JP2010223715A - 光検出器及びスペクトル検出器 - Google Patents
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- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 20
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 24
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0256—Compact construction
- G01J3/0259—Monolithic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/18—Generating the spectrum; Monochromators using diffraction elements, e.g. grating
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/002—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials
- G02B1/005—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials made of photonic crystals or photonic band gap materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明の光検出器は、基板と、前記基板上に形成され、複数の凸部を有する半導体とを有する光検出器であって、前記複数の凸部に入射した光のうち前記複数の凸部を透過する光を検出する。本発明によれば、回折格子やプリズム等の光学部品を用いなくとも、特定のピーク波長を有する光を検出することができ、複雑な光学系の光軸調整不要な小型の光検出器を実現することができる。
【選択図】図1
Description
図1は、一実施形態に係る本発明の光検出器1000の概略構成図である。図1(A)及び(B)は、それぞれ、光検出器1000の平面図及びX−X’で切断した断面図である。光検出器1000は、基板部1001及び半導体層1003を有している。図1(A)及び(B)に示すように、光検出器1000の半導体層1003は、複数の凸部1005を有している。この凸部1005は一定の規則に従って配列されている。この凸部1005によって形成された凹凸パターンを「ナノパターン」と呼ぶ。本実施形態においては、凸部1005は直径L及び高さhの円柱状であり、図1(A)に示すとおり、短ピッチ(短周期)m、長ピッチ(長周期)aで配列されている。なお、本実施形態では、凸部1005には、円柱状のものを用いたが、これに限定されるわけではなく、角状、円錐状、三角形状等他の形状のものを採用してもよい。但し、凸部1005の形状を選択するにあたっては、凹凸パターンの凹部と凸部との差があまり大きくならないように調整することが好ましい。また、本実施形態においては、凸部1005それぞれが正三角形の頂点に位置するように配置したが、これに限定されるわけではない。
次に、本実施形態に係る本発明の光検出器1000の製造方法、特に凸部1005の製造方法について説明する。
本実施形態においては、本発明の光検出器を複数備えたスペクトル検出器について説明する。図11に本実施形態に係る本発明のスペクトル検出器2000の概略構成を示す。本実施形態に係る本発明のスペクトル検出器2000は、上述の実施形態1で説明した光検出器1000と同様の構成の光検出器2003、2005及び2007を備えている。なお、本実施形態においては、光検出器を3つ備えた本発明のスペクトル検出器の例について説明しているが、光検出器の数はこれに限定されるわけではなく、より多くの光検出器を備えることによって高精度なスペクトル検出器を実現することができる。
本実施形態においては、本発明の光検出器を複数備えたスペクトル検出器の別の例について説明する。図12(A)及び(B)に本実施形態に係る本発明のスペクトル検出器3000の概略構成を示す。本実施形態に係る本発明のスペクトル検出器3000は、上述の実施形態1で説明した光検出器1000と同様の構成の光検出器3001、3003、3005、3007、3009、3011、3013、3015及び3017を一つのサファイア基板上に備えている。なお、本実施形態においては、光検出器を9つ備えた本発明のスペクトル検出器の例について説明しているが、光検出器の数はこれに限定されるわけではなく、より多くの光検出器を備えることによって高精度なスペクトル検出器を実現することができる。
本実施形態においては、実施形態1〜3とは異なる形状の凸部を有する光検出器の例について説明する。
(実施形態5)
上述の実施形態1〜4においては、ナノパターン及び基板に窒化ガリウム系半導体を用いているが、本発明の光検出器及びスペクトル検出器はこれに限定されるわけではなく、Si系、GaAs系等その他半導体を用いることができる。
1001 基板部
1001a サファイア基板
1001b GaNバッファ層
1001c u−GaN層
1001d n−GaNクラッド層
1001e In0.05Ga0.95N量子井戸活性層
1001f p−Al0.20Ga0.80N層
1003 窒化ガリウム系半導体層
1005 凸部
1010 電圧計
1020 Ni層
1022 熱硬化樹脂
1024 モールド
2000 スペクトル検出器
2001 光源
2003、2005、2007 光検出器
3000 スペクトル検出器
3001、3003、3005、3007、3009、3011、3013、3015、3017 光検出器
4000 光検出器
4001 基板部
4003 窒化ガリウム系半導体層
4005 凸部
Claims (8)
- 基板と、前記基板上に形成され、複数の凸部を有する半導体とを有する光検出器。
- 基板と、前記基板上に形成され、複数の凸部を有する半導体とを有する光検出器であって、
前記複数の凸部に入射した光のうち前記複数の凸部を透過する光を検出することを特徴とする光検出器。 - 基板と、前記基板上に形成され、複数の凸部を有する半導体とを有する光検出器であって、
前記複数の凸部に光を入射させ、前記複数の凸部を透過する光を検出することを特徴とする光検出器。 - 前記光検出器を複数備えたことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載の光検出器。
- 前記凸部は、前記半導体にストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一に記載の光検出器。
- 基板と、前記基板上に形成され、複数の凸部を有する半導体とを有する光検出器を複数有し、
前記複数の光検出器の前記凸部の大きさ、ピッチ及び/又は高さの少なくとも一つ以上は、それぞれ異なっており、
前記複数の凸部に入射した光のうち前記複数の凸部を透過する光を検出することを特徴とするスペクトル検出器。 - 前記凸部は、前記半導体にストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項6に記載のスペクトル検出器。
- 前記複数の光検出器は、重ねて配置されていることを特徴とする請求項6又は7に記載のスペクトル検出器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009070541A JP2010223715A (ja) | 2009-03-23 | 2009-03-23 | 光検出器及びスペクトル検出器 |
PCT/KR2009/001597 WO2010110504A1 (ko) | 2009-03-23 | 2009-03-30 | 광 검출기 및 스펙트럼 검출기 |
KR1020090026830A KR101055781B1 (ko) | 2009-03-23 | 2009-03-30 | 광 검출기 및 스펙트럼 검출기 |
US13/203,190 US20110309461A1 (en) | 2009-03-23 | 2009-03-30 | Optical detector and spectrum detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009070541A JP2010223715A (ja) | 2009-03-23 | 2009-03-23 | 光検出器及びスペクトル検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010223715A true JP2010223715A (ja) | 2010-10-07 |
Family
ID=42781187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009070541A Pending JP2010223715A (ja) | 2009-03-23 | 2009-03-23 | 光検出器及びスペクトル検出器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110309461A1 (ja) |
JP (1) | JP2010223715A (ja) |
KR (1) | KR101055781B1 (ja) |
WO (1) | WO2010110504A1 (ja) |
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-
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- 2009-03-23 JP JP2009070541A patent/JP2010223715A/ja active Pending
- 2009-03-30 US US13/203,190 patent/US20110309461A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-30 KR KR1020090026830A patent/KR101055781B1/ko active IP Right Grant
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121113 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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