JP2018004258A - 検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体素子の検査時の閉回路の寄生インダクタンスを小さくする。【解決手段】 単一のウエハに設けられた複数の半導体素子の特性を検査する検査装置。ウエハが、半導体基板と、第１表面電極と、第２表面電極と、裏面電極を有している。半導体基板が、第１表面電極と裏面電極とを電気的に接続可能な第１半導体素子と、第２表面電極と裏面電極とを電気的に接続可能な第２半導体素子を有している。検査装置が、第１接触端子、第２接触端子、及び、検査回路を備えている。検査回路が、第１接触端子を第１表面電極に接触させ、第２接触端子を第２表面電極に接触させた状態で、第２接触端子、第２表面電極、第２半導体素子、裏面電極、第１半導体素子、第１表面電極及び第１接触端子を通過する閉回路に電流を流すことで、第１半導体素子の特性を検査する。【選択図】図３

Description

本明細書に開示の技術は、ウエハに設けられた半導体素子の特性を検査する検査装置に関する。

特許文献１に、ウエハに設けられた半導体素子の特性を検査する検査装置が開示されている。ウエハは、半導体基板と、複数の表面電極（エミッタ電極）と、単一の裏面電極を有している。各半導体素子は、半導体基板内であって、表面電極と裏面電極の間の各領域に設けられている。また、半導体基板には、その表面側から裏面側まで貫通する貫通孔が設けられている。貫通孔は、隣り合う半導体素子の間の領域に設けられている。貫通孔内に、金属配線が設けられている。金属配線は、裏面電極に接続されている。この検査装置は、２つの接触端子（プローブ）を有している。検査時には、第１接触端子が１つの表面電極に接続され、第２接触端子が表面側から金属配線に接続される。第２接触端子は、金属配線を介して裏面電極に接続される。したがって、第１接触端子と第２接触端子を介して、表面電極と裏面電極の間に電圧を印加することができる。これによって、検査対象の半導体素子（第１接触端子が接触している表面電極に対応する半導体素子）に電流を流す。すなわち、第２接触端子、金属配線、裏面電極、検査対象の半導体素子、表面電極及び第１接触端子を通過する閉回路に電流を流す。これによって、検査対象の半導体素子を検査することができる。このように、この検査装置では、半導体基板を貫通する金属配線を介して裏面電極への接続が行われる。この構成によれば、ウエハの外周端面の外側を迂回して裏面電極への接続配線を設ける場合に比べて、検査のための閉回路の経路長を短くすることができる。このため、閉回路の寄生インダクタンスが小さくなり、検査対象の半導体素子の特性をより正確に検査することができる。

特開２００８−１０３４２１号公報

特許文献１の検査装置では、ウエハが半導体基板を貫通する金属配線を有している必要がある。この金属配線を形成するためには、半導体基板を表面側から裏面側まで貫通する貫通孔を形成する必要がある。一般的な加工方法（スパッタリングやエッチング）によりこのような貫通孔を形成するには、極めて長い時間を要する。このため、特許文献１の検査装置を採用すると、半導体素子の製造効率が極めて悪くなる。また、このような貫通孔を形成すると、半導体基板に多大なダメージが加わる。さらに、このような金属配線を形成すると、半導体基板を高温に曝す際（例えば、高温特性検査等）において、金属配線と半導体基板との線膨張係数の差によって、半導体基板に高い応力が加わる。当該応力によっても、半導体基板にダメージが加わる場合がある。半導体基板にダメージが加わることで、半導体基板中の欠陥が増加し、半導体素子の特性が悪化する。

したがって、本明細書では、半導体素子の検査時の閉回路において、半導体基板を貫通する金属配線を用いることなく、その閉回路の寄生インダクタンスを小さくすることが可能な検査装置を提供する。

本明細書が開示する検査装置は、ウエハに設けられた半導体素子の特性を検査する。この検査装置に用いられる前記ウエハは、半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた第１表面電極と、前記半導体基板の前記表面に設けられた第２表面電極と、前記半導体基板の裏面に設けられた裏面電極を有している。前記半導体基板が、前記第１表面電極と前記裏面電極の間を両方向に導通可能な第１半導体素子と、前記第２表面電極と前記裏面電極の間を両方向に導通可能な第２半導体素子を有している。検査装置は、第１接触端子、第２接触端子、及び、検査回路を備えている。前記検査回路が、前記第１接触端子を前記第１表面電極に接触させ、前記第２接触端子を前記第２表面電極に接触させた状態で、前記第２接触端子、前記第２表面電極、前記第２半導体素子、前記裏面電極、前記第１半導体素子、前記第１表面電極及び前記第１接触端子を通過する閉回路に電流を流すことで、前記第１半導体素子の特性を検査する。

