JP2017221696A - 腎動脈を内部から焼灼するインプラント装置及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
上記血管内へ埋め込まれ、展開されるように適合された自己拡張型インプラント装置であって、上記インプラントがその長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、上記焼灼領域が上記血管と表面接触するように適合され、上記焼灼領域が少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又はらせん状バンドの範囲を定め、該インプラントへのエネルギ印加による上記血管内のシグナル遮断経路の焼灼に有効である、自己拡張型インプラント装置と、
該インプラント装置から空間的に分離され、該インプラント装置の焼灼領域の温度を焼灼温度にまで上昇させるために該インプラント装置にエネルギを供給することが可能な外部エネルギ供給手段と、
を備えた、システムを提供する。
1又は複数のインプラント装置を、1又は複数の血管の所望の位置又はその近傍に輸送及び送達するために好適なシースと、
1又は複数のインプラントを伴うシースを1又は複数の血管の所望の位置へと順次ガイドするために好適なガイドワイヤと、
も備えている。
エタノール;
テトロドトキシン及びバトラコトシキン;
モーロトキシン、アジトキシン、カリブドトキシン、マーガトキシン、スロトキシン、スキラトキシン又はヘフトキシン;
カルシセプチン、タイカトキシン、カルシクルジン、又はPhTx3;
ボツリヌストキシド;
サイトカラシンD、ラパマイシン、シロリムス、ゾタロリムス、エベロリムス、パクリタキセル;
グルタメート;
イソキノリン;
N−メチル−(R)−サルソリノール;
β−カルボリン誘導体。
1又は複数のインプラント装置を、シース及びガイドワイヤによって1又は複数の腎動脈内に埋め込むステップであって、上記インプラント装置の各々がそれらの長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、上記焼灼領域が上記腎動脈と表面接触するように適合され、上記焼灼領域が少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又はらせん状バンドの範囲を定め、上記インプラント装置にエネルギを印加することによって上記腎動脈内のシグナル遮断経路を焼灼するのに有効である、ステップと、
シース及びガイドワイヤを引き戻すステップと、
後に、インプラント装置から空間的に分離された外部エネルギ供給手段によって1又は複数のインプラント装置の焼灼領域を加熱するステップと、
を含む、方法を提供する。
後にシース及びガイドワイヤによって上記血管内に上記インプラント装置を設置するステップであって、上記インプラント装置の各々がそれらの長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、上記焼灼領域が少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又は実質的にらせん状のバンドの範囲を定め、上記インプラント装置へのエネルギ印加による上記血管内のシグナル遮断経路の焼灼に上記インプラント装置が有効である、ステップと、
シース及びガイドワイヤを引き戻すステップと、
上記インプラント装置から空間的に分離された外部エネルギ供給手段によって、上記インプラント装置の焼灼領域を加熱するステップと、
を含み、
上記シース及びガイドワイヤが引き戻された後に上記加熱が行われ、上記インプラント装置の加熱が同時に行われることを特徴とする、方法を提供する。
上記血管内へ埋め込まれ、展開されるように適合された自己拡張型インプラント装置であって、上記インプラントがその長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、上記焼灼領域が上記血管と表面接触するように適合され、上記焼灼領域が少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又はらせん状バンドの範囲を定め、該インプラントへのエネルギ印加による上記血管内のシグナル遮断経路の焼灼に有効である、自己拡張型インプラント装置と、
該インプラント装置から空間的に分離され、該インプラント装置の焼灼領域の温度を焼灼温度にまで上昇させるために該インプラント装置にエネルギを供給することが可能な外部エネルギ供給手段と、
を備えた、システムを提供する。
1又は複数のインプラント装置を、1又は複数の血管の所望の位置又はその近傍に輸送及び送達するために好適なシースと、
1又は複数のインプラントを伴うシースを1又は複数の血管の所望の位置へと順次ガイドするために好適なガイドワイヤと、
も備えている。
エタノール;
テトロドトキシン及びバトラコトシキン;
モーロトキシン、アジトキシン、カリブドトキシン、マーガトキシン、スロトキシン、スキラトキシン又はヘフトキシン;
カルシセプチン、タイカトキシン、カルシクルジン、又はPhTx3;
ボツリヌストキシド;
サイトカラシンD、ラパマイシン、シロリムス、ゾタロリムス、エベロリムス、パクリタキセル;
グルタメート;
イソキノリン;
N−メチル−(R)−サルソリノール;
β−カルボリン誘導体。
温度依存性LC回路を備える、本明細書で開示したインプラントであって、前記LC回路は、温度依存性である共振周波数を含む、インプラントと、
前記インプラント装置の位置において時変磁場を生成する磁場発生器と、
前記LC回路の前記共振周波数を測定するように構成され、かつ測定された共振周波数をインプラント温度に関連付けるように構成される温度測定装置と、
温度制御手段であって、
前記温度測定装置から前記インプラント温度を受信し、
前記インプラント温度を所定の焼灼温度と比較し、
前記比較に基づいて前記磁場発生器によって生成される前記時変磁場を制御する、
ように構成される、温度制御手段と、
を備える、システムを提供する。
1又は複数のインプラント装置を、シース及びガイドワイヤによって1又は複数の腎動脈内に埋め込むステップであって、上記インプラント装置の各々がそれらの長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、上記焼灼領域が上記腎動脈と表面接触するように適合され、上記焼灼領域が少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又はらせん状バンドの範囲を定め、上記インプラント装置にエネルギを印加することによって上記腎動脈内のシグナル遮断経路を焼灼するのに有効である、ステップと、
シース及びガイドワイヤを引き戻すステップと、
後に、インプラント装置から空間的に分離された外部エネルギ供給手段によって1又は複数のインプラント装置の焼灼領域を加熱するステップと、
を含む、方法を提供する。
1つ又は複数の腎動脈内に、本明細書で開示したインプラントを1つ又は複数埋め込むステップであって、このインプラントは好ましくは、ピックアップコイルと、ヒータコイルと、温度制御スイッチ又は好ましくは温度依存性LC回路を備え、前記LC回路は、温度依存性である共振周波数を含む、ステップと、
前記インプラントの位置において時変磁場を印加するステップであって、それにより、1つ又は複数の前記インプラントを所定の焼灼温度まで加熱する、ステップと、
を含む、方法を提供する。
後にシース及びガイドワイヤによって上記血管内に上記インプラント装置を設置するステップであって、上記インプラント装置の各々がそれらの長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、上記焼灼領域が少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又は実質的にらせん状のバンドの範囲を定め、上記インプラント装置へのエネルギ印加による上記血管内のシグナル遮断経路の焼灼に上記インプラント装置が有効である、ステップと、
シース及びガイドワイヤを引き戻すステップと、
上記インプラント装置から空間的に分離された外部エネルギ供給手段によって、上記インプラント装置の焼灼領域を加熱するステップと、
を含み、
上記シース及びガイドワイヤが引き戻された後に上記加熱が行われ、上記インプラント装置の加熱が同時に行われることを特徴とする、方法を提供する。
エタノール;
テトロドトキシン及びバトラコトシキン;
モーロトキシン、アジトキシン、カリブドトキシン、マーガトキシン、スロトキシン、スキラトキシン又はヘフトキシン;
カルシセプチン、タイカトキシン、カルシクルジン、又はPhTx3;
ボツリヌストキシド;
サイトカラシンD、ラパマイシン、シロリムス、ゾタロリムス、エベロリムス、パクリタキセル;
グルタメート;
イソキノリン;
N−メチル−(R)−サルソリノール;
β−カルボリン誘導体。
1. 1又は2以上の血管内への埋め込みに好適な1又は2以上のインプラント装置を加熱する方法であって、
後にシース及びガイドワイヤによって上記血管内に上記インプラント装置を設置するステップであって、該インプラント装置の各々がそれらの長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、該焼灼領域が少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又は実質的にらせん状のバンドの範囲を定め、上記インプラント装置へのエネルギ印加による上記血管内のシグナル遮断経路の焼灼に該インプラント装置が有効である、ステップと、
上記シース及びガイドワイヤを引き戻すステップと、
上記インプラント装置から空間的に分離された外部エネルギ供給手段によって、該インプラント装置の焼灼領域を加熱するステップと、
を含み、
上記シース及びガイドワイヤが引き戻された後に上記加熱が行われ、上記インプラント装置の加熱が同時に行われることを特徴とする、方法。
2. 上記インプラント装置の各々の少なくとも一部が、強磁性材料、フェリ磁性材料、又は反強磁性材料等の磁気ヒステリシスを示す少なくとも1種の材料から製造される、項目1に記載の方法。
3. 上記インプラント装置が含鉄流体を備える、項目2に記載の方法。
4. 上記インプラント装置の位置で時変磁場を作り出す外部エネルギ供給手段によって加熱が行われる、項目1〜3のいずれか一項に記載の方法。
5. 上記インプラント装置の少なくとも1つが、体温が活性化を引き起こすように、活性化温度が35℃〜37℃の熱活性コーティングを備える、項目1〜4のいずれか一項に記載の方法。
6. 上記インプラント装置の少なくとも1つが、上記外部エネルギ供給手段によって上記焼灼領域が加熱された場合のみ活性化が引き起こされるように、活性化温度が45℃より高い熱活性コーティングを備える、項目1〜4のいずれか一項に記載の方法。
7. 上記インプラント装置が、制限された壊死性の損傷及び/又は神経毒性による損傷を生じることが可能な物質を備える、項目1〜6のいずれか一項に記載の方法。
8. 上記インプラント装置の少なくとも1つが、上記物質で満たされ、該インプラントが加熱された場合に開放する腔を備える、項目6に記載の方法。
9. 例えば、二成分性神経毒を送達するように、少なくとも2種の物質が放出前に混合される、項目6〜8のいずれか一項に記載の方法。
10. 上記物質が下記物質の1又は複数の選択又は組成物である、項目6〜9のいずれか一項に記載の方法:
エタノール;
テトロドトキシン及びバトラコトシキン;
モーロトキシン、アジトキシン、カリブドトキシン、マーガトキシン、スロトキシン、スキラトキシン又はヘフトキシン;
カルシセプチン、タイカトキシン、カルシクルジン、又はPhTx3;
ボツリヌストキシド;
サイトカラシンD、ラパマイシン、シロリムス、ゾタロリムス、エベロリムス、パクリタキセル;
グルタメート;
イソキノリン;
N−メチル−(R)−サルソリノール;
β−カルボリン誘導体。
11. インプラント装置の少なくとも1つが、腎動脈に適合した形状を備える、項目1〜10のいずれか一項に記載の方法。
12. 上記血管が1又は複数の腎動脈を含み、上記インプラント装置の焼灼領域が、上記腎動脈と表面接触するように適合され、上記インプラント装置へのエネルギ印加によって上記腎動脈内のシグナル遮断経路を焼灼するように少なくとも1つの実質的にらせん状バンドの範囲を定めている、項目1〜11のいずれか一項に記載の方法。
13. 1又は複数の上記インプラント装置の焼灼領域を外部エネルギ供給手段によって加熱する前に回復期間を観察し、該回復期間が該インプラント装置を血管壁内に組み込むことができるように十分長期である、項目1〜12のいずれか一項に記載の方法。
14. 上記インプラント装置から空間的に分離された外部エネルギ供給手段によって該インプラント装置の焼灼領域を加熱するステップが、十分に間隔のあいた時間間隔で反復的に実施される、項目1〜13のいずれか一項に記載の方法。
15. 血管内へ埋め込まれ、展開されるように適合された自己拡張型インプラント装置であって、該インプラントがその長さの少なくとも一部分に沿って焼灼領域を備え、該焼灼領域が血管と表面接触し、かつ少なくとも1つの実質的に完全な環状バンド又はらせん状のバンドの範囲を定めるように適合されており、該インプラント装置へのエネルギ印加による血管内のシグナル遮断経路の焼灼に上記焼灼領域が有効である、自己拡張型インプラント装置。
16. 上記焼灼領域が、強磁性材料、フェリ磁性材料、又は反強磁性材料等の磁気ヒステリシスを示す少なくとも1種の材料を含む、項目15に記載のインプラント。
17. 上記インプラント装置が含鉄流体を備える、項目16に記載のインプラント。
18. 体温が活性化を引き起こすように、活性化温度が35℃〜37℃の熱活性コーティングを備える、項目15〜17のいずれか一項に記載のインプラント。
19. 上記外部エネルギ供給手段によって上記焼灼領域が加熱された場合のみ活性化が引き起こされるように、活性化温度が45℃より高い熱活性コーティングを備える、項目15〜17のいずれか一項に記載のインプラント。
20. 制限された壊死性の損傷及び/又は神経毒性による損傷を生み出すことが可能な物質を備える、項目15〜19のいずれか一項に記載のインプラント。
21. 上記物質で満たされ、上記インプラントが加熱された場合に開放する腔を備える、項目20に記載のインプラント。
22. 例えば、二成分性神経毒を送達するように、上記物質が放出前に混合される、項目20又は21に記載のインプラント。
23. 上記物質が下記物質の1又は複数の選択又は組成物である、項目20〜22のいずれか一項に記載のインプラント:
エタノール;
テトロドトキシン及びバトラコトシキン;
モーロトキシン、アジトキシン、カリブドトキシン、マーガトキシン、スロトキシン、スキラトキシン又はヘフトキシン;
カルシセプチン、タイカトキシン、カルシクルジン、又はPhTx3;
ボツリヌストキシド;
サイトカラシンD、ラパマイシン、シロリムス、ゾタロリムス、エベロリムス、パクリタキセル;
グルタメート;
イソキノリン;
N−メチル−(R)−サルソリノール;
β−カルボリン誘導体。
24. 腎動脈に適合した形状を備える、項目15〜23のいずれか一項に記載のインプラント。
25. 上記インプラント装置の焼灼領域が、上記腎動脈と表面接触し、かつ少なくとも1つの実質的にらせん状バンドの範囲を定めるように適合されている、項目24に記載のインプラント。
26. 最大周長及び最少周長、並びに最大周長と最少周長との比を備え、該比が3より大きく7未満である、項目15〜25のいずれか一項に記載のインプラント。
27. 上記インプラントの長手方向に沿って変化する周長を備え、該周長が少なくとも36mm、最大250mmの間で変化する、項目15〜26のいずれか一項に記載のインプラント。
28. 直径が少なくとも5mm、最大10mmである原則的に円筒状の形状を備える、項目15〜25のいずれか一項に記載のインプラント。
29. 遠位部分及び近位部分を備え、上記焼灼領域が、該近位部分からインプラントの全長の50%以内に配置される、項目15〜28のいずれか一項に記載のインプラント。
30. 遠位部分及び近位部分を備え、上記焼灼領域が該近位部分から15mm以内に配置される、項目15〜29のいずれか一項に記載のインプラント。
31. 遠位部分及び近位部分を備え、定着具の過熱を防止する熱絶縁的な連結を介して上記インプラントの焼灼領域に連結された定着具を備え、該定着具が上記遠位部分に連結されている、項目15〜30のいずれか一項に記載のインプラント。
32. 項目15〜31のいずれか一項に記載のインプラント装置の1、2、3、4又はそれ以上を備えたシステム。
33. 上記インプラント装置から空間的に分離され、該インプラント装置の焼灼領域の温度を焼灼温度にまで昇温させるために上記インプラント装置にエネルギを供給することが可能な外部エネルギ供給手段を備える、項目32に記載のシステム。
34. 項目32又は33に記載のシステムであって、
1又は複数のインプラント装置を1又は複数の血管の所望の位置又はその近傍に輸送及び送達するために好適なシースと、
1又は複数のインプラントを有するシースを1又は複数の血管の所望の位置へと順次ガイドするために好適なガイドワイヤと、
を備える、システム。
35. 項目15〜34のいずれか一項に記載の1又は2のインプラント装置を備え、各インプラント装置が対応する腎動脈に適合されている、項目32〜34のいずれか一項に記載のシステム。
Claims (11)
- 加熱による焼灼によって腎交感神経シグナルを遮断することにより動脈性高血圧を処置するインプラントであって、ピックアップコイルと、ヒータコイルと、内蔵温度制御式スイッチとを備える電気回路を備え、前記スイッチは閉位置及び中断位置を含み、前記ピックアップコイルは、該ピックアップコイルを通る時変磁束の影響下で、該ピックアップコイルが接続される前記電気回路の少なくとも一部を通る電流を誘導するように構成され、前記加熱コイルは、腎動脈血管の内壁上の実質的にらせん状のシグナル遮断損傷を得るために、腎動脈血管内の実質的にらせん状の焼灼領域に対するように構成され、前記スイッチは、該インプラントにおける又は該インプラント付近の温度が所定の焼灼温度より高いときに、前記閉位置から前記中断位置(開位置)に変化するように構成される、加熱による焼灼によって腎交感神経シグナルを遮断することにより動脈性高血圧を処置するインプラント。
- 前記インプラントは少なくとも部分的に自己拡張型である、請求項1に記載のインプラント。
- 腎動脈に埋め込むために円錐形の形状を有する、請求項1又は2に記載のインプラント。
- 前記ピックアップコイルは15mmより長く、75mmより短い長さを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のインプラント。
- 前記ピックアップコイルは、前記インプラントが拡張位置にあるとき、10mmより大きく、60mmより小さい最大直径を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のインプラント。
- 前記ヒータコイルは3mmより長く、25mmより短い長さを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載のインプラント。
- 前記ヒータコイルは、前記インプラントが拡張位置にあるとき、10mmより大きく、70mmより小さい最大直径を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載のインプラント。
- 前記インプラントは前記ピックアップコイルと前記ヒータコイルとの間に或る距離を含み、前記距離は5mmより長く、50mmより短い、請求項1〜7のいずれか一項に記載のインプラント。
- 加熱による焼灼によって腎交感神経シグナルを遮断することにより動脈性高血圧を処置するシステムであって、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の1つ又は複数のインプラントと、
前記インプラント装置の位置において時変磁場を生成する磁場発生器と、
を備える、加熱による焼灼によって腎交感神経シグナルを遮断することにより動脈性高血圧を処置するシステム。 - 前記磁場発生器は、該発生器によって生成された前記磁場の向きを変更する方向付け手段を備える、請求項9に記載のシステム。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載のインプラントを2つ備える、請求項9又は10に記載のシステム。
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