JP2017531206A - セラミックコンポーネント間の圧力嵌め接続用の接続機構 - Google Patents
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Abstract
リソグラフィ装置用のセラミックコンポーネント（２０２、２０８）間の圧力嵌め接続用の接続機構（７００）が開示される。接続機構（７００）は、第１及び第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）とクランプデバイス（２１４）とを備える。クランプデバイスは、第１及び第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）を圧力嵌め式に相互に対して直接クランプする。【選択図】図６
Description
本発明は、リソグラフィ装置用のセラミックコンポーネント間の圧力嵌め接続用の接続機構、リソグラフィ装置用のセンサフレーム、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置のセラミックコンポーネント間の圧力嵌め接続の方法に関する。
例として、リソグラフィ装置は、集積回路（ＩＣ）の製造においてマスクのマスクパターンを例えばシリコンウェーハ等の基板に結像するのに用いられる。このとき、光学系が発生させた光ビームを、マスクを通して基板へ指向させる。
セラミックコンポーネントはリソグラフィ装置で用いられる。セラミックコンポーネントは相互に接続される。セラミックコンポーネントの相互接続に対する１つの選択肢は、セラミックコンポーネントに開いた対応する開口に通される金属ねじの使用にある。セラミック金属噛合接続機構は、熱膨張がセラミックコンポーネントの損傷につながり得るので不利である。さらに、噛合接続機構は、高レベルの精度を必要とする。さらに、噛合接続機構において小さすぎる接続領域は、引張力が大きい場合にセラミックコンポーネントの損傷をもたらし得る。
これを背景に、本発明の目的は、上記問題の少なくとも１つを解決する、セラミックコンポーネント用の改良型の接続機構及びセラミックコンポーネントを接続する方法を提供することにある。特に、リソグラフィ装置又はリソグラフィ装置用のセンサフレームにセラミックコンポーネント用の改良型の接続機構を設けることが、本発明の目的である。
この目的は、リソグラフィ装置用のセラミックコンポーネント間の圧力嵌め接続用の接続機構であって、第１及び第２セラミックコンポーネントとクランプデバイスとを備えた接続機構により達成される。クランプデバイスは、第１及び第２セラミックコンポーネントを圧力嵌め式に相互に対して直接クランプする。
クランプデバイスが第１及び第２セラミックコンポーネントを直接圧力嵌め式に、特に摩擦係合式に相互に対して直接クランプする結果として、噛合接続機構を不要にすることが可能である。セラミックコンポーネント間の滑りが、圧力嵌め接続機構により防止される。有利には、圧力嵌め接続機構は容易に取外し可能且つ容易にアクセス可能である。さらに、圧力嵌め接続は真空で使用可能である。さらに、セラミックコンポーネントが引張力又は熱膨張により損傷を受けることがあり得ない。
ここで、「直接」という用語は、第１セラミックコンポーネントと第２セラミックコンポーネントとの間にさらに別の要素が位置しないことを意味する。第１セラミックコンポーネントは、クランプデバイスにより第２セラミックコンポーネントに直接押し付けられる。
特に、セラミックコンポーネントは、好ましくはリソグラフィ装置のセンサフレームのシェルであり得る。シェルは、その端部側で、特にシェルのフランジの端部側でクランプデバイスにより相互に緊結される。好ましくは、シェルの各壁平面が、端面に作用するクランプ力(ベクトル)と同じ方向に延びる。
接続機構の一実施形態によれば、クランプデバイスは、第１及び／又は第２セラミックコンポーネントの外側に係合し且つ／又は第１及び／又は第２セラミックコンポーネントの内側に係合する。クランプデバイスが第１セラミックコンポーネントを第２セラミックコンポーネントに対して圧力嵌め式にクランプすることができるようにするために、両方のセラミックコンポーネントに力を加える必要がある。セラミックコンポーネントに力を加えることができるようにするために、クランプデバイスは、セラミックコンポーネントの凹部でセラミックコンポーネントの内側に係合する。代替的に、クランプデバイスは、例えばセラミックコンポーネントのバルジの位置でセラミックコンポーネントの外側に係合することもできる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、クランプデバイスは肢部及びクランプを有し、肢部はクランプに旋回可能に緊結される。肢部及びクランプは、セラミックコンポーネントの凹部に係合することができる。肢部がクランプに旋回可能に緊結される結果として、肢部及びクランプがセラミックコンポーネントを押す力を設定することが可能である。