JP2018019392A

JP2018019392A - 高周波フロントエンド回路および通信装置

Info

Publication number: JP2018019392A
Application number: JP2017086232A
Authority: JP
Inventors: 壮央竹内; Takehisa Takeuchi; 宮崎　大輔; Daisuke Miyazaki; 大輔宮崎; 哲朗奥田; Tetsuro Okuda
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-07-15
Filing date: 2017-04-25
Publication date: 2018-02-01
Anticipated expiration: 2037-04-25
Also published as: JP6822299B2; CN107634782A; CN107634782B

Abstract

【課題】ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を提供する。【解決手段】高周波フロントエンド回路１は、第１通過帯域を有しアンテナ共通端子１０１に接続された第１フィルタ１１と、アンテナ共通端子１０１に接続され第２通過帯域を有する第２フィルタ１２と、共通端子２１ｃ、選択端子２１ａおよび２１ｂを有し共通端子２１ｃが第１フィルタ１１に接続されたスイッチ２１と、選択端子２１ａに接続され、スイッチ２１と入出力端子１０２との間に配置された第３フィルタ１３とを備え、第１フィルタ１１を単体でアンテナ共通端子１０１側から見た場合の第２通過帯域における反射係数は、第３フィルタ１３を単体でアンテナ共通端子１０１側から見た場合の第２通過帯域における反射係数よりも大きい。【選択図】図１Ｂ

Description

本発明は、高周波フロントエンド回路および通信装置に関する。

近年の携帯電話には、１つの端末で複数の周波数および無線方式に対応することが要求されている（マルチバンド化およびマルチモード化）。マルチバンド化およびマルチモード化に対応するフロントエンドモジュールには、複数の送受信信号を品質劣化させずに高速処理することが求められている。特に、複数のバンドの高周波信号を同時に送受信するキャリアアグリゲーションを行うことが求められている。

特許文献１には、ＬＢ（ローバンド）ダイバーシティアンテナ、ＭＢ（ミドルバンド）／ＨＢ（ハイバンド）ダイバーシティアンテナ、およびダイバーシティモジュールを備えたＲＦシステムが開示されている（特許文献１の図６参照）。ダイバーシティモジュールは、ＭＢ／ＨＢダイバーシティアンテナに接続された単極多投型スイッチと、当該単極多投型スイッチに接続された複数のフィルタと、当該複数のフィルタに接続された増幅回路とを有している。複数のフィルタのそれぞれは、各バンドを通過帯域としている。この構成によれば、複数のバンドの高周波信号を同時に使用して通信するキャリアアグリゲーション（ＣＡ）動作が可能である。

特開２０１５−２０８００７号公報

特許文献１に記載されたＲＦシステムにおいては、２以上のフィルタをＣＡ動作させる場合、一のフィルタにおいて、他のフィルタの通過帯域をオープン状態にする必要がある。これにより、ＣＡ動作する場合においても、一のフィルタが他のフィルタのインピーダンスの影響を受けずに高周波信号を低損失で伝搬できる。

しかしながら、ＣＡ動作させるバンドの組み合わせ多くなり、当該組み合わせが複数存在すると、バンドの組み合わせごとに各フィルタのインピーダンスを調整する必要が生じるため、各フィルタ設計が複雑化し、全てのフィルタのフィルタ特性を最適化することが困難となる。また、ＣＡ動作させるバンドの組み合わせ多くなるほど、単極多投型スイッチの選択端子数が多くなるため、単極多投型スイッチが大型化してしまう。

そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、アンテナ素子に接続されるアンテナ共通端子と、第１入出力端子および第２入出力端子と、第１端子および第２端子を有し、第１通過帯域を有し、前記第１端子が前記アンテナ共通端子に接続される第１フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第２入出力端子との間に配置され、前記第１通過帯域と異なる第２通過帯域を有する第２フィルタと、共通端子および複数の選択端子を有し、前記共通端子が前記第２端子に接続されたスイッチと、前記複数の選択端子のうちの第１選択端子に接続され、前記スイッチと前記第１入出力端子との間に配置された第３フィルタと、を備え、前記第１フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数は、前記第３フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数よりも大きい。

分波／合波回路を構成する第１フィルタと第２のフィルタとが、アンテナ共通端子で共通接続された構成の場合、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失は、第２フィルタ単体の挿入損失に加え、第１フィルタのアンテナ共通端子側から見た反射特性の影響を受ける。より具体的には、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失は、第１フィルタの共通端子側から見た第２通過帯域における反射係数が大きいほど減少する。

上記構成によれば、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数が、第３フィルタの第２通過帯域における反射係数よりも大きい。ここで、第１フィルタの後段に配置された第３フィルタは、反射特性よりもフィルタ通過特性および減衰特性が重視されるため、第１フィルタと第３フィルタの良好な通過特性を実現可能である。つまり、アンテナ素子と第１フィルタおよび第２フィルタとの間にスイッチを配置することなく、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できるので、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を提供することが可能となる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、２以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された１以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数は、前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された１以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数よりも大きくてもよい。

複数の弾性波共振子からなるフィルタにおいて、共通端子側から見た反射係数は、共通端子に最近接した１つの弾性波共振子の反射係数が支配的となる。これによれば、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタの少なくとも一方は、ラダー型のフィルタ構造を有し、前記アンテナ共通端子側に配置された１以上の弾性波共振子は、直列腕共振子および並列腕共振子の少なくとも一方を含んでもよい。

これにより、第１フィルタおよび第３フィルタの低損失性を確保しつつ、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタの少なくとも一方は、縦結合型のフィルタ構造を有してもよい。

これにより、第１のフィルタおよび第３フィルタを、減衰強化等が要求されるフィルタ特性に適応させることが可能となる。

また、前記第２入出力端子は、第２増幅回路に接続され、前記第２フィルタと前記第２増幅回路との間には、フィルタ回路が配置されていなくてもよい。

第２フィルタの後段には、通常、さらに、第２通過帯域に含まれ当該第２通過帯域よりも狭帯域である複数のバンドに対応した複数のフィルタが配置される。しかし、第２フィルタのフィルタ特性よりも高いフィルタ特性を必要としないバンドの信号経路上、つまり第２フィルタと第２増幅回路とに間には、さらなるフィルタ回路が配置されなくてもよい。これにより、高周波フロントエンド回路のさらなる小型化が可能となる。

また、第３入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、をさらに備え、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、および前記第４フィルタは、トリプレクサを構成し、前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、および前記第３通過帯域は、ローバンド（ＬＢ：６９８−９６０ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢａ：１７１０−２２００ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢａ：２３００−２６９０ＭＨｚ）に適用され、前記第１通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかであってもよい。

これにより、第１フィルタおよび第２フィルタは、ＬＢ、ＭＢａ、およびＨＢａ対応のトリプレクサに適用される。よって、ＬＢ、ＭＢａ、およびＨＢａ対応のトリプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、第３入出力端子および第４入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、をさらに備え、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ローバンド（ＬＢ：６９８−９６０ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢａ：１７１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、前記第１通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかであってもよい。

これにより、第１フィルタおよび第２フィルタは、ＬＢ、ＭＢａ、ＭＨＢａおよびＨＢａ対応のクワッドプレクサに適用される。よって、ＬＢ、ＭＢａ、ＭＨＢａおよびＨＢａ対応のクワッドプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、第３入出力端子および第４入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、をさらに備え、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢｂ：２１１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚまたはＭＨＢｂ：２３００−２３７０ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、前記第１通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかであってもよい。

これにより、第１フィルタおよび第２フィルタは、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサに適用される。よって、ＭＬＢ、ＭＢ、ＭＨＢおよびＨＢ対応のクワッドプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、第３入出力端子および第４入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、をさらに備え、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢｂ：２１１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚまたはＭＨＢｂ：２３００−２３７０ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、前記第１通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかであり、前記第２通過帯域は、前記ミドルハイバンドであり、前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていなくてもよい。

これにより、第１フィルタおよび第２フィルタは、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサに適用される。また、ＭＨＢａに含まれるバンドの通過特性は、第２フィルタの通過特性で十分である場合には、当該バンドの信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する信号経路は、Ｂａｎｄ４０ａ（受信帯域：２３００−２３７０ＭＨｚ）の送受信を行う経路であってもよい。

これにより、ＭＨＢａに含まれるＢａｎｄ４０ａの通過特性は、第２フィルタの通過特性で十分であるので、Ｂａｎｄ４０ａの信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する前記信号経路は、Ｂａｎｄ４０（受信帯域：２３００−２４００ＭＨｚ）の送受信を行う経路であってもよい。

これにより、ＭＨＢａに含まれるＢａｎｄ４０の通過特性は、第２フィルタの通過特性で十分であるので、Ｂａｎｄ４０の信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、さらに、第３入出力端子および第４入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、を備え、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢｂ：２１１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚまたはＭＨＢｂ：２３００−２３７０ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、前記第１通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ミドルハイバンドのいずれかであり、前記第２通過帯域は、前記ハイバンドであり、前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていなくてもよい。

これにより、第１フィルタおよび第２フィルタは、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサに適用される。また、ＨＢｂに含まれるバンドの通過特性は、第２フィルタの通過特性で十分である場合には、当該バンドの信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する前記信号経路は、Ｂａｎｄ４１（受信帯域：２４９６−２６９０ＭＨｚ）の送受信を行う経路であってもよい。

これにより、ＨＢｂに含まれるＢａｎｄ４１の通過特性は、第２フィルタの通過特性で十分であるので、Ｂａｎｄ４１の信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応のクワッドプレクサを含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用してもよい。

弾性波共振子の共振点および反共振点よりも低周波域における反射損失は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、およびＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する場合、他の弾性波を利用する場合よりも小さい。

よって、第１フィルタが高周波側フィルタであり、第２フィルタが低周波側フィルタである場合において、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、第３フィルタの第２通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第３フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲ（ＳｏｌｉｄｌｙＭｏｕｎｔｅｄＲｅｓｏｎａｔｏｒ）またはＦＢＡＲ（ＦｉｌｍＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＲｅｓｏｎａｔｏｒ）で構成されてもよい。

これによれば、第１フィルタの反射係数を増大させつつ、第３フィルタの低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第３フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成されてもよい。

弾性波共振子の共振点および反共振点よりも低周波域における反射係数は、音速膜積層構造を有する場合のほうが、弾性波共振子をＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成する場合よりも大きい。

よって、第１フィルタが高周波側フィルタであり、第２フィルタが低周波側フィルタである場合において、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、第３フィルタの第２通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。また、第１フィルタの反射係数を増大させつつ、第３フィルタの低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（３）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであってもよい。

弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、弾性波共振子をＳＭＲで構成する、および弾性波共振子をＦＢＡＲで構成する、のいずれかの場合、最も小さくできる。

よって、第１フィルタが低周波側フィルタであり、第２フィルタが高周波側フィルタである場合において、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、第３フィルタの第２通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第３フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、ならびに（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、のいずれかであってもよい。

これによれば、第１フィルタの反射係数を増大させつつ、第３フィルタを音速膜積層構造とした場合には、第３フィルタの低損失性および良好な温度特性を確保でき、また、第３フィルタにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第３フィルタの広い帯域幅を確保できる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第３フィルタでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。

弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、音速膜積層構造を採用した場合の方が、ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性表面波として利用する、またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合よりも小さくできる。

よって、第１フィルタが低周波側フィルタであり、第２フィルタが高周波側フィルタである場合において、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、第３フィルタの第２通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。さらに、第３フィルタにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第３フィルタの広い帯域幅を確保できる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、前記第３フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。

弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性表面波として利用する場合の方が、ＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合よりも小さくできる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第３フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有してもよい。

弾性波共振子として音速膜積層構造を有する場合には、弾性波共振子の共振周波数の０．７６倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。よって、第３フィルタを音速膜積層構造とし、第１フィルタを音速膜積層構造としないことにより、第３フィルタの低損失性および良好な温度特性を確保しつつ第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を大きくできる。

よって、第１フィルタが高周波側フィルタであり、第２フィルタが低周波側フィルタである場合において、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（３）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第３フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用してもよい。

ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の０．７６倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。よって、第３フィルタではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用し、第１フィルタではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用しないことにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第３フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用してもよい。

ＬｉＮｂＯ_３のレイリー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の１．２倍付近に高次モードが発生する。よって、第３フィルタではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波と弾性波として利用し、第１フィルタではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波を弾性波として利用しないことにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。

よって、第１フィルタが低周波側フィルタであり、第２フィルタが高周波側フィルタである場合において、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第３フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。

ＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の１．２倍付近に高次モードが発生する。よって、第３フィルタではＬｉＮｂＯ_３のラブ波と弾性波として利用し、第１フィルタではＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性波として利用しないことにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、前記第１フィルタを構成する前記ＩＤＴ電極と、前記第３フィルタを構成する前記ＩＤＴ電極とでは、膜厚またはデューティーが異なってもよい。

ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第１フィルタと第３フィルタとで、ＩＤＴ電極の膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第１フィルタにおけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第２通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を、効果的に大きくでき、第２のフィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記ＩＤＴ電極の膜厚、前記ＩＤＴ電極のデューティー、および前記低音速膜の膜厚、のいずれかが異なってもよい。

音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第１フィルタと第３フィルタとで、ＩＤＴ電極の膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第１フィルタにおけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第２通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を効果的に大きくでき、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極と当該ＩＤＴ電極上に形成された保護膜で構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記ＩＤＴ電極の膜厚、前記ＩＤＴ電極のデューティー、および前記保護膜の膜厚、のいずれかが異なってもよい。

ＬｉＮｂＯ_３のレイリー波、またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第１フィルタと第３フィルタとで、ＩＤＴ電極の膜厚、ＩＤＴ電極のデューティー、または低音速膜の膜厚を異ならせることにより、第１フィルタにおける高次モードの発生周波数を、第２通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を効果的に大きくでき、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記高音速支持基板はシリコン結晶で構成され、前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記圧電体層の膜厚、前記低音速膜の膜厚、および前記高音速支持基板のシリコン結晶方位、のいずれかが異なってもよい。

音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第１フィルタと第３フィルタとで、圧電体層の膜厚、低音速膜の膜厚、または高音速支持基板のシリコン結晶方位を異ならせることにより、第１フィルタにおける高次モードの発生周波数を、第２通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を効果的に大きくでき、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記ＩＤＴ電極の膜厚が異なってもよい。

ＬｉＴａＯ_３のリーキー波またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側にバルク波（不要波）が発生する。これに対して、第１フィルタと第３フィルタとで、ＩＤＴ電極の膜厚を異ならせることにより、第１フィルタにおけるバルク波の発生周波数を、第２通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタの第２通過帯域における反射係数を効果的に大きく小さくでき、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、前記第１入出力端子に接続された第１増幅回路と、前記第２入出力端子に接続された第２増幅回路と、をさらに備えてもよい。

これにより、増幅回路を含む高周波フロントエンド回路において、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減することが可能となる。

また、本発明の一態様に係る通信装置は、前記アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上記記載の高周波フロントエンド回路と、を備える。

これにより、第２フィルタの第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失が低減された小型の通信装置を提供できる。

本発明によれば、ＣＡ動作時であっても高周波信号の伝搬損失が低減された小型の高周波フロントエンド回路または通信装置を提供することが可能となる。

実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路の反射特性を説明する図である。２つのフィルタを共通端子で共通接続した場合の課題を説明する図である。実施の形態１の変形例１に係る分波回路の回路構成図である。実施の形態１の変形例２に係る分波回路の回路構成図である。実施の形態１の変形例３に係る分波回路の回路構成図である。実施の形態１の変形例４に係る通信装置の回路構成図である。実施の形態１の変形例５に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。実施の形態１の変形例６に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。実施の形態１の変形例７に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。実施の形態１の変形例８に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。実施の形態２に係るフィルタ共振子を模式的に表す平面図および断面図の一例である。実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路の低域１における反射特性を説明する図である。実施の形態２に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構成の組み合わせを表す図である。実施の形態２の変形例１に係る高周波フロントエンド回路の高域１におけるバルク波漏洩を説明する図である。実施の形態２の変形例１に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構成の組み合わせを表す図である。実施の形態２の変形例２に係る高周波フロントエンド回路の低域２におけるスプリアスの発生を説明する図である。実施の形態２の変形例２に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構成の組み合わせを表す図である。実施の形態２の変形例３に係る高周波フロントエンド回路の高域２における高次モードの発生を説明する図である。実施の形態２の変形例３に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構成の組み合わせを表す図である。実施の形態２に係る第１フィルタの高次モードによる反射損失の劣化を表すグラフである。実施の形態２の変形例４に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構造を異ならせるパラメータを表す図である。実施の形態２の変形例５に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構造を異ならせるパラメータを表す図である。実施の形態２の変形例６に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構造を異ならせるパラメータを表す図である。実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。比較例に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。

（実施の形態１）
［１．１高周波フロントエンド回路の構成］
図１Ａは、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１の回路構成図である。同図に示すように、高周波フロントエンド回路１は、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、第３フィルタ１３と、スイッチ２１と、アンテナ共通端子１０１と、入出力端子１０２および１０３とを備える。高周波フロントエンド回路１は、アンテナ共通端子１０１で共通接続された第１フィルタ１１および第２フィルタ１２を備える複合弾性波フィルタ装置である。

共通端子１０１は、例えば、アンテナ素子に接続可能であり、入出力端子１０２および１０３は、増幅回路を介して高周波信号処理回路に接続可能である。

第１フィルタ１１は、第１端子および第２端子を有し、第１端子がアンテナ共通端子１０１に接続され、第１通過帯域を有するフィルタである。

第２フィルタ１２は、アンテナ共通端子１０１に接続され、アンテナ共通端子１０１と入出力端子１０３との間に配置され、第１通過帯域と異なる第２通過帯域を有するフィルタである。

第１フィルタ１１および第２フィルタ１２は、分波／合波回路を構成している。

スイッチ２１は、共通端子２１ｃ、選択端子２１ａ（第１選択端子）および２１ｂを有し、共通端子２１ｃが第１フィルタ１１の第２端子に接続されたスイッチ回路である。

第３フィルタ１３は、選択端子２１ａ（第１選択端子）に接続され、スイッチ２１と入出力端子１０２との間に配置されたフィルタである。

なお、スイッチ２１の選択端子２１ｂ（第２選択端子）には、第３フィルタと通過帯域が異なるフィルタが接続されていれもよいし、また、増幅回路が直接接続されていてもよい。また、スイッチ２１の選択端子の数は３以上であってもよい。また、選択端子２１ｂ（第２選択端子）に接続されるフィルタの通過帯域は、第３フィルタの通過帯域と重複していてもよい。この場合であっても、スイッチ２１により、第１フィルタ１１を通過する高周波信号を、選択端子２１ａまたは２１ｂを経由する１経路に絞って伝搬させることが可能となる。

また、第２フィルタ１２の後段（アンテナ共通端子１０１と反対側）の回路構成は、第１フィルタ１１の後段の回路構成と同じ回路構成であってもよいし、また、スイッチが配置されず第２フィルタ１２が増幅回路と直接接続されていてもよい。

図１Ｂは、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１の反射特性を説明する図である。同図には、アンテナ共通端子１０１で共通接続された第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の通過特性、および、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の反射特性が示されている。ここで、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１において、第１フィルタ１１を単体でアンテナ共通端子１０１側から見た場合の通過帯域１２Ｈ（第２通過帯域）における反射係数は、第３フィルタ１３を単体で共通端子１０１側から見た場合の通過帯域１２Ｈ（第２通過帯域）における反射係数よりも大きい。

