリーを得た。それ以外は、実施例13の研磨スラリーと同様にして、実施例14〜実施例17の研磨スラリーを得た。後添加剤として加えるピコリン酸の量(濃度)は、研磨スラリー全質量基準で下記表3に示すように調整した。
蒸留水に、ピコリン酸又はグルタミン酸の替わりに無機粒子の分散剤として一般的に用いられるポリアクリル酸を添加し、ポリアクリル酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた焼成してなる高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕してスラリーを得た。用いたビーズは実施例13のビーズと同じものであった。その後、得られたスラリーに更に後添加剤を加えずに水のみを加えて比較例4の研磨スラリーを得た。得られた比較例4の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が17nmであり、酸化セリウム粒子の濃度(含有量)が研磨スラリー全質量基準で0.15質量%であった。また、ポリアクリル酸の仕込量が研磨スラリー全質量基準で0.002質量%であった。比較例4の研磨スラリーの全量(出来上がり量)は10kgであった。またpH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いて下記表3に示すpH値に調整した。研磨スラリーのpH値は上記方法により評価した。
実施例13〜実施例17の研磨スラリー及び比較例4の研磨スラリーにおいて、酸化セリウム粒子のゼータ電位を、上記方法により評価した。その結果を下記表3に示した。また、実施例13〜実施例17の研磨スラリー及び比較例4の研磨スラリーにおいて、ベタ膜基板の研磨レートを、下記方法により評価した。その結果を下記表3に示した。
各研磨スラリーを用いて、以下の手順で研磨を行った。被研磨物として、8インチシリコンウエハの表面にSiO2膜が全面に1000nmの膜厚で形成されたベタ膜基板を用意した。研磨機には株式会社荏原製作所製の研磨装置(型番:F−REX200(「F−REX」は登録商標))を用い、上部研磨パッドにはニッタ・ハース社製のIC1000を、下部研磨パッドにはニッタ・ハース社製のSUBA400を使用した。研磨条件は、加工圧力:3psi(216gf/cm2)、研磨ヘッドの回転数:107rpm、プラテン回転数:100rpm、研磨スラリー供給速度:200ml/min、研磨時間:60secであった。次に、光干渉式膜厚測定装置〔NANO metrics製の Nanospec6100〕を用いて、研磨前後での被研磨物の厚みの減少量から、1分間当たりのベタ膜基板の研磨レート(研磨速度)を求めた。
実施例13〜実施例17の研磨スラリーにおいて、パターン基板の研磨時間を、下記方法により評価した。その結果を下記表4に示した。
各研磨スラリーを用いて、以下の手順で研磨を行った。被研磨物として、アドバンスマテリアルズテクノロジー社製のMIT864マスクで作られたテスト用STIパターン基板を用いた。このテスト用STIパターン基板10を、図1〜図2を用いて説明する。テスト用STIパターン基板10は、図1(a)及び図2に示すように、8インチシリコンウエハ1の表面に深さ200nmの溝2を複数本形成している。そして、複数本の溝2を20mmの間隔を空けて互いに格子状に配列させて、20mm×20mmの正方形状に複数個区画している。そして、図1(b)に示すように、各20mm×20mmの正方形状の区画領域に深さ200nmの溝2を複数本形成し、各区画領域を更に4mm×4mmの正方形状の25画分に区画している。25画分の区画内には、区画毎に、図2に示すように、STIのパターンを模した凹部3及び凸部4の様々なパターンが形成されている。凹部3及び凸部4のパターンとしては、同じ幅の凹部3及び凸部4が交互に形成されたライン&スペースパターンであり、凹部3:凸部4の幅が0μm:4mm、25μm:25μm、100μm:100μm、500μm:500μm、4mm:0μmに形成されている。そして、図2に示すように、各凸部4には研磨停止層としての窒化ケイ素(SiN)膜5が150nmの膜厚で形成されており、トレンチ6の深さが350nmに形成されており、窒化ケイ素(SiN)膜5及びトレンチ6を含めた全面を450nmの膜厚のSiO2膜7で覆って各パターンが形成されている。
研磨機には、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定に用いた研磨装置を用い、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定と同じ条件(研磨時間を除く)下で、窒化ケイ素(SiN)膜5が露出するまでの時間を、凹部3:凸部4の幅が25μm:25μm、100μm:100μm、500μm:500μmのライン&スペースパターンの区画部分で測定し、パターン基板の研磨時間を求めた。
蒸留水にピコリン酸を添加し、ピコリン酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕してスラリーを得た。用いたビーズは直径1mmの株式会社ニッカトー製のものであった。その後、得られたスラリーに更に後添加剤としてピコリン酸及びポリビニルピロリドン(PVP)を加えて実施例18の研磨スラリーを得た。得られた実施例18の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が17nmであり、酸化セリウム粒子の濃度(含有量)が研磨スラリー全質量基準で0.15質量%であった。また、ピコリン酸の仕込量が研磨スラリー全質量基準で0.002質量%であった。また、実施例18の研磨スラリーの全量(出来上がり量)は10kgであった。また、後添加剤として加えるピコリン酸の量(濃度)は、研磨スラリー全質量基準で0.25質量%であり、ポリビニルピロリドン(PVP)の量(濃度)は、研磨スラリー全質量基準で0.1質量%であった。
実施例17及び実施例18の研磨スラリーにおいて、パターン基板の研磨レートを、下記方法により評価した。その結果を下記表5に示した。
各研磨スラリーを用いて、以下の手順で研磨を行った。被研磨物として、上述したパターン基板の研磨時間の測定に用いた図1及び図2に示すテスト用STIパターン基板10を用いた。また、研磨機には、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定に用いた研磨装置を用い、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定と同じ条件下で、凹部3:凸部4の幅が25μm:25μm、100μm:100μm、500μm:500μm、0μm:4mmのライン&スペースパターンの区画部分で測定し、研磨前後での被研磨物の厚みの減少量から、1分間当たりのパターン基板の研磨レート(研磨速度)を求めた。その結果を下記表5に示した。
蒸留水にピコリン酸を添加し、ピコリン酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕してスラリーを得た。用いたビーズは直径1mmの株式会社ニッカトー製のものであった。その後、得られたスラリーに更に後添加剤としてピコリン酸及びポリビニルピロリドン(PVP)を加えて実施例19の研磨スラリーを得た。得られた実施例19の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が17nmであり、酸化セリウム粒子の濃度(含有量)が研磨スラリー全質量基準で0.15質量%であった。また、ピコリン酸の仕込量が研磨スラリー全質量基準で0.002質量%であった。また、実施例19の研磨スラリーの全量(出来上がり量)は10kgであった。また、後添加剤として加えるピコリン酸の量(濃度)は、研磨スラリー全質量基準で0.25質量%であり、ポリビニルピロリドン(PVP)の量(濃度)は、研磨スラリー全質量基準で0.03質量%であった。
実施例13、実施例17及び実施例19の研磨スラリーにおいて、素材の異なるベタ膜基板の研磨選択性を、下記方法により評価した。その結果を下記表6に示した。
各研磨スラリーを用いて、以下の手順で研磨を行った。被研磨物として、8インチシリコンウエハ、8インチシリコンウエハの表面にSiO2膜が全面に1000nmの膜厚で形成されたSiO2膜基板、及び8インチシリコンウエハの表面に窒化ケイ素(SiN)膜が全面に100nmの膜厚で形成されたSiN膜基板の3種類のベタ膜基板を用意した。また、研磨機には、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定に用いた研磨装置を用い、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定と同じ条件下で、3種類のベタ膜基板をそれぞれ研磨し、研磨前後での被研磨物の厚みの減少量から、1分間当たりのそれぞれのベタ膜基板の研磨レート(研磨速度)を求めた。その結果を下記表6に示した。
蒸留水にグルタミン酸を添加し、グルタミン酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕してスラリーを得た。用いたビーズは直径1mmの株式会社ニッカトー製のものであった。その後、得られたスラリーに更に後添加剤を加えずに水のみを加えて実施例20の研磨スラリーを得た。得られた実施例20の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が40nmであり、酸化セリウム粒子の濃度(含有量)が研磨スラリー全質量基準で0.15質量%であった。また、グルタミン酸の仕込量が研磨スラリー全質量基準で0.002質量%であった。また、実施例20の研磨スラリーの全量(出来上がり量)は10kgであった。
蒸留水に、ピコリン酸又はグルタミン酸の替わりに無機粒子の分散剤として一般的に用いられるポリアクリル酸を添加し、ポリアクリル酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた焼成してなる高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕してスラリーを得た。用いたビーズは実施例20のビーズと同じものであった。その後、得られたスラリーに更に後添加剤を加えずに水のみを加えて比較例5の研磨スラリーを得た。得られた比較例5の研磨スラリーは、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が165nmであり、酸化セリウム粒子の濃度(含有量)が研磨スラリー全質量基準で0.15質量%であった。また、ポリアクリル酸の仕込量が研磨スラリー全質量基準で0.002質量%であった。比較例5の研磨スラリーの全量(出来上がり量)は10kgであった。
各研磨スラリーを用いて、以下の手順で研磨を行った。被研磨物として、上述したパターン基板の研磨時間の測定に用いた図1及び図2に示すテスト用STIパターン基板10を用いた。また、研磨機には、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定に用いた研磨装置を用い、上述したベタ膜基板の研磨レートの測定と同じ条件下で、凹部3:凸部4の幅が25μm:25μm、100μm:100μm、500μm:500μm、0μm:4mmのライン&スペースパターンの区画部分で測定し、研磨前後での被研磨物の厚みの減少量から、1分間当たりのパターン基板の研磨レート(研磨速度)を求めた。その結果を下記表7に示した。
表1〜表7に示す結果から、実施例1〜20の研磨スラリーは、様々な特性を持っていることが分かった。従って、本発明の研磨スラリーは、ユーザーの要求に応じて様々な特性に調整できる可能性が高い。
2 溝
3 凹部
4 凸部
5 窒化ケイ素(SiN)膜
6 トレンチ
7 SiO2膜
10 テスト用STIパターン基板
Claims (13)
- 添加剤で表面が被覆されており、pH8以下でゼータ電位がプラスである無機研磨粒子からなる研磨砥粒。
- 前記添加剤がピコリン酸又はグルタミン酸であり、前記無機研磨粒子が酸化セリウム粒子である請求項1に記載の研磨砥粒。
- ピコリン酸又はグルタミン酸の存在下で酸化セリウムを湿式粉砕する工程を有する研磨砥粒の製造方法で製造された請求項2に記載の研磨砥粒。
- 請求項1〜3の何れか1項に記載の研磨砥粒を含む研磨スラリー。
- 研磨砥粒と、添加剤と、水とを含む研磨スラリーであって、
前記研磨砥粒は、添加剤で表面が被覆されており、pH8以下でゼータ電位がプラスである無機研磨粒子からなり、
前記添加剤は、前記研磨スラリーで、正の電荷を生じさせるものである研磨スラリー。 - 前記添加剤がピコリン酸又はグルタミン酸であり、前記無機研磨粒子が酸化セリウム粒子である請求項5に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨スラリーが、更にノニオン系高分子化合物を含む請求項5又は6に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨スラリー中に存在している遊離状態の前記添加剤の濃度は、研磨スラリー全質量基準で、0.01質量%以上1質量%以下である請求項5〜7の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- pH3以上でゼータ電位がマイナスである被研磨物の研磨に用いられる請求項5〜8の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨スラリーのpHが3以上9以下である請求項4〜9の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨スラリーのpHが6以上8以下である請求項4〜9の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- 請求項4〜11の何れか1項に記載の研磨スラリーを用いて被研磨物を研磨する被研磨物の研磨方法。
- ピコリン酸又はグルタミン酸で表面が被覆されており、pH8以下でゼータ電位がプラスである酸化セリウム粒子からなる研磨砥粒の製造方法であって、
ピコリン酸又はグルタミン酸の存在下で酸化セリウムを湿式粉砕する工程を有する研磨砥粒の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/023456 WO2018020931A1 (ja) | 2016-07-28 | 2017-06-26 | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
KR1020197000745A KR102045256B1 (ko) | 2016-07-28 | 2017-06-26 | 연마지립, 그 제조 방법, 그것을 포함하는 연마 슬러리 및 그것을 이용하는 연마 방법 |
US16/318,806 US20190184518A1 (en) | 2016-07-28 | 2017-06-26 | Abrasive grains, manufacturing method therefor, polishing slurry containing said abrasive grains, and polishing method using said polishing slurry |
CN201780041080.7A CN109601005A (zh) | 2016-07-28 | 2017-06-26 | 研磨磨粒、其制造方法、包含该研磨磨粒的研磨浆料及使用该研磨浆料的研磨方法 |
SG11201811613PA SG11201811613PA (en) | 2016-07-28 | 2017-06-26 | Abrasive grains, manufacturing method therefor, polishing slurry containing said abrasive grains, and polishing method using said polishing slurry |
EP17833940.4A EP3492546A4 (en) | 2016-07-28 | 2017-06-26 | ABRASIVE GRAIN, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, POLISHING SLURRY WITH THESE GRINDING GRAINS AND POLISHING METHOD USING THIS POLISHING SLURRY |
TW106122751A TWI664279B (zh) | 2016-07-28 | 2017-07-06 | 研磨粒、其製造方法、包含其之研磨漿料及使用其之研磨方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016148247 | 2016-07-28 | ||
JP2016148247 | 2016-07-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6262836B1 JP6262836B1 (ja) | 2018-01-17 |
JP2018024814A true JP2018024814A (ja) | 2018-02-15 |
Family
ID=60989224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016239892A Active JP6262836B1 (ja) | 2016-07-28 | 2016-12-09 | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190184518A1 (ja) |
EP (1) | EP3492546A4 (ja) |
JP (1) | JP6262836B1 (ja) |
KR (1) | KR102045256B1 (ja) |
CN (1) | CN109601005A (ja) |
SG (1) | SG11201811613PA (ja) |
TW (1) | TWI664279B (ja) |
WO (1) | WO2018020931A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019203088A (ja) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 株式会社バイコウスキージャパン | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102082922B1 (ko) * | 2019-03-04 | 2020-04-23 | 영창케미칼 주식회사 | 실리콘산화막 연마용 슬러리 조성물 및 그를 이용한 연마방법 |
US11931855B2 (en) * | 2019-06-17 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Planarization methods for packaging substrates |
US11454884B2 (en) | 2020-04-15 | 2022-09-27 | Applied Materials, Inc. | Fluoropolymer stamp fabrication method |
CN116313775B (zh) * | 2023-05-12 | 2023-07-21 | 武汉楚兴技术有限公司 | 一种半导体结构的制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168661A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 化学機械研磨方法 |
US20080081542A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slurry compositions and methods of polishing a layer using the slurry compositions |
WO2010038617A1 (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | 旭硝子株式会社 | 研磨スラリー、その製造方法、研磨方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
KR20110057876A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 주식회사 엘지화학 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005286048A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nitta Haas Inc | 半導体研磨用組成物 |
KR101477826B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2015-01-02 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 유리 연마 조성물 및 방법 |
DE102007062572A1 (de) * | 2007-12-22 | 2009-06-25 | Evonik Degussa Gmbh | Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
CN102666771A (zh) * | 2009-12-31 | 2012-09-12 | 第一毛织株式会社 | 化学机械抛光淤浆组合物以及使用它们的抛光方法 |
SG184276A1 (en) | 2010-03-29 | 2012-11-29 | Asahi Glass Co Ltd | Polishing slurry, polishing method and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
-
2016
- 2016-12-09 JP JP2016239892A patent/JP6262836B1/ja active Active
-
2017
- 2017-06-26 WO PCT/JP2017/023456 patent/WO2018020931A1/ja unknown
- 2017-06-26 SG SG11201811613PA patent/SG11201811613PA/en unknown
- 2017-06-26 CN CN201780041080.7A patent/CN109601005A/zh active Pending
- 2017-06-26 KR KR1020197000745A patent/KR102045256B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-26 EP EP17833940.4A patent/EP3492546A4/en not_active Withdrawn
- 2017-06-26 US US16/318,806 patent/US20190184518A1/en not_active Abandoned
- 2017-07-06 TW TW106122751A patent/TWI664279B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168661A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 化学機械研磨方法 |
US20080081542A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slurry compositions and methods of polishing a layer using the slurry compositions |
WO2010038617A1 (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | 旭硝子株式会社 | 研磨スラリー、その製造方法、研磨方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
KR20110057876A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 주식회사 엘지화학 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
WANG, LIANGYONG, ET AL.: "Complexing between additives and ceria abrasives used for polishing silicon dioxide and silicon nitr", ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE LETTERS, vol. 14, no. 3, JPN6017026731, pages 128 - 131, ISSN: 0003691218 * |
WANG, LIANG-YONGM, ET AL.: "Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of p", CHINESE PHYSICS B, vol. 20, no. 3, JPN6017026733, pages 038102 - 1, ISSN: 0003691219 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019203088A (ja) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 株式会社バイコウスキージャパン | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
JP7220522B2 (ja) | 2018-05-24 | 2023-02-10 | 株式会社バイコウスキージャパン | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102045256B1 (ko) | 2019-11-15 |
US20190184518A1 (en) | 2019-06-20 |
EP3492546A4 (en) | 2020-03-11 |
CN109601005A (zh) | 2019-04-09 |
EP3492546A1 (en) | 2019-06-05 |
KR20190009411A (ko) | 2019-01-28 |
WO2018020931A1 (ja) | 2018-02-01 |
TWI664279B (zh) | 2019-07-01 |
SG11201811613PA (en) | 2019-02-27 |
JP6262836B1 (ja) | 2018-01-17 |
TW201805400A (zh) | 2018-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6262836B1 (ja) | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 | |
JP6291026B2 (ja) | サファイアの表面を研磨する方法 | |
TWI593790B (zh) | 研磨用組合物及使用該組合物之研磨方法 | |
JP4113282B2 (ja) | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 | |
JP6723995B2 (ja) | コバルトディッシング制御剤 | |
EP3210238B1 (en) | Cobalt polishing accelerators | |
TWI433903B (zh) | 用於鎳-磷記憶碟之拋光組合物 | |
KR20120134105A (ko) | 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 이를 이용한 화학 기계 연마 방법 | |
TWI481680B (zh) | 用於鎳-磷記憶碟之拋光組合物 | |
JP6437762B2 (ja) | サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 | |
AU2006297240B2 (en) | Polishing slurries and methods for utilizing same | |
KR20230044296A (ko) | 구리 및 실리콘 관통 전극(tsv)의 화학적 기계적 평탄화(cmp)를 위한 패드-인-어-보틀(pib) 기술 | |
TW201542788A (zh) | 硏磨劑組合物及磁碟基板之硏磨法 | |
JP5309692B2 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法 | |
CN102939643A (zh) | 用于抛光大体积硅的组合物及方法 | |
TWI677544B (zh) | 拋光半導體基板的方法 | |
WO2019044978A1 (ja) | スラリ及び研磨方法 | |
TWI611010B (zh) | 拋光藍寶石表面之組合物及方法 | |
JP7220522B2 (ja) | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 | |
JP5373250B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物の製造方法 | |
JP2019099762A (ja) | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 | |
JP7409820B2 (ja) | InP半導体材料の研磨加工方法および研磨液 | |
TW201816061A (zh) | 研磨用組合物與使用該組合物之研磨方法以及半導體基板之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20171124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6262836 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |