JP2018023990A - 表面加工方法、構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
請求項2に記載の発明では、レーザ光照射工程では、レーザ光として連続発振のレーザ光を加工対象物(200)に照射することを特徴とする。連続発振のレーザ光を用いることにより、微細な構造体(260)を確実に形成することができる。
上記各実施形態で示された構造体260を形成する方法は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、SiC、GaN等の半導体材料、ダイヤモンド、LiTaO3、LiNbO3等のイオン注入及びレーザ光の照射が可能な材料を加工対象物としても良い。
120 集光レンズ
140 焦点
200 Siウェハ(加工対象物)
210 表面
230 イオン注入層
250 ブリスタリング
260 構造体
Claims (8)
- 加工対象物(200)の表面(210)に微細な構造体(260)を形成する表面加工方法であって、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)にイオン注入層(230)を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記加工対象物(200)にレーザ光を照射して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の照射部分を局所的に加熱して前記加工対象物(200)にブリスタリング(250)を発生させることにより、前記加工対象物(200)の前記表面(210)に前記構造体(260)として、前記表面(210)の一部が隆起した隆起構造を形成するレーザ光照射工程と、
を含んでいることを特徴とする表面加工方法。 - 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として連続発振のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項1に記載の表面加工方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として赤外光のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項1または2に記載の表面加工方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記加工対象物(200)が半導体材料で構成されたものを用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の表面加工方法。
- 加工対象物(200)の表面(210)に微細な構造体(260)を形成する構造体の製造方法であって、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)にイオン注入層(230)を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記加工対象物(200)にレーザ光を照射して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の照射部分を局所的に加熱して前記加工対象物(200)にブリスタリング(250)を発生させることにより、前記加工対象物(200)の前記表面(210)に前記構造体(260)として、前記表面(210)の一部が隆起した隆起構造を形成するレーザ光照射工程と、
を含んでいることを特徴とする構造体の製造方法。 - 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として連続発振のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項5に記載の構造体の製造方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として赤外光のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項5または6に記載の構造体の製造方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記加工対象物(200)が半導体材料で構成されたものを用いることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
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JP2021522682A (ja) * | 2018-04-27 | 2021-08-30 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co.,Ltd. | 半導体ドナー基板からの層移転を容易にする光アシスト板状体形成 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502593A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 剥離可能な半導体基板を形成するための方法ならびに半導体素子を得るための方法 |
JP2012069817A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 薄膜半導体基板の製造方法 |
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