なお、第１フィルタと第３フィルタとの周波数関係は、図１Ｂのように、第１フィルタ１１が低周波側であって第２フィルタが高周波側であることに限定されず、第１フィルタ１１が高周波側であって第２フィルタが低周波側であってもよい。

［１．２高周波フロントエンド回路の第１フィルタ、第３フィルタ、またはその両方に起因した第２フィルタの挿入損失低減効果］
図２は、２つのフィルタ（フィルタＡおよびフィルタＢ）をアンテナ共通端子で共通接続した場合の課題を説明する図である。図２に示すように、フィルタＡ（通過帯域Ａ）およびフィルタＢ（通過帯域Ｂ）が、アンテナ共通端子で共通接続されている分波回路を想定する。この場合における分波回路の挿入損失を考える。

フィルタＡにおける通過帯域Ａの挿入損失は、フィルタＡ自体の挿入損失に加え、フィルタＢの影響を受けて悪化する。ここで、フィルタＡの挿入損失のうちフィルタＢに起因した挿入損失は、フィルタＢの通過帯域Ａにおける反射特性が影響する。より具体的には、フィルタＡの挿入損失のうちフィルタＢに起因した挿入損失は、アンテナ共通端子で共通接続される前のフィルタＢにおいてアンテナ共通端子側からフィルタＢを見た場合の反射係数が大きいほど、フィルタＡの挿入損失のうちフィルタＢに起因した挿入損失は低減する。

共通接続された相手方のフィルタに起因した上記挿入損失を低減する構成を本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１に適用させる場合、アンテナ共通端子１０１から入出力端子１０３へ伝搬する第２通過帯域の高周波信号を、共通接続された相手方のフィルタに起因した挿入損失を抑制して通過させるには、アンテナ共通端子１０１から入出力端子１０２へ伝搬しようとする第２通過帯域の高周波信号の反射係数を大きくすることが必要となる。つまり、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減させるには、直列接続された第１フィルタ１１および第３フィルタ１３をアンテナ共通端子１０１から見た場合の第２通過帯域における反射係数を大きくしておくことが必要となる。

さらに、複数のフィルタが直列接続されている場合、直列接続されたフィルタのうち、アンテナ共通端子に近接するフィルタのほうが、アンテナ共通端子側から直列接続されたフィルタを見た場合の反射係数への寄与度が高い。つまり、第２フィルタ１２の挿入損失のうち共通接続された相手方のフィルタに起因した挿入損失を低減させるには、直列接続された第１フィルタ１１および第３フィルタ１３のうち、アンテナ共通端子１０１に近い第１フィルタ１１の第２通過帯域における反射係数を大きくしておくことが効果的である。

一方で、直列接続された第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の反射特性を上記のように向上させつつ、直列接続された第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を要求仕様等に応じて確保する必要がある。フィルタ構成によっては、反射特性と上記フィルタ特性とは両立しないケースがある。

以上の観点から、発明者らは、直列接続された第１フィルタ１１および第３フィルタ１３において、反射特性に影響の大きい第１フィルタ１１では反射係数を大きくすることを優先させ、反射特性に影響の小さい第３フィルタ１３では、通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を確保する構成をとることを見出した。

本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１の構成によれば、第１フィルタ１１の第２通過帯域における反射係数が、第３フィルタ１３の第２通過帯域における反射係数よりも大きい。ここで、後段に配置された第３フィルタ１３は、反射特性よりもフィルタ通過特性および減衰特性が重視されるため、アンテナ共通端子１０１側から第１フィルタ１１、スイッチ２１、および第３フィルタ１３を見た場合の第２通過帯域における反射係数を、第３フィルタ１３のフィルタ特性を劣化させずに、より効果的に大きくできる。これにより、アンテナ素子と第１フィルタ１１および第２フィルタ１２で構成される分波／合波回路との間にスイッチを配置することなく、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できるので、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路１を提供することが可能となる。

なお、第１フィルタ１１の第２通過帯域における反射係数は、０．９以上であることが好ましい。

また、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１において、アンテナ共通端子１０１で共通接続されたフィルタは、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の２つに限定されず、３つ以上のフィルタがアンテナ共通端子１０１で共通接続されていてもよい。

［１．３変形例に係る分波／合波回路の構成］
図３Ａは、実施の形態１の変形例１に係る分波回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路の分波／合波回路に適用されるトリプレクサの回路構成が例示されている。

本変形例に係る高周波フロントエンド回路は、分波／合波回路として、アンテナ共通端子１０１に接続されたＬＢ（ローバンド：６９８−９６０ＭＨｚ）フィルタ１１Ｌと、ＭＢａ（ミドルバンド：１７１０−２２００ＭＨｚ）フィルタ１１Ｍ１と、ＨＢａ（ハイバンド：２３００−２６９０ＭＨｚ）フィルタ１１Ｈ１とを備える。

つまり、変形例１に係る高周波フロントエンド回路は、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２のほか、さらに、アンテナ共通端子１０１に接続され、第３通過帯域を有する第４フィルタを備える。ここで、実施の形態１に係る第１フィルタ１１は、本変形例におけるＬＢフィルタ１１Ｌ、ＭＢａフィルタ１１Ｍ１、およびＨＢａフィルタ１１Ｈ１のいずれか任意の１つに相当する。

図３Ｂは、実施の形態１の変形例２に係る分波回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路の分波／合波回路に適用されるクワッドプレクサの回路構成が例示されている。

本変形例に係る高周波フロントエンド回路は、分波／合波回路として、アンテナ共通端子１０１に接続されたＬＢ（ローバンド：６９８−９６０ＭＨｚ）フィルタ１１Ｌと、ＭＢａ（ミドルバンド：１７１０−２２００ＭＨｚ）フィルタ１１Ｍ１と、ＭＨＢａ（ミドルハイバンド：２３００−２４００ＭＨｚ）フィルタ１１ＭＨ１と、ＨＢｂ（ミドルハイバンド：２４９６−２６９０ＭＨｚ）フィルタ１１Ｈ２とを備える。

つまり、変形例２に係る高周波フロントエンド回路は、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２のほか、さらに、アンテナ共通端子１０１に接続され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、第４通過帯域を有する第５フィルタとを備える。ここで、実施の形態１に係る第１フィルタ１１は、本変形例におけるＬＢフィルタ１１Ｌ、ＭＢａフィルタ１１Ｍ１、ＭＨＢａフィルタ１１ＭＨ１、およびＨＢｂフィルタ１１Ｈ２のいずれか任意の１つに相当する。

図３Ｃは、実施の形態１の変形例３に係る分波回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路の分波／合波回路に適用されるクワッドプレクサの回路構成が例示されている。

本変形例に係る高周波フロントエンド回路は、分波／合波回路として、アンテナ共通端子１０１に接続されたＭＬＢ（ミドルローバンド：１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）フィルタ１１Ｌ１と、ＭＢｂ（ミドルバンド：２１１０−２２００ＭＨｚ）フィルタ１１Ｍ２と、ＭＨＢａ（ミドルハイバンド：２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ）フィルタ１１ＭＨ１と、ＨＢｂ（ミドルハイバンド：２４９６−２６９０ＭＨｚ）フィルタ１１Ｈ２とを備える。

つまり、変形例３に係る高周波フロントエンド回路は、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２のほか、さらに、アンテナ共通端子１０１に接続され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、第４通過帯域を有する第５フィルタとを備える。ここで、実施の形態１に係る第１フィルタ１１は、本変形例におけるＭＬＢフィルタ１１Ｌ１、ＭＢｂフィルタ１１Ｍ２、ＭＨＢａフィルタ１１ＭＨ１、およびＨＢｂフィルタ１１Ｈ２のいずれか任意の１つに相当する。

［１．４変形例４に係る高周波フロントエンド回路の構成］
図４は、実施の形態１の変形例４に係る通信装置３の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る通信装置３が示されている。通信装置３は、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と、高周波信号処理回路（ＲＦＩＣ）４０とで構成されている。

高周波フロントエンド回路２は、アンテナ共通端子１０１と、分波回路１０および１４と、スイッチ２１および２２と、フィルタ回路１５と、増幅回路３０とを備える。

分波回路１０は、アンテナ共通端子１０１に接続され、ローパスフィルタ１０Ａ（通過帯域：６９９−９６０ＭＨｚ）およびハイパスフィルタ１０Ｂ（通過帯域：１４７５．９−２６９０ＭＨｚ）で構成されている。

分波回路１４は、ハイパスフィルタ１０Ｂに接続され、ＭＬＢフィルタ１１Ａ（１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ＭＢｂフィルタ１１Ｂ（２１１０−２２００ＭＨｚ）、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ（２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ）、およびＨＢｂフィルタ１１Ｄ（２４９６−２６９０ＭＨｚ）で構成されている。

スイッチ２１は、スイッチ２１Ａ、２１Ｃ、および２１Ｄで構成されている。スイッチ２２は、スイッチ２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、および２２Ｄで構成されている。

フィルタ回路１５は、フィルタ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ、１３ｇ、１３ｈ、１３ｊ、および１３ｋで構成されている。

増幅回路は、ＬＮＡ３１、３２、３３、３４、３５、および３６で構成されている。

分波回路１４は、高周波信号の周波数帯域を、４つの周波数帯域群に分割する。より具体的には、ＭＬＢフィルタ１１ＡはＢａ（バンドａ）、Ｂｂ（バンドｂ）、Ｂｃ（バンドｃ）、Ｂｄ（バンドｄ）、およびＢｅ（バンドｅ）の信号を通過させ、ＭＢｂフィルタ１１ＢはＢｐ（バンドｐ）の信号を通過させ、ＭＨＢａフィルタ１１ＣはＢｆ（バンドｆ）およびＢｇ（バンドｇ）の信号を通過させ、ＨＢｂフィルタ１１ＤはＢｈ（バンドｈ）、Ｂｊ（バンドｊ）、およびＢｋ（バンドｋ）の信号を通過させる。

