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Claims (19)
- 集積回路であって、
シリコンを含む基板であって、nチャネルfin電界効果トランジスタ(finFET)のためのエリアにおいてp型領域を有し、pチャネルfinFETのためのエリアにおいてn型領域を有する、前記基板と、
前記基板の上に配置される誘電体層であって、前記nチャネルfinFETのための前記エリアにおいて前記基板までの第1のトレンチを有し、前記pチャネルfinFETのための前記エリアにおいて前記基板までの第2のトレンチを有する、前記誘電体層と、
前記第1のトレンチにおいて前記基板の前記p型領域上に配置される第1のシリコンゲルマニウムバッファであって、前記基板における20パーセント未満のゲルマニウム原子分率を有し、前記第1のシリコンゲルマニウムバッファの頂部表面における80パーセントを超えるゲルマニウム原子分率を有する、前記第1のシリコンゲルマニウムバッファと、
前記第2のトレンチにおいて前記基板の前記n型領域上に配置される第2のシリコンゲルマニウムバッファであって、前記基板における20パーセント未満のゲルマニウム原子分率を有し、前記第2のシリコンゲルマニウムバッファの頂部表面における80パーセントを超えるゲルマニウム原子分率を有する、前記第2のシリコンゲルマニウムバッファと、
前記第1のシリコンゲルマニウムバッファ上に直接に配置される前記nチャネルfinFETのnチャネルfinであって、前記nチャネルfinが前記誘電体層の頂部表面より上に少なくとも10ナノメートル延在し、前記nチャネルfinがp型ドーピングを有し、前記nチャネルfinがシリコンとは異なる半導体材料を含む、前記nチャネルfinと、
前記第2のシリコンゲルマニウムバッファ上に直接に配置される前記pチャネルfinFETのpチャネルfinであって、前記pチャネルfinが前記誘電体層の前記頂部表面より上に少なくとも10ナノメートル延在し、前記pチャネルfinがn型ドーピングを有し、前記pチャネルfinがシリコンとは異なる半導体材料を含む、前記pチャネルfinと、
を含む、集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、
前記nチャネルfinがガリウムヒ化物を含む、集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、
前記nチャネルfinがインジウムガリウムヒ化物を含む、集積回路。 - 請求項3の集積回路であって、
前記nチャネルfinが、50:50〜57:43のインジウム対ガリウム比を有する、集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、
前記nチャネルfinがインジウムリン化物を含む、集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、
前記nチャネルfinがゲルマニウムを含む、集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、
前記pチャネルfinがシリコンゲルマニウムを含む、集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、
前記pチャネルfinがゲルマニウムを含む、集積回路。 - 集積回路を形成する方法であって、
シリコンを含む基板を提供することであって、第1の極性のfinFETのためのエリアにおいて第1の導電型の第1の領域を有し、第2の反対の極性のfinFETのためのエリアにおいて第2の反対の導電型の第2の領域を有する、前記基板を提供することと、
前記基板の上に誘電体層を50ナノメートル〜100ナノメートルの厚みに形成することと、
前記第1の極性のfinFETのための前記エリアにおいて前記基板まで下方に前記誘電体層において第1のトレンチを形成することと、
前記第1のトレンチにおいて前記基板上に第1のシリコンゲルマニウムバッファを1ナノメートル〜5ナノメートルの厚みに形成することと、
第1の極性のfinが前記誘電体層の頂部表面より上に延在するように、前記第1のシリコンゲルマニウムバッファ上に前記第1の極性のfinFETの前記第1の極性のfinを形成することと、
前記第1の極性のfinを覆うように前記誘電体層の上にエピタキシャルブロック層を形成することと、
前記第2の極性のfinFETのための前記エリアにおいて前記基板まで下方に前記エピタキシャルブロック層と前記誘電体層とにおいて第2のトレンチを形成することと、
前記第2のトレンチにおいて前記基板上に第2のシリコンゲルマニウムバッファを1ナノメートル〜5ナノメートルの厚みに形成することと、
第2の極性のfinが前記誘電体層の頂部表面より上に延在するように、前記第2のシリコンゲルマニウムバッファ上に前記第2の極性のfinFETの前記第2の極性のfinを形成することと、
前記第2の極性のfinを覆うように前記エピタキシャルブロック層の上に誘電性材料のキャップ層を形成することと、
前記誘電体層まで前記第1の極性のfinと前記第2の極性のfinとを平坦化するように、化学機械研磨(CMP)プロセスにより前記キャップ層と前記エピタキシャルブロック層とを取り除くことと、
前記第1の極性のfinと前記第2の極性のfinとが前記誘電体層より上に少なくとも10ナノメートル延在するように、前記誘電体層を窪ませることと、
を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記第1のシリコンゲルマニウムバッファが、前記基板における20パーセント未満のゲルマニウム原子分率と、前記第1のシリコンゲルマニウムバッファの頂部表面における80パーセントを超えるゲルマニウム原子分率とを有するように形成され、
前記第2のシリコンゲルマニウムバッファが、前記基板における20パーセント未満のゲルマニウム原子分率と、前記第2のシリコンゲルマニウムバッファの頂部表面における80パーセントを超えるゲルマニウム原子分率とを有するように形成される、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記第1の極性のfinがガリウムヒ化物を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記第1の極性のfinがインジウムガリウムヒ化物を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記第1の極性のfinが、50:50〜57:43のインジウム対ガリウム比を有する、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記第1の極性のfinがインジウムリン化物を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記第1の極性のfinがゲルマニウムを含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記第2の極性のfinがゲルマニウムを含む、方法。 - 集積回路を形成する方法であって、
シリコンを含む基板を提供することであって、第1の極性のfinFETのためのエリアにおいて第1の導電型の第1の領域を有し、第2の反対の極性のfinFETのためのエリアにおいて第2の反対の導電型の第2の領域を有する、前記基板を提供することと、
前記基板の上に誘電体層を形成することと、
前記第1の極性のfinFETのための前記エリアにおいて前記基板まで下方に前記誘電体層における第1のトレンチと、前記第2の極性のfinFETのための前記エリアにおいて前記基板まで下方に前記誘電体層における第2のトレンチとを同時に形成することと、
前記第1のトレンチにおける前記基板上の第1のシリコンゲルマニウムバッファと、前記第2のトレンチにおける前記基板上の第2のシリコンゲルマニウムバッファとを同時に形成することと、
第1の極性のfinと第2の極性のfinとが前記誘電体層の頂部表面より上に延在するように、前記第1のシリコンゲルマニウムバッファ上の前記第1の極性のfinFETの前記第1の極性のfinと、前記第2のシリコンゲルマニウムバッファ上の前記第2の極性のfinFETの前記第2の極性のfinとを同時に形成することと、
前記第1の極性のfinと前記第2の極性のfinとを覆うように前記誘電体層の上に誘電性材料のキャップ層を形成すること、
前記第1の極性のfinと前記第2の極性のfinとを前記誘電体層まで平坦化するように、CMPプロセスにより前記キャップ層を取り除くことと、
前記第1の極性のfinと前記第2の極性のfinとが前記誘電体層より上に少なくとも10ナノメートル延在するように、前記誘電体層を窪ませることと、
を含む、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
前記第1のシリコンゲルマニウムバッファと前記第2のシリコンゲルマニウムバッファとが、前記基板における20パーセント未満のゲルマニウム原子分率と、前記第1のシリコンゲルマニウムバッファと前記第2のシリコンゲルマニウムバッファとの頂部表面における80パーセントを超えるゲルマニウム原子分率とを有するように形成される、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、
前記第1の極性のfinと前記第2の極性のfinとが、ゲルマニウムを含む。
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