この検査装置では、検査時に、第１半導体素子（検査対象の半導体素子）の表面電極（第１表面電極）に第１接触端子を接触させる一方で、第２半導体素子（検査対象ではない半導体素子）の表面電極（第２表面電極）に第２接触端子を接触させる。第２半導体素子を導通状態とすることで、第２接触端子を、第２表面電極と第２半導体素子を介して裏面電極に電気的に接続することができる。このため、第１半導体素子に対して、その表面電極（第１表面電極）と裏面電極の間に電圧を印加し、第１半導体素子の特性を測定することができる。以上のように、この検査装置では、第２半導体素子によって半導体基板を貫通するように裏面電極と第２接触端子を接続することができる。このため、第１半導体素子を検査するための閉回路の経路長を短くすることができ、この閉回路の寄生インダクタンスを小さくすることができる。このため、第１半導体素子の特性を正確に検査することができる。また、金属配線ではなく第２半導体素子によって第２接触端子を裏面電極に対して電気的に接続するので、金属配線を設ける必要がない。このため、半導体素子を効率的に製造することが可能となる。また、金属配線による半導体基板へのダメージが生じず、より高品質な半導体素子を製造することができる。

ウエハの表面図。 図１のＩＩ−ＩＩ線におけるウエハの断面図。 検査時におけるウエハの断面図。 Ｒ負荷スイッチング特性測定回路の回路図。 Ｒ負荷スイッチング特性の測定時における各値の変化を示すグラフ。 Ｌ負荷スイッチング特性測定回路の回路図。

図１、２は、実施形態の検査装置によって検査されるウエハ１０を示している。図１に示すように、ウエハ１０は、複数の素子領域１４を有している。各素子領域１４内に、半導体素子（本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ）が形成されている。また、各素子領域１４の間には、間隔が設けられている。当該間隔は、ウエハ１０を半導体素子ごとに分割する際に切削されるダイシング領域１６である。ダイシングは、各半導体素子に対する検査が完了した後に実施される。

図２に示すように、ウエハ１０は、半導体基板１２と、その表面１２ａ及び裏面１２ｂに設けられた電極、絶縁層等を備えている。半導体基板１２は、ＳｉＣによって構成されている。半導体基板１２の表面１２ａには、複数のトレンチが設けられている。素子領域１４のそれぞれに、複数のトレンチが設けられている。各トレンチ内には、ゲート絶縁層２４とゲート電極２６が配置されている。各ゲート電極２６は、ゲート絶縁層２４によって半導体基板１２から絶縁されている。各ゲート電極２６の表面は、層間絶縁膜２８によって覆われている。

半導体基板１２の表面１２ａには、複数の表面電極５０が配置されている。素子領域１４毎に１つの表面電極５０が配置されている。表面電極５０は、層間絶縁膜２８が設けられていない部分で半導体基板１２の表面１２ａに接している。半導体基板１２の裏面１２ｂには、裏面電極５２が配置されている。裏面電極５２は、素子領域１４とダイシング領域１６を含む半導体基板１２の裏面１２ｂの全体に接している。

素子領域１４のそれぞれに、複数のソース領域３０、ベース層３２、ドリフト層３３、ドレイン層３４、及び、複数の底部領域３６が設けられている。

各ソース領域３０は、ｎ型領域である。各ソース領域３０は、表面電極５０にオーミック接触している。各ソース領域３０は、トレンチの上端部においてゲート絶縁層２４に接している。

ベース層３２は、ｐ型領域である。ベース層３２は、１×１０^１５〜１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のｐ型不純物濃度を有している。ベース層３２の厚みは、数μｍ程度である。ベース層３２は、各ソース領域３０に接している。ベース層３２は、２つのソース領域３０に挟まれた範囲で、表面電極５０にオーミック接触している。ベース層３２は、ソース領域３０の下側で、ゲート絶縁層２４に接している。ベース層３２の下端は、ゲート電極２６の下端よりも上側に配置されている。

ドリフト層３３は、ｎ型領域である。ドリフト層３３は、１×１０^１５〜１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のｎ型不純物濃度を有している。ドリフト層３３の厚みは、１０μｍ程度である。ドリフト層３３は、ベース層３２の下側に配置されている。ドリフト層３３は、ベース層３２の下側でゲート絶縁層２４に接している。ドリフト層３３は、ベース層３２によって各ソース領域３０から分離されている。

ドレイン層３４は、ドリフト層３３よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型領域である。ドレイン層３４は、１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度のｎ型不純物濃度を有している。ドレイン層３４は、ドリフト層３３の下側に配置されている。ドレイン層３４は、裏面電極５２にオーミック接触している。

各底部領域３６は、ｐ型領域である。各底部領域３６は、対応するトレンチの底面に露出する範囲に配置されている。各底部領域３６の周囲は、ドリフト層３３に囲まれている。

上述したソース領域３０、ベース層３２、ドリフト層３３、ドレイン層３４、底部領域３６、ゲート電極２６及びゲート絶縁層２４等によって、各素子領域１４内にＭＯＳＦＥＴが構成されている。

各素子領域１４の外周部の表面上に、ゲート配線２５が設けられている。ゲート配線２５は、半導体基板１２から絶縁されており、各ゲート電極２６に接続されている。ゲート配線２５の周囲は、保護膜４８に覆われている。

ダイシング領域１６内では、半導体基板１２の表面１２ａに凹部４０が設けられている。凹部４０は、ベース層３２を貫通してドリフト層３３まで達している。凹部４０の下側に、ドリフト層３３とドレイン層３４が配置されている。凹部４０の周囲では、半導体基板１２の表面１２ａが絶縁膜４９によって覆われている。凹部４０の底面上に、ｎ型のコンタクト層４２が設けられている。コンタクト層４２は、高濃度（例えば、１×１０^１９〜１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）のｎ型不純物を有している。コンタクト層４２の厚みは、例えば、０．１〜０．５μｍである。コンタクト層４２は、ドリフト層３３に対して上側から接している。コンタクト層４２上に、電位検出用電極４４が設けられている。電位検出用電極４４は、コンタクト層４２にオーミック接触している。

図３は、実施形態の検査装置によってウエハ１０を検査する様子を示している。なお、図３においては、左側の素子領域１４が検査対象の素子領域１４ａであり、右側の素子領域１４が電流経路の素子領域１４ｂである。電流経路の素子領域１４ｂは、検査対象外の素子領域１４である。電流経路の素子領域１４ｂは、検査対象の素子領域１４ａに対する検査において、電流経路として用いられる。検査装置は、第１ソースプローブ６２、第１ゲートプローブ６４、第２ソースプローブ６６、第２ゲートプローブ６８、電位検出用プローブ７０、ステージ７２及び検査回路７４を有している。ステージ７２は、ウエハ１０が載置されるステージである。ステージ７２は、導体によって構成されている。ステージ７２は、吸着孔７２ａを有しており、ステージ７２上に載置されたウエハ１０を吸着して固定することができる。第１ソースプローブ６２は、検査対象の素子領域１４ａ内の表面電極５０に接続されるプローブである。第１ゲートプローブ６４は、検査対象の素子領域１４ａ内のゲート配線２５に接続されるプローブである。第２ソースプローブ６６は、電流経路の素子領域１４ｂ内の表面電極５０に接続されるプローブである。第２ゲートプローブ６８は、電流経路の素子領域１４ｂ内のゲート配線２５に接続されるプローブである。電位検出用プローブ７０は、電位検出用電極４４に接続されるプローブである。検査回路７４は、プローブ６２、６４、６６、６８、７０のそれぞれに電気的に接続されている。

次に、検査装置によるウエハ１０の検査について説明する。まず、ウエハ１０をステージ７２上に載置し、吸着孔７２ａによってウエハ１０をステージ７２上に固定する。

次に、各素子領域１４内のＭＯＳＦＥＴの静的特性を検査する。静的特性は、ＭＯＳＦＥＴの各電極に定電圧を印加した状態で測定される特性である。静的特性の検査は、図示しない従来公知のプローブを用いて行われる。静的特性の検査によって特性異常が検出された場合には、特性異常を有する素子領域１４の位置が検査回路７４によって記憶される。

