JP2018006626A - 電子デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化すること。
【解決手段】第１基板１０と、下面が前記第１基板の上面と空隙２５を介し対向し、平面形状が前記第１基板と略合同であり、平面視において側面が前記第１基板の対応する側面と重なるように前記第１基板上に搭載された第２基板２０と、前記第１基板の側面から前記第２基板の側面にかけて設けられ、前記第１基板の上面および前記第２基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材３０と、前記封止部材から離間し前記第１基板の上面と前記第２基板の下面とを接続する接続部材２６と、を具備する電子デバイス。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子デバイスおよびその製造方法に関し、例えば、封止部材が機能素子を封止する電子デバイスおよびその製造方法に関する。

弾性波デバイス等の電子デバイスのパッケージング方法として、回路基板上にチップをフェースダウン実装し、チップの周りを封止部材で覆う方法が知られている。表面にそれぞれ弾性波素子が形成された２つの基板を、弾性波素子が空隙を介し対向するように、環状の中間層を介し接合することが知られている（例えば特許文献１）。部品本体を金属枠体で囲むことが知られている（例えば特許文献２）

特表２００８−５４６２０７号公報 特開２０１４−１５４９４１号公報

特許文献１のように、環状の中間層を用い弾性波素子等の機能素子を空隙に封止する方法では、基板の上面または下面における中間層の占める面積が大きく、電子デバイスの小型化が難しい。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化することを目的とする。

本発明は、第１基板と、下面が前記第１基板の上面と空隙を介し対向し、平面形状が前記第１基板と略合同であり、平面視において側面が前記第１基板の対応する側面と重なるように前記第１基板上に搭載された第２基板と、前記第１基板の側面から前記第２基板の側面にかけて設けられ、前記第１基板の上面および前記第２基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材と、前記封止部材から離間し前記第１基板の上面と前記第２基板の下面とを接続する接続部材と、を具備する電子デバイスである。

上記構成において、前記封止部材は導電体である構成とすることができる。

上記構成において、前記封止部材は導電性樹脂である構成とすることができる。

上記構成において、前記接続部材は前記封止部材から離間している構成とすることができる。

上記構成において、前記接続部材はバンプである構成とすることができる。

上記構成において、前記機能素子は弾性波素子である構成とすることができる。

上記構成において、前記第１基板の上面および前記第２基板の下面の両方に、前記機能素子が設けられている構成とすることができる。

本発明は、第１基板の上面と第２基板の下面とが空隙を介し対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを接続部材を介し接合する工程と、前記第１基板の下面から前記第２基板の途中に至る溝を形成する工程と、前記第１基板の上面および前記第２基板の下面の少なくとも一方に形成された機能素子が封止部材から離間するように前記溝内に前記封止部材を充填する工程と、前記封止部材が前記第１基板の側面から前記第２基板の側面にかけて残存するように、前記封止部材を切断する工程と、を含む電子デバイスの製造方法である。

上記構成において、板状の封止部材を前記第１基板の下面下に配置する工程を含み、前記溝内に前記封止部材を充填する工程は、前記板状の封止部材を前記第１基板に押圧する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記溝内に前記封止部材を充填する工程の後、かつ前記封止部材を切断する工程の前に、前記溝内の前記封止部材が露出するように、前記第２基板の上面を研磨または研削する工程を含む構成とすることができる。

本発明によれば、小型化することができる。

図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスのそれぞれ断面図および斜視図である。 図２（ａ）は、弾性波共振器１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波共振器２２の断面図である。 図３は、実施例１における基板１０の上面の平面図である。 図４は、実施例１における基板２０の下面の平面図である。 図５は、実施例１における基板１０の下面の平面図である。 図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その４）である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その５）である。 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その６）である。 図１２は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その７）である。 図１３は、比較例１に係る電子デバイスの断面図である。 図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。 図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例１の変形例１および２の断面図である。 図１６（ａ）から図１６（ｃ）は、実施例１の変形例３に係る電子デバイスのそれぞれ断面図、解体斜視図および斜視図である。 図１７（ａ）から図１７（ｅ）は、接続部材の例を示す平面図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスのそれぞれ断面図および斜視図である。図１（ａ）に示すように、基板１０上に基板２０が搭載されている。基板１０は例えば圧電基板である。基板１０の上面に弾性波共振器１２、配線１７およびパッド１８が設けられている。基板１０の下面に端子１４が設けられている。端子１４は、弾性波共振器１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。ビア配線１６はパッド１８と端子１４とを電気的に接続する。端子１４、ビア配線１６、配線１７およびパッド１８は、例えば銅層、金層またはアルミニウム層等の金属層である。

