JP2017211550A - マッハツェンダ変調器、マッハツェンダ変調器を作製する方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電気信号に係る導波路構造と、電気信号に関わらない導波路構造とを有するマッハツェンダ変調器を提供する。【解決手段】マッハツェンダ変調器11は、主面13aを備える支持基板13と、主面13aの第1エリア13b及び第2エリア13c上にそれぞれ設けられた第1半導体メサ15a及び第2半導体メサ15bを含み主面13a上に設けられた第1構造15と、主面13aの第2エリア13c及び第3エリア13d上にそれぞれ設けられた第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17b並びに第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dを含み支持基板13の主面13aと第1構造15との間に設けられた第2構造17を備える。第2エリア13cにおいて、第1ストライプ状半導体領域17aは、第2半導体メサ15bと支持基板13との間に設けられる。【選択図】図1
Description
本発明は、マッハツェンダ変調器、マッハツェンダ変調器を作製する方法に関する。
特許文献1は、マッハツェンダ変調器を開示する。
マッハツェンダ変調器は、変調のための電気信号を受けるアーム導波路を備える。アーム導波路は、光閉じ込めのための積層構造を有し、積層構造は、クラッドのための半導体層とこれらの半導体層間に設けられコア層とを含む。コア層に電気信号を印加するために、アーム導波路内のクラッド半導体層は、それぞれ、p型及びn型ドーパントで添加されて、導電性を有する。このように、電気信号の印加が、アーム導波路内の半導体層には不可避である。
マッハツェンダ変調器は、電気信号を受ける光導波路だけでなく、電気信号を受けない光導波路も含む。発明者の検討によれば、後者の光導波路は、電気信号の印加に制約されない構造を有することができる。望まれていることは、電気信号の印加に制約されない光導波路に、電気信号の印加に制約される光導波路と異なる構造を与えることである。
本発明の一側面は、電気信号の印加に関わる導波路構造と、電気信号の印加に関わらない導波路構造とを有するマッハツェンダ変調器を提供することを目的とし、また、本発明の別の側面は、このマッハツェンダ変調器を作製する方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係るマッハツェンダ変調器は、第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を備える支持基板と、前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられた第1半導体メサ及び第2半導体メサを含み、前記支持基板の前記主面上に設けられた第1構造と、前記第2エリア及び前記第3エリア上にそれぞれ設けられた第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域と、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域を規定する第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドとを含み、前記支持基板の前記主面と前記第1構造との間に設けられた第2構造と、前記第1エリアにおいて前記第1半導体メサ上に設けられ、前記第1半導体メサに接続される第1電極と、を備え、前記第2エリアにおいて、前記第2構造の前記第1ストライプ状半導体領域は、前記第1構造の前記第2半導体メサと前記支持基板との間に設けられており、前記第2構造は、前記第2ストライプ状半導体領域の表面を覆う絶縁層を含み、前記第1半導体メサ、前記第2半導体メサ、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、当該マッハツェンダ変調器の第1アーム導波路に含まれる。
本発明の別の側面に係るマッハツェンダ変調器を作製する方法は、上部導波路構造のための半導体積層、及び該半導体積層の第1面上に設けられ下部導波路構造のための半導体厚膜を含む積層体と、該積層体を搭載する基板とを含むエピタキシャル基板を準備する工程と、第1ストライプ溝及び第2ストライプ溝を前記半導体厚膜に形成して、半導体生産物を形成する工程と、前記半導体生産物上に第1絶縁膜を成長する工程と、第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を備え、支持体と該支持体の前記主面上に設けられた第2絶縁膜とを含む支持基板を準備する工程と、前記半導体生産物の前記第1絶縁膜と前記支持部材の前記第2絶縁膜との貼り合わせを行って、基板生産物を作製する工程と、前記基板生産物から前記基板を除去して、前記半導体積層の第2面を露出させる工程と、前記半導体積層を露出させた後に、前記半導体積層を加工して前記上部導波路構造のための第1半導体メサ及び第2半導体メサを形成する工程と、を備え、前記基板生産物は、前記貼り合わせにより前記第1ストライプ溝及び前記第2ストライプ溝からそれぞれ形成された第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドを含み、前記基板生産物は、前記第1ストライプ状ボイド及び前記第2ストライプ状ボイドによって規定され前記下部導波路構造のための第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域を含み、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、それぞれ、前記第2エリア及び前記第3エリア上に設けられ、前記第1半導体メサ及び前記第2半導体メサは、それぞれ、前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられ、前記基板生産物の前記第2エリアにおいて、前記第1ストライプ状半導体領域は、前記第2半導体メサと前記支持基板との間に設けられる。
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
以上説明したように、本発明の一側面によれば、電気信号に係る導波路構造と、電気信号に関わらない導波路構造とを有するマッハツェンダ変調器が提供される。また、本発明の別の側面によれば、このマッハツェンダ変調器を作製する方法が提供される。
引き続きいくつかの具体例を説明する。
具体例に係るマッハツェンダ変調器は、(a)第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を備える支持基板と、(b)前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられた第1半導体メサ及び第2半導体メサを含み、前記支持基板の前記主面上に設けられた第1構造と、(c)前記第2エリア及び前記第3エリア上にそれぞれ設けられた第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域と、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域を規定する第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドとを含み、前記支持基板の前記主面と前記第1構造との間に設けられた第2構造と、(d)前記第1エリアにおいて前記第1半導体メサ上に設けられ、前記第1半導体メサに接続される第1電極と、を備え、前記第2エリアにおいて、前記第2構造の前記第1ストライプ状半導体領域は、前記第1構造の前記第2半導体メサと前記支持基板との間に設けられており、前記第2構造は、前記第2ストライプ状半導体領域の表面を覆う絶縁層を含み、前記第1半導体メサ、前記第2半導体メサ、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、当該マッハツェンダ変調器の第1アーム導波路に含まれる。
マッハツェンダ変調器によれば、第1エリアにおいて、第1アーム導波路の第1半導体メサは、第1電極からの変調信号に応答して導波光を変調できる。第2エリアにおいては、第1ストライプ状半導体領域は第2半導体メサと基板との間に設けられて、第1ストライプ状半導体領域及び第2半導体メサの積み重ねは、第1ストライプ状半導体領域及び第2半導体メサの一方から他方への光遷移を可能にする。第3エリアにおいては、第1アーム導波路は、絶縁層で覆われた表面を有する第2ストライプ状半導体領域を含み、絶縁層及び第2ストライプ状半導体領域の組み合わせは、第2ストライプ状半導体領域と該第2ストライプ状半導体領域を囲う絶縁体との比屈折率差を大きくできる。第2ストライプ状半導体領域における高い比屈折率差は、導波光を第2ストライプ状半導体領域に閉じ込めることを可能にし、導波光の広がりに起因する光損失を低減できる。
具体例に係るマッハツェンダ変調器では、前記第1半導体メサ及び前記第2半導体メサの各々は、第1導電型半導体クラッド層、コア層及び第2導電型半導体クラッド層を含み、前記第2導電型半導体クラッド層、前記コア層及び前記第1導電型半導体クラッド層は、前記支持基板の前記主面に交差する方向に順に配列されており、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、高比抵抗半導体を備え、前記高比抵抗半導体は前記第1導電型半導体クラッド層の比抵抗より大きい比抵抗を有し、前記第1電極は、前記第1導電型半導体クラッド層に接続され、当該マッハツェンダ変調器は、前記第3エリアにおいて前記第2構造の前記第2ストライプ状半導体領域上を通過する配線金属層を更に備える。
マッハツェンダ変調器によれば、第2構造の第2ストライプ状半導体領域は高比抵抗半導体を備え、配線金属層は、第3エリアにおいて第2構造上を通過する。
具体例に係るマッハツェンダ変調器では、前記高比抵抗半導体は、遷移金属ドープの半導体及びアンドープ半導体の少なくともいずれかを備える。
マッハツェンダ変調器によれば、遷移金属ドープの半導体及びアンドープ半導体の少なくともいずれかを備える高比抵抗半導体は、小さい光吸収を示す。
具体例に係るマッハツェンダ変調器では、前記第1構造は、前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられた第3半導体メサ及び第4半導体メサを含み、前記第2構造は、前記第2エリア及び前記第3エリア上にそれぞれ設けられた第3ストライプ状半導体領域及び第4ストライプ状半導体領域と、前記第3ストライプ状半導体領域及び前記第4ストライプ状半導体領域を規定する第3ストライプ状ボイド及び第4ストライプ状ボイドと、前記第3エリア上に設けられ前記第2ストライプ状半導体領域及び前記第4ストライプ状半導体領域を合流させる分岐導波路とを含む。
マッハツェンダ変調器によれば、分岐導波路が第2構造内に設けられる。
具体例に係るマッハツェンダ変調器は、当該マッハツェンダ変調器の第2アーム導波路に接続された第2電極と、前記第1電極に接続される第1配線導体と、前記第2電極に接続される第2配線導体と、を更に備え、前記第2配線導体は、前記第3エリアにおいて前記第2構造の前記第2ストライプ状半導体領域上を通過し、前記第2アーム導波路は、前記第3半導体メサ、前記第4半導体メサ、前記第3ストライプ状半導体領域及び前記第4ストライプ状半導体領域を含む。
マッハツェンダ変調器によれば、第2構造の第2ストライプ状半導体領域は高比抵抗半導体を備え、第2配線導体は、第3エリアにおいて第2ストライプ状半導体領域上を通過する。
具体例に係るマッハツェンダ変調器を作製する方法は、(a)上部導波路構造のための半導体積層、及び該半導体積層の第1面上に設けられ下部導波路構造のための半導体厚膜を含む積層体と、該積層体を搭載する基板とを含むエピタキシャル基板を準備する工程と、(b)第1ストライプ溝及び第2ストライプ溝を前記半導体厚膜に形成して、半導体生産物を形成する工程と、(c)前記半導体生産物上に第1絶縁膜を成長する工程と、(d)第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を備え、支持体と該支持体の前記主面上に設けられた第2絶縁膜とを含む支持基板を準備する工程と、(e)前記半導体生産物の前記第1絶縁膜と前記支持部材の前記第2絶縁膜との貼り合わせを行って、基板生産物を作製する工程と、(f)前記基板生産物から前記基板を除去して、前記半導体積層の第2面を露出させる工程と、前記半導体積層を露出させた後に、前記半導体積層を加工して前記上部導波路構造のための第1半導体メサ及び第2半導体メサを形成する工程と、を備え、前記基板生産物は、前記貼り合わせにより前記第1ストライプ溝及び前記第2ストライプ溝からそれぞれ形成された第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドを含み、前記基板生産物は、前記第1ストライプ状ボイド及び前記第2ストライプ状ボイドによって規定され前記下部導波路構造のための第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域を含み、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、それぞれ、前記第2エリア及び前記第3エリア上に設けられ、前記第1半導体メサ及び前記第2半導体メサは、それぞれ、前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられ、前記基板生産物の前記第2エリアにおいて、前記第1ストライプ状半導体領域は、前記第2半導体メサと前記支持基板との間に設けられる。
マッハツェンダ変調器を作製する方法によれば、エピタキシャル基板の第1半導体積層の第1面上に設けられた半導体厚膜に第1ストライプ溝及び第2ストライプ溝を形成した後に、半導体生産物の半導体厚膜上に第1絶縁膜を成長する。半導体生産物の第1絶縁膜と支持基板の第2絶縁膜との貼り合わせを行って、基板生産物を作製する。この貼り合わせにより、基板生産物は、第1ストライプ溝及び第2ストライプ溝からそれぞれ形成された第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドを含む。基板生産物において、第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドは下部導波路構造のための第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域を規定する。基板生産物から基板を除去して、半導体積層の第2面(第1面の反対側の面)を露出させると共に、露出された第1半導体積層を加工して上部導波路構造のための第1半導体メサ及び第2半導体メサを形成する。第1半導体メサ及び第2半導体メサは上部導波路構造のために作製されると共に、第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域は下部導波路構造のために作製される。基板生産物の第2エリアにおいて、第1ストライプ状半導体領域が第2半導体メサと支持基板との間に設けられて、この重ね合わせは、光遷移を可能にする。
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のマッハツェンダ変調器、及びマッハツェンダ変調器を作製する方法に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
図1は、本実施形態に係るマッハツェンダ変調器を概略的に示す図面である。マッハツェンダ変調器11は、第1アーム導波路11a、第2アーム導波路11b、第1分岐導波路11c、及び第2分岐導波路11dを含む。第1アーム導波路11a及び第2アーム導波路11bは、第1分岐導波路11cに接続されており、第2分岐導波路11dに接続される。第1分岐導波路11c及び第2分岐導波路11dの一方は、合波器として働き、他方は分波器として働く。
引き続き、マッハツェンダ変調器11の第1アーム導波路11aの構造を説明する。この説明は、マッハツェンダ変調器11の第2アーム導波路11bに適用されることができる。マッハツェンダ変調器11は、支持基板13と、第1構造15と、第2構造17と、第1電極19を備える。支持基板13は主面13aを備え、主面13aは、第1エリア13b、第2エリア13c、及び第3エリア13dを含む。第1エリア13b、第2エリア13c、及び第3エリア13dは、第1軸Ax1の方向に順に配列されている。本実施例では、第2エリア13cは第1エリア13b及び第3エリア13dに接している。支持基板13は、主面13aを提供する絶縁膜(例えば、シリコン酸化膜)を備える。第1構造15及び第2構造17は、支持基板13の主面13a上に設けられ、第2構造17は、支持基板13の主面13aと第1構造15との間に設けられる。本実施例では、第2構造17が支持基板13に接合を成して、マッハツェンダ変調器11は、接合面を有する。図1の(a)部に、第1構造15の構造物を実線で描くと共に第2構造17の構造物を破線で描いて、平面図における階層構造を示す。図1の(b)部は、図1の(a)部におけるIb−Ib線にそった断面を示し、図1の(c)部は、図1の(a)部におけるIc−Ic線にそった断面を示し、図1の(d)部は、図1の(a)部におけるId−Id線にそった断面を示す。
第1構造15は第1半導体メサ15a及び第2半導体メサ15bを含み、第1半導体メサ15a及び第2半導体メサ15bは、それぞれ、第1エリア13b及び第2エリア13c上に設けられる。第1半導体メサ15a及び第2半導体メサ15bは互いに接続される。第1電極19は、第1エリア13bにおいて第1半導体メサ15a上に設けられ、また第1半導体メサ15aの上面に接続される。
第2構造17は、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bと、第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dとを含む。第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bは、それぞれ、第2エリア13c及び第3エリア13d上に設けられる。第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bは互いに接続される。
第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dは、それぞれ、第2エリア13c及び第3エリア13d上に設けられて、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bを規定している。第2構造17は、第2ストライプ状半導体領域17bの表面を覆う第1絶縁層21を含む。例えば第2エリア13cにおいて、第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dは、第1軸Ax1の方向に延在しており、この延在により、第1ストライプ状半導体領域17aが、下部導波路構造のコアになる。第1絶縁層21は、第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dの側面及び底面を覆う。第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17d並びに第1絶縁層21は、下部導波路構造のクラッドに含まれる。第1絶縁層21は、主面13a(第2絶縁層22)に接合を成す。
また、第2構造17は、第1支持領域17e及び第2支持領域17fを含む。第1ストライプ状ボイド17cは、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bと第1支持領域17eとによって規定され、第2ストライプ状ボイド17dは、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bと第2支持領域17fとによって規定される。
