JP2018179618A - 半導体素子の検査装置 - Google Patents
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Abstract
Description
21〜23:端子
30:コイル
32:定電流源
34:第1回路
40:第2回路
42:ツェナーダイオード
44:リレー
60:電圧計
70:ゲート電源
90:半導体素子
92:IGBT
94:ダイオード
Claims (1)
- IGBTを備える半導体素子の検査装置であって、
検査対象の前記IGBTのエミッタに接続される第1端子と、
検査対象の前記IGBTのコレクタに接続される第2端子と、
前記第1端子と前記第2端子の間に接続されている第1回路と、
前記第1回路に対して並列に、前記第1端子と前記第2端子の間に接続されている第2回路、
を有しており、
前記第1回路が、
前記第1回路内において前記第1端子から前記第2端子に向かう向きに電流を流す電流源と、
前記電流源に対して直列に接続されているコイル、
を有しており、
前記第2回路が、
前記第1端子側がアノードとなり、前記第2端子側がカソードとなる向きで接続されているツェナーダイオードと、
前記ツェナーダイオードに対して直列に接続されているリレー、
を有しており、
前記ツェナーダイオードのツェナー電圧が、前記IGBTの立ち上がり電圧よりも高いとともに前記電流源の定格電圧よりも低く、
前記リレーが、前記ツェナーダイオードがオンした後にオフする、
検査装置。
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