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、肢部が加える力及びクランプが加える力が、それぞれセラミックコンポーネントの壁平面内にある。結果として、作用力を、圧力嵌め式に接続される接触面に対して垂直に実施することができる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、第１セラミックコンポーネントは、第１凹部と、第１面及び第２面を有する第１セラミックフランジとを含む。さらに、第２セラミックコンポーネントは、第２凹部と、第１面及び第２面を有する第２セラミックフランジとを含む。第１セラミックフランジの第１面は、両方のセラミックフランジ間で圧力嵌め接続されるようにクランプデバイスにより第２セラミックフランジの第１面に対して押し付けられる。クランプデバイスの肢部は、第１セラミックコンポーネントの第１凹部において第１セラミックフランジの第２面に力を加え、クランプデバイスのクランプは、第２セラミックコンポーネントの第２凹部において第２セラミックフランジの第２面に力を加える。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、セラミックフランジは、足部及びウェブを有するＴ字形断面を有する。有利には、Ｔ字形断面は、セラミックフランジの第１面の拡大、すなわち力導入面の拡大の実施を可能にする。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、セラミックフランジは、その第１面に隆起接触面を有する。有利には、隆起接触面により、実際の接触面積を減らすことができる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、肢部及びクランプが加える力は、それぞれ第１面及び／又は隆起接触面に対して垂直である。有利には、それにより、セラミックフランジを適当な圧力嵌め式に接続することができる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、第１セラミックフランジの第１面は、第２セラミックフランジの第１面と平行であり、且つ／又は第１セラミックフランジの隆起接触面は、第２セラミックフランジの隆起接触面と平行である。圧力嵌め式に押し合う表面が相互に平行である結果として、圧力嵌め接続を良好に実現できる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、第１補償要素が第１セラミックコンポーネントの第１セラミックフランジとクランプデバイスの肢部との間に設けられて、第１セラミックフランジと肢部との間の公差を補償し、且つ／又は第２補償要素が第２セラミックコンポーネントの第２セラミックフランジとクランプデバイスのクランプとの間に設けられて、第２セラミックフランジとクランプとの間の公差を補償する。
補償要素は、肢部の接触面又はクランプの接触面とセラミックフランジの第２面との形態の差が補償されることを確実にすることができる。さらに、補償要素は、圧力嵌め式に接続される表面に対する肢部又はクランプの傾斜位置を補償することができる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、肢部は第１補償要素に対応する凹部を有し、且つ／又はクランプは第２補償要素に対応する凹部を有する。有利には、これが理想的な力伝達をもたらす。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、第１補償要素は、第１セラミックコンポーネントの第１凹部で第１セラミックフランジの第２面に取り付けられ、且つ／又は第２補償要素は、第２セラミックコンポーネントの第２凹部で第２セラミックフランジの第２面に取り付けられる。結果として、各補償要素は、肢部及びクランプがセラミックコンポーネントに力を加える位置に正確に取り付けられる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、第１補償要素は研磨接触面を有し、且つ／又は第１セラミックフランジの第２面は研磨接触面を有し、且つ／又は第２補償要素は研磨接触面を有し、且つ／又は第２セラミックフランジの第２面は研磨接触面を有する。研磨接触面の場合、補償要素をセラミックフランジに十分に接触させることができる。さらに、研磨接触面の場合、セラミックフランジの第２面に局所的な圧力点が存在し得ない。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、第１補償要素は第１セラミックフランジの第２面に接着され、且つ／又は第２補償要素は第２セラミックフランジの第２面に接着される。代替的に、補償要素は、別の方法でセラミックフランジに緊結することもできる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、第１補償要素は球状キャップとして具現され、且つ／又は第２補償要素は球状キャップとして具現される。肢部の接触面又はクランプの接触面が対応する形状である場合、球状キャップの形状は、肢部の傾斜又はクランプの傾斜を変更可能にすることを可能にする。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、クランプデバイスは、肢部をクランプに旋回可能に緊結するシャフトと、作用力を設定する移動ねじとを有する。有利には、作用力を移動ねじにより必要に応じて設定することができる。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、クランプデバイスのクランプは楕円湾曲部を有する。結果として、肢部及びクランプが加える力が適当に分配される。
接続機構のさらに別の実施形態によれば、セラミックコンポーネントは炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）を含む。有利には、この材料はわずかな熱膨張しか示さない。
さらに、上記接続機構を有するリソグラフィ装置用のセンサフレームが提案される。
さらに、上記センサフレームを有するか又は上記接続機構を有するリソグラフィ装置が提案される。
さらに、以下のステップを含む、リソグラフィ装置用のセラミックコンポーネント間の圧力嵌め接続の方法が提案される。第１ステップａ）において、第１セラミックコンポーネントを第２セラミックコンポーネントに隣接して位置決めする。第２ステップｂ）において、第１セラミックコンポーネントを第２セラミックコンポーネントにクランプデバイスにより押し付け、第１及び第２セラミックコンポーネントを圧力嵌め式に相互に対してクランプする。
提案されたデバイスに関して説明した実施形態及び特徴は、提案された方法にも対応して当てはまる。
本発明のさらに他の可能な実施態様は、明示的に述べられていなくても、例示的な実施形態に関する上記又は下記の特徴又は実施形態の組み合わせも含む。ここで、当業者であれば、個々の態様を改良又は追加として本発明の各基本形態に加えることもするであろう。
本発明のさらに他の有利な実施形態及び態様は、従属請求項の主題であり且つ下記の本発明の例示的な実施形態である。さらに、添付図面を参照して本発明を好ましい実施形態に基づきより詳細に説明する。
別段の指定のない限り、図中の同じ参照符号は同等の又は機能的に同等の要素を示す。さらに、図示は必ずしも一定の縮尺でなされていないことに留意されたい。
図１は、ビーム整形系１０２、照明系１０４、及び投影系１０６を備えたＥＵＶリソグラフィ装置１００の概略図を示す。ビーム整形系１０２、照明系１０４、及び投影系１０６は、より詳細には図示しない排気デバイスにより真空引きされる真空ハウジング内にそれぞれ設けられる。真空ハウジングは、より詳細には図示しない機械室により囲まれ、機械室には、光学素子の機械的な変位又は設定用の駆動デバイスが設けられる。さらに、電気制御装置等をこの機械室に設けることもできる。
ビーム整形系１０２は、ＥＵＶ光源１０８、コリメータ１１０、及びモノクロメータ１１２を有する。例として、ＥＵＶ領域（極紫外線領域）の、すなわち例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの波長域の放射線を放出するプラズマ源又はシンクロトロンを、ＥＵＶ光源１０８として設けることができる。ＥＵＶ光源１０８から出る放射線は、最初にコリメータ１１０により集束された後に、モノクロメータ１１２により所望の動作波長がフィルタリングされる。したがって、ビーム整形系１０２は、ＥＵＶ光源１０８が放出した光の波長及び空間分布を適合させる。ＥＵＶ光源１０８が発生させたＥＵＶ放射線１１４は、空気中の透過率が比較的低いので、ビーム整形系１０２、照明系１０４、及び投影系又は投影レンズ１０６のビーム誘導空間が真空引きされる。
図示の例では、照明系１０４は、第１ミラー１１６及び第２ミラー１１８を有する。例として、これらのミラー１１６、１１８は、瞳を形成するファセットミラーとして具現することができ、ＥＵＶ放射線１１４をフォトマスク１２０へ誘導する。
フォトマスク１２０も同様に、反射光学素子として具現され、系１０２、１０４、１０６の外部に配置することができる。フォトマスク１２０は、投影系１０６によりウェーハ１２２等の上に縮小して結像される構造を有する。この目的で、投影系は、ビーム誘導空間１０６内に例えば第３ミラー１２４及び第４ミラー１２６を有する。ＥＵＶリソグラフィ装置１００におけるミラーの数は図示の数に限定されず、それよりも多数又は少数のミラーを設けることもできることに留意されたい。さらに、ミラーは、その前面がビーム整形用に全体的に湾曲している。