基板２０の下面に弾性波共振器２２、配線２７およびパッド２８が設けられている。配線２７およびパッド２８は例えば銅層、金層またはアルミニウム層等の金属層である。基板１０と２０との間には接続部材２６が設けられている。基板２０は接続部材２６を介し基板１０にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。接続部材２６は、パッド１８と２８とを電気的に接続するバンプである。接続部材２６は、例えば金バンプ、半田バンプまたは銅バンプである。

基板１０と上面と基板２０の下面とは空隙２５を介し対向している。基板１０と２０とは平面視において実質的に合同である。基板１０と２０の側面は平面視において重なっている。例えば基板１０と２０との側面は実質的に同一の平面上に位置している。基板１０の側面から基板２０の側面にかけて封止部材３０が設けられている。封止部材３０は弾性波共振器１２および２２を空隙２５内に封止する。接続部材２６は封止部材３０から離間し、は空隙２５に囲まれている。封止部材３０は、例えば熱硬化型樹脂等の樹脂である。封止部材３０は、絶縁体でもよいが、金属フィラー等を含む導電体でもよい。

図２（ａ）は、弾性波共振器１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波共振器２２の断面図である。図２（ａ）に示すように、弾性波共振器１２は弾性表面波共振器である。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。基板１０は、サファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板またはシリコン基板等の支持基板の上面にタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板が接合されていてもよい。基板１０上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０は基板１０に弾性表面波を励振する。ＩＤＴ４０および反射器４２はアルミニウム層または銅等の金属層により形成される。ＩＤＴ４０および反射器４２上に絶縁体からなる保護膜または温度補償膜を設けてもよい。

図２（ｂ）に示すように、弾性波共振器２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板またはシリコン基板等の絶縁基板、またはシリコン基板等の半導体基板である。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２０との間に空隙４５が形成されている。下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。弾性波共振器１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を規制しないように、弾性波共振器１２および２２は空隙２５に覆われている。

図３は、実施例１における基板１０の上面の平面図である。図３に示すように、基板１０の上面上に複数の弾性波共振器１２、配線１７およびパッド１８が設けられている。基板１０の側面を囲むように封止部材３０が設けられている。パッド１８に接続部材２６が設けられている。基板１０内にパッド１８に接続するビア配線１６が形成されている。パッド１８は共通パッドＰａ１、送信パッドＰｔ１、受信パッドＰｒ１およびグランドパッドＰｇ１を含む。送信フィルタ６０は、ラダー型フィルタであり、弾性波共振器１２である直列共振器Ｓ１１およびＳ１２と並列共振器Ｐ１１およびＰ１２を有する。共通パッドＰａ１と送信パッドＰｔ１との間に直列共振器Ｓ１１およびＳ１２が配線１７を介し直列に接続されている。共通パッドＰａ１と送信パッドＰｔ１との間に並列共振器Ｐ１１およびＰ１２が配線１７を介し並列に接続されている。並列共振器Ｐ１１およびＰ１２は配線１７を介しグランドパッドＰｇ１に接続されている。

図４は、実施例１における基板２０の下面の平面図である。図３との対応をわかり易くするため、基板２０の上から透視した平面図である。図４に示すように、基板２０の下面に複数の弾性波共振器２２、配線２７およびパッド２８が設けられている。基板２０の側面を囲むように封止部材３０が設けられている。パッド２８に接続部材２６が設けられている。パッド２８は共通パッドＰａ２、受信パッドＰｒ２およびグランドパッドＰｇ２を含む。受信フィルタ６２は、ラダー型フィルタであり、弾性波共振器２２である直列共振器Ｓ２１からＳ２４と並列共振器Ｐ２１からＰ２３を有する。共通パッドＰａ２と受信パッドＰｒ２との間に直列共振器Ｓ２１からＳ２４が配線２７を介し直列に接続されている。共通パッドＰａ２と受信パッドＰｒ２との間に並列共振器Ｐ２１からＰ２３が配線２７を介し並列に接続されている。並列共振器Ｐ２１からＰ２３は配線２７を介しグランドパッドＰｇ２に接続されている。