第1エリア13bにおいて、第1構造15は第1半導体メサ15aを含み、第2構造17は、第1半導体メサ15aと支持基板13の主面との間に設けられた第5ストライプ状ボイド17gを含む。第5ストライプ状ボイド17gは、第1支持領域17e及び第2支持領域17fによって規定される。第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dが合流して、単一の第5ストライプ状ボイド17gが形成される。第5ストライプ状ボイド17gは、第1半導体メサ15aに対して下側のクラッドとして働き、第1半導体メサ15aにおける伝搬光が、第2構造17に大きくしみ出すことを防ぐ。第5ストライプ状ボイド17gは、第1構造15に安定な光伝搬を提供できる。
第2エリア13cにおいて、第2構造17の第1ストライプ状半導体領域17aは、第1構造15の第2半導体メサ15bと支持基板13の主面13aとの間に設けられる。第2半導体メサ15b、第1ストライプ状半導体領域17a及び支持基板13は、支持基板13の主面13aの法線方向に配列される。この縦配列により、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2半導体メサ15bは、互いに光学的に結合されることができる。この光学的結合は、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2半導体メサ15bの一方から他方への光学遷移を可能にする。また、第2エリア13cにおいて、第2半導体メサ15bは終端すると共に、第1ストライプ状半導体領域17aも終端する。これらの終端と縦配列とにより、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2半導体メサ15bに、安定した光学遷移が可能になる。安定した光学遷移により、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2半導体メサ15bの一方から他方への光学遷移が確実になり、遷移の後の戻りがなくなる。第2半導体メサ15bの終端は、第2半導体メサ15bの幅を小さくすることにより可能である。第1ストライプ状半導体領域17aの終端は、第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dの間隔を小さくして、第1ストライプ状半導体領域17aの幅を狭くすることにより可能である。この狭小により、第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dは最終的に合流する。本実施例では、第2半導体メサ15bの幅は第1半導体メサ15aの幅より小さく、第2半導体メサ15bの先端は、第2エリア13cから第3エリア13dへの方向に徐々に細くなって、第2半導体メサ15bが終端する。第1半導体メサ15aは、テーパ導波路を介して第2半導体メサ15bに接続される。
第3エリア13dにおいて、第1絶縁層21は、第1支持領域17e及び第2支持領域17fのおもて面及び側面、並びに第2ストライプ状半導体領域17bの側面(第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dの表面)を覆っており、第3絶縁層23は、第1支持領域17e及び第2支持領域17fの裏面並びに第2ストライプ状半導体領域17bの裏面を覆っている。第2ストライプ状半導体領域17bの表面は、第1絶縁層21及び第3絶縁層23によって覆われる。この被覆は、第2ストライプ状半導体領域17bに安定した光伝搬を提供できる。
上記の説明から理解されるように、当該マッハツェンダ変調器11の第1アーム導波路11aは、第1半導体メサ15a、第2半導体メサ15b、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bを含み、第2アーム導波路11bも、第3半導体メサ15c、第4半導体メサ15d、第3ストライプ状半導体領域17h及び第4ストライプ状半導体領域17iを含む。第1分岐導波路11c及び第2分岐導波路11dの各々は、第2構造17に含まれて、分岐導波路17mを含む。
マッハツェンダ変調器11によれば、第1エリア13bにおいて、第1アーム導波路11aの第1半導体メサ15aは、第1電極19からの変調信号に応答して導波光を変調する。第2エリア13cにおいては、第1ストライプ状半導体領域17aは第2半導体メサ15bと支持基板13との間に設けられて、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2半導体メサ15bは積み重ねられる。この積み重ねは、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2半導体メサ15bの一方から他方への光遷移を可能にする。第3エリア13dにおいては、第1アーム導波路11aは、第1絶縁層21及び第3絶縁層23で覆われた表面を有する第2ストライプ状半導体領域17bを含み、第1絶縁層21、第2絶縁層22、第3絶縁層23及び第2ストライプ状半導体領域17bの組み合わせは、第2ストライプ状半導体領域17bと該第2ストライプ状半導体領域17bを覆う第1絶縁層21及び第3絶縁層23との比屈折率差を大きくできる。この高い比屈折率差は、導波光を第2ストライプ状半導体領域17bに閉じ込めることを可能にし、導波光の広がりに起因する光損失を低減できる。
第1半導体メサ15a及び第2半導体メサ15bの各々は、下部クラッド層25a、コア層25b、及び上部クラッド層25cを含み、更に導電性の上部コンタクト層25d及び/又は下部コンタクト層25eを含むことができる。本実施例では、下部コンタクト層25e、下部クラッド層25a、コア層25b、上部クラッド層25c、及び上部コンタクト層25dは、支持基板13の主面13aの法線方向に順に配列される。
アーム導波路への電圧印加のために、下部クラッド層25aは、第1導電型の半導体、例えばn型半導体を備え、及び上部クラッド層25cは、第2導電型の半導体、例えばp型半導体を備える。上部コンタクト層25dはp型半導体を備え、下部コンタクト層25eはn型半導体を備える。コア層25bは、例えば量子井戸構造を備え、アンドープ半導体を備えることができる。第1構造15及び第2構造17は、第1エリア13b及び第2エリア13cにおいて、当該マッハツェンダ変調器11の電気的な絶縁のために素子分離メサ15eを含む。素子分離メサ15eは、例えば下部クラッド層25a又は下部コンタクト層25eを備えることができる。第1エリア13bにおいて、第2電極37が素子分離メサ15eに接続を成し、本実施例では、素子分離メサ15eは下部コンタクト層25eを含むことができる。第1電極19が第1半導体メサ15aの上部コンタクト層25dに接続を成す。