投影系１０６は、図２Ａに部分的に示すセンサフレーム２００と、ここには図示しないフォースフレームとを備えることができる。フォースフレームは、さまざまなサブコンポーネント、例えばアクチュエータ及び能動ミラー等を担持し得る。固定基準として、センサフレーム２００はセンサ及び唯一の受動ミラーを担持することができる。さらに、センサフレーム２００は、組み立て完了後のフォースフレームの周りに組み立てることができる。
センサフレーム２００の一機能は、全体基準としての高剛性の支持体を提供することにある。さらに、内部構造へのアクセス性を確保しなければならない。センサフレーム２００の熱変形を最小限にする必要がある。これをｐｍ領域で確保するために、セラミック材料を利用することが好ましい。
概して、センサフレームは５個のセラミックコンポーネント、すなわちシェルからなる場合がある。図２Ａには、上部シェル２０２及び第１中央シェル２０８を示す。一方、センサフレーム２００の底部シェル、第２中央シェル、及び前部シェルは、概観を分かりやすくするために図示しない。第１中央シェル２０８、第２中央シェル、及び前部シェルは、中央アセンブリを形成する。
図２Ａで分かるように、上部シェル２０２及び第１中央シェル２０８は、クランプデバイス２１４により繋ぎ合わせられる。さらに、例えば第１中央シェル２０８及び底部シェルは、クランプデバイス２１４（ここには図示せず）により繋ぎ合わせられる。
セラミックコンポーネント２０２、２０８は非常に堅いモノリシックなセラミックコンポーネントである。特に、セラミックコンポーネント２０２、２０８は、炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）を含有し得る。
上記中央アセンブリは、センサフレーム２００の全体的な剛性に特に関係する。第１中央シェル２０８は、図２Ｂに示すセラミックフランジ３００により上部シェル２０２に接続することができる。より正確には、セラミックコンポーネント２０２、２０８のセラミックフランジ３００を、クランプデバイス２１４により圧力嵌め式に相互に対してクランプすることができる。ここで、クランプデバイス２１４は、セラミックコンポーネント２０２、２０８の矩形窓の形態の凹部３０２に係合できる。図２Ｂは、セラミックコンポーネント２０２、２０８を分解図で示す。この図ではセラミックフランジ３００及び凹部３０２を識別することが可能である。
図３は、２つの接続されたセラミックコンポーネント２０２、２０８の斜視図を示す。ここに示すのは、セラミックコンポーネント２０２の第１凹部３０２ａ及びセラミックコンポーネント２０８の第２凹部３０２ｂにそれぞれ係合するクランプデバイス２１４であり、ここには例示的に６個を示す。図３に示す凹部３０２の代替として、セラミックコンポーネント２０２、２０８は、バルジ、例えば対応する突出縁部を有することもできる。クランプデバイス２１４は、その場合はバルジ又は縁部の外側に係合する。
任意の数のクランプデバイス２１４を第１及び第２セラミックフランジ３００ａ、３００ｂの圧力嵌め接続に用いることができる。
図４で分かるように、クランプデバイス２１４は、それぞれが肢部４００及びクランプ４０２を有する。クランプデバイス２１４において、肢部４００はクランプ４０２に旋回可能に緊結される。各肢部４００は、シャフト４０８によりクランプに回転可能に緊結することができる。セラミックコンポーネント２０２、２０８は、研磨された位置マーキング４０４により相互に対して測定及び位置合わせすることができ、正確には、これらが圧力嵌め式に相互に接続されるようにすることができる。クランプデバイス２１４は、それぞれが第１セラミックコンポーネント２０２の第１セラミックフランジ３００ａ及び第２セラミックコンポーネント２０８の第２セラミックフランジ３００ｂの外側に係合する。肢部４００は、クランプデバイス２１４の移動ねじ４０６によりシャフト４０８を中心に旋回することができる。これを用いて、第１セラミックフランジ３００ａ及び第２セラミックフランジ３００ｂに圧力を加える。
特に図４に示すクランプデバイス２１４において、肢部４００をクランプ４０２のフォークの形態で分岐した端部５１０、５１２間に取り付けることが可能である。軸又はシャフト４０８は、肢部４００がシャフト４０８を中心に回転できるように、クランプ４０２の第１分岐端部５１０、肢部４００、及びクランプ４０２の第２分岐端部５１２を貫通する。第１及び第２分岐端部５１０、５１２の両方に設けられた固定リング５００が、クランプからシャフト４０８が落ちるのを防止する。
肢部４００は、鋼、特にクロムニッケル鋼を含むことができる。クランプ４０２も同様に鋼を含み得る。クランプデバイス２１４の組立て用の組立デバイスを、ねじ穴を有する要素５０６に緊結することができる。クランプ４０２はフックの形状を有する。クランプのうち肢部４００に面しない端部にある湾曲部５０８が、楕円形態を有し得る。クランプ４０２の楕円湾曲部５０８は、肢部４００及びクランプ４０２が加える力の理想的な分配を確保し、移動ねじ４０６を締める際にクランプ４０２が不所望に広がるのを防止する。
クランプデバイス２１４は、真空で用いるために設けられる。クランプ４０２の通気孔５０４が、クランプ４０２の接触面５１４とセラミックフランジ３００との間に封入気泡が形成されないことを確実にする。通気孔５０２は、肢部４００にも同様に設けられる。
図５は、図４に示すクランプデバイス２１４の断面図を示す。移動ねじ４０６を用いて、肢部４００及びクランプ４０２がセラミックフランジ３００を押す力を設定することが可能である。移動ねじ４０６はねじ山６０４を有する。クランプデバイス２１４のクランプ４０２は、対応する相手ねじ山６０６を有する。回転により、移動ねじ４０６がそのねじ山６０４でクランプ４０２の相手ねじ山６０６に対して上方に螺進することができることで、肢部４００の後端部６０８が押し上げられる。肢部４００がシャフト４０８を中心に旋回可能に取り付けられているので、これが肢部４００の前端部６１０の降下をもたらす。肢部４００の接触面６００及びクランプ４０２の接触面５１４は、こうして肢部４００とクランプ４０２との間に位置する２つのセラミックフランジを押すことができる。肢部４００の接触面６００及びクランプ４０２の接触面５１４は、円錐形の実施形態を有することができる。
肢部４００は突起６１２を有することができる。この突起に表面６１４があり、そこからピン６１６が突出する。ピン６１６は、移動ねじ４０６が上方に移動すると戻しばね６０２を一緒に押す。この利点は、移動ねじ４０６を逆回転させると戻しばね６０２の復元力により肢部４００がその初期位置に戻ることである。
図６は、セラミックコンポーネント２０２、２０８間の圧力嵌め接続用の接続機構７００を示す。図４及び図５にすでに示されているクランプデバイス２１４を見ることができる。クランプデバイス２１４は、２つのセラミックフランジ３００を圧力嵌め式に相互に対してクランプする。この目的で、肢部４００の前端部６１０は第１セラミックフランジ３００ａに押し当たり、クランプ４０２は第２セラミックフランジ３００ｂに押し当たる。例として、図示のセラミックフランジ３００はＴ字形断面を有する。
図６に示すように、補償要素７０２を肢部４００又はクランプ４０２と各セラミックフランジ３００との間で用いることができる。肢部４００の前端部６１０が、接触面６００により第１補償要素７０２ａに力Ｆ１を加えることが分かる。第１補償要素７０２ａはさらに、第１セラミックフランジ３００ａの外側面７０６ａを押す。クランプ４０２は、その接触面５１４により第２補償要素７０２ｂに第２力Ｆ２を加える。第２補償要素７０２ｂはさらに、第２セラミックフランジ３００ｂの外側面７０６ｂを押す。したがって、第１セラミックフランジ３００ａの内側面７０４ａも直接、すなわちさらに他のコンポーネントを介在させずにセラミック同士で、第２セラミックフランジの内側面７０４ｂに押し付けられる。こうして、第１セラミックフランジ３００ａと第２セラミックフランジ３００ｂとの間の表面７０４ａ、７０４ｂの平面における摩擦係合の結果として、圧力嵌め接続が起こる。クランプデバイス２１４により、上記平面に対して垂直な方向に、すなわち力Ｆ１、Ｆ２が作用する方向に圧力嵌めが起こる。
肢部４００が加える力Ｆ１及びクランプ４０２が加える力Ｆ２は、壁平面Ｗに沿って逆方向に延びる。この利点は、セラミックコンポーネント２０２、２０８の対応する壁により導入され生じる力を十分に吸収でき、特にこうした力から曲げ荷重を全く又はほとんど受けないことである。
第１補償要素７０２ａは、第１セラミックフランジ３００ａと肢部４００との間の公差補償を確保する。第２補償要素７０２ｂは、第２セラミックフランジ３００ｂとクランプ４０２との間の公差補償を確保する。補償要素７０２は鋼を含み得る。
さらに、補償要素７０２を用いて、圧力嵌め接続される表面７０４ａ、７０４ｂに対する肢部４００又はクランプ４０２の傾斜位置を補償することができる。ここで、肢部４００又はクランプ４０２は、対応する補償要素７０２ａ、７０２ｂに対応して、接触面５１４、６００を有する凹部を有する。さらに、各補償要素７０２ａ、７０２ｂは、球状キャップとして具現することができる。
補償要素７０２ａ、７０２ｂがセラミックフランジ３００において圧力及び張力ピークをできる限り発生させることができないようにするために、補償要素７０２ａ、７０２ｂの研磨接触面及びセラミックフランジ３００の面７０６ａ、７０６ｂの研磨接触面が有利である。
補償要素７０２ａ、７０２ｂは、特に多成分接着剤によりセラミックフランジ３００の面７０６ａ、７０６ｂに接着することができる。しかしながら、補償要素７０２ａ、７０２ｂは、異なる方法で緊結することもできる。
図７は、図６からのセラミックフランジ３００ｂを備えたセラミックコンポーネント２０２、２０８の斜め下からの斜視図を示し、図８は、斜め上からの図を示す。図示のセラミックフランジ３００ｂは、Ｔ字形を有し、ウェブ８０４及び足部８０２を含む。さらに、その内側面７０４に、セラミックフランジ３００ｂは研磨された隆起接触面８００を有する。凹部３０２において、補償要素７０２ｂがセラミックフランジ３００の外側面に取り付けられる。この場合、図６でも説明されているように、セラミックコンポーネント２０２、２０８間の直接接触は、接触面８００によってのみ生じる。
Ｔ字形のセラミックフランジ３００を用いることにより、大きな力導入面を実施することが可能である。同時に、隆起接触面８００を用いることにより、セラミックフランジ３００の全体的な接触面を減らすことができる。
本発明は、例示的な実施形態に基づき説明したが、決してそれに限定されるものではなく、多様な方法で変更可能である。
代替的に、クランプデバイス２１４の肢部４００は玉継手を有することができる。この場合、第１補償要素７０２ａは玉継手に接続される。クランプデバイス２１４のクランプ４０２も同様に、第２補償要素７０２ｂに接続することができる玉継手を有することができる。
代替的な実施形態では、肢部４００を広げることができる。したがって、広がったレバーアームが生じる。
さらに別の代替的な実施形態では、クランプデバイス２１４はねじクランプを含み得る。
さらに別の代替的な実施形態では、クランプデバイス２１４は、セラミックコンポーネント２０２、２０８に生じる可能性のある熱的復元力を補償する弾性要素を有し得る。
リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィ装置である必要はなく、異なる波長（例えば、ＡｒＦエキシマレーザによる１９３ｎｍ）を有する光を用いることも可能である。さらに、特に上記投影系１０６において上記ミラーの代わりにレンズを用いることも可能である。
原理上、任意のコンポーネント、特に任意のシェルをクランプデバイス２１４により相互に接続することができる。
１００ ＥＵＶリソグラフィ装置
１０２ ビーム整形系
１０４ 照明系
１０６ 投影系
１０８ ＥＵＶ光源
１１０ コリメータ
１１２ モノクロメータ
１１４ ＥＵＶ放射線
１１６ 第１ミラー
１１８ 第２ミラー
１２０ フォトマスク
１２２ ウェーハ
１２４ 第３ミラー
１２６ 第４ミラー
２００ センサフレーム
２０２ 上部シェル
２０８ 第１中央シェル
２１４ クランプデバイス
３００ セラミックフランジ
３００ａ 第１セラミックフランジ
３００ｂ 第２セラミックフランジ
３０２ 凹部
３０２ａ 第１凹部
３０２ｂ 第２凹部
４００ 肢部
４０２ クランプ
４０４ 位置マーキング
４０６ 移動ねじ
４０８ シャフト
５００ 固定リング
５０２ 肢部の通気孔
５０４ クランプの通気孔
５０６ ねじ穴を有する要素
５０８ 湾曲部
５１０ クランプの第１分岐端部
５１２ クランプの第２分岐端部
５１４ クランプの接触面
６００ 肢部の接触面
６０２ 戻しばね
６０４ ねじのねじ山
６０６ クランプデバイスのねじ山
６０８ 肢部の後端部
６１０ 肢部の前端部
６１２ 肢部の突起
６１４ 肢部の突起の表面
６１６ 突起の表面におけるピン
７００ 接続機構
７０２ 補償要素
７０２ａ 第１補償要素
７０２ｂ 第２補償要素
７０４ セラミックフランジの第１面
７０４ａ 第１セラミックフランジの第１面
７０４ｂ 第２セラミックフランジの第１面
７０６ セラミックフランジの第２面
７０６ａ 第１セラミックフランジの第２面
７０６ｂ 第２セラミックフランジの第２面
８００ セラミックフランジの隆起接触面
７０２ 足部
８０４ ウェブ
Ｆ１ 肢部が加える力
Ｆ２ クランプが加える力
Ｗ 壁平面
１０２ ビーム整形系
１０４ 照明系
１０６ 投影系
１０８ ＥＵＶ光源
１１０ コリメータ
１１２ モノクロメータ
１１４ ＥＵＶ放射線
１１６ 第１ミラー
１１８ 第２ミラー
１２０ フォトマスク
１２２ ウェーハ
１２４ 第３ミラー
１２６ 第４ミラー
２００ センサフレーム
２０２ 上部シェル
２０８ 第１中央シェル
２１４ クランプデバイス
３００ セラミックフランジ
３００ａ 第１セラミックフランジ
３００ｂ 第２セラミックフランジ
３０２ 凹部
３０２ａ 第１凹部
３０２ｂ 第２凹部
４００ 肢部
４０２ クランプ
４０４ 位置マーキング
４０６ 移動ねじ
４０８ シャフト
５００ 固定リング
５０２ 肢部の通気孔
５０４ クランプの通気孔
５０６ ねじ穴を有する要素
５０８ 湾曲部
５１０ クランプの第１分岐端部
５１２ クランプの第２分岐端部
５１４ クランプの接触面
６００ 肢部の接触面
６０２ 戻しばね
６０４ ねじのねじ山
６０６ クランプデバイスのねじ山
６０８ 肢部の後端部
６１０ 肢部の前端部
６１２ 肢部の突起
６１４ 肢部の突起の表面
６１６ 突起の表面におけるピン
７００ 接続機構
７０２ 補償要素
７０２ａ 第１補償要素
７０２ｂ 第２補償要素
７０４ セラミックフランジの第１面
７０４ａ 第１セラミックフランジの第１面
７０４ｂ 第２セラミックフランジの第１面
７０６ セラミックフランジの第２面
７０６ａ 第１セラミックフランジの第２面
７０６ｂ 第２セラミックフランジの第２面
８００ セラミックフランジの隆起接触面
７０２ 足部
８０４ ウェブ
Ｆ１ 肢部が加える力
Ｆ２ クランプが加える力
Ｗ 壁平面
Claims (21)
- リソグラフィ装置（１００）用のセラミックコンポーネント（２０２、２０８）間の圧力嵌め接続用の接続機構（７００）であって、
第１及び第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）と、
前記第１及び第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）を圧力嵌め式に相互に対して直接クランプするクランプデバイス（２１４）と
を備えた接続機構。 - 請求項１に記載の接続機構において、前記クランプデバイス（２１４）は、前記第１及び／又は第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）の外側に係合し且つ／又は前記第１及び／又は第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８、２１０）の内側に係合する接続機構。
- 請求項１又は２に記載の接続機構において、前記クランプデバイス（２１４）は肢部（４００）及びクランプ（４０２）を有し、前記肢部（４００）は前記クランプ（４０２）に旋回可能に緊結される接続機構。
- 請求項３に記載の接続機構において、前記肢部（４００）が加える力（Ｆ１）及び前記クランプ（４０２）が加える力（Ｆ２）が、それぞれ前記セラミックコンポーネント（２０２、２０８、２１０）の壁平面（Ｗ）内にある接続機構。
- 請求項４に記載の接続機構において、
前記第１セラミックコンポーネント（２０２、２０８）は、第１凹部（３０２ａ）と、第１面（７０４ａ）及び第２面（７０６ａ）を有する第１セラミックフランジ（３００ａ）とを含み、
前記第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）は、第２凹部（３０２ｂ）と、第１面（７０４ｂ）及び第２面（７０６ｂ）を有する第２セラミックフランジ（３００ｂ）とを含み、
前記第１セラミックフランジ（３００ａ）の前記第１面（７０４ａ）は、両方の前記セラミックフランジ（３００ａ、３００ｂ）間で圧力嵌め接続されるように前記クランプデバイス（２１４）により前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）の前記第１面（７０４ｂ）に対して押し付けられ、
前記クランプデバイス（２１４）の前記肢部（４００）は、前記第１セラミックコンポーネント（２０２、２０８）の前記第１凹部（３０２ａ）において前記第１セラミックフランジ（３００ａ）の前記第２面（７０６ａ）に力Ｆ１を加え、前記クランプデバイス（２１４）の前記クランプ（４０２）は、前記第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）の前記第２凹部（３０２ｂ）において前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）の前記第２面（７０６ｂ）に力Ｆ２を加える接続機構。 - 請求項５に記載の接続機構において、前記セラミックフランジ（３００）は、足部（８８０２）及びウェブ（８０４）を有するＴ字形断面を有する接続機構。
- 請求項５又は６のいずれか１項に記載の接続機構において、前記セラミックフランジ（３００）は、その前記第１面（７０４）に隆起接触面（８００）を有する接続機構。
- 請求項５〜７のいずれか１項に記載の接続機構において、前記肢部（４００）及び前記クランプ（４０２）が加える前記力（Ｆ１、Ｆ２）は、それぞれ前記第１面（７０４）及び／又は前記隆起接触面（８００）に対して垂直である接続機構。
- 請求項５〜８のいずれか１項に記載の接続機構において、前記第１セラミックフランジ（３００ａ）の前記第１面（７０４ａ）は、前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）の前記第１面（７０４ｂ）と平行であり、且つ／又は前記第１セラミックフランジ（３００ａ）の前記隆起接触面（８００）は、前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）の前記隆起接触面（８００）と平行である接続機構。