静的特性の検査が完了したら、プローブの交換が行われる。ここで、図３に示すプローブ６２、６４、６６、６８、７０が検査装置に取り付けられる。次に、図３に示すように、各プローブをウエハ１０の表面側の各電極に接触させる。より詳細には、第１ソースプローブ６２を、検査対象の素子領域１４ａ内の表面電極５０に接触させる。第１ゲートプローブ６４を、検査対象の素子領域１４ａ内のゲート配線２５に接触させる。第２ソースプローブ６６を、電流経路の素子領域１４ｂ内の表面電極５０に接触させる。第２ゲートプローブ６８を、電流経路の素子領域１４ｂ内のゲート配線２５に接触させる。電位検出用プローブ７０を、電位検出用電極４４に接触させる。

なお、図３では、電流経路の素子領域１４ｂが１つのみ示されているが、検査対象の素子領域１４ａの周辺の検査対象外の素子領域１４の複数個が、電流経路の素子領域１４ｂとして使用される。但し、静的特性の検査において特性異常と判定された素子領域１４は、電流経路の素子領域１４ｂとして使用されない。複数の素子領域１４を電流経路の素子領域１４ｂとして用いることで、電流経路の抵抗の低減が可能である。

図３に示すようにプローブ６２、６４、６６、６８、７０が接続された状態で、動的特性の検査が行われる。動的特性は、ＭＯＳＦＥＴのゲート電位を変化させたときに測定される特性である。動的特性の検査では、Ｒ負荷スイッチング特性の測定と、Ｌ負荷スイッチング特性の測定が行われる。最初に、Ｒ負荷スイッチング特性の測定が行われる。

図４は、Ｒ負荷スイッチング特性の測定時の検査回路７４の回路図を示している。図３に示すようにプローブ６２、６４、６６、６８、７０が接続されることで、図４に示す回路が構成される。図４において、参照符号１４ａは、検査対象の素子領域１４ａに設けられているＭＯＳＦＥＴ（以下、ＭＯＳＦＥＴ１４ａという）であり、参照符号１４ｂは、電流経路の素子領域１４ｂに設けられているＭＯＳＦＥＴ（以下、ＭＯＳＦＥＴ１４ｂという）である。なお、図４では、図の見易さのために２つの電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂが示されているが、実際にはより多くの電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂが存在している。

図４に示すように、検査回路７４は、抵抗Ｒ１、複数のゲート抵抗Ｒｇ、ゲート電源９１ａ、９１ｂ、及び、電源９０を有している。検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのソースは、表面電極５０と第１ソースプローブ６２との接点を介して、検査回路７４に接続されている。検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのソースは、電源９０の負極に接続されている。検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのゲートは、ゲート配線２５と第１ゲートプローブ６４との接点を介して、検査回路７４に接続されている。検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのゲートは、ゲート抵抗Ｒｇとゲート電源９１ａの直列回路を介して、電源９０の負極に接続されている。検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのドレインは、裏面電極５２及びステージ７２を介して、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂのそれぞれのドレインに接続されている。電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂのそれぞれのソースは、表面電極５０と第２ソースプローブ６６との接点を介して、検査回路７４に接続されている。電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂのそれぞれのソースは、抵抗Ｒ１を介して電源９０の正極に接続されている。電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂのそれぞれのゲートは、ゲート配線２５と第２ゲートプローブ６８との接点を介して、検査回路７４に接続されている。電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂのそれぞれのゲートは、ゲート抵抗Ｒｇとゲート電源９１ｂの直列回路を介して、電源９０の負極に接続されている。

図５は、Ｒ負荷スイッチング特性の測定における各値の変化を示している。測定の開始前において、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂのゲート電圧Ｖｇｓｂは、ゲート電源９１ｂによって高電位に制御される。このため、測定の開始前に、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂはオンしており、裏面電極５２の電位は第２ソースプローブ６６の電位とほぼ等しくなっている。Ｒ負荷スイッチング特性の測定が終了するまで、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂはオン状態に維持される。測定の開始前に、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのゲート電圧Ｖｇｓａは、ゲート電源９１ａによって低電位に制御されている。このため、この段階ではＭＯＳＦＥＴ１４ａはオフしており、ＭＯＳＦＥＴ１４ａのドレイン‐ソース間電流Ｉｄｓは略ゼロであり、ＭＯＳＦＥＴ１４ａのドレイン‐ソース間電圧Ｖｄｓは高電圧（電源９０の出力電圧と略等しい電圧）となっている。タイミングｔ１において、ゲート電源９１ａによって検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのゲート電圧Ｖｇｓａが高電位に引き上げられる。すると、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａがオンする。このため、タイミングｔ１の直後に、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａに流れる電流Ｉｄｓが急激に上昇するとともに、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａへの印加電圧Ｖｄｓが急激に低下する。検査回路７４は、タイミングｔ１の直後におけるＭＯＳＦＥＴ１４ａのターンオン特性（例えば、電流Ｉｄｓの変化率ｄＩｄｓ／ｄｔ、電圧Ｖｄｓの変化率ｄＶｄｓ／ｄｔ、電流Ｉｄｓが流れ始めるまでに要する時間ｔｄ（ｏｎ）、電流Ｉｄｓが所定値まで上昇するのに要する時間ｔｒ等）を検出する。また、その後のタイミングｔ２において、ゲート電源９１ａによって検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのゲート電圧Ｖｇｓａが低電位に引き下げられる。すると、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａがオフする。このため、タイミングｔ２の直後に、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａに流れる電流Ｉｄｓが急激に低下するとともに、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａへの印加電圧Ｖｄｓが急激に上昇する。検査回路７４は、タイミングｔ２の直後におけるＭＯＳＦＥＴ１４ａのターンオフ特性（例えば、電流Ｉｄｓの変化率ｄＩｄｓ／ｄｔ、電圧Ｖｄｓの変化率ｄＶｄｓ／ｄｔ、電流Ｉｄｓが停止するまでに要する時間ｔｄ（ｏｆｆ）、電流Ｉｄｓが第１所定値から第２所定値に低下するのに要する時間ｔｆ、電圧Ｖｄｓに生じるサージ電圧Ｖｓｕｒｇｅ等）を測定する。Ｒ負荷スイッチング特性の測定が完了した後に、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂのゲート電圧Ｖｇｓｂは、ゲート電源９１ｂによって低電位に引き下げられる。これによって、ＭＯＳＦＥＴ１４ｂがオフする。検査装置は、各ＭＯＳＦＥＴに対して、上記のＲ負荷スイッチング特性の測定を行う。

以上に説明したように、Ｒ負荷スイッチング特性の測定の間は、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂがオンしている。このため、第２ソースプローブ６６がＭＯＳＦＥＴ１４ｂを介して裏面電極５２に電気的に接続される。したがって、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａの表面電極５０と裏面電極５２の間に電圧を印加して、ＭＯＳＦＥＴ１４ａのＲ負荷スイッチング特性を測定することができる。Ｒ負荷スイッチング特性の測定においては、電流Ｉｄｓ及び電圧Ｖｄｓが急激に変化するため、測定値がその測定時の閉回路（電流経路）の寄生インダクタンスの影響を大きく受ける。閉回路の寄生インダクタンスが大きいと、検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのＲ負荷スイッチング特性を正確に検出することができない。また、閉回路の寄生抵抗によっても、測定値に誤差が生じる。これに対し、本実施形態の検査装置は、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂをオン状態とすることで、ウエハ１０の表面側に位置するプローブ６６を裏面電極５２に電気的に接続する。すなわち、ウエハ１０を貫通する電流経路で、プローブ６６を裏面電極５２に電気的に接続する。したがって、閉回路の電流経路が短く、閉回路の寄生インダクタンスが小さい。さらに、閉回路の電流経路が短いので、閉回路の寄生抵抗も小さい。したがって、正確に検査対象のＭＯＳＦＥＴ１４ａのＲ負荷スイッチング特性を測定することができる。

また、この検査方法では、最終製品となる複数のＭＯＳＦＥＴのうちのいくつかを、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂとして用いる。このため、半導体基板１２に表面１２ａから裏面１２ｂまで貫通する金属配線を形成する必要がない。このため、半導体基板１２にダメージが加わり難く、高品質なＭＯＳＦＥＴを製造することができる。また、このような金属配線を形成する工程が不要となるので、効率的にＭＯＳＦＥＴを製造することが可能となる。

なお、Ｒ負荷スイッチング測定において、裏面電極５２の電位は、電位検出用プローブ７０によって検出される。裏面電極５２の電位は、第２ソースプローブ６６によって検出することも可能である。しかしながら、電流経路のＭＯＳＦＥＴ１４ｂの電気抵抗が比較的大きいため、第２ソースプローブ６６によって裏面電極５２の電位を正確に検出することは難しい。これに対し、電位検出用プローブ７０は、電位検出用電極４４、コンタクト層４２、ドリフト層３３、ドレイン層３４を介して裏面電極５２に接続されている。電位検出用プローブ７０から裏面電極５２に至るまでの経路にスイッチング構造が存在しないので、この経路にはチャネル抵抗が存在しない。このため、この経路を介して、裏面電極５２の電位をより正確に検出することができる。したがって、検査対象のＲ負荷スイッチング特性をより正確に検出することができる。

なお、凹部４０は深さが浅いので、容易に形成することができる。つまり、凹部４０を形成する際には、半導体基板１２に貫通孔を形成する場合ほどの時間は必要ない。また、凹部４０を形成する際には、貫通孔を形成する場合に比べて、半導体基板１２に加わるダメージは遥かに小さい。

次に、Ｌ負荷スイッチング特性の測定を行う。図６は、Ｌ負荷スイッチング特性の測定時の検査回路７４の構成を示している。図４と図６を比較することで明らかなように、図６の回路では、図４の回路の抵抗Ｒ１に代えて、コイルＬ１とダイオードＤ１の並列回路が挿入されている。図６の回路のその他の構成は、図４の回路と等しい。Ｌ負荷スイッチング特性の測定では、図６の回路を用いて、上述したＲ負荷スイッチング特性と同様のターンオン特性とターンオフ特性を測定する。Ｌ負荷スイッチング特性の測定も、その測定時の閉回路の寄生インダクタンスと寄生抵抗の影響を受ける。電流検出用のＭＯＳＦＥＴ１４ｂによって閉回路の寄生インダクタンスと寄生抵抗が低減されるので、正確にＬ負荷スイッチング特性を測定することができる。検査装置は、各ＭＯＳＦＥＴに対して、上記のＬ負荷スイッチング特性の測定を行う。

動的特性の測定（すなわち、Ｒ負荷スイッチング特性とＬ負荷スイッチング特性の測定）に基づいて、各ＭＯＳＦＥＴの良否が判定される。動的特性の検査を完了したら、ダイシング工程が実施される。ダイシング工程では、ダイシングブレードによってダイシング領域１６を切削する。これによって、ウエハ１０を複数の半導体チップに分割する。以上の工程によって、ＭＯＳＦＥＴを備える半導体チップが製造される。

なお、上記の実施形態では、各素子領域１４に設けられている半導体素子がＭＯＳＦＥＴであった。しかしながら、各素子領域１４に設けられている半導体素子が、両方向に導通可能な別の半導体素子（例えば、ＲＣ−ＩＧＢＴ（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor）等）であってもよい。

以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。

１０ ：ウエハ
１２ ：半導体基板
１４ ：素子領域
１６ ：ダイシング領域
２４ ：ゲート絶縁層
２５ ：ゲート配線
２６ ：ゲート電極
２８ ：層間絶縁膜
３０ ：ソース領域
３２ ：ベース層
３３ ：ドリフト層
３４ ：ドレイン層
３６ ：底部領域
４０ ：凹部
４２ ：コンタクト層
４４ ：電位検出用電極
４８ ：保護膜
４９ ：絶縁膜
５０ ：表面電極
５２ ：裏面電極
６２ ：第１ソースプローブ
６４ ：第１ゲートプローブ
６６ ：第２ソースプローブ
６８ ：第２ゲートプローブ
７０ ：電位検出用プローブ
７２ ：ステージ
７４ ：検査回路

Claims (1)

1. ウエハに設けられた半導体素子の特性を検査する検査装置であって、
   前記ウエハが、
   半導体基板と、
   前記半導体基板の表面に設けられた第１表面電極と、
   前記半導体基板の前記表面に設けられた第２表面電極と、
   前記半導体基板の裏面に設けられた裏面電極、
   を有しており、
   前記半導体基板が、
   前記第１表面電極と前記裏面電極との間を両方向に導通可能な第１半導体素子と、
   前記第２表面電極と前記裏面電極との間を両方向に導通可能な第２半導体素子、
   を有しており、
   前記検査装置が、第１接触端子、第２接触端子、及び、検査回路を備えており、
   前記検査回路が、前記第１接触端子を前記第１表面電極に接触させ、前記第２接触端子を前記第２表面電極に接触させた状態で、前記第２接触端子、前記第２表面電極、前記第２半導体素子、前記裏面電極、前記第１半導体素子、前記第１表面電極及び前記第１接触端子を通過する閉回路に電流を流すことで、前記第１半導体素子の特性を検査する、
   検査装置。

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