JP2017224652A - シリコンウェーハの搬送・保管方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ポリマーの保護性を評価するため、表1の評価水準に示すように、1枚のシリコンウェーハの表面に、オゾン水を用いて表面酸化膜を形成したものを、HFを用いて表面酸化膜を剥離してベアシリコンとし、該ベアシリコンの表面にポリマーA(分子量250000のヒドロキシエチルセルロース)を吸着させた(ウェーハ1−1)。なお、ポリマーの吸着はポリマーAを0.1wt%溶解させた純水中に10sec浸漬させることにより実施した。このようにして作製したウェーハ1−1をCu(1ppm)により故意汚染した純水中に1日保管し、その後KLAテンコール社製のSPxとSEMにてピット化した個数を計測した(実施例1)。また、ウェーハ1−1と同様の方法により、ベアシリコンの表面にポリマーB(分子量100,000のポリビニルアルコール)を吸着させ(ウェーハ2−1)、実施例1と同様にピット化した個数を計測した(実施例2)。結果を図2に示す。
1枚のシリコンウェーハの表面に、表1の評価水準に示すように、濃度30ppmのオゾン水を用いて表面酸化膜を形成したもの(ウェーハ3−1)と、HFを用いて表面酸化膜を剥離したベアシリコン3枚を用意し、ベアシリコン3枚のうち1枚はポリマーを吸着させず(ウェーハ4−1)、1枚はポリマーC(分子量80000のポリビニルアルコール)を吸着させ(ウェーハ5−1)、1枚はポリマーD(分子量20000のポリビニルアルコール)を吸着させた(ウェーハ6−1)。なお、ポリマーの吸着はポリマーC、Dを0.1wt%溶解させた純水中に10sec浸漬させることにより実施した。このようにして作製したウェーハ3−1、4−1、5−1、6−1をCu(1ppm)により故意汚染した純水中に1日保管し、その後KLAテンコール社製のSPxとSEMにてピット化した個数を計測した(それぞれ比較例1、2、3、4)。結果を図2に示す。
次に、ポリマーの吸着有無による表面荒れの程度を評価するため、ウェーハ1−1と同様の方法により作製したウェーハ1−2、ウェーハ2−1と同様の方法により作製したウェーハ2−2を、Cuによる故意汚染がない純水中に1日浸漬させ、浸漬している部分としていない部位での粗さの差に注目した(それぞれ実施例3、実施例4)。もし、ポリマー吸着により表面荒れを抑制できていれば、浸漬部分と非浸漬部分の粗さが同等となるはずである。
また、ウェーハ3−1と同様の方法によりウェーハ3−2を、ウェーハ4−1と同様の方法によりウェーハ4−2を、ウェーハ5−1と同様の方法によりウェーハ5−2を、ウェーハ6−1と同様の方法によりウェーハ6−2を作製し、表面保護性を同様に評価した(それぞれ比較例5〜8)。図3にΔHazeの結果を示す。
Claims (3)
- シリコンウェーハの加工工程において、第1の工程から次工程である第2の工程までシリコンウェーハを搬送、又は、第1の工程後に第2の工程に投入するまでの間シリコンウェーハを保管する、シリコンウェーハの搬送・保管方法であって、
前記第1の工程後に、前記シリコンウェーハの表面に、分子量100,000以上のポリマーを吸着させ、前記シリコンウェーハ表面に前記ポリマーを吸着させた状態で前記第2の工程まで搬送・保管することを特徴とするシリコンウェーハの搬送・保管方法。 - 前記第1の工程を、研磨剤を供給しながら前記シリコンウェーハ表面を研磨処理する研磨工程とし、該研磨工程後に、前記供給する研磨剤を前記ポリマーを含む溶液に切り替えて前記シリコンウェーハ表面を処理することにより、前記ポリマーを前記シリコンウェーハ表面に吸着させることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの搬送・保管方法。
- 前記シリコンウェーハ表面へのポリマーの吸着を、前記ポリマーを含む純水槽中に前記シリコンウェーハを浸漬させるか、又は、前記ポリマーを含む純水を前記シリコンウェーハ表面に飛散させることにより行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの搬送・保管方法。
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---|---|---|---|---|
JPH03256328A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009255248A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
WO2014148399A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨用組成物調製用キット |
JP2016051763A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
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---|---|---|---|---|
JPH03248532A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエハの加工方法 |
JP3514051B2 (ja) * | 1996-10-14 | 2004-03-31 | チッソ株式会社 | シリコンウエハー保護膜用樹脂組成物 |
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---|---|---|---|---|
JPH03256328A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009255248A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
WO2014148399A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨用組成物調製用キット |
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