スイッチ２１Ａは、共通端子がＭＬＢフィルタ１１Ａに接続され、各選択端子が、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）に接続されている。

スイッチ２１Ｃは、共通端子がＭＨＢａフィルタ１１Ｃに接続され、各選択端子が、フィルタ１３ｆ（Ｂｆ）および１３ｇ（Ｂｇ）に接続されている。

スイッチ２１Ｄは、共通端子がＨＢｂフィルタ１１Ｄに接続され、各選択端子が、フィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、１３ｊ（Ｂｊ）、および１３ｋ（Ｂｋ）に接続されている。

スイッチ２２Ｂは、共通端子がＬＮＡ３１に接続され、各選択端子がＭＢｂフィルタ１１Ｂおよびフィルタ１３ｄに接続されている。

スイッチ２２Ａは、共通端子がＬＮＡ３２に接続され、各選択端子がフィルタ１３ｃ、１３ｂ、および１３ｅに接続されている。

スイッチ２２Ｄは、共通端子がＬＮＡ３３に接続され、各選択端子がフィルタ１３ｋ、１３ｈ、および１３ｊに接続されている。

スイッチ２２Ｃは、共通端子がＬＮＡ３４に接続され、各選択端子がフィルタ１３ｆおよび１３ｇに接続されている。

なお、ＭＬＢフィルタ１１Ａの通過帯域（１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）は、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＭＢｂフィルタ１１Ｂ（２１１０−２２００ＭＨｚ）は、Ｂｐの各通過帯域を包含している。ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ（２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｆ（Ｂｆ）および１３ｇ（Ｂｇ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＨＢｂフィルタ１１Ｄ（２４９６−２６９０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、１３ｊ（Ｂｊ）、および１３ｋ（Ｂｋ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。

高周波信号処理回路（ＲＦＩＣ）４０は、ＬＮＡ３１〜３６の出力端子に接続され、アンテナ素子から各バンドの受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を、後段のベースバンド信号処理回路へ出力する。ＲＦ信号処理回路４０は、例えば、ＲＦＩＣである。また、高周波信号処理回路（ＲＦＩＣ）４０は、使用されるバンドに応じて、制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｃ、Ｓ１Ｄ、Ｓ２Ａ、Ｓ２Ｂ、Ｓ２Ｃ、およびＳ２Ｄを、それぞれ、スイッチ２１Ａ、２１Ｃ、２１Ｄ、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、および２２Ｄに出力する。これにより、各スイッチは信号経路の接続を切り替える。

上記構成を有する通信装置３において、例えば、スイッチ２１Ａ、２１Ｃおよび２１Ｄを切り替えることにより、ＭＬＢ（１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ＭＢｂ（２１１０−２２００ＭＨｚ）、ＭＨＢａ（２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ）、およびＨＢｂ（２４９６−２６９０ＭＨｚ）から、それぞれ１バンドを選択することにより、ＣＡ動作が可能である。

ここで、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１の構成を、本変形例に係る高周波フロントエンド回路２に適用することができる。つまり、高周波フロントエンド回路１における第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の組み合わせとして、（１）ＭＬＢフィルタ１１Ａおよびフィルタ１３ａ（Ｂａ）、（２）ＭＬＢフィルタ１１Ａおよびフィルタ１３ｂ（Ｂｂ）、（３）ＭＬＢフィルタ１１Ａおよびフィルタ１３ｃ（Ｂｃ）、（４）ＭＬＢフィルタ１１Ａおよびフィルタ１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）、（５）ＭＨＢａフィルタ１１Ｃおよびフィルタ１３ｆ（Ｂｆ）、（６）ＭＨＢａフィルタ１１Ｃおよびフィルタ１３ｇ（Ｂｇ）、（７）ＨＢｂフィルタ１１Ｄおよびフィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、（８）ＨＢｂフィルタ１１Ｄおよびフィルタ１３ｊ（Ｂｊ）、ＨＢｂフィルタ１１Ｄおよびフィルタ１３ｋ（Ｂｋ）が挙げられる。また、第２フィルタ１２として、ＭＬＢフィルタ１１Ａ、ＭＢｂフィルタ１１Ｂ、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ、およびＨＢｂフィルタ１１Ｄの少なくとも１つが挙げられる。

例えば、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の組み合わせとして、（１）ＭＬＢフィルタ１１Ａおよびフィルタ１３ａ（Ｂａ）が選択され、第２フィルタ１２として、ＭＢｂフィルタ１１Ｂが選択された場合には、ＭＬＢフィルタ１１Ａの２１１０−２２００ＭＨｚ（ＭＢｂフィルタ１１Ｂの通過帯域）における反射係数が、フィルタ１３ａの２１１０−２２００ＭＨｚ（ＭＢｂフィルタ１１Ｂの通過帯域）における反射係数よりも大きく小さく設定される。

また、例えば、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の組み合わせとして、（１）ＭＬＢフィルタ１１Ａおよびフィルタ１３ａ（Ｂａ）が選択され、第２フィルタ１２として、ＭＢｂフィルタ１１Ｂ、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ、およびＨＢｂフィルタ１１Ｄの３フィルタが選択された場合には、ＭＬＢフィルタ１１Ａの２１１０−２２００ＭＨｚ（ＭＢｂフィルタ１１Ｂの通過帯域）、２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ（ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの通過帯域）、および２４９６−２６９０ＭＨｚ（ＨＢｂフィルタ１１Ｄの通過帯域）における反射係数が、フィルタ１３ａの２１１０−２２００ＭＨｚ、２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ、および２４９６−２６９０ＭＨｚにおける反射係数よりも大きく設定される。

以上の構成によれば、ＣＡ動作させるバンドの数が多くなっても、分波回路１４およびフィルタ回路１５の反射特性の関係を、実施の形態１における第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の反射特性の関係となるよう設定することにより、例えば３ＧＰＰ規格に規定されている全てのＣＡ組み合わせに対応させることが可能となる。また、分波回路１４およびフィルタ回路１５の反射特性の関係を設定しておくことで、後段のフィルタ回路１５に対応するバンドを容易に変更することが可能となる。よって、仕向け地ごとに最適なバンド構成のモジュールを簡素化された回路設計で提供できる。

なお、本変形例では、アンテナ素子からの高周波信号を受信して高周波信号処理回路４０へ伝達する、受信用の高周波フロントエンド回路を例示したが、送信用または送受信用の高周波フロントエンド回路であってもよい。送信用の高周波フロントエンド回路の場合には、増幅回路３０はパワーアンプで構成される。また、送受信用の高周波フロントエンド回路の場合には、フィルタ回路１５は、各バンドに割り当てられたデュプレクサで構成される。

［１．５変形例５に係る高周波フロントエンド回路の構成］
図５Ａは、実施の形態１の変形例５に係る高周波フロントエンド回路２Ａの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ａは、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と比較して、フィルタ１３ｇおよび１３ｋが配置されていない点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ａについて、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

高周波フロントエンド回路２Ａにおいて、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの通過帯域が２３００−２３７０ＭＨｚである場合には、例えば、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの後段に配置されるＢ４０ａ（Ｂｇに相当：通過帯域２３００−２３７０ＭＨｚ）の通過帯域と一致している。一方、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの後段に配置されるフィルタ１３ｆは、例えば、Ｂ３０（通過帯域２３５０−２３６０ＭＨｚ）に対応しており、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの通過帯域２３００−２３７０ＭＨｚに含まれる。ここで、Ｂ４０ａの信号の通過特性は、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの通過特性で十分であるので、Ｂ４０ａの信号経路上にはフィルタ１３ｇを配置する必要がない。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応の分波回路１４（クワッドプレクサ）を含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性が可能な、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、高周波フロントエンド回路２Ａにおいて、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの通過帯域が２３００−２４００ＭＨｚである場合には、例えば、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの後段に配置されるＢ４０（Ｂｇに相当：通過帯域２３００−２４００ＭＨｚ）の通過帯域と一致している。一方、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの後段に配置されるフィルタ１３ｆは、例えば、Ｂ３０（通過帯域２３５０−２３６０ＭＨｚ）に対応しており、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの通過帯域２３００−２４００ＭＨｚに含まれる。ここで、Ｂ４０の信号の通過特性は、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃの通過特性で十分であるので、Ｂ４０の信号経路上にはフィルタ１３ｇを配置する必要がない。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応の分波回路１４（クワッドプレクサ）を含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性が可能な、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

また、高周波フロントエンド回路２Ａにおいて、ＨＢｂフィルタ１１Ｄの通過帯域は２４９６−２６９０ＭＨｚとなっており、ＨＢｂフィルタ１１Ｄの後段に配置されるＢ４１の通過帯域と一致している。一方、ＨＢｂフィルタ１１Ｄの後段に配置されるフィルタ１３ｈは、例えば、Ｂ３８（通過帯域２５７０−２６２０ＭＨｚ）に対応しており、ＨＢｂフィルタ１１Ｄの通過帯域２４９６−２６９０ＭＨｚに含まれる。また、ＨＢｂフィルタ１１Ｄの後段に配置されるフィルタ１３ｊは、例えば、Ｂ７（通過帯域２６２０−２６９０ＭＨｚ）に対応しており、ＨＢｂフィルタ１１Ｄの通過帯域２４９６−２６９０ＭＨｚに含まれる。ここで、Ｂ４１の信号の通過特性は、ＨＢｂフィルタ１１Ｄの通過特性で十分であるので、Ｂ４１の信号経路上にはフィルタ１３ｋを配置する必要がない。よって、ＭＬＢ、ＭＢｂ、ＭＨＢａおよびＨＢｂ対応の分波回路１４（クワッドプレクサ）を含む構成において、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性が可能な、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

［１．６変形例６に係る高周波フロントエンド回路の構成］
図５Ｂは、実施の形態１の変形例６に係る高周波フロントエンド回路２Ｂの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ｂは、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と比較して、送信（Ｔｘ）バイパス経路が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ｂについて、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

高周波フロントエンド回路２Ｂは、アンテナ共通端子１０１と、分波回路１０（ローパスフィルタ１０Ａ、ハイパスフィルタ１０Ｂ）および１４（ＭＬＢフィルタ１１Ａ、ＭＢｂフィルタ１１Ｂ、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ、ＨＢｂフィルタ１１Ｄ）と、スイッチ２１（スイッチ２１Ｅ、スイッチ２１Ｃ、スイッチ２１Ｄ）および２２（図示せず）と、フィルタ回路１５（フィルタ１３ａ−１３ｋ）と、増幅回路３０（図示せず）とを備える。

スイッチ２１は、スイッチ２１Ｅ、２１Ｃ、および２１Ｄで構成されている。

スイッチ２１Ｅは、共通端子がＭＬＢフィルタ１１Ａに接続され、各選択端子が、送信（Ｔｘ）バイパス経路、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）に接続されている。

送信（Ｔｘ）バイパス経路は、ＭＬＢ／ＬＭＢに属するバンドの送信信号を伝搬する経路であって、例えば、バンドａ、バンドｂ、バンドｃ、バンドｄ、およびバンドｅの少なくとも１つの送信帯域の信号を伝搬する経路である。

なお、ＭＬＢフィルタ１１Ａの通過帯域（１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）は、送信（Ｔｘ）バイパス経路を伝搬する送信通過帯域、および、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＭＢｂフィルタ１１Ｂ（２１１０−２２００ＭＨｚ）は、Ｂｐの各通過帯域を包含している。ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ（２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｆ（Ｂｆ）および１３ｇ（Ｂｇ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＨＢｂフィルタ１１Ｄ（２４９６−２６９０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、１３ｊ（Ｂｊ）、および１３ｋ（Ｂｋ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。

上記構成により、送信（Ｔｘ）バイパス経路、スイッチ２１Ｅ、ＭＬＢフィルタ１１Ａ、ハイパスフィルタ１０Ｂ、およびアンテナ共通端子１０１を結ぶ信号経路を、送信信号経路として使用することが可能となる。

上記構成によれば、ＭＬＢ／ＬＭＢに属する送信信号と、ＭＢ、ＭＨＢ、ＨＢに属する受信信号とを、アンテナ共通端子１０１に接続されるアンテナで、ＣＡ動作させることも可能となる。つまり、アンテナ共通端子１０１に接続されるアンテナを、受信用としてだけでなく、送受共用のアンテナとして使用できる。

なお、本変形例では、送信（Ｔｘ）バイパス経路がＭＬＢ／ＬＭＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｅに接続された構成としたが、送信（Ｔｘ）バイパス経路がＭＨＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｃ、または、ＨＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｄに接続された構成であってもよい。

［１．７変形例７に係る高周波フロントエンド回路の構成］
図５Ｃは、実施の形態１の変形例７に係る高周波フロントエンド回路２Ｃの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ｃは、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と比較して、送信フィルタを含む送信（Ｔｘ）経路が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ｃについて、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

高周波フロントエンド回路２Ｃは、アンテナ共通端子１０１と、分波回路１０（ローパスフィルタ１０Ａ、ハイパスフィルタ１０Ｂ）および１４（ＭＬＢフィルタ１１Ａ、ＭＢｂフィルタ１１Ｂ、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ、ＨＢｂフィルタ１１Ｄ）と、スイッチ２１（スイッチ２１Ｆ、スイッチ２１Ｃ、スイッチ２１Ｄ）および２２（図示せず）と、フィルタ回路１５（フィルタ１３ａ−１３ｋおよび送信フィルタ１３ｔ）と、増幅回路３０（図示せず）とを備える。

スイッチ２１は、スイッチ２１Ｆ、２１Ｃ、および２１Ｄで構成されている。

スイッチ２１Ｆは、共通端子がＭＬＢフィルタ１１Ａに接続され、各選択端子が、送信（Ｔｘ）経路、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）に接続されている。スイッチ２１Ｆは、共通端子と２以上の選択端子とを同時に接続することが可能なスイッチである。

送信（Ｔｘ）経路には、送信フィルタ１３ｔが配置されている。

なお、ＭＬＢフィルタ１１Ａの通過帯域（１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）は、送信フィルタ１３ｔ、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＭＢｂフィルタ１１Ｂ（２１１０−２２００ＭＨｚ）は、Ｂｐの各通過帯域を包含している。ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ（２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｆ（Ｂｆ）および１３ｇ（Ｂｇ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＨＢｂフィルタ１１Ｄ（２４９６−２６９０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、１３ｊ（Ｂｊ）、および１３ｋ（Ｂｋ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。

上記構成により、送信（Ｔｘ）経路、スイッチ２１Ｆ、ＭＬＢフィルタ１１Ａ、ハイパスフィルタ１０Ｂ、およびアンテナ共通端子１０１を結ぶ送信信号経路と、アンテナ共通端子１０１、ハイパスフィルタ１０Ｂ、ＭＬＢフィルタ１１Ａ、スイッチ２１Ｆ、および、フィルタ１３ａ〜１３ｅのいずれか、を結ぶ受信信号経路とを同時に使用することが可能となる。これにより、同一バンドにおいて同時送受信をすることも可能となる。また、アンテナ共通端子１０１に接続されるアンテナを、受信用としてだけでなく、送受共用のアンテナとして使用できる。

さらに、上記送信（Ｔｘ）経路が、高周波フロントエンド回路２Ｃと異なる高周波フロントエンド回路にも接続されるような構成が想定され、この場合、高周波フロントエンド回路２Ｃと、当該異なる高周波フロントエンド回路との２系統で、２つのアンテナによる、いわゆる２アップリンクによる送信動作をすることが可能となる。

なお、本変形例では、送信（Ｔｘ）経路がＭＬＢ／ＬＭＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｆに接続された構成としたが、送信（Ｔｘ）経路がＭＨＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｃ、または、ＨＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｄに接続された構成であってもよい。

［１．８変形例８に係る高周波フロントエンド回路の構成］
図５Ｄは、実施の形態１の変形例８に係る高周波フロントエンド回路２Ｄの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ｄは、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と比較して、デュプレクサを含む送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路２Ｄについて、変形例４に係る高周波フロントエンド回路２と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

高周波フロントエンド回路２Ｄは、アンテナ共通端子１０１と、分波回路１０（ローパスフィルタ１０Ａ、ハイパスフィルタ１０Ｂ）および１４（ＭＬＢフィルタ１１Ａ、ＭＢｂフィルタ１１Ｂ、ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ、ＨＢｂフィルタ１１Ｄ）と、スイッチ２１（スイッチ２１Ｇ、スイッチ２１Ｃ、スイッチ２１Ｄ）および２２（図示せず）と、フィルタ回路１５（フィルタ１３ａ−１３ｋ）と、増幅回路３０（図示せず）とを備える。

スイッチ２１は、スイッチ２１Ｇ、２１Ｃ、および２１Ｄで構成されている。

スイッチ２１Ｇは、共通端子がＭＬＢフィルタ１１Ａに接続され、各選択端子が、送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）に接続されている。

送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路には、送信フィルタ１３ｔ１および受信フィルタ１３ｒ１で構成されたデュプレクサが配置されている。

なお、ＭＬＢフィルタ１１Ａの通過帯域（１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）は、送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路に配置されたデュプレクサ、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＭＢｂフィルタ１１Ｂ（２１１０−２２００ＭＨｚ）は、Ｂｐの各通過帯域を包含している。ＭＨＢａフィルタ１１Ｃ（２３００−２４００ＭＨｚまたは２３００−２３７０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｆ（Ｂｆ）および１３ｇ（Ｂｇ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。ＨＢｂフィルタ１１Ｄ（２４９６−２６９０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、１３ｊ（Ｂｊ）、および１３ｋ（Ｂｋ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。

上記構成により、上記送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路、スイッチ２１Ｇ、ＭＬＢフィルタ１１Ａ、ハイパスフィルタ１０Ｂ、およびアンテナ共通端子１０１を結ぶ信号経路を使用することが可能となる。これにより、上記送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路を伝搬する同一バンドの送信信号および受信信号を同時送受信することも可能となる。また、アンテナ共通端子１０１に接続されるアンテナを、受信用としてだけでなく、送受共用のアンテナとして使用できる。

さらに、上記送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路が、高周波フロントエンド回路２Ｄと異なる高周波フロントエンド回路にも接続されるような構成が想定され、この場合、高周波フロントエンド回路２Ｄと、当該異なる高周波フロントエンド回路との２系統で、２つのアンテナによる、いわゆる２アップリンクによる送信動作をすることが可能となる。

なお、本変形例では、送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路がＭＬＢ／ＬＭＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｇに接続された構成としたが、送受信（Ｔｘ／Ｒｘ）経路がＭＨＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｃ、または、ＨＢ内のバンドを切り替えるスイッチ２１Ｄに接続された構成であってもよい。

（実施の形態２）
実施の形態１では、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とがアンテナ共通端子で共通接続され、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とがスイッチを介して直列接続される構成において、反射特性に影響の大きい第１フィルタ１１では反射係数を大きくすることを優先させ、反射特性に影響の小さい第３フィルタ１３では、通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を確保する構成をとることが好ましいことを説明した。本実施の形態では、上記観点から、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の構造の組み合わせについて例示する。

本実施の形態において、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３は、弾性波共振子で構成されており、ラダー型のフィルタ構造を有していてもよい。この場合、アンテナ共通端子１０１側に配置された１以上の弾性波共振子は、直列腕共振子および並列腕共振子の少なくとも一方を含んでいる。これにより、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の低損失性を確保しつつ、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３は、縦結合型のフィルタ構造を有していてもよい。これにより、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３を、減衰強化等が要求されるフィルタ特性に適応させることが可能となる。