第2構造17の第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bは、高比抵抗半導体を備える。この高比抵抗半導体は、下部クラッド層25a及び上部クラッド層25cの比抵抗より大きい比抵抗を有する。高比抵抗半導体は、遷移金属ドープの半導体及びアンドープ半導体の少なくともいずれかを備えることができる。遷移金属ドープの半導体及びアンドープ半導体の少なくともいずれかを備える高比抵抗半導体は、小さい光吸収を示す。
マッハツェンダ変調器11は、第1樹脂体27を備え、第1樹脂体27は、例えばベンゾシクロブテン(BCB)樹脂を含む。また、第1樹脂体27上には、第4絶縁膜29が設けられる。第1樹脂体27は、それぞれ、第1エリア13b及び第2エリア13cにおいて第1半導体メサ15a及び第2半導体メサ15bを埋め込む。第3エリア13dにおいては、第1樹脂体27が、第2構造17上に設けられる。マッハツェンダ変調器11は、第2樹脂体31を備え、第2樹脂体31は、例えばベンゾシクロブテン(BCB)樹脂を含む。また、第2樹脂体31上には、第5絶縁膜33が設けられる。
マッハツェンダ変調器11の一例。
下部クラッド層25a:n型InP、0.5マイクロメートル。
コア層25b:アンドープAlGaInAs多重量子井戸、0.5マイクロメートル。
上部クラッド層25c:p型InP、1.5マイクロメートル。
上部コンタクト層25d:p+型InGaAs、0.2マイクロメートル。
下部コンタクト層25e:n+型InP、1マイクロメートル。
第1絶縁層21:シリコン系無機絶縁膜、例えばシリコン酸化物。
第1絶縁層21の厚さ:200〜600ナノメートル。
第3絶縁層23:シリコン系無機絶縁膜、例えばシリコン酸化物。
第3絶縁層23の厚さ:100〜400ナノメートル。
第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17b;FeドープInP。
ストライプ状半導体領域の厚さ:3〜6マイクロメートル。
ストライプ状半導体領域の幅:3〜6マイクロメートル。
ストライプ状ボイドの幅:1〜5マイクロメートル。
ストライプ状ボイドの深さ:2〜6マイクロメートル。
第4絶縁膜29:シリコン系無機絶縁体、例えばシリコン酸化物。
第4絶縁膜29の厚さ:300ナノメートル。
第5絶縁膜33:シリコン系無機絶縁体、例えばシリコン酸化窒化物。
第5絶縁膜33の厚さ:400ナノメートル。
支持基板13:GaAs、InP。
第2絶縁層22:シリコン系無機絶縁膜、例えばシリコン酸化物。
第2絶縁層22の厚さ:100〜400ナノメートル。
第1ストライプ状半導体領域17aの幅は、第1半導体メサ15aの幅より大きい。第2ストライプ状半導体領域17bの厚さは、第1半導体メサ15aの高さより大きい。
下部クラッド層25a:n型InP、0.5マイクロメートル。
コア層25b:アンドープAlGaInAs多重量子井戸、0.5マイクロメートル。
上部クラッド層25c:p型InP、1.5マイクロメートル。
上部コンタクト層25d:p+型InGaAs、0.2マイクロメートル。
下部コンタクト層25e:n+型InP、1マイクロメートル。
第1絶縁層21:シリコン系無機絶縁膜、例えばシリコン酸化物。
第1絶縁層21の厚さ:200〜600ナノメートル。
第3絶縁層23:シリコン系無機絶縁膜、例えばシリコン酸化物。
第3絶縁層23の厚さ:100〜400ナノメートル。
第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17b;FeドープInP。
ストライプ状半導体領域の厚さ:3〜6マイクロメートル。
ストライプ状半導体領域の幅:3〜6マイクロメートル。
ストライプ状ボイドの幅:1〜5マイクロメートル。
ストライプ状ボイドの深さ:2〜6マイクロメートル。
第4絶縁膜29:シリコン系無機絶縁体、例えばシリコン酸化物。
第4絶縁膜29の厚さ:300ナノメートル。
第5絶縁膜33:シリコン系無機絶縁体、例えばシリコン酸化窒化物。
第5絶縁膜33の厚さ:400ナノメートル。
支持基板13:GaAs、InP。
第2絶縁層22:シリコン系無機絶縁膜、例えばシリコン酸化物。
第2絶縁層22の厚さ:100〜400ナノメートル。
第1ストライプ状半導体領域17aの幅は、第1半導体メサ15aの幅より大きい。第2ストライプ状半導体領域17bの厚さは、第1半導体メサ15aの高さより大きい。
マッハツェンダ変調器11の第2アーム導波路11bは、第1アーム導波路11aと実質的に同等の構造を含むことができる。具体的な構造は、以下のものである。
第1構造15は、第3半導体メサ15c及び第4半導体メサ15dを含み、第3半導体メサ15c及び第4半導体メサ15dは、それぞれ、第1エリア13b及び第2エリア13c上に設けられる。本実施例では、第3半導体メサ15c及び第4半導体メサ15dは、それぞれ、第1半導体メサ15a及び第2半導体メサ15bに対応しており、これらのそれぞれと実質的に同一の構造を有する。
第2構造17は、第3ストライプ状半導体領域17h及び第4ストライプ状半導体領域17iと、第3ストライプ状ボイド17j及び第4ストライプ状ボイド17kとを含む。第3ストライプ状半導体領域17h及び第4ストライプ状半導体領域17iは、それぞれ、第2エリア13c及び第3エリア13d上にそれぞれ設けられる。第2構造17は、更に、分岐導波路17mを含み、分岐導波路17mは、第3エリア13d上に設けられ第2ストライプ状半導体領域17b及び第4ストライプ状半導体領域17iを合流させる。この合流により、第2ストライプ状ボイド17d及び第3ストライプ状ボイド17jが合流する。第1ストライプ状ボイド17c及び第4ストライプ状ボイド17kは、分岐導波路17mを規定すると共に、分岐導波路17mに接続される導波路17nを規定する。本実施例では、第3ストライプ状半導体領域17h及び第4ストライプ状半導体領域17iは、それぞれ、第1ストライプ状半導体領域17a及び第2ストライプ状半導体領域17bに対応しており、これらのそれぞれと実質的に同一の構造を有する。第3ストライプ状ボイド17j及び第4ストライプ状ボイド17kは、それぞれ、第1ストライプ状ボイド17c及び第2ストライプ状ボイド17dに対応しており、これらのそれぞれと実質的に同一の構造を有する。
第3半導体メサ15c、第4半導体メサ15d、第3ストライプ状半導体領域17h及び第4ストライプ状半導体領域17iは、当該マッハツェンダ変調器の第2アーム導波路11bに含まれる。