- 請求項５〜９のいずれか１項に記載の接続機構において、第１補償要素（７０２ａ）が前記第１セラミックコンポーネント（２０２、２０８）の前記第１セラミックフランジ（３００ａ）と前記クランプデバイス（２１４）の前記肢部（４００）との間に設けられて、前記第１セラミックフランジ（３００ａ）と前記肢部（４００）との間の公差を補償し、且つ／又は第２補償要素（７０２ｂ）が前記第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）の前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）と前記クランプデバイス（２１４）の前記クランプ（４０２）との間に設けられて、前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）と前記クランプ（４０２）との間の公差を補償する接続機構。
- 請求項１０に記載の接続機構において、前記肢部（４００）は前記第１補償要素（７０２ａ）に対応する凹部を有し、且つ／又は前記クランプ（４０２）は前記第２補償要素（７０２ｂ）に対応する凹部を有する接続機構。
- 請求項１０又は１１に記載の接続機構において、前記第１補償要素（７０２ａ）は、前記第１セラミックコンポーネント（２０２、２０８）の前記第１凹部（３０２ａ）で前記第１セラミックフランジ（３００ａ）の前記第２面（７０６ａ）に取り付けられ、且つ／又は前記第２補償要素（７０２ｂ）は、前記第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）の前記第２凹部（３０２ｂ）で前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）の前記第２面（７０６ｂ）に取り付けられる接続機構。
- 請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の接続機構において、前記第１補償要素（７０２ａ）は研磨接触面を有し、且つ／又は前記第１セラミックフランジ（３００ａ）の前記第２面（７０６ａ）は研磨接触面を有し、且つ／又は前記第２補償要素（７０２ｂ）は研磨接触面を有し、且つ／又は前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）の前記第２面（７０６ｂ）は研磨接触面を有する接続機構。
- 請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の接続機構において、前記第１補償要素（７０２ａ）は前記第１セラミックフランジ（３００ａ）の前記第２面（７０６ａ）に接着され、且つ／又は前記第２補償要素（７０２ｂ）は前記第２セラミックフランジ（３００ｂ）の前記第２面（７０６ｂ）に接着される接続機構。
- 請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の接続機構において、前記第１補償要素（７０２ａ）は球状キャップとして具現され、且つ／又は前記第２補償要素（７０２ｂ）は球状キャップとして具現される接続機構。
- 請求項３〜１５のいずれか１項に記載の接続機構において、前記クランプデバイス（２１４）は、前記肢部（４００）を前記クランプ（４０２）に旋回可能に緊結するシャフト（４０８）と、前記加える力（Ｆ１、Ｆ２）を設定する移動ねじ（４０６）とを有する接続機構。
- 請求項３〜１６のいずれか１項に記載の接続機構において、前記クランプデバイス（２１４）の前記クランプ（４０２）は楕円湾曲部（５０８）を有する接続機構。
- 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の接続機構において、前記セラミックコンポーネント（２０２、２０８）は炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）を含む接続機構。
- リソグラフィ装置（１００）用のセンサフレーム（２００）であって、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の接続機構（７００）を備えたセンサフレーム。
- リソグラフィ装置（１００）であって、請求項１９に記載のセンサフレーム（２００）又は請求項１〜１８のいずれか１項に記載の接続機構（７００）を備えたリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置用のセラミックコンポーネント（２０２、２０８）間の圧力嵌め接続の方法であって、
ａ）第１セラミックコンポーネント（２０２、２０８）を第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）に隣接して位置決めするステップと、
ｂ）前記第１セラミックコンポーネント（２０２、２０８）を前記第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）にクランプデバイス（２１４）により押し付け、前記第１及び第２セラミックコンポーネント（２０２、２０８）を圧力嵌め式に相互に対してクランプするステップと
を含む方法。
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