また、弾性波共振子の構造としては、弾性表面波（ＳＡＷ：ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）共振子、ＳＭＲ（ＳｏｌｉｄｌｙＭｏｕｎｔｅｄＲｅｓｏｎａｔｏｒ）、およびＢＡＷ（ＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）を用いたＦＢＡＲ（ＦｉｌｍＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＲｅｓｏｎａｔｏｒ）などが例示される。

ここで、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３のそれぞれは、２以上の弾性波共振子を含み、第１フィルタ１１を構成する上記２以上の弾性波共振子のうちアンテナ共通端子１０１側に配置された１以上の弾性波共振子を単体でアンテナ共通端子１０１側から見た場合の第２通過帯域における反射係数は、第３フィルタ１３を構成する上記２以上の弾性波共振子のうちアンテナ共通端子１０１側に配置された１以上の弾性波共振子を単体でアンテナ共通端子１０１側から見た場合の第２通過帯域における反射係数よりも大きくてもよい。

複数の弾性波共振子からなるフィルタにおいて、アンテナ共通端子１０１側から見た反射係数は、アンテナ共通端子１０１に最近接した１つの弾性波共振子の反射係数が支配的となる。これによれば、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できる。

以下では、前段の第１フィルタ１１で反射係数を増大させ、後段の第３フィルタで通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を向上させる具体的構成の組み合わせを例示する。

まず、弾性波共振子の構造の一例について説明する。

［２．１弾性波共振子構造］
図６は、実施の形態２に係るフィルタ共振子を模式的に表す平面図および断面図の一例である。図６では、本実施の形態に係る弾性波共振子（直列腕共振子および並列腕共振子）が、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）共振子である場合を示している。なお、同図には、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３を構成する複数の共振子のうち、１つの弾性波共振子の構造を表す平面摸式図および断面模式図が例示されている。なお、図６に示された弾性波共振子は、上記複数の共振子の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。

第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の各共振子は、圧電体層８３を有する基板８０と、櫛形形状を有するＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極７１ａおよび７１ｂとで構成されている。

図６の平面図に示すように、圧電体層８３の上には、互いに対向する一対のＩＤＴ電極７１ａおよび７１ｂが形成されている。ＩＤＴ電極７１ａは、互いに平行な複数の電極指１７２ａと、複数の電極指１７２ａを接続するバスバー電極１７１ａとで構成されている。また、ＩＤＴ電極７１ｂは、互いに平行な複数の電極指１７２ｂと、複数の電極指１７２ｂを接続するバスバー電極１７１ｂとで構成されている。複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂは、Ｘ軸方向と直交する方向に沿って形成されている。

また、複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂ、ならびに、バスバー電極１７１ａおよび１７１ｂで構成されるＩＤＴ電極７１は、図７の断面図に示すように、密着層７２と主電極層７３との積層構造となっている。

密着層７２は、圧電体層８３と主電極層７３との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。密着層７２の膜厚は、例えば、１０ｎｍ程度である。

主電極層７３は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。主電極層７３の膜厚は、例えば１３０ｎｍ程度である。

保護膜８４は、ＩＤＴ電極７１ａおよび７１ｂを覆うように形成されている。保護膜８４は、主電極層７３を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。保護膜８４の膜厚は、例えば３０ｎｍ程度である。

なお、密着層７２、主電極層７３および保護膜８４を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極７１は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極７１は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護膜８４は、形成されていなくてもよい。

つぎに、基板８０の積層構造について説明する。

図６の下段に示すように、基板８０は、高音速支持基板８１と、低音速膜８２と、圧電体層８３とを備え、高音速支持基板８１、低音速膜８２および圧電体層８３がこの順で積層された構造（音速膜積層構造）を有している。

圧電体層８３は、例えば、４２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸から４２°回転した軸を法線とする面で切断したタンタル酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。この場合、弾性波共振子は、リーキー波を弾性波として利用する。

また、圧電体層８３は、例えば、１２８°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。この場合、弾性波共振子は、レイリー波を弾性波として利用する。

また、圧電体層８３は、例えば、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。この場合、弾性波共振子は、ラブ波を弾性波として利用する。

なお、圧電体層８３の単結晶材料、カット角、積層構造は、フィルタの要求仕様（通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性）などに応じて、適宜、選択される。

高音速支持基板８１は、低音速膜８２、圧電体層８３ならびにＩＤＴ電極７１を支持する基板である。高音速支持基板８１は、さらに、圧電体層８３を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板８１中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電体層８３および低音速膜８２が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板８１より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板８１は、例えば、シリコン基板であり、厚みは、例えば２００μｍである。なお、高音速支持基板８１は、（１）窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、または水晶等の圧電体、（２）アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、またはフォルステライト等の各種セラミック、（３）マグネシアダイヤモンド、（４）上記各材料を主成分とする材料、ならびに、（５）上記各材料の混合物を主成分とする材料、のいずれかで構成されていてもよい。

低音速膜８２は、圧電体層８３を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速膜８２中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電体層８３と高音速支持基板８１との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜８２は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。低音速膜８２の厚みは、例えば５００ｎｍ程度である。

基板８０の上記音速膜積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している従来の構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。

なお、高音速支持基板８１は、支持基板と、圧電体層８３を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。

なお、上記説明では、弾性波共振子を構成するＩＤＴ電極７１は、圧電体層８３を有する基板８０上に形成された例を示したが、ＩＤＴ電極７１が形成される基板は、圧電体層８３の単層からなる圧電基板であってもよい。この場合の圧電基板は、例えば、ＬｉＴａＯ_３の圧電単結晶、または、ＬｉＮｂＯ_３などの他の圧電単結晶で構成される。

また、ＩＤＴ電極７１が形成される基板は、圧電体層８３を有する限り、全体が圧電体層からなるものの他、支持基板上に圧電体層が積層されている構造を用いてもよい。

ここで、ＩＤＴ電極７１の設計パラメータについて説明する。弾性表面波共振子の波長とは、図６の中段に示すＩＤＴ電極７１を構成する複数の電極指１７２ａまたは１７２ｂの繰り返し周期である波長λで規定される。また、電極ピッチは、波長λの１／２であり、ＩＤＴ電極７１ａおよび７１ｂを構成する電極指１７２ａおよび１７２ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指１７２ａと電極指１７２ｂとの間のスペース幅をＳとした場合、（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、ＩＤＴ電極の交叉幅Ｌは、図６の上段に示すように、ＩＤＴ電極７１ａの電極指１７２ａとＩＤＴ電極７１ｂの電極指１７２ｂとのＸ軸方向から見た場合の重複する電極指長さである。また、各共振子の電極デューティーは、複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂのライン幅占有率であり、複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。

［２．２弾性波共振子構造＿低域１における反射係数］
以下、第１フィルタ１１で反射係数を増大させ、第３フィルタ１３で通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を向上させる具体的構成の組み合わせを例示する。

図７Ａは、実施の形態２の変形例２に係る高周波フロントエンド回路の低域１における反射特性を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子のインピーダンス特性において、インピーダンスが極小値となる共振点、および、インピーダンスが極大値となる反共振点が確認される。ここで、共振点よりも低周波側の領域（図７Ａの低域１）では、弾性波共振子の構造に応じてインピーダンスが異なり、当該インピーダンスの大小に応じて反射特性の優劣が存在する。より具体的には、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造、ならびに（４）上記音速膜積層構造、の方が、ＳＭＲまたはＦＢＡＲよりも、低域１における反射係数損失が大きい。

図７Ｂは、実施の形態２に係る第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の構成の組み合わせを表す図である。

上記反射係数の関係より、第１フィルタ１１の第１通過帯域が、第２フィルタ１２の第２通過帯域よりも高周波側に位置する場合、図７Ｂに示すように、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路において、第１フィルタ１１では、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造としてもよい。

これにより、高周波フロントエンド回路において、第１フィルタ１１の第２通過帯域（第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、第３フィルタ１３の第２通過帯域（第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

一方、第３フィルタ１３では、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成されてもよい。

これにより、第１フィルタ１１の構成により第２フィルタ１２の反射係数を増大させつつ、第３フィルタ１３の上記構成により、第２フィルタ１２の低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。

また、図７Ｂに示すように、第１フィルタ１１を構成する弾性波共振子のそれぞれは、上述した音速膜積層構造を有し、第３フィルタ１３では、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成されてもよい。

これにより、高周波フロントエンド回路において、第１フィルタ１１の第２通過帯域（第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、第３フィルタ１３の第２通過帯域（第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数よりも大きくすることが可能となる。よって、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。第１フィルタ１１の構成により第２フィルタ１２の反射係数を増大させつつ、第３フィルタ１３の上記構成により、第２フィルタ１２の低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。

［２．３弾性波共振子構造＿高域１におけるバルク波漏洩］
図８Ａは、実施の形態２の変形例１に係る高周波フロントエンド回路の高域１におけるバルク波漏洩を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の反共振点よりも高周波側の領域（図８Ａの高域１）では、バルク波漏洩（不要波）によるインピーダンスの変化が発生し、当該インピーダンスの変化に応じて反射特性の優劣が存在する。より具体的には、高域１でのバルク波漏洩による反射損失は、小さい方から順に、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性波として利用する構造、ＳＭＲ、ＦＢＡＲ、（２）音速膜積層構造、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造、（４）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性波として利用する構造、となる。

図８Ｂは、実施の形態２の変形例１に係る第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の構成の組み合わせを表す図である。

上記反射損失の優劣順位により、第１フィルタ１１の第１通過帯域が、第２フィルタ１２の第２通過帯域よりも低周波側に位置する場合、図８Ｂに示すように、高周波フロントエンド回路の低周波側の第１フィルタ１１では、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（３）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであってもよい。

これにより、高周波フロントエンド回路において、低周波側の第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、第３フィルタ１３の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数よりも大きくすることが可能となる。よって、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

一方、第３フィルタ１３は、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、のいずれかを有していてもよい。

これにより、第１フィルタ１１の構成により第１フィルタ１１の反射係数を増大させつつ、第３フィルタ１３を音速膜積層構造とした場合には、第３フィルタ１３の低損失性および良好な温度特性を確保できる。また、第３フィルタ１３においてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第３フィルタ１３の広い帯域幅を確保できる。

また、第１フィルタ１１では、弾性波共振子が、上記音速膜積層構造を有し、第３フィルタ１３では、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

これにより、高周波フロントエンド回路において、低周波側の第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、第３フィルタ１３の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数よりも大きくすることが可能となる。よって、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。さらに、第３フィルタ１３においてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第３フィルタ１３の広い帯域幅を確保できる。

また、第１フィルタ１１では、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造を有し、第３フィルタ１３では、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

よって、高周波フロントエンド回路において、低周波側の第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、第３フィルタ１３の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。さらに、第３フィルタ１３においてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第３フィルタ１３の広い帯域幅を確保できる。

［２．４弾性波共振子構造＿低域２におけるスプリアス］
図９Ａは、実施の形態２の変形例２に係る高周波フロントエンド回路の低域２におけるスプリアスの発生を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の共振点よりも低周波側の領域（図９Ａの低域２）では、特に、上記音速膜積層構造、または、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造において、共振周波数の０．７６倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。このスプリアス発生によりインピーダンスが変化し、当該インピーダンスの変化に応じて反射係数が小さくなる。

図９Ｂは、実施の形態２の変形例２に係る第１フィルタおよび第３フィルタの構成の組み合わせを表す図である。

第１フィルタ１１の第１通過帯域が、第２フィルタ１２の第２通過帯域よりも高周波側に位置する場合、図９Ｂに示すように、第１フィルタ１１は、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、第３フィルタ１３は、弾性波共振子が、上記音速膜積層構造を有していてもよい。

つまり、第３フィルタ１３を音速膜積層構造とし、第１フィルタ１１を音速膜積層構造としないことにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（低周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、図９Ｂに示すように、第１フィルタ１１は、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（３）上記音速膜積層構造、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、第３フィルタ１３は、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

つまり、第３フィルタ１３ではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用し、第１フィルタ１１ではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用しないことにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（低周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

［２．５弾性波共振子構造＿高域２における高次モード］
図１０Ａは、実施の形態２の変形例３に係る高周波フロントエンド回路の高域２における高次モードの発生を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の共振点よりも高周波側の領域（図１０Ａの高域２）では、特に、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、または、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造において、共振周波数の１．２倍付近に高次モードが発生する。この高次モード発生によりインピーダンスが変化し、当該インピーダンスの変化に応じて反射係数が小さくなる。

図１０Ｂは、実施の形態２の変形例３に係る第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の構成の組み合わせを表す図である。

第１フィルタ１１の第１通過帯域が、第２フィルタ１２の第２通過帯域よりも低周波側に位置する場合、図１０Ｂに示すように、第１フィルタ１１は、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（４）ＳＭＲ、および（５）ＦＢＡＲ、のいずれかを有し、第３フィルタ１３は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

つまり、第３フィルタ１３ではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波と弾性波として利用し、第１フィルタ１１ではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波を弾性波として利用しないことにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、図１０Ｂに示すように、第１フィルタ１１は、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）上記音速膜積層構造、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（４）ＳＭＲ、および（５）ＦＢＡＲのいずれかを有しており、第３フィルタ１３では、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

つまり、第３フィルタ１３ではＬｉＮｂＯ_３のラブ波と弾性波として利用し、第１フィルタ１１ではＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性波として利用しないことにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

［２．６弾性波共振子構造パラメータの調整］
図１１Ａは、実施の形態２に係る第１フィルタ１１の高次モードによる反射損失の劣化を表すグラフである。同図に示すように、アンテナ共通端子１０１（Ｐｏｒｔ１）から見た第１フィルタ１１の反射損失は、共振点の高域側において、高次モードにより増大する（図１１Ａの破線領域）。ここで、高次モードにより反射損失が増大する周波数を、弾性波共振子の構造パラメータを変化させることにより、高周波側または低周波側へシフトさせることが可能である。または、弾性波共振子の構造パラメータを変化させることにより、高次モードにより反射損失の増大を抑制することが可能である。

この観点から、発明者らは、反射特性に影響の大きい第１フィルタ１１では、構造パラメータを変化させることで高次モードやスプリアスなどの発生周波数を第２フィルタ１２の通過帯域外へとシフトさせ、反射特性に影響の小さい第３フィルタ１３では、通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を確保するために構造パラメータを最適化することを見出した。

図１１Ｂは、実施の形態２の変形例４に係る第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の構造を異ならせるパラメータを表す図である。

第１フィルタ１１を構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層８３を有する基板８０と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極７１とで構成された弾性表面波共振子である。第１フィルタ１１および第３フィルタでは、図１１Ｂに示すように、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、第１フィルタ１１を構成するＩＤＴ電極７１と、第３フィルタ１３を構成するＩＤＴ電極７１とでは、電極膜厚またはデューティーが異なる。

ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第１フィルタ１１におけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第２通過帯域（低周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（低周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３では、図１１Ｂに示すように、弾性波共振子が上記音速膜積層構造を有し、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とでは、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚、ＩＤＴ電極７１のデューティー、および低音速膜８２の膜厚、のいずれかが異なってもよい。

音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第１フィルタ１１におけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第２通過帯域（低周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（低周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

図１１Ｃは、実施の形態２の変形例５に係る第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の構造を異ならせるパラメータを表す図である。

第１フィルタ１１および第３フィルタ１３を構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層８３を有する基板８０と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極７１と当該ＩＤＴ電極７１上に形成された保護膜８４で構成された弾性表面波共振子である。低周波側の第１フィルタ１１および第３フィルタ１３では、図１１Ｃに示すように、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、または、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用し、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とでは、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚、ＩＤＴ電極７１のデューティー、および保護膜８４の膜厚、のいずれかが異なる。

ＬｉＮｂＯ_３のレイリー波、またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚、ＩＤＴ電極７１のデューティー、または低音速膜８２の膜厚を異ならせることにより、第１フィルタ１１における高次モードの発生周波数を、第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

また、第１フィルタ１１および第３フィルタ１３では、図１１Ｃに示すように、弾性波共振子が上記音速膜積層構造を有し、高音速支持基板８１はシリコン結晶で構成され、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とでは、圧電体層８３の膜厚、低音速膜８２の膜厚、および高音速支持基板８１のシリコン結晶方位、のいずれかが異なってもよい。

音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とで、圧電体層８３の膜厚、低音速膜８２の膜厚、または高音速支持基板８１のシリコン結晶方位を異ならせることにより、第１フィルタ１１における高次モードの発生周波数を、第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

図１２は、実施の形態２の変形例６に係る第１フィルタ１１および第３フィルタ１３の構造を異ならせるパラメータを表す図である。

第１フィルタ１１および第３フィルタ１３を構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層８３を有する基板８０と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極７１とで構成された弾性表面波共振子である。第１フィルタ１１および第３フィルタ１３では、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、または、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用し、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とでは、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚が異なる。

ＬｉＴａＯ_３のリーキー波またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側にバルク波（不要波）が発生する。これに対して、第１フィルタ１１と第３フィルタ１３とで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚を異ならせることにより、第１フィルタ１１におけるバルク波の発生周波数を、第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１フィルタ１１の第２通過帯域（高周波側の第２フィルタ１２の通過帯域）における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２の第２通過帯域における挿入損失のうちの、第１フィルタ１１、第３フィルタ１３、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、アンテナ共通端子に接続された分波回路と、当該分波回路の後段に配置された各バンドに対応したフィルタとで構成された高周波フロントエンド回路の低損失化および小型化を実現する構成を説明する。

図１３Ａは、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路６の回路構成図である。同図に示された高周波フロントエンド回路６は、アンテナ共通端子１０１と、ＬＢフィルタ１１Ｌと、ＭＢフィルタ１１Ｍと、ＨＢフィルタ１１Ｈと、Ｂ３用のフィルタ１３ｂと、Ｂ３０用の１３ｆと、ＬＮＡ３１、３２および３４とを備える。

ＬＢフィルタ１１Ｌ、ＭＢフィルタ１１Ｍ、およびＨＢフィルタ１１Ｈは、アンテナ素子に接続される分波回路である。

ＬＢフィルタ１１Ｌは、ローバンド帯（例えば２ＧＨｚ以下）を通過帯域とする低域通過側フィルタである。

ＨＢフィルタ１１Ｈは、ハイバンド帯（例えば２．３ＧＨｚ以上）を通過帯域とする高域通過側フィルタである。

ＭＢフィルタ１１Ｍは、Ｂａｎｄ６６（２１１０−２２００ＭＨｚ）を通過帯域とする帯域通過型フィルタである。

フィルタ１３ｂは、Ｂａｎｄ３（１８０５−１８８０ＭＨｚ）を通過帯域とする帯域通過型フィルタである。

フィルタ１３ｆは、Ｂａｎｄ３０（２３５０−２３６０ＭＨｚ）を通過帯域とする帯域通過型フィルタである。

ここで、Ｂａｎｄ６６の通過帯域（２１１０−２２００ＭＨｚ）は、Ｂａｎｄ１の通過帯域（２１１０−２１７０ＭＨｚ）およびＢａｎｄ４の通過帯域（２１１０−２１５５ＭＨｚ）を含む関係にある。

これにより、Ｂａｎｄ１およびＢａｎｄ４の信号伝搬経路を、Ｂａｎｄ６６の信号伝搬経路で共用させることが可能となる。つまり、ＭＢフィルタ１１ＭからＬＮＡ３１までの信号経路上を、Ｂａｎｄ１およびＢａｎｄ４の高周波信号が伝搬する。