図2は、マッハツェンダ変調器の第1アーム導波路及び第2アーム導波路のための配線金属層を示す図面である。マッハツェンダ変調器11は、第1配線導体33a、第2配線導体35、及び第3配線導体33bを含む。第1配線導体33aは、第1電極19に接続される。第2配線導体35は、第2電極37に接続される。第3配線導体33bは、第2アーム導波路11bの第3半導体メサ15cに接続される第3電極39に接続される。第1配線導体33a、第2配線導体35、及び第3配線導体33bは、第3エリア13d上の第1樹脂体27及び第2樹脂体31上を延在する。第1樹脂体27及び第2樹脂体31は、第3配線導体33bを第1アーム導波路11aから隔置できる。また、第3エリア13d上の第2ストライプ状半導体領域17bの高比抵抗半導体によれば、第3配線導体33bと第1アーム導波路11aとの電気的結合を小さくできる。
図1では、単一のマッハツェンダ変調器11が、入力ポートIN及び出力ポートOUTの一方に接続されている。本実施形態の導波路構造は、集積されたマッハツェンダ変調器に適用されることができる。図1のマッハツェンダ変調器11は、アーム導波路の両端の分岐導波路が、共に第2構造17に設けられているけれども、いずれか一方が第1構造15に設けられることができる。
図3〜図13を参照しながら、マッハツェンダ変調器を作製する方法における主要な工程を説明する。図3〜図13の(a)部は、作製されるべきマッハツェンダ変調器11の第1エリア13bにおける断面の進捗を示し、図3〜図13の(b)部は、作製されるべきマッハツェンダ変調器11の第2エリア13cにおける断面の進捗を示し、図3〜図13の(c)部は、作製されるべきマッハツェンダ変調器11の第3エリア13dにおける断面の進捗を示し、図3〜図13の(d)部は、作製されるべきマッハツェンダ変調器11の入力ポート及び出力ポートのためのI/Oエリアにおける断面の進捗を示し、図3〜図13の(e)部は、作製されるべきマッハツェンダ変調器11の第1アーム導波路及び第2アーム導波路のための第1エリアを横切る断面の進捗を示す。引き続く説明において、可能な場合には、理解を容易にするために、マッハツェンダ変調器11の対応する部分に付された参照符合を用いる。
図3の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、工程S101では、エピタキシャル基板EPを準備する。エピタキシャル基板EPの準備は、本実施形態では、エピタキシャル基板EPを作製する。成長用基板41上に、上部導波路構造のための第1半導体積層43及び下部導波路構造のための半導体厚膜45をエピタキシャルに成長する。具体的には、上部コンタクト層25d、上部クラッド層25c、コア層25b、下部クラッド層25a及び下部コンタクト層25eそれぞれのための第1半導体層43a、第2半導体層43b、第3半導体層43c、第4半導体層43d、第5半導体層43eを成長用基板41上に有機金属気相成長法で成長して第1半導体積層43を形成すると共に、第1半導体積層43の第1面43f上に半導体厚膜45を成長する。成長用基板41は積層体47を搭載しており、積層体47は、第1半導体積層43及び半導体厚膜45を含む。成長用基板41は、例えばInPを含む。
エピタキシャル膜の一例。
第1半導体層43a:p−InGaAs。
第2半導体層43b:p−InP。
第3半導体層43c:InGaAsP又はAlGaInAsの量子井戸(MQW)。
第4半導体層43d:n−InP。
第5半導体層43e:n+−InP。
成長用基板41:InP。
半導体厚膜45:Fe−InP、及び/又はノンドープGaInAsP。
第1半導体層43a:p−InGaAs。
第2半導体層43b:p−InP。
第3半導体層43c:InGaAsP又はAlGaInAsの量子井戸(MQW)。
第4半導体層43d:n−InP。
第5半導体層43e:n+−InP。
成長用基板41:InP。
半導体厚膜45:Fe−InP、及び/又はノンドープGaInAsP。
工程S102では、図4の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、半導体厚膜45に、ストライプ状ボイドのための溝を形成する。溝の底は、半導体厚膜45内にある。溝のパターンを規定するマスク49(例えばSiNマスク)を半導体厚膜45の主面45a上に形成すると共に、マスク49を用いて半導体厚膜45をエッチングして、第1ストライプ溝51c(第3ストライプ溝51j)、第2ストライプ溝51d(第4ストライプ溝51k)、第5ストライプ溝51gを形成する。図4の(a)部及び(e)部に示されるように、第1エリア13bにおける第5ストライプ状ボイド17gのための第5ストライプ溝51gが形成される。図4の(a)部及び(c)部に示されるように、第2エリア13c及び第3エリア13dにおける第1ストライプ状ボイド17c(17j)及び第2ストライプ状ボイド17d(17k)のための第1ストライプ溝51c(51j)及び第2ストライプ溝51d(51k)が形成される。図4の(d)部に示されるように、I/Oエリアにおける第1ストライプ状ボイド17c及び第4ストライプ状ボイド17kのための第1ストライプ溝51c及び第4ストライプ溝51kが形成される。エッチングの後に、マスク49を除去して半導体生産物SP1を作製する。
工程S103では、図5の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、半導体厚膜45に溝を形成した後に、半導体生産物SP1上に第1誘電体膜53を成長する。具体的には、半導体厚膜45の主面45a、並びに第1ストライプ溝51c(第3ストライプ溝51j)、第2ストライプ溝51d(第4ストライプ溝51k)及び第5ストライプ溝51gの側面及び底面を第1誘電体膜53で覆う。第1誘電体膜53は、例えばシリコン系無機絶縁膜を含むことができ、シリコン系無機絶縁膜は例えば気相成長法で堆積される。
工程S104では、図6の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、支持基板55を準備する。支持基板55は、支持体57及び第2誘電体膜59を含む。第2誘電体膜59は、支持体57の主面上に設けられる。支持基板55の主面55aは、第1エリア55b、第2エリア55c、第3エリア55d及びI/Oエリア55eを含む。支持基板55は、成長用基板41と同じへき開性を示す材料を備えることが好ましい。支持基板55は、例えばInP, GaAsを含む。
工程S105では、図6の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、半導体生産物SP1の第1誘電体膜53と支持基板55の第2誘電体膜59との貼り合わせを行って、基板生産物SP2を作製する。例えば、半導体生産物SP1の第1誘電体膜53を純水により洗浄すると共にプラズマ処理を施す。また、支持基板55の第2誘電体膜59を純水により洗浄すると共にプラズマ処理を施す。これらの処理の後に、半導体生産物SP1の第1誘電体膜53と支持基板55の第2誘電体膜59とを真空中で接触させると、第1誘電体膜53及び第2誘電体膜59が互いに接合する。接合により、第1ストライプ溝51c、第2ストライプ溝51d、第3ストライプ溝51j、第4ストライプ溝51k及び第5ストライプ溝51gから、それぞれ、第1ストライプ状ボイド17c、第2ストライプ状ボイド17d、第3ストライプ状ボイド17j、第4ストライプ状ボイド17k及び第5ストライプ状ボイド17gが形成される。貼り合わせにおいては、半導体生産物SP1及び支持基板55の結晶軸合わせを行うことは良い。
工程S106では、図7の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、基板生産物SP2から成長用基板41を除去して、第1半導体積層43の第2面43g(第1半導体積層43の第1面43fの反対側の面)を露出させる。例えばInPから成る成長用基板41は、塩酸によるウエットエッチングにより除去されることができる。このウエットエッチングのために、第1半導体層43aは、エッチャント(例えば、塩酸)に耐食性を示す半導体、例えばInGaAsからなることが良い。支持基板55が、エッチャント(例えば、塩酸)に有効な耐食性を示さない半導体、例えばInPを備えるときには、基板生産物SP2の裏面(基板生産物SP2のおもて面を形成する成長用基板41の反対面)を保護層(例えばレジスト)で覆うことが良い。
必要な場合には、工程S107では、図8の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、上部コンタクト層25dのための第1半導体層43a(例えばp型InGaAs)に予備的なパターン形成を行うことができる。アーム導波路の変調部に上部コンタクト層25dが残るように、第1マスク61を用いてエッチングにより第1半導体層43aにパターン形成する。このエッチングの後に、パターン形成された第1半導体層43hが変調部に形成され、残りのエリアに第2半導体層43b(上部クラッド層25c)が露出される。このエッチングにより、第2半導体積層63が形成される。
工程S108では、図9の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、第1半導体積層43を露出させた後に、第2半導体積層63を加工して、上部導波路構造のためのメサ状半導体65及び下部コンタクトのための半導体層(第2半導体積層63の残余)を形成する。メサ状半導体65の形成のために、第2半導体積層63上に第2マスク67を形成する。第2マスク67は、導波路の形状を規定するパターンを有し、絶縁体からなる。第2マスク67は、第1エリア55bにおいてはシングルモード導波路のための幅のパターンを有する。第2エリア55cにおいてはシングルモード導波路のための幅より小さい幅のパターンを有し、第2エリア55cにおいてパターンは終端する。第2マスク67を用いて第2半導体積層63のエッチングを行うことにより、メサ状半導体65が形成される。メサ状半導体65は、第1エリア55b及び第2エリア55cにそれぞれ設けられた第1半導体メサ部65a及び第2半導体メサ部65bを含む。導波路メサを形成するためには、第5半導体層43eに到達する深さに第2半導体積層63をエッチングして、第1半導体メサ部65a及び第2半導体メサ部65bと、下部コンタクトのためのエッチングされた半導体層43iとを形成する。エッチングされた半導体層43iは、図8の(e)部に示されるように、予備的にパターン形成された第1半導体層43aの形状が反映された段差を第1エリア55bに含む。エッチングの後に、第2マスク67は除去される。
工程S109では、図10の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、エッチングされた半導体層43iから、マッハツェンダ変調器のための素子分離メサ69を形成する。素子分離メサ69の形成のために、第3マスク71がメサ状半導体65及び下部コンタクトのための半導体層43i上に形成される。第3マスク71は、素子分離メサ69の形状を規定するパターンを有し、絶縁体からなる。第3マスク71を用いて、導電性の半導体層43iをエッチングすると共に高比抵抗の半導体厚膜45の一部分をエッチングして、素子分離を形成する。素子分離メサ69を形成するためには、半導体層43iのエッチングをその厚さを越える深さに行って、高比抵抗の半導体厚膜45を露出させる。第3エリア55d及びI/Oエリア55eにおいては、エッチングにより半導体層43iを除去して、高比抵抗の半導体厚膜45を露出させる。素子分離メサ69は、下部コンタクト層25eを含む。エッチングの後に、第3マスク71を除去して、基板生産物SP3を形成する。
工程S110では、素子分離の後に、図11の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、基板生産物SP3上に保護誘電体膜73を形成する。保護誘電体膜73は、メサ状半導体65の上面及び側面、素子分離メサ69の上面及び側面、並びに高比抵抗の半導体厚膜45の表面を覆う。この被覆のために、保護誘電体膜73は、例えばシリコン系無機絶縁膜(例えば、シリコン酸化膜)を含むことができ、例えば化学的気相成長法で堆積されたシリコン酸化膜である。保護誘電体膜73は、図11の(e)部に示されるように、素子分離メサ69の下部コンタクト層25e上に位置する第1開口73aを有する。第1開口73aは、第1アーム導波路及び第2アーム導波路のためにメサ状半導体65(例えば、第1半導体メサ部65a)の間に設けられる。第1開口73aを形成した後に、蒸着及びリフトオフにより第1オーミック電極75aを形成する。第1オーミック電極75aは、第1開口73aを介して下部コンタクト層25eに接触を成す。
工程S111では、素子分離の後に、図12の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、第1オーミック電極75aを形成した後に、基板生産物SP3上に第1樹脂体77を形成して、メサ状半導体65及び素子分離メサ69を埋め込むと共に、第3誘電体膜79を形成する。第1樹脂体77は、例えばBCB樹脂(厚さ、例えば2マイクロメートル)の塗布及びキュアによって形成される。第3誘電体膜79は、シリコン系無機絶縁膜(例えばSiON、厚さ0.2マイクロメートル)を含み、例えば化学的位相成長法で形成される。メサ状半導体65の上面に位置する第2開口73bを保護誘電体膜73及び第3誘電体膜79に形成する。第2開口73b上に、蒸着及びリフトオフにより第2オーミック電極75bを形成する。第2オーミック電極75bは、第2開口73bを介してメサ状半導体65(例えば、上部コンタクト層25d)に接触を成す。
工程S112では、図13の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部及び(e)部に示されるように、n型半導体領域への電極及びp型半導体領域への電極、並びに第2樹脂体83及びパッシベーション膜85を形成する。詳細には、第1エリア55bにおいて、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて第1オーミック電極75a上の第1樹脂体77に開口77aを形成する。この開口77a、第2オーミック電極75b上及び第1樹脂体77上に第1金属体87を形成する。第1金属体87は、第1オーミック電極75a及び第2オーミック電極75bに接触を成し、またシード層87a及び金(Au)層87bを含む。金層87bはメッキにより形成され、メッキのためのシード層(例えばシード層87a)は、スパッタにより形成されたTiW層を含む。第1金属体87を形成した後に、第2樹脂体83及びパッシベーション膜85(厚さ0.3マイクロメートルのシリコン酸化膜)を形成する。第2樹脂体83は塗布及びキュア−により形成されたBCB樹脂(厚さ、例えば2マイクロメートル)であることができる。第1エリア55bにおいて、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて第2オーミック電極75b上の第2樹脂体83及びパッシベーション膜85に開口83aを形成する。この開口83a及びパッシベーション膜85上に第2金属体89を形成する。第2金属体89は、第2オーミック電極75b上の第1金属体87に接触を成し、またシード層89a及び金(Au)層89bを含む。パッシベーション膜85を形成した後に、パッド電極のための第3金属体91を形成する。第3金属体91は、第1エリア55bにおいて第2金属体89に接触を成し、またシード層91a及び金(Au)層91bを含む。また、第3エリア55dにおいては、配線金属層93が設けられる。配線金属層93は、第2金属体89及び第3金属体91の少なくともいずれかを含むことができる。配線金属層93は、第1ストライプ状半導体領域17a、第2ストライプ状半導体領域17b、第3ストライプ状半導体領域17h及び第4ストライプ状半導体領域17iの少なくともいずれかの上、並びに第1樹脂体77及び第2樹脂体83上を延在する。
これらの工程により、マッハツェンダ変調器11が作製される。この作製方法においては、第1構造15と第2構造17との間に貼り合わせの接合が位置することなく、安定した光遷移が提供される。半導体光素子の端面には、ストライプ状半導体領域が現れて、埋込用の樹脂体が設けられない。この製造方法では、シリコン酸化膜を用いる貼り合わせを用いたけれども、本実施形態は、このような特定の貼り合わせに限定されることがない。
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
以上説明したように、本実施形態によれば、電気信号に係る導波路構造と、電気信号に関わらない導波路構造とを有するマッハツェンダ変調器が提供される。また、本実施形態によれば、このマッハツェンダ変調器を作製する方法が提供される。
11…マッハツェンダ変調器、11a…第1アーム導波路、11b…第2アーム導波路、11c…第1分岐導波路、11d…第2分岐導波路、13…支持基板、15…第1構造、15a…第1半導体メサ、15b…第2半導体メサ、15c…第3半導体メサ、15d…第4半導体メサ、17…第2構造、17a…第1ストライプ状半導体領域、17b…第2ストライプ状半導体領域、17c…第1ストライプ状ボイド、17d…第2ストライプ状ボイド、17h…第3ストライプ状半導体領域、17i…第4ストライプ状半導体領域、17j…第3ストライプ状ボイド、17k…第4ストライプ状ボイド、17m…分岐導波路、19…第1電極、27…第1樹脂体、31…第2樹脂体、33a…第1配線導体、33b…第3配線導体、35…第2配線導体。
Claims (6)
- マッハツェンダ変調器であって、
第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を備える支持基板と、
前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられた第1半導体メサ及び第2半導体メサを含み、前記支持基板の前記主面上に設けられた第1構造と、
前記第2エリア及び前記第3エリア上にそれぞれ設けられた第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域と、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域を規定する第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドとを含み、前記支持基板の前記主面と前記第1構造との間に設けられた第2構造と、
前記第1エリアにおいて前記第1半導体メサ上に設けられ、前記第1半導体メサに接続される第1電極と、
を備え、
前記第2エリアにおいて、前記第2構造の前記第1ストライプ状半導体領域は、前記第1構造の前記第2半導体メサと前記支持基板との間に設けられており、
前記第2構造は、前記第2ストライプ状半導体領域の表面を覆う絶縁層を含み、
前記第1半導体メサ、前記第2半導体メサ、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、当該マッハツェンダ変調器の第1アーム導波路に含まれる、マッハツェンダ変調器。 - 前記第1半導体メサ及び前記第2半導体メサの各々は、第1導電型半導体クラッド層、コア層及び第2導電型半導体クラッド層を含み、
前記第2導電型半導体クラッド層、前記コア層及び前記第1導電型半導体クラッド層は、前記支持基板の前記主面に交差する方向に順に配列されており、
前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、高比抵抗半導体を備え、前記高比抵抗半導体は前記第1導電型半導体クラッド層の比抵抗より大きい比抵抗を有し、
前記第1電極は、前記第1導電型半導体クラッド層に接続され、
当該マッハツェンダ変調器は、前記第3エリアにおいて前記第