図５は、実施例１における基板１０の下面の平面図である。図３との対応をわかり易くするため、基板１０の上から透視した平面図である。図５に示すように、基板１０の下面に端子１４が設けられている。端子１４は共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇｎｄを含む。図３から図５のように、共通端子Ａｎｔはビア配線１６を介し共通パッドＰａ１に電気的に接続され、さらに接続部材２６を介し共通パッドＰａ２に電気的に接続されている。送信端子Ｔｘはビア配線１６を介し送信パッドＰｔ１に電気的に接続されている。受信端子Ｒｘはビア配線１６、受信パッドＰｒ１、接続部材２６を介し受信パッドＰｒ２に電気的に接続されている。グランド端子Ｇｎｄはビア配線１６を介しグランドパッドＰｇ１に電気的に接続され、さらに接続部材２６を介しグランドパッドＰｇ２に電気的に接続されている。

以上のように、実施例１の弾性波デバイスは、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ６０と、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ６２と、を有するデュプレクサとして機能する。送信フィルタ６０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Ａｎｔに通過させ、その他の信号を抑圧する。受信フィルタ６２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信端子Ｒｘに通過させ、その他の信号を抑圧する。

図６（ａ）から図１２は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、例えば厚さが４００μｍの基板１０の上面にビアホール５０を形成する。ビアホール５０は例えばレーザ光を照射して形成する。図６（ｂ）に示すように、ビアホール５０内に例えばめっき法を用いビア配線１６を埋め込む。ビア配線１６は例えば銅層である。基板１０の上面に弾性波共振器１２、配線１７およびパッド１８を形成する。

図７（ａ）に示すように、例えば厚さが３００μｍから４５０μｍの基板２０の下面（図７（ａ）では上面）に弾性波共振器２２、配線２７およびパッド２８を形成する。パッド２８上にめっき法を用い接続部材２６として例えば銅バンプを形成する。

図８（ａ）に示すように、ウエハ状の基板１０上にウエハ状の基板２０を配置する。基板１０の上面（図８（ａ）では下面）と基板２０の下面（図８（ａ）では上面）が空隙２５を介し対向するように、基板１０と２０とを接続部材２６を介し接合する。基板１０と２０との間隔は例えば１０μｍから２０μｍである。図８（ｂ）に示すように、基板１０の下面（図８（ｂ）では上面）から基板２０の途中に至る溝５２を形成する。溝５２の形成は例えばダイシング法を用いたハーフダイシングにより行なう。溝５２の幅は例えば１００μｍ程度である。基板２０における溝５２の深さは例えば１００μｍから３００μｍである。これにより、基板１０は個片化される。基板２０はウエハ状態を維持する。

図９（ａ）に示すように、基板２０上に平板状の封止部材３０を配置する。封止部材３０は、例えば樹脂であり、金属フィラーを含む熱硬化型のウレタン樹脂である。封止部材３０としては、例えばトーヨーケム社製の導電性接着シートＴＳＣシリーズ（例えばＥＸＣ−ＴＳＣ００２５）を用いることができる。樹脂板３２の膜厚は例えばＥＸＣ−ＴＳＣ００２５のとき５０μｍから３００μｍである。

図９（ｂ）に示すように、加熱プレスを用い、封止部材３０を加熱し、基板１０に押圧する。これにより、板状の封止部材３０が溶融し溝５２内を充填する。封止部材３０としてＥＸＣ−ＴＳＣ００２５を用いた場合、封止部材３０の温度を１５０℃から１６０℃、圧力を０．５ＭＰａから２ＭＰａ、押圧時間を３分から１０分とする。その後、１６０℃において１時間のキュアを行なう。これにより、封止部材３０が硬化する。溝５２の幅に対し、基板１０と２０との間の間隔が十分小さいため、基板１０と２０との間には封止部材３０は侵入しない。

図１０（ａ）に示すように、基板１０の下面（図１０（ａ）では上面）を研磨または研削する。これにより、基板１０の下面上の封止部材３０が除去される。また、基板１０の下面からビア配線１６が露出する。基板１０の厚さは例えば１５０μｍとなる。図１０（ｂ）に示すように、基板１０の下面（図１０（ｂ）では上面）上に端子１４を形成する。端子１４は例えばめっき法を用い形成する。

図１１（ａ）に示すように、基板２０の上面（図１１（ａ）では下面）を研磨または研削する。基板２０の上面から封止部材３０が露出する。基板２０の厚さは例えば１００μｍから１５０μｍとなる。図１１（ｂ）に示すように、基板２０の上面（図１１（ｂ）では下面）をダイシングテープ５４に貼り付ける。溝５２内の封止部材３０に溝５６を形成する。溝５６の形成は例えばダイシング法を用いたフルダイシングにより行なう。溝５６の幅は例えば４０μｍ程度である。これにより、基板１０および２０の側面に厚さが３０μｍ程度以下の封止部材３０が形成される。図１２に示すように、ダイシングテープを剥がすことにより、電子デバイスが個片化される。

図１３は、比較例１に係る電子デバイスの断面図である。図１３に示すように、基板１０と２０との間に環状封止部３８が設けられている。環状封止部３８により、弾性波共振器１２および２２が空隙２５に封止されている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

比較例１では、環状封止部３８が設けられた領域６８に基板１０および２０が設けられている。このため、弾性波共振器１２および２２が形成されたウエハに占める領域６８の面積の割合が大きい。例えば、電子デバイスの平面寸法が１ｍｍ×１ｍｍ、領域６８の幅を５０μｍとする。このとき、基板１０および２０の面積に対する領域６８の面積は約２０％となる。領域６８を小さくすると、基板１０および２０と環状封止部３８との界面６３の幅が小さくなる。これにより、空隙２５の気密性が劣化する。このように、比較例１では、基板１０および２０に占める領域６８の割合が大きい。このため、基板１０および２０のコストが高くなる。特に、基板１０および２０に弾性波共振器１２および２２が形成されていると、電子デバイスのコストに占める基板１０および２０のコストの割合が大きい。よって、電子デバイスのコストが高くなる。

実施例１によれば、基板１０（第１基板）と基板２０（第２基板）とは平面視において略合同である。平面視において基板２０の側面が基板１０の対応する側面と重なる。接続部材２６は、基板１０の上面と基板２０（第２基板）の下面とを接続する。このように、接続部材２６が基板１０と２０との間に空隙２５が形成されるように基板１０と２０を支持する。この状態で、封止部材３０は、基板１０の側面から基板２０の側面にかけて連続して設けられ、弾性波共振器１２および２２（機能素子）を空隙２５に封止する。これにより、比較例１の領域６８が不要となる。よって、基板１０および２０の面積を小さくできる。これにより、基板１０および２０のコストを削減できる。さらに、封止部材３０が基板１０および２０の側面を覆っている。これにより、基板１０および２０と封止部材３０との界面の幅は実質的に基板１０および２０の膜厚となる。よって、比較例１に比べ、基板１０および２０と封止部材３０との界面の幅を大きくできる。これにより、空隙２５の気密性を向上できる。

上記実施例１に係る電子デバイスを製造する方法においては、図８（ａ）のように、基板１０の上面と基板２０の下面とが空隙２５を介し対向するように、基板１０と基板２０とを接続部材２６を介し接合する。図８（ｂ）のように、基板１０の下面から基板２０の途中に至る溝５２を形成する。図８（ｃ）のように、基板１０の上面および基板２０の下面の少なくとも一方に形成された弾性波共振器１２および２２（機能素子）が封止部材３０から離間するように溝５２内に封止部材３０を充填する。図１１（ｂ）のように、封止部材３０が基板１０の側面から基板２０の側面にかけて残存するように、封止部材３０を切断する。これにより、封止部材３０を基板１０の側面から基板２０の側面にかけて形成することができる。

また、図９（ａ）のように、板状の封止部材３０を基板１０の下面下に配置する。図９（ｂ）のように、板状の封止部材３０を基板１０に押圧する。これにより、溝５２内に封止部材３０を充填できる。

さらに、図１１（ａ）のように、溝５２内に封止部材３０を充填した後かつ封止部材３０を切断する前に、溝５２内の封止部材３０が露出するように、基板２０の上面を研磨または研削する。これにより、基板２０の側面に封止部材３０を形成することができる。

さらに、図８（ｂ）の溝５２の幅は、基板１０と２０との間隔より十分大きいことが好ましい。これにより、図９（ｂ）のように、封止部材３０が弾性波共振器１２および２２並びに接続部材２６に達することを抑制できる。

封止部材３０は導電体であることが好ましい。これにより、封止部材３０を接地することで、封止部材３０をシールドとして用いることができる。また、封止部材３０を介した放熱性を向上できる。

封止部材３０として導電性樹脂を用いることができる。これにより、導電性の封止部材３０を容易に形成できる。封止部材３０は半田等の金属でもよい。また、封止部材３０は絶縁性樹脂でもよい。

図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。図１４（ａ）に示すように、基板１０と２０との間の端部６４において封止部材３０が基板１０と２０との間の空間に突出している。このように、図９（ｂ）において、封止部材３０を溝５２に充填するときに、封止部材３０が基板１０と２０との間の空間に突出してもよい。封止部材３０は接続部材２６から離間していることが好ましい。

図１４（ｂ）に示すように、基板１０の側面は下端近傍６６ｂにおいて封止部材３０から露出していてもよい。また、基板２０の側面は上端近傍６６ａにおいて封止部材３０から露出していてもよい。このように、図１０（ａ）および図１１（ａ）において、基板１０および基板２０を研磨または研削するときに、封止部材３０が基板１０および２０より速く研磨または研削されてもよい。封止部材３０は、基板１０の側面の少なくとも一部と、基板２０の側面少なくとも一部と、を覆えばよい。封止部材３０と基板１０および２０の側面との界面の幅を大きくする観点から、基板１０および２０の側面を各々半分以上覆うことが好ましい。

図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例１の変形例１および２の断面図である。図１５（ａ）に示すように、基板１０の上面に弾性波共振器１２が設けられている。基板２０の下面には機能素子は設けられていない。基板２０は、例えば樹脂基板またはセラミック基板等の絶縁基板である。図１５（ｂ）に示すように、基板２０の下面に弾性波共振器２２が設けられている。基板１０の上面には機能素子は設けられていない。基板１０は、例えば樹脂基板またはセラミック基板等の絶縁基板である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

このように、機能素子は基板１０の上面および基板２０の下面の少なくとも一方に設けられていればよい。基板１０の上面および基板２０の下面の両方に、機能素子が設けられている場合、よりコストの低減が可能となる。基板１０の上面に圧電薄膜共振器が設けられており、基板２０の下面に弾性表面波共振器が設けられていてもよい。機能素子としては弾性波素子以外の電子素子でもよい。弾性波素子は弾性波を励振するため、空隙２５に露出することが好ましい。よって、機能素子は弾性波素子であることが好ましい。基板１０および２０に各々ラダー型フィルタが設けられているデュプレクサを例に説明したが、フィルタは多重モードフィルタでもよい。電子デバイスはデュプレクサ以外のデバイスでもよい。

図１６（ａ）から図１６（ｃ）は、実施例１の変形例３に係る電子デバイスのそれぞれ断面図、解体斜視図および斜視図である。図１６（ａ）から図１６（ｃ）に示すように、接続部材２６は基板１０の角部近傍に設けられている。接続部材２６は、基板１０と２０とを機械的に接続しているが電気的には接続していない。接続部材２６は、金属でもよいが樹脂等の絶縁体でもよい。基板２０の上面に端子２４が設けられている。基板２０を貫通し、パッド２８と端子２４とを接続するビア配線２３が設けられている。端子２４は弾性波共振器２２と電気的に接続されている。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例３の変形例３のように、接続部材２６は、図８（ａ）から図９（ｂ）の工程を行うときに、基板１０と２０とを支持すればよい。このため、基板１０と２０とを機械的に接続していればよい。

図１７（ａ）から図１７（ｅ）は、接続部材の例を示す平面図である。図１７（ａ）に示すように、基板１０上に円柱状の接続部材２６が設けられている。基板１０と２０との機械的強度を向上させるため、接続部材２６は基板１０および２０の４つ角部に設けられることが好ましい。図１７（ｂ）に示すように、直線状の接続部材２６が基板１０の２つの長辺に沿って設けられている。

図１７（ｃ）に示すように、Ｌ字状の接続部材２６が４つの角部に辺に沿って設けられている。これにより、機械的強度をより向上できる。接続部材２６が基板１０および２０の長辺を支持することで、機械的強度をより向上できる。図１７（ｄ）に示すように、直線状の接続部材２６が基板１０の３つの辺に沿って設けられている。これにより、機械的強度をより向上できる。

図１７（ｅ）に示すように、基板１０上に弾性波共振器を含むフィルタ１２ａおよび１２ｂが設けられている。フィルタ１２ａおよび１２ｂの間に接続部材２６が設けられている。接続部材２６を導電体とすることで、フィルタ１２ａと１２ｂとのアイソレーション特性を向上できる。フィルタ１２ａと１２ｂとは例えばデュプレクサの送信フィルタと受信フィルタであリ、フィルタ１２ａと１２ｂの通過帯域は重なっていない。これにより、送信フィルタと受信フィルタとのアイソレーションを改善できる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０、２０ 基板
１２、２２ 弾性波共振器
１４、２４ 端子
１６、２３ ビア配線
１７、２７ 配線
１８、２８ パッド
２５ 空隙
２６ 接続部材
３０ 封止部材

Claims (10)

1. 第１基板と、
   下面が前記第１基板の上面と空隙を介し対向し、平面形状が前記第１基板と略合同であり、平面視において側面が前記第１基板の対応する側面と重なるように前記第１基板上に搭載された第２基板と、
   前記第１基板の側面から前記第２基板の側面にかけて設けられ、前記第１基板の上面および前記第２基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材と、
   前記封止部材から離間し前記第１基板の上面と前記第２基板の下面とを接続する接続部材と、
   を具備する電子デバイス。
2. 前記封止部材は導電体である請求項１記載の電子デバイス。
3. 前記封止部材は導電性樹脂である請求項１記載の電子デバイス。
4. 前記接続部材は前記封止部材から離間している請求項１から３のいずれか一項記載の電子デバイス。
5. 前記接続部材はバンプである請求項１から４のいずれか一項記載の電子デバイス。
6. 前記機能素子は弾性波素子である請求項１から５のいずれか一項記載の電子デバイス。
7. 前記第１基板の上面および前記第２基板の下面の両方に、前記機能素子が設けられている請求項１から６のいずれか一項記載の電子デバイス。
8. 第１基板の上面と第２基板の下面とが空隙を介し対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを接続部材を介し接合する工程と、
   前記第１基板の下面から前記第２基板の途中に至る溝を形成する工程と、
   前記第１基板の上面および前記第２基板の下面の少なくとも一方に形成された機能素子が封止部材から離間するように前記溝内に前記封止部材を充填する工程と、
   前記封止部材が前記第１基板の側面から前記第２基板の側面にかけて残存するように、前記封止部材を切断する工程と、
   を含む電子デバイスの製造方法。
9. 板状の封止部材を前記第１基板の下面下に配置する工程を含み、
   前記溝内に前記封止部材を充填する工程は、前記板状の封止部材を前記第１基板に押圧する工程を含む請求項８記載の電子デバイスの製造方法。
10. 前記溝内に前記封止部材を充填する工程の後、かつ前記封止部材を切断する工程の前に、前記溝内の前記封止部材が露出するように、前記第２基板の上面を研磨または研削する工程を含む請求項８または９記載の電子デバイスの製造方法。

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