JP2017228596A - ヒータ付きウェハ載置機構及び成膜装置 - Google Patents
ヒータ付きウェハ載置機構及び成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017228596A JP2017228596A JP2016122030A JP2016122030A JP2017228596A JP 2017228596 A JP2017228596 A JP 2017228596A JP 2016122030 A JP2016122030 A JP 2016122030A JP 2016122030 A JP2016122030 A JP 2016122030A JP 2017228596 A JP2017228596 A JP 2017228596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- wafer
- mounting mechanism
- stage
- wafer mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 H 2 Substances 0.000 description 1
- 241000255777 Lepidoptera Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
なお、以下の説明で用いる図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがあり、各構成要素の数や寸法比率などが実際と同じであるとは限らないものとする。
例えば、上記ヒータ付きウェハ載置機構1では、図4に示すように、上述した開口部26(又は切欠部)を省略した構成とすることも可能である。
第1の実施例では、実施例として、上記ヒータ付きウェハ載置機構1と同様の構成を有するヒータ付きウェハ載置機構と、比較例として、上記ヒータ付きウェハ載置機構1の構成から開口部26を省略し、上記第2のヒータコイル18の代わりに、サイドスカート9の周方向に沿って一定の断面積(幅及び厚み)を有する第2のヒータコイルを配置したヒータ付きウェハ載置機構とを準備した。
第2の実施例では、上記実施例のヒータ付きウェハ載置機構と、上記比較例のヒータ付きウェハ載置機構について、ヒータによりステージを加熱しながら、このステージの載置面に載置されたウェハの外周部における温度分布(外周温度分布)をシミュレーションにより測定した。その測定結果を図7(a),(b)に示す。なお、図7(a)は、実施例のヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの外周温度分布を測定した結果を示すグラフである。図7(b)は、比較例のヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの外周温度分布を測定した結果を示すグラフである。
Claims (8)
- ウェハが載置されるステージと、
前記ステージに設けられて、前記ステージの載置面上に載置されたウェハを加熱するヒータとを備えるヒータ付きウェハ載置機構であって、
前記ステージは、前記載置面を形成するトッププレートを有し、
前記ヒータは、前記トッププレートの前記載置面とは反対側の面に配置された複数の第1のヒータコイルと、前記複数の第1のヒータコイルと電気的に接続されると共に、前記トッププレートの外周に沿って並んで配置された複数の電極部と、前記第1のヒータコイルよりも外周側に配置された第2のヒータコイルとを有し、
前記第2のヒータコイルは、前記複数の電極部の配置に応じて、その周方向における発熱分布が異なることを特徴とするヒータ付きウェハ載置機構。 - 前記複数の第1のヒータコイルは、前記複数の電極部を介して電力が供給されることよって、前記載置面の面内における発熱分布が均一となるように発熱し、
前記第2のヒータコイルは、前記複数の電極部の各間よりも前記複数の電極部が配置された位置の発熱量が相対的に高くなるように発熱することを特徴とする請求項1に記載のヒータ付きウェハ載置機構。 - 前記第2のヒータコイルは、その周方向に沿って配置された線状の発熱抵抗体であり、前記複数の電極部の各間よりも前記複数の電極部が配置された各位置に対応した部分の断面積が小さくなる形状を有することを特徴とする請求項2に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
- 前記ステージは、前記トッププレートの周囲から前記載置面とは反対側に向けて延長されたサイドスカートを有し、
前記第2のヒータコイルは、前記サイドスカートの内周面に配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構。 - 前記トップステージの外周部又は前記サイドスカートは、前記複数の電極部の各間に対応した位置に開口部又は切欠部を有することを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
- 前記複数の第1のヒータコイルは、前記トッププレートの径方向に並んで配置された同心円状又は螺旋状の発熱抵抗体であり、前記トッププレートの内周側から外周側に向かって漸次間隔が狭くなる又は断面積が小さくなる形状を有することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
- 前記ヒータは、前記ステージの載置面上に載置されたウェハを600〜2000℃で加熱することを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
- ウェハに対して成膜処理を行う成膜装置であって、
請求項1〜7の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構を備えることを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016122030A JP6799393B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | ヒータ付きウェハ載置機構及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016122030A JP6799393B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | ヒータ付きウェハ載置機構及び成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017228596A true JP2017228596A (ja) | 2017-12-28 |
JP6799393B2 JP6799393B2 (ja) | 2020-12-16 |
Family
ID=60891993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016122030A Active JP6799393B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | ヒータ付きウェハ載置機構及び成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6799393B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0380530A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-04-05 | Toshiba Corp | ヒータおよびそれを用いた気相成長装置 |
JPH07161725A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | ウエハー加熱装置および加熱装置用電極部材 |
JPH08107071A (ja) * | 1993-06-29 | 1996-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 載置台および減圧処理装置 |
JPH10208855A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 面状ヒータ |
JP2002203797A (ja) * | 2001-09-27 | 2002-07-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2008060245A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 基板加熱装置 |
JP2010530031A (ja) * | 2007-06-15 | 2010-09-02 | アイクストロン、アーゲー | サセプタの上に配置された基板をコーティングするための装置 |
JP2013093461A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
-
2016
- 2016-06-20 JP JP2016122030A patent/JP6799393B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0380530A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-04-05 | Toshiba Corp | ヒータおよびそれを用いた気相成長装置 |
JPH08107071A (ja) * | 1993-06-29 | 1996-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 載置台および減圧処理装置 |
JPH07161725A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | ウエハー加熱装置および加熱装置用電極部材 |
JPH10208855A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 面状ヒータ |
JP2002203797A (ja) * | 2001-09-27 | 2002-07-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2008060245A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 基板加熱装置 |
JP2010530031A (ja) * | 2007-06-15 | 2010-09-02 | アイクストロン、アーゲー | サセプタの上に配置された基板をコーティングするための装置 |
JP2013093461A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6799393B2 (ja) | 2020-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI702685B (zh) | 極端均勻加熱基板支撐組件 | |
KR101465849B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
KR102519544B1 (ko) | 웨이퍼 로딩 장치 및 막 형성 장치 | |
JP5635001B2 (ja) | 結合リングをクロック回転させることによって調整可能な静電チャックとホットエッジリングとの間の熱的接触 | |
US8823404B2 (en) | Evaluation device and evaluation method for substrate mounting apparatus and evaluation substrate used for the same | |
JP7259765B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP4931376B2 (ja) | 基板加熱装置 | |
TWI645500B (zh) | 溫度調整裝置 | |
JP2016184645A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP6489195B1 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP4376070B2 (ja) | 加熱装置 | |
US20180298494A1 (en) | Graphite susceptor | |
JP6799393B2 (ja) | ヒータ付きウェハ載置機構及び成膜装置 | |
KR20190067356A (ko) | 막 형성 장치 | |
JP2017228597A (ja) | 成膜装置 | |
JP6571550B2 (ja) | ヒータおよびこれを用いた半導体製造装置 | |
CN113574652A (zh) | 静电卡盘 | |
JP6789081B2 (ja) | 保持装置 | |
JP2010244864A (ja) | 基板加熱構造体 | |
JP2024084950A (ja) | 保持装置 | |
JP2009158963A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2005294606A (ja) | ウエハー加熱装置 | |
JP2001223066A (ja) | セラミックスヒータ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6799393 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |