JP2017509832A - サポートデバイス、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

第１部を第２部に対して支持し、２つの部分の間の振動の伝達を最小限にするように構成されたサポートデバイス（２）は、第１部と第２部との間にサポート力を提供するために加圧ガスを使用するように構成された支持システム（２０）と、支持システムに接続され、加圧ガスを含みかつ加圧ガスを支持システムに提供するように構成されたガスチャンバ（３０）と、音響減衰材料部（４０）とを備え、この音響減衰材料部（４０）は、音響減衰材料部の両側にあるガスチャンバ内の第１ガス含有領域と第２ガス含有領域とを離すようにガスチャンバ内の位置に配置される。【選択図】図３

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２０１４年１月１７日に出願した米国仮出願第６１／９２８，９１３号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。

[0002] 本発明は、サポートデバイス、このようなサポートデバイスを備えるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。

[0004] 基板に転写されるパターンは非常に小さい構造物を含み得る。振動等のあらゆる機械的妨害は、誤った転写となって基板を使用不可能にさせ得る。サポート構造又はフロアなどのあらゆる外部構造からリソグラフィ装置へ、特にその基板テーブル、パターンサポート構造及び/又は投影システムへの振動及び他の機械的妨害の伝達を最小限にするためには、リソグラフィ装置を支持するための１つ以上の振動絶縁サポートデバイスを用いることが知られている。

[0005] そのような振動絶縁サポートデバイスは、リソグラフィ装置を支持する、すなわち、その上に加えられる重力を少なくとも部分的に補償する。したがって、振動絶縁サポートデバイスは、リソグラフィ装置と外部構造（例えば、フロア）との間に機械的接続を提供する。振動数によっては、外部構造に存在する振動は、絶縁サポートデバイスによって（部分的に）減衰され、及び/又は（部分的に）外部構造からリソグラフィ装置に伝達される。ある周波数の振動の減衰及び/又は伝達の量は、振動絶縁サポートデバイスの剛性に依存する。比較的小さい剛性は比較的高い振動絶縁という結果となる。したがって、低い剛性を有する振動絶縁サポートデバイスを有することが望ましい。

[0006] 周知の振動絶縁サポートデバイスはエアマウントである。そのようなエアマウントは、加圧空気のある量を含むガスチャンバ及びガスチャンバ内に部分的に位置決めされた可動部材を含む。空気の圧力はサポート力を可動部材に加える。リソグラフィ装置などの物体又はその一部は、可動部材上で支持される。公知のエアマウントは、所定の最小フィーチャサイズを有するパターンが正確に転写され得るように所定の周波数より高い振動を減衰させるために適した（正の）剛性を有する。しかしながら、より小さいフィーチャサイズを有するより小さい構造物を移動させる必要がある。したがって、サポートデバイスの共振応答から結果として生じ得るエラーを最小限にすることが望ましい。

[0007] 低い剛性及び共振周波数における減衰された応答を有する振動絶縁デバイスを有することが望ましい。

[0008] 本発明のある実施形態によると、第１部を第２部に対して支持し、２つの部分の間の振動の伝達を最小限にするように構成されたサポートデバイスが提供される。このサポートデバイスは、第１部と第２部との間にサポート力を提供するために加圧ガスを使用するように構成された支持システムと、支持システムに接続されたガスチャンバであって、加圧ガスを含みかつ加圧ガスを支持システムに提供するように構成される、ガスチャンバと、音響減衰材料部とを備え、音響減衰材料部は、音響減衰材料部の両側にあるガスチャンバ内の第１ガス含有領域と第２ガス含有領域とを離すようにガスチャンバ内の位置に配置される。

[0009] 本発明のある実施形態によると、少なくとも１つの上記のサポートデバイスを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0010] 本発明のある実施形態によると、投影システムを用いてパターン形成された放射ビームを基板上に投影することと、少なくとも１つの上記のサポートデバイスを用いて位置センサと投影システムとのうちの少なくとも１つを支持することとを含むデバイス製造方法が提供される。

[0011] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0012] 図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0013] 図２は、動作を説明するためにサポートデバイスを概略的に示す。 [0014] 図３は、本発明のある実施形態によるサポートデバイスを概略的に示す。 [0015] 図４は、図３に示すサポートデバイスの変形を概略的に示す。 [0016] 図５は、本発明のある実施形態によるサポートデバイスを概略的に示す。 [0017] 図６は、本発明のある実施形態で用いる音響減衰材料を固定するために使用され得るユニットを示す。 [0018] 図７は、図６に示すようなユニットが本発明によるサポートデバイスの一部内に取り付けられ得る構成を概略的に示す。

[0019] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射ビームＢ（例えば紫外線又は他のあらゆる適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されたサポート構造又はパターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」をさらに含む。この装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳをさらに含む。

[0020] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0021] サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0022] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。

[0023] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0024] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0025] 本明細書に示されているとおり、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0026] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル又は「基板サポート」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスクサポート」）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又はサポートは並行して使うことができ、又は準備工程を１つ以上のテーブル又はサポート上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブル又はサポートを露光用に使うこともできる。

[0027] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）と投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術を用いて投影システムの開口数を増加させることができる。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。

[0028] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0029] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。

[0030] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0031] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」は、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0032] 上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0033] 図２は、リソグラフィ装置又はその一部などの装置４を支持するための従来のエアマウント２を概略的に示している。エアマウント２はフロア６上で支持されているが、任意の装置又はベースフレーム（例えば、リソグラフィ装置のベースフレーム）などのフレームを含む適切な構造によって支持することもできる。エアマウント２は、ある量のガス８（例えば空気）を、ガスチャンバ壁１０及びガスチャンバ壁１０に対して移動し得る可動部材１２によって形成されたガスチャンバ内に含む。ガス８内の圧力により、力が可動部材１２に加えられる。この力は装置４に加えられる重力を補償するために用いられてよい。

[0034] フロア６が振動した場合、すなわち時間依存の力をガスチャンバ壁１０に加えた場合、ガスチャンバ壁１０は可動部材１２に対して移動しようとし、結果的にガス８を含む容積の変化となる。容積の変化は圧力の変化となり、よって可動部材１２に加えられる力の変化となる。したがって、フロア６の振動は、（部分的に）に装置４に伝達されてよい。伝達率は、とりわけ、振動数及びエアマウント２の剛性に依存する。本発明の実施形態によると、エアマウント２は、その剛性が低くかつ共振応答が減衰されるように設計されてよい。

[0035] 図３は、本発明のある実施形態によるサポートデバイス２、すなわち、リソグラフィ装置又はその一部などの装置を支持するために使用され得るエアマウントを概略的に示している。サポートデバイス２は、ガスチャンバ３０に接続された支持部２０を含む。サポートデバイス２は、ガスチャンバ３０に接続された支持部２０を含む。上述したように、支持部２０は、サポート力を提供するために加圧ガスを使用する。例えば、支持部２０は、上記のフロア６とリソグラフィ装置の構成要素との間にサポート力を提供してよいが、一般には、支持部２０は、任意の２つの部分の間にサポート力を提供してよい。

[0036] ガスチャンバ３０は、加圧ガスを支持部２０に提供するように構成される。ガスチャンバ３０は、あらゆる便利な構成を有してよい。通常、ガスチャンバ３０は、サポートデバイス２の剛性を所要のレベルに下げるために十分に大きな容積を有するように構成されてよい。サポートデバイス２がリソグラフィ装置内で使用される場合、特に支持部２０の位置の周りにスペース制限があり得る。したがって、一構成では、サポートデバイス２は、図３に示すように、ガスチャンバ３０が細長い及び/又は管状の第１ガスチャンバ部３１及び第２ガスチャンバ部３２を含むように構成されてもよい。さらに、ガスチャンバ３０は、ガスチャンバ３０の全容積のかなりの割合又は大部分を占めるタンクとして形成される第３ガスチャンバ部３３を含んでよい。図３に示すような構成では、第１ガスチャンバ部３１及び第２ガスチャンバ部３２は、ガスチャンバ３０の一部を形成することに加えて、第３ガスチャンバ部３３を支持部２０に接続するように機能する。

[0037] 上述したように、ガスチャンバ３０の全容積は、サポートデバイス２の所望の剛性を提供するように選択されてよい。これは、伝達率、すなわちサポートデバイス２によって支持される第１装置から第２装置への振動の伝達が所要のレベルより低いことを確実にすることができる。リソグラフィ装置の場合、サポートデバイス２は、位置センサＩＦが取り付けられかつ投影システムＰＳが取り付けられ得る基準フレームを支持するために使用することができる。そのようなシステムのために適切に低い伝達率を維持することは、リソグラフィ装置によって形成されるパターンにおけるオーバーレイエラーを最小にするために役立ち得る。ガスチャンバ３０の構成は、サポートデバイス２が中に設けられるリソグラフィ装置のスペース制限に適合するように選択することができる。

[0038] しかしながら、本発明のある実施形態では、サポートデバイス２の所望の剛性が提供された場合であっても、サポートデバイス２は、伝達率が許容範囲又は所望より高くなり得る１つ以上の共振周波数を有し得ると認識する。共振周波数がフロア６又はフロア６とサポートデバイス２との間に設けられるベースフレームなどといったサポートデバイス２を支持する装置の予測励起の範囲内に入ることを回避するために、共振周波数は、サポートデバイス２の剛性を減少させることによって調整することができる。例えば、これはガスチャンバ３０のサイズを増大させることによって達成することができる。しかしながら、一部の状況においては、ガスチャンバ３０のサイズを十分に増大させることは望ましくないか又は可能でない場合がある。したがって、本発明のある実施形態によると、代替的に又は追加として、音響減衰材料部４０がガスチャンバ３０内に設けられる。

[0039] 音響減衰材料部４０は、ガスチャンバ３０をガスチャンバ３０内において少なくとも第１領域と第２領域とに分けるように配置される。第１領域は音響減衰材料部４０の片側にある。第２領域は音響減衰材料部４０の他方側にある。したがって、音響減衰材料の両側には、音響減衰材料を含まないガスチャンバ３０の領域がある。ガスチャンバ３０のそれらの領域は、音響減衰材料を有さないガスチャンバ３０と同じように機能し、低い剛性のサポートデバイス２を提供する。

[0040] 音響減衰材料４０の供給は、タンク容積内の音響共振周波数におけるサポートデバイス２の応答を減衰させることができる。したがって、共振周波数では、サポートデバイス２を介して伝達される振動の大きさを減少させることができる。したがって、これはサポートデバイス２の伝達率を高める。少なくとも位置センサＩＦが取り付けられる基準フレームを支持するためにリソグラフィ装置内で使用されるサポートデバイス２の場合、これはリソグラフィ装置によって形成されるパターンのオーバーレイエラーを改善できることが分かった。

[0041] 音響減衰材料の使用が最大限の利益をもたらすために、この材料は、ガスチャンバ部内において音響減衰材料４０がガスチャンバ３０の断面全体を埋めるような位置に配置されてよい。そのような構成では、音響減衰材料４０の両側にあるガスチャンバ３０の２つ領域間で任意のガスが流れるためには、ガスが音響減衰材料を通過しなければならないことが確実とすることができる。これは、ガス流が音響減衰材料を迂回できないことを意味する。

[0042] 音響減衰材料４０を設ける位置は、その効果を制御及び/又は最適化するために慎重に選択することができる。特に、音響減衰材料部４０は、特定の共振周波数の最適な減衰を提供するために選択される位置に配置され得る。良好な位置は、試行錯誤によって決定及び/又は最適化することができる。しかしながら、このようにして良好な位置を特定することは時間がかかり得る。

[0043] 本発明のある実施形態では、ガスチャンバ３０の構成の分析によって、音響減衰材料４０の位置を選択するか又は試行錯誤の最適化のための開始点を選択することができる。これによって、試行錯誤を行うことと比較して音響減衰材料をどこに配置させるかの決定をより迅速かつ容易にすることができる。代替的に又は追加として、これはより良い応答を有する構成を提供し得る。ある実施形態では、音響減衰材料部４０は、サポートデバイス２が共振周波数で励起された場合に音圧が最小であり及び/又は粒子速度が最大である位置として特定される場所に配置されてよい。これは、共振周波数での応答を改善するために音響減衰材料４０を配置する良好な位置を提供することが本発明者らによって分かった。

[0044] サポートデバイス２の意図する使用に対して問題とみなされるガスチャンバ３０の特定の構成及びサポートデバイス２の共振周波数によっては、音響減衰材料部４０を設けることが望ましい場合がある特定の位置があり得る。

[0045] 例えば、音響減衰材料部をガスチャンバ３０の実質的に真ん中に設けることが望ましい場合がある。ガスチャンバ３０の構成によっては、これは、音響減衰材料部４０の両側におけるガスチャンバ部の容積が実質的に同じとなる位置とみなされてよい。実質的に同じとは、ガスチャンバ３０の２つの部分間の容積の差がいずれかの部分の容積の２５％未満、任意に１０％未満、任意に５％未満、そして任意に１％未満であり得ることを意味する。

[0046] ガスチャンバの一部の構成に対しては、例えば、ガスチャンバ３０がガスチャンバ３０の一端に接続された支持部２０へと事実上略延在している場合、ガスチャンバ３０の真ん中は、単にガスチャンバ３０の第１端部と第２端部との間の実質的に中間であってよい。実質的に同じとは、真ん中から２つの端部までの距離の差が２５％未満、任意に１０％未満、任意に５％未満、そして任意に１％未満であり得ることを意味する。

[0047] 図３に示す構成では、音響減衰材料部４０は、実質的に、ガスチャンバ３０の第２ガスチャンバ部３２と第２ガスチャンバ部３２よりかなり大きな断面、例えば少なくとも２倍大きい断面を有する第３ガスチャンバ部３３との間の接合部に設けられる。通常、音響減衰材料部を、著しく異なる断面を有する２つのガスチャンバ部の間の接合部、例えば１つの断面が他方の断面の少なくとも２倍である場所に配置することが有益となり得る。

[0048] 本発明のある実施形態のサポートデバイス２では、サポートデバイス２の応答を減衰させることが望ましい１つより多い共振周波数があり得る。各共振周波数に対して、異なる位置が特定されてよく、この異なる位置では音響減衰材料部４０が設けられる。例えば、各共振周波数に対して、その周波数における励起中に音圧が最小でありかつ粒子速度が最大である異なる位置があり得る。したがって、別個の音響減衰材料部４０，４１が、異なる共振周波数に関連するそれぞれの位置に設けられてよい。そのような構成を図４に示す。

[0049] 上述したように、多数の音響減衰材料部４０，４１が、異なる共振周波数を減衰させるためにガスチャンバ３０内の異なる位置に設けられてよい。代替的に又は追加として、多数の音響減衰材料部４２，４３，４４が、単一の共振周波数を減衰させるためにガスチャンバ３０内に設けられてもよい。

[0050] 例えば、図５に示すように、ガスチャンバ３０は、ガスチャンバ３０の部（セクション）３１，３２，３３が直列に接続される図３及び図４に示す構成ではなく、並列に接続される複数の部３４，３５，３６から形成されてよい。例えば、図５に示す構成では、ガスチャンバ３０は、各々が第１端部から第２端部まで延在する細長い管状部３４，３５，３６から形成される。支持部２０は、ガスチャンバ３０の各々の部（セクション）３４，３５，３６の第１端部に共通して接続される。そのような構成では、音響減衰材料部４２，４３，４４は、同じ共振周波数を減衰させるために各々のガスチャンバ部３４，３５，３６に設けられてよい。例えば、図５に示す構成では、各々の音響減衰材料部４２，４３，４４は、ガスチャンバ３０の部３４，３５，３６の第１端部と第２端部との中間に設けられる。

[0051] 音響減衰材料部４２，４３，４４が設けられる各位置では、局所的な最小音圧及び/又は局所的な最大粒子速度が存在し得る。したがって、それらの位置は、適切な分析によって選択され及び/又は試行錯誤によって決定/最適化されてよい。

[0052] 音響減衰材料を提供するためにさまざまな材料うちのいずれを用いてもよい。材料は、ガスがその材料を通って流れることを可能とする必要があるが、共振周波数で減衰を与えるためにある程度の流れ抵抗を提供する必要がある。

[0053] 一般には、音響減衰を形成するために適した材料としては、羊毛、天然繊維及び化学繊維を含む他の繊維材料、例えば発泡金属及び発泡メラミンを含む気泡体が挙げられる。使用できる気泡金属の一例としてRecemat BVによって製造されかつニッケルから形成され、任意選択としてクロミウムから形成されるRecemat（登録商標）がある。

[0054] 使用する材料の性質によっては、音響減衰材料を保持するためにその音響減衰材料を容器内に入れることが望ましい場合がある。例えば、羊毛が使用される場合、２０μｍ以下の開口をいずれの端部に有するメッシュを有するカプセル内に材料を保持してもよい。

[0055] あらゆる場合においても、サポートデバイス２がリソグラフィ装置で使用される場合、音響減衰材料から支持部２０への汚染の移動を減少させるために少なくとも音響減衰材料４０と支持部２０との間にフィルタを設けてもよい。任意選択として、フィルタを音響減衰材料４０の両側に設けてもよい。例えば、ＨＥＰＡ（high-efficiency particulate absorption（高性能粒子除去））フィルタを使用してもよい。そのようなフィルタは、０．３μｍ以上のサイズを有する粒子の少なくとも９９．９７％を、フィルタを通過するガスから除去するように構成されてよい。

[0056] 図６は、本発明で使用され得る音響減衰材料を提供するためのユニットの構成を概略的に示す。ユニット５０は、硬いエンドプレート５１を含み、このエンドプレート５１は、ガスがエンドプレート５１を通って容易に流れることができるようにその中に十分な開口を有する。エンドプレート５１間には、エンドプレート５１の分離を維持して気密であり得る固体のハウジング５２が設けられてよい。ハウジング５２内そしてエンドプレート５１間には、発泡金属又はメラミンなどの複数の音響減衰材料層が設けられてよいが、当然のことながら、単一の音響減衰材料部を用いてもよい。必要に応じて、硬いエンドプレート５１を固定及び/又は音響減衰材料にプレストレスを与えるためにタイロッド５４を設けてもよい。

[0057] 音響減衰材料が設けられるガスチャンバ３０の構成によっては、ユニット５０は、ガスがエンドプレート５１内の開口を通って流れることによって音響減衰材料層５３を通るようにガスチャンバ部３０内に嵌まるように寸法決めされてよい。例えば、外側ケーシング５２の外部寸法は、ガスチャンバ部３０の内部寸法と一致してよく、この場合、外側ケーシング５２は、ガスチャンバ部３０内に配置されてよい。

[0058] 代替の構成では、ユニット５０は、外側ケーシング５２がガスチャンバ３０の一部を形成するように構成されてよい。そのような構成では、外側ケーシング５２は、ガスチャンバ３０部として機能することができ、例えば、両側で他のガスチャンバ部３０に接続される。ユニット５５をガスチャンバ部５０に固定するためにフランジ５５をユニット５５の一端又は両端に設けてもよい。

[0059] さらなる構成では、図７に示すように、ユニット５０は、そのユニット５０がガスチャンバの比較的大部分３３内及び/又はガスチャンバ３０の細長部３２とガスチャンバ３０の比較的大部分３３との間の接合部に少なくとも部分的に嵌まることができ、その一端がフランジ５５によってガスチャンバ３０の隣接部３２の一端に接続されるよう構成されてよい。図７に示すように、ユニット５０の少なくとも一部は、ガスチャンバの細長部の一部を効果的に形成することができ、ユニット５０の別の部分はガスチャンバの大部分内へと突出する。そのような構成では、音響減衰材料５３を含むユニット５０はガスチャンバ３０の比較的大部分３３内に少なくとも部分的に配置されて所要スペースを減少し得るが、ガスチャンバ３０の大部分３３とガスチャンバ３０の隣接部３２との間に流れるあらゆるガスは音響減衰材料を通って流れる。

[0060] 上述したように、本発明によると、１つ以上の音響減衰材料部は、サポートデバイスのガスチャンバ内の特定の位置に設けられてよい。それぞれの位置は、１つ以上の共振周波数におけるサポートデバイスの応答を減衰させるために選択することができる。当然のことながら、共振周波数の所望の減衰を提供するために各位置で必要とされる音響減衰材料の量はガスチャンバ３０の構成に依存し、これは共振応答及び使用される音響減衰材料の性質を著しく影響し得る。したがって、各位置で使用する音響減衰材料の最適な量を決定するために、いくつかの実験が必要となり得る。しかし、当然のことながら、通常、使用するのに満足な音響減衰材料の量の範囲があることが予測される。不十分な音響減衰材料が特定の位置に設けられた場合、不十分な共振応答の減衰が提供され得る。しかしながら、多すぎる量の音響減衰材料がガスチャンバ３０内に設けられた場合、サポートデバイス２の剛性が増加し得る。

[0061] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0062] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

[0063] 本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0064] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。

[0065] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

1. 第１部を第２部に対して支持し、２つの部分の間の振動の伝達を最小限にするサポートデバイスであって、前記サポートデバイスは、
   前記第１部と前記第２部との間にサポート力を提供するために加圧ガスを使用する支持システムと、
   前記支持システムに接続されたガスチャンバであって、前記加圧ガスを含みかつ前記加圧ガスを前記支持システムに提供する、ガスチャンバと、
   前記ガスチャンバ内の第１ガス含有領域と第２ガス含有領域とを離すように前記ガスチャンバ内の位置に配置された音響減衰材料部であって、前記音響減衰材料部は第１側と第２側とを有し、前記第１ガス含有領域は前記第１側にあり、前記第２ガス含有領域は前記第２側にある、音響減衰材料部と
   を備える、サポートデバイス。
2. 前記ガスチャンバにおける前記位置では、前記音響減衰材料部は、前記第１含有領域と前記第２ガス含有領域との間に流れるあらゆるガスに対して、前記ガスが音響減衰材料を通過しなければならないように前記ガスチャンバを充填する、請求項１に記載のサポートデバイス。
3. 前記第１ガス含有領域の容積は、前記第２ガス含有領域の容積と実質的に同じである、請求項１又は２に記載のサポートデバイス。
4. 前記ガスチャンバは第１端部から第２端部へと延在し、前記ガスチャンバは前記第１端部において前記支持システムに接続され、前記音響減衰材料の前記位置は前記第１端部と前記第２端部との実質的に中間である、請求項１〜３のいずれかに記載のサポートデバイス。
5. 前記音響減衰材料部は前記サポートデバイスの共振周波数に関連し、前記音響減衰材料部の前記位置は、前記音響減衰材料の非存在下で、前記サポートデバイスが前記共振周波数で励起されたときに音圧が最小であるか又は粒子速度が最大であるかのうちの少なくとも１つである前記ガスチャンバ内の場所に配置される、請求項１〜４のいずれかに記載のサポートデバイス。
6. 少なくとも１つのさらなる音響減衰材料部をさらに備え、各音響減衰材料部は前記サポートデバイスのそれぞれの共振周波数に関連し、前記各音響減衰材料部は前記ガスチャンバ内のそれぞれの位置に設けられ、前記位置は、前記音響減衰材料の非存在下で、前記サポートが前記それぞれの共振周波数で励起されたときに前記音圧が最小であるか又は前記粒子速度が最大であるかのうちの少なくとも１つである場所に配置される、請求項５に記載のサポートデバイス。
7. 少なくとも１つの追加の音響減衰材料部をさらに備え、前記サポートデバイスの同じ共振周波数に関連する複数の音響減衰材料部があるように構成され、前記複数の音響減衰材料部の各々は、前記音響減衰材料の非存在下で、前記サポートデバイスが前記共振周波数で励起されたときに前記音圧が局所的に最小であるか又は前記粒子速度が局所的に最大であるかのうちの少なくとも１つである前記ガスチャンバ内の異なる位置に設けられる、請求項５又は６に記載のサポートデバイス。
8. 前記ガスチャンバは一緒に接続された複数のサブチャンバから形成され、前記サポートデバイスの同じ共振周波数に関連するそれぞれの音響減衰材料部は、前記複数のサブチャンバの各々に設けられる、請求項７に記載のサポートデバイス。
9. 前記ガスチャンバは連結された少なくとも第１部及び第２部を含み、前記第１部の断面は前記第２部の断面の少なくとも二倍であり、音響減衰材料部が前記第１部と前記第２部との間の接合部に設けられる、請求項１〜８のいずれかに記載のサポートデバイス。
10. 前記音響減衰材料部と前記支持部との間の前記ガスチャンバ内に設けられたフィルタをさらに備え、前記フィルタは、前記音響減衰材料からの汚染が、前記音響減衰材料から前記支持部へと移動することを防止する、請求項１〜９のいずれかに記載のサポートデバイス。
11. 前記音響減衰材料は、羊毛、天然繊維、化学繊維、発泡金属及び発泡メラミンのうちの少なくとも１つから形成される、請求項１〜１０のいずれかに記載のサポートデバイス。
12. 前記音響減衰材料部は、エンドプレートとエンドプレートとの間に固着された複数の音響減衰材料層から形成され、前記エンドプレートは、前記エンドプレートの少なくとも１つが前記ガスチャンバ内で固定され得るように構成される、請求項１〜１１のいずれかに記載のサポートデバイス。
13. 請求項１〜１２のいずれかに記載の少なくとも１つのサポートデバイスを備える、リソグラフィ装置。
14. 前記少なくとも１つのサポートデバイスは、パターン形成された放射ビームを基板上に投影する投影システムと位置センサとの少なくとも１つが取り付けられる基準フレームを支持する、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
15. 投影システムを用いてパターン形成された放射ビームを基板上に投影することと、
    請求項１〜１２のいずれかに記載の少なくとも１つのサポートデバイスを用いて前記位置センサと前記投影システムとのうちの少なくとも１つを支持することと
    を含む、デバイス製造方法。

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