JP2017531073A5 - - Google Patents
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Description
３次元容量性回路を製造する間、熱成形工程の後に、最終工程はしばしば、ポリカーボネートなどの樹脂を使用して射出成形によって完成回路が形成される成形工程である。このプロセスはイン・モールディングとも称され、より高い温度を必要とする。選択される樹脂に応じて、これらの温度は典型的に、１０〜３０秒間にわたって２５０℃を超える。このようにＰＴＦ組成物に使用される樹脂の選択は重要である。本ＰＴＦ組成物に使用される樹脂の組合せは金型内プロセスに耐え、完全に機能回路部品を製造することが示されているのに対して、ＰＴＦ組成物に典型的に使用される大抵の樹脂はそうではない。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］ （ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末、およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含むポリマー厚膜透明導体組成物であって、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントがポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づく
ことを特徴とするポリマー厚膜透明導体組成物。
［２］ 前記熱可塑性ウレタン樹脂がウレタンホモポリマーまたはポリエステル系コポリマーであり、前記熱可塑性ウレタン樹脂がポリエステル系コポリマーであることを特徴とする［１］に記載のポリマー厚膜透明導体組成物。
［３］ 基材と、ポリマー厚膜透明導体組成物から形成される透明導体とを含む容量性スイッチ回路であって、前記ポリマー厚膜透明導体組成物は、
（ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含み、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントがポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づくことを特徴とする容量性スイッチ回路。
［４］ 前記容量性スイッチ回路が熱成形されていることを特徴とする［３］に記載の容量性スイッチ回路。
［５］ 熱成形可能な銀導体をさらに含み、前記容量性スイッチ回路が熱成形される前に、前記透明導体が前記熱成形可能な銀導体上に形成されていることを特徴とする［４］に記載の容量性スイッチ回路。
［６］ 熱成形可能な銀導体をさらに含み、前記ポリマー厚膜透明導体組成物を乾燥させて前記透明導体を形成した後、前記容量性スイッチ回路が熱成形される前に、前記熱成形可能な銀導体が前記透明導体の頂面上に形成されていることを特徴とする［４］に記載の容量性スイッチ回路。
［７］ 前記容量性スイッチ回路が、引き続いて射出成形プロセスに供せられることを特徴とする［４］に記載の容量性スイッチ回路。
［８］ 基材と、乾燥された封入剤層と、乾燥されたポリマー厚膜透明導体組成物から形成される透明導体とを含む容量性スイッチ回路であって、前記ポリマー厚膜透明導体組成物が、
（ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含み、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントが前記ポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づく
ことを特徴とする容量性スイッチ回路。
［９］ 前記容量性スイッチ回路が熱成形されていることを特徴とする［８］に記載の容量性スイッチ回路。
［１０］ 前記容量性スイッチ回路が、引き続いて射出成形プロセスに供せられることを特徴とする［９］に記載の容量性スイッチ回路。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］ （ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末、およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含むポリマー厚膜透明導体組成物であって、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントがポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づく
ことを特徴とするポリマー厚膜透明導体組成物。
［２］ 前記熱可塑性ウレタン樹脂がウレタンホモポリマーまたはポリエステル系コポリマーであり、前記熱可塑性ウレタン樹脂がポリエステル系コポリマーであることを特徴とする［１］に記載のポリマー厚膜透明導体組成物。
［３］ 基材と、ポリマー厚膜透明導体組成物から形成される透明導体とを含む容量性スイッチ回路であって、前記ポリマー厚膜透明導体組成物は、
（ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含み、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントがポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づくことを特徴とする容量性スイッチ回路。
［４］ 前記容量性スイッチ回路が熱成形されていることを特徴とする［３］に記載の容量性スイッチ回路。
［５］ 熱成形可能な銀導体をさらに含み、前記容量性スイッチ回路が熱成形される前に、前記透明導体が前記熱成形可能な銀導体上に形成されていることを特徴とする［４］に記載の容量性スイッチ回路。
［６］ 熱成形可能な銀導体をさらに含み、前記ポリマー厚膜透明導体組成物を乾燥させて前記透明導体を形成した後、前記容量性スイッチ回路が熱成形される前に、前記熱成形可能な銀導体が前記透明導体の頂面上に形成されていることを特徴とする［４］に記載の容量性スイッチ回路。
［７］ 前記容量性スイッチ回路が、引き続いて射出成形プロセスに供せられることを特徴とする［４］に記載の容量性スイッチ回路。
［８］ 基材と、乾燥された封入剤層と、乾燥されたポリマー厚膜透明導体組成物から形成される透明導体とを含む容量性スイッチ回路であって、前記ポリマー厚膜透明導体組成物が、
（ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含み、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントが前記ポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づく
ことを特徴とする容量性スイッチ回路。
［９］ 前記容量性スイッチ回路が熱成形されていることを特徴とする［８］に記載の容量性スイッチ回路。
［１０］ 前記容量性スイッチ回路が、引き続いて射出成形プロセスに供せられることを特徴とする［９］に記載の容量性スイッチ回路。
Claims (3)
- （ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末、およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含むポリマー厚膜透明導体組成物であって、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントがポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づく
ことを特徴とするポリマー厚膜透明導体組成物。 - 基材と、ポリマー厚膜透明導体組成物から形成される透明導体とを含む容量性スイッチ回路であって、前記ポリマー厚膜透明導体組成物は、
（ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含み、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントがポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づくことを特徴とする容量性スイッチ回路。 - 基材と、乾燥された封入剤層と、乾燥されたポリマー厚膜透明導体組成物から形成される透明導体とを含む容量性スイッチ回路であって、前記ポリマー厚膜透明導体組成物が、
（ａ） 酸化インジウムスズ粉末、酸化アンチモンスズ粉末およびそれらの混合物からなる群から選択される導電性酸化物粉末１０〜７０重量％と、
（ｂ） １〜５０重量％の熱可塑性ウレタン樹脂および１０〜５０重量％の熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂を含む有機媒体３０〜９０重量％と
を含み、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂が両方ともトリエチルホスフェートに溶解され、
前記熱可塑性ウレタン樹脂および前記熱可塑性ポリヒドロキシエーテル樹脂の重量パーセントが前記有機媒体の全重量に基づき、
前記導電性酸化物粉末および前記有機媒体の重量パーセントが前記ポリマー厚膜透明導体組成物の全重量に基づく
ことを特徴とする容量性スイッチ回路。
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