なお、上記回路構成において、ＣＡ動作をする組み合わせとしては、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ３とのＣＡ動作、および、Ｂａｎｄ４とＢａｎｄ３０とのＣＡ動作である。つまり、周波数帯域が重複するＢａｎｄ１とＢａｎｄ４とはＣＡ動作しない。

図１３Ｂは比較例に係る高周波フロントエンド回路６００の回路構成図である。Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ３とのＣＡ動作、および、Ｂａｎｄ４とＢａｎｄ３０とのＣＡ動作を実現する回路構成としては、従来、比較例に係る高周波フロントエンド回路６００が提示されていた。高周波フロントエンド回路６００は、アンテナ共通端子１０１と、スイッチ２１と、Ｂ１用のフィルタ１３ｐ、Ｂ３用のフィルタ１３ｂ、Ｂ４用のフィルタ１３ｐ、およびＢ３０用のフィルタ１３ｆと、ＬＮＡ３１、３２、３１、および３４とを備える。この構成において、スイッチ２１に切り替えにより、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ３とのＣＡ動作、または、Ｂａｎｄ４とＢａｎｄ３０とのＣＡ動作が選択される。

このようなＣＡ動作を実施する場合、比較例に示すように、Ｂ１用のフィルタ１３ｐとＢ４用のフィルタ１３ｐとを別途用意し、スイッチ２１により切り替えることで対応することが一般的である。しかしながら、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ４とは、通過帯域が大きく重複しているため、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路６のように、広帯域のＭＢフィルタ１１Ｍを用いることでフィルタを共用化できる。これに対して、比較例では、占有面積上で無駄が生じている。

つまり、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路６によれば、Ｂａｎｄ１およびＢａｎｄ４の高周波信号を、Ｂａｎｄ６６を通過帯域とするＭＢフィルタ１１Ｍで共用化できる。これにより、複数バンドの通過帯域を１つのバンドパスフィルタで実現することで、省スペース化が達成される。さらに、Ｂａｎｄ１およびＢａｎｄ４の高周波信号が通過するフィルタの数を低減できるため、高周波信号の伝搬損失を改善できる。

（その他の変形例など）
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、上記説明では、マルチプレクサとして、２つの受信信号経路が共通端子で共通接続された２分波／合波回路を例に説明したが、本発明は、例えば、送信経路および受信経路の双方を含む回路や３つ以上の信号経路が共通端子で共通接続された分波／合波回路についても適用することができる。

また、マルチプレクサが有する各フィルタにおいて、さらに、入出力端子および接地端子などの各端子の間に、インダクタやキャパシタが接続されていてもよいし、抵抗素子などのインダクタおよびキャパシタ以外の回路素子が付加されていてもよい。

本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる低損失、小型および低コストのマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、６、６００高周波フロントエンド回路
３通信装置
１０、１４分波回路
１０Ａローパスフィルタ
１０Ｂハイパスフィルタ
１１第１フィルタ
１１Ａ、１１Ｌ１ＭＬＢフィルタ
１１Ｂ、１１Ｍ２ＭＢｂフィルタ
１１Ｃ、１１ＭＨ１ＭＨＢａフィルタ
１１Ｄ、１１Ｈ２ＨＢｂフィルタ
１１ＨＨＢフィルタ
１１Ｈ１ＨＢａフィルタ
１１ＬＬＢフィルタ
１１ＭＭＢフィルタ
１１Ｍ１ＭＢａフィルタ
１１Ｘ、１２Ｈ通過帯域
１２第２フィルタ
１３第３フィルタ
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ、１３ｇ、１３ｈ、１３ｊ、１３ｋ、１３ｐフィルタ
１３ｒ１受信フィルタ
１３ｔ、１３ｔ１送信フィルタ
１５フィルタ回路
２１、２２、２１Ａ、２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ、２１Ｆ、２１Ｇ、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄスイッチ
２１ａ、１２ｂ選択端子
２１ｃ共通端子
３０増幅回路
３１、３２、３３、３４、３５、３６ＬＮＡ
７１、７１ａ、７１ｂＩＤＴ電極
７２密着層
７３主電極層
８０基板
８１高音速支持基板
８２低音速膜
８３圧電体層
８４保護膜
１０１アンテナ共通端子
１０２、１０３入出力端子
１７１ａ、１７１ｂバスバー電極
１７２ａ、１７２ｂ電極指

Claims

アンテナ素子に接続されるアンテナ共通端子と、
第１入出力端子および第２入出力端子と、
第１端子および第２端子を有し、第１通過帯域を有し、前記第１端子が前記アンテナ共通端子に接続される第１フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第２入出力端子との間に配置され、前記第１通過帯域と異なる第２通過帯域を有する第２フィルタと、
共通端子および複数の選択端子を有し、前記共通端子が前記第２端子に接続されたスイッチと、
前記複数の選択端子のうちの第１選択端子に接続され、前記スイッチと前記第１入出力端子との間に配置された第３フィルタと、を備え、
前記第１フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数は、前記第３フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数よりも大きい、
高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、２以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された１以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数は、前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された１以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２通過帯域における反射係数よりも大きい、
請求項１に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタの少なくとも一方は、ラダー型のフィルタ構造を有し、
前記アンテナ共通端子側に配置された１以上の弾性波共振子は、直列腕共振子および並列腕共振子の少なくとも一方を含む、
請求項１または２に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタの少なくとも一方は、縦結合型のフィルタ構造を有する、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第２入出力端子は、第２増幅回路に接続され、
前記第２フィルタと前記第２増幅回路との間には、フィルタ回路が配置されていない、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
第３入出力端子と、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、をさらに備え、
前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、および前記第４フィルタは、トリプレクサを構成し、
前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、および前記第３通過帯域は、ローバンド（ＬＢ：６９８−９６０ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢａ：１７１０−２２００ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢａ：２３００−２６９０ＭＨｚ）に適用され、
前記第１通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかである、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
第３入出力端子および第４入出力端子と、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、をさらに備え、
前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ローバンド（ＬＢ：６９８−９６０ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢａ：１７１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、
前記第１通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかである、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
第３入出力端子および第４入出力端子と、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、をさらに備え、
前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢｂ：２１１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚまたはＭＨＢｂ：２３００−２３７０ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、
前記第１通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかである、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
第３入出力端子および第４入出力端子と、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、をさらに備え、
前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢｂ：２１１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚまたはＭＨＢｂ：２３００−２３７０ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、
前記第１通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかであり、
前記第２通過帯域は、前記ミドルハイバンドであり、
前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていない、
請求項５に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する信号経路は、Ｂａｎｄ４０ａ（受信帯域：２３００−２３７０ＭＨｚ）の送受信を行う経路である、
請求項９に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する前記信号経路は、Ｂａｎｄ４０（受信帯域：２３００−２４００ＭＨｚ）の送受信を行う経路である、
請求項９に記載の高周波フロントエンド回路。
さらに、
第３入出力端子および第４入出力端子と、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に配置され、第３通過帯域を有する第４フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第４入出力端子との間に配置され、第４通過帯域を有する第５フィルタと、を備え、
前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第４フィルタ、および前記第５フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第１通過帯域、前記第２通過帯域、前記第３通過帯域、および前記第４通過帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９−２０２５ＭＨｚ）、ミドルバンド（ＭＢｂ：２１１０−２２００ＭＨｚ）、ミドルハイバンド（ＭＨＢａ：２３００−２４００ＭＨｚまたはＭＨＢｂ：２３００−２３７０ＭＨｚ）、ハイバンド（ＨＢｂ：２４９６−２６９０ＭＨｚ）に適用され、
前記第１通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ミドルハイバンドのいずれかであり、
前記第２通過帯域は、前記ハイバンドであり、
前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていない、
請求項５に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第２フィルタと前記第２増幅回路とを接続する前記信号経路は、Ｂａｎｄ４１（受信帯域：２４９６−２６９０ＭＨｚ）の送受信を行う経路である、
請求項１０に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第３フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲ（ＳｏｌｉｄｌｙＭｏｕｎｔｅｄＲｅｓｏｎａｔｏｒ）またはＦＢＡＲ（ＦｉｌｍＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＲｅｓｏｎａｔｏｒ）で構成される、
請求項１４に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記第３フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成される、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（３）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかである、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第３フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、ならびに（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、のいずれかである、
請求項１７に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記第３フィルタでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、
前記第３フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
前記第３フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも高周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（３）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
前記第３フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
前記第３フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１通過帯域は前記第２通過帯域よりも低周波側に位置し、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
前記第１フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
前記第３フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、
前記第１フィルタを構成する前記ＩＤＴ電極と、前記第３フィルタを構成する前記ＩＤＴ電極とでは、膜厚またはデューティーが異なる、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記ＩＤＴ電極の膜厚、前記ＩＤＴ電極のデューティー、および前記低音速膜の膜厚、のいずれかが異なる、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極と当該ＩＤＴ電極上に形成された保護膜で構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、
前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記ＩＤＴ電極の膜厚、前記ＩＤＴ電極のデューティー、および前記保護膜の膜厚、のいずれかが異なる、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記高音速支持基板はシリコン結晶で構成され、
前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記圧電体層の膜厚、前記低音速膜の膜厚、および前記高音速支持基板のシリコン結晶方位、のいずれかが異なる、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタを構成する前記２以上の弾性波共振子のそれぞれは、
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第１フィルタおよび前記第３フィルタでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、
前記第１フィルタと前記第３フィルタとでは、前記ＩＤＴ電極の膜厚が異なる、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記第１入出力端子に接続された第１増幅回路と、
前記第２入出力端子に接続された第２増幅回路と、をさらに備える、
請求項１〜２９のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
前記アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１〜３０のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
通信装置。