JP2018018920A - 光検出器、撮像装置及び光検出器の製造方法 - Google Patents
光検出器、撮像装置及び光検出器の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018018920A JP2018018920A JP2016147103A JP2016147103A JP2018018920A JP 2018018920 A JP2018018920 A JP 2018018920A JP 2016147103 A JP2016147103 A JP 2016147103A JP 2016147103 A JP2016147103 A JP 2016147103A JP 2018018920 A JP2018018920 A JP 2018018920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodetector
- pillar
- semiconductor substrate
- light
- contact layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
Description
(光検出器)
第1の実施の形態における光検出器について説明する。尚、本願においては、光とは、赤外光、可視光、紫外光のいずれかを含むものであるものとする。以下の説明においては、光が赤外光である場合について説明する。
次に、本実施の形態における光検出器の製造方法について説明する。本実施の形態においては、光検出部とピラー構造部とを貼り合わせることにより光検出器を製造する。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態における光検出器は、図6(a)に示すように、凹凸130aを有する反射膜130が形成されている構造のものである。ピラー構造部より光検出器に入射した光は、光吸収層において一部は吸収されるが、残りの一部は光吸収層を透過し、反射膜において反射される。反射膜が理想的に極めて平坦に形成されている場合には、反射膜により反射された光は、光の入射した光路と同じ光路を辿るため、反射光にはピラー構造部を透過し、光検出器の外に出射される成分が存在する場合がある。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態における光検出器は、図7に示すように、光吸収層222が、多層のAlGaAs/GaAs量子井戸層により形成されている。また、ピラー構造部250におけるピラー251は、長さ方向に周期性を有しており、具体的には、AlGaAsとGaAsとが長さ方向に周期的に形成されている。また、本実施の形態においては、ピラー251は、光検出器部分における半導体基板10の他方の面に形成されている。尚、本実施の形態においては、半導体基板10には、両面研磨のGaAs(111)B基板が用いられている。
次に、第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図8に示されるように、第1の実施の形態における光検出器の半導体基板10の他方の面に直接ピラー351を形成したものであり、GaAs基板の一方の面に光受光器を形成し、他方の面にピラーを形成した構造のものである。これにより、基板の貼り付け工程等が不要となる。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図9に示されるように、InP基板を用いたものであり、InP基板の一方の面に光受光器を形成し、他方の面にピラーを形成した構造のものである。これにより、基板の貼り付け工程等が不要となる。尚、半導体基板410には、両面研磨のInP(111)B基板が用いられる。
次に、第6の実施の形態における撮像装置について説明する。本実施の形態における撮像装置は、検出波長の異なる複数の光検出器を1画素としたものである。尚、光検出器には、第1から第5の実施の形態における光検出器のいずれかを用いることができる。
(付記1)
半導体基板の一方の面に、半導体材料により形成された第1のコンタクト層、光吸収層、第2のコンタクト層と、
前記半導体基板の他方の面に形成された複数のピラーと、
を有し、
前記ピラーは、前記光吸収層に吸収される光の波長よりも短波の吸収端を有する単結晶半導体により形成されており、
前記複数のピラーは、少なくとも一部が周期的に配列されていることを特徴とする光検出器。
(付記2)
前記光吸収層において検出される光の波長をλとし、前記ピラーを形成している材料の波長λにおける屈折率をnとした場合、
前記ピラーの長さLは、λ/4n以上であることを特徴とする付記1に記載の光検出器。
(付記3)
前記ピラーの長さをLとし、前記ピラーの直径をDとした場合、
L/D>1であることを特徴とする付記1に記載の光検出器。
(付記4)
前記ピラーは、前記ピラーの長さ方向において、複数の半導体材料が所定の周期で交互に積層されていることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の光検出器。
(付記5)
前記第2のコンタクト層の上には、反射膜が形成されていることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の光検出器。
(付記6)
前記反射膜は、凹凸を有していることを特徴とする付記5に記載の光検出器。
(付記7)
前記凹凸は、角錐の形状または三角の形状が連続的に形成されたものであることを特徴とする付記6に記載の光検出器。
(付記8)
前記ピラーは、InPまたはGaAsを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の光検出器。
(付記9)
前記半導体基板は、InPまたはGaAsを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の光検出器。
(付記10)
前記光吸収層は、量子ドット構造または量子井戸構造を有することを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の光検出器。
(付記11)
前記光は、赤外光であることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の光検出器。
(付記12)
前記ピラーの先端には、金属膜が形成されていることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の光検出器。
(付記13)
前記ピラーの半導体結晶の先端面は、(111)面であることを特徴とする付記1から12のいずれかに記載の光検出器。
(付記14)
前記ピラーは、前記半導体基板よりも屈折率の高い材料により形成されていることを特徴とする付記1から13のいずれかに記載の光検出器。
(付記15)
付記1から14のいずれかに記載の光検出器を複数有しており、
前記光検出器のうちの第1の光検出器と第2の光検出器により1つの画素が形成されており、
前記第1の光検出器と前記第2の光検出器は、前記ピラーのピッチが異なるものであって、
前記画素が2次元状に配置されていることを特徴とする撮像装置。
(付記16)
半導体基板の一方の面に、半導体材料により第1のコンタクト層、光吸収層、第2のコンタクト層を順に積層して形成する工程と、
前記半導体基板の他方の面に、複数の金属膜を形成し、金属膜の形成されている領域に、単結晶半導体材料により複数のピラーを形成する工程と、
を有することを特徴とする光検出器の製造方法。
(付記17)
前記半導体基板は、InP基板であって、
前記ピラーは、InPの単結晶を含むものであることを特徴とする付記16に記載の光検出器の製造方法。
(付記18)
前記半導体基板は、GaAs基板であって、
前記ピラーは、GaAsの単結晶を含むものであることを特徴とする付記16に記載の光検出器の製造方法。
(付記19)
第1の半導体基板の一方の面に、半導体材料により第1のコンタクト層、光吸収層、第2のコンタクト層を順に積層して形成する工程と、
第2の半導体基板の一方の面に、複数の金属膜を形成し、金属膜の形成されている領域において半導体材料を結晶成長させることにより複数のピラーを形成する工程と、
前記第1の半導体基板との他方の面と前記第2の半導体基板の他方の面とを貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする光検出器の製造方法。
(付記20)
前記第2の半導体基板は、InP基板であって、
前記ピラーは、InPの単結晶であることを特徴とする付記19に記載の光検出器の製造方法。
(付記21)
前記ピラーは、半導体材料が(111)面において結晶成長することにより形成されることを特徴とする付記16から20のいずれかに記載の光検出器の製造方法。
21 第1のコンタクト層
22 光吸収層
23 第2のコンタクト層
30 反射膜
41 第1の電極
42 第2の電極
50 ピラー構造部
51 ピラー
52 InP基板
Claims (13)
- 半導体基板の一方の面に、半導体材料により形成された第1のコンタクト層、光吸収層、第2のコンタクト層と、
前記半導体基板の他方の面に形成された複数のピラーと、
を有し、
前記ピラーは、前記光吸収層に吸収される光の波長よりも短波の吸収端を有する単結晶半導体により形成されており、
前記複数のピラーは、少なくとも一部が周期的に配列されていることを特徴とする光検出器。 - 前記光吸収層において検出される光の波長をλとし、前記ピラーを形成している材料の波長λにおける屈折率をnとした場合、
前記ピラーの長さLは、λ/(4n)以上であることを特徴とする請求項1に記載の光検出器。 - 前記ピラーの長さをLとし、前記ピラーの直径をDとした場合、
L/D>1であることを特徴とする請求項1に記載の光検出器。 - 前記ピラーは、前記ピラーの長さ方向において、複数の半導体材料が所定の周期で交互に積層されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光検出器。
- 前記第2のコンタクト層の上には、反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光検出器。
- 前記反射膜は、凹凸を有していることを特徴とする請求項5に記載の光検出器。
- 前記ピラーの先端には、金属膜が形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光検出器。
- 前記ピラーの半導体結晶の先端面は、(111)面であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の光検出器。
- 前記ピラーは、前記半導体基板よりも屈折率の高い材料により形成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の光検出器。
- 請求項1から9のいずれかに記載の光検出器を複数有しており、
前記光検出器のうちの第1の光検出器と第2の光検出器により1つの画素が形成されており、
前記第1の光検出器と前記第2の光検出器は、前記ピラーのピッチが異なるものであって、
前記画素が2次元状に配置されていることを特徴とする撮像装置。 - 半導体基板の一方の面に、半導体材料により第1のコンタクト層、光吸収層、第2のコンタクト層を順に積層して形成する工程と、
前記半導体基板の他方の面に、複数の金属膜を形成し、金属膜の形成されている領域に、単結晶半導体材料により複数のピラーを形成する工程と、
を有することを特徴とする光検出器の製造方法。 - 第1の半導体基板の一方の面に、半導体材料により第1のコンタクト層、光吸収層、第2のコンタクト層を順に積層して形成する工程と、
第2の半導体基板の一方の面に、複数の金属膜を形成し、金属膜の形成されている領域において半導体材料を結晶成長させることにより複数のピラーを形成する工程と、
前記第1の半導体基板との他方の面と前記第2の半導体基板の他方の面とを貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする光検出器の製造方法。 - 前記ピラーは、半導体材料が(111)面において結晶成長することにより形成されることを特徴とする請求項11または12に記載の光検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016147103A JP6759805B2 (ja) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 光検出器、撮像装置及び光検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016147103A JP6759805B2 (ja) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 光検出器、撮像装置及び光検出器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018018920A true JP2018018920A (ja) | 2018-02-01 |
JP6759805B2 JP6759805B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=61081944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016147103A Active JP6759805B2 (ja) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 光検出器、撮像装置及び光検出器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6759805B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113540272A (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-22 | 采钰科技股份有限公司 | 光学装置 |
WO2022004292A1 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005159002A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 受光素子、光モジュール、及び光伝送装置 |
JP2009038352A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-02-19 | Canon Inc | 光検出素子及び撮像素子、光検出方法及び撮像方法 |
JP2010223715A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Shiro Sakai | 光検出器及びスペクトル検出器 |
US20140069496A1 (en) * | 2009-04-10 | 2014-03-13 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Planar Plasmonic Device for Light Reflection, Diffusion and Guiding |
JP2015034115A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 富士通株式会社 | 半導体ナノワイヤの製造方法及び光半導体装置の製造方法 |
JP2016058435A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 富士通株式会社 | 光半導体素子、光センサ及び光半導体素子の製造方法 |
-
2016
- 2016-07-27 JP JP2016147103A patent/JP6759805B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005159002A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 受光素子、光モジュール、及び光伝送装置 |
JP2009038352A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-02-19 | Canon Inc | 光検出素子及び撮像素子、光検出方法及び撮像方法 |
JP2010223715A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Shiro Sakai | 光検出器及びスペクトル検出器 |
US20140069496A1 (en) * | 2009-04-10 | 2014-03-13 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Planar Plasmonic Device for Light Reflection, Diffusion and Guiding |
JP2015034115A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 富士通株式会社 | 半導体ナノワイヤの製造方法及び光半導体装置の製造方法 |
JP2016058435A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 富士通株式会社 | 光半導体素子、光センサ及び光半導体素子の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113540272A (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-22 | 采钰科技股份有限公司 | 光学装置 |
CN113540272B (zh) * | 2020-04-15 | 2024-05-03 | 采钰科技股份有限公司 | 光学装置 |
WO2022004292A1 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法 |
JP2022013244A (ja) * | 2020-07-03 | 2022-01-18 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法 |
JP7354943B2 (ja) | 2020-07-03 | 2023-10-03 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6759805B2 (ja) | 2020-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8513759B2 (en) | Photodiode array | |
US20190237594A1 (en) | In-Plane Resonant-Cavity Infrared Photodetectors with Fully-Depleted Absorbers | |
US7659536B2 (en) | High performance hyperspectral detectors using photon controlling cavities | |
JP4571920B2 (ja) | 光検知器 | |
JP5427531B2 (ja) | 光検出素子、光検出装置及び赤外線検出素子、赤外線検出装置 | |
US6734452B2 (en) | Infrared radiation-detecting device | |
JP5364526B2 (ja) | 赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法 | |
JP2012083238A (ja) | 赤外線検出装置 | |
US10312390B2 (en) | Light receiving device and method of producing light receiving device | |
JP2007227744A (ja) | 量子ドット型光半導体装置及びその製造方法 | |
JP6759805B2 (ja) | 光検出器、撮像装置及び光検出器の製造方法 | |
JP4386191B2 (ja) | 光素子 | |
KR100289982B1 (ko) | 양자섬을이용한광감지소자및그제조방법 | |
JP6056249B2 (ja) | 光検出器、これを用いた撮像装置、及び光検出器の製造方法 | |
JP5255042B2 (ja) | 光検知素子 | |
JP6214037B2 (ja) | 光検知素子 | |
JP4331428B2 (ja) | サブバンド間遷移量子井戸型光検知装置 | |
JP5343788B2 (ja) | 光検知器及びその製造方法 | |
JP7052362B2 (ja) | 赤外線検出素子、赤外線検出器及び赤外線検出素子の製造方法 | |
US11984526B2 (en) | Optical device having an out-of-plane arrangement for light emission and detection | |
US20230006088A1 (en) | Solid-state device | |
CN108520904B (zh) | 一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器 | |
JP2012235057A (ja) | 量子ドット型光検出装置 | |
JP2006228819A (ja) | 光検知器 | |
JP6931161B2 (ja) | 化合物半導体装置、赤外線検知器及び撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200817 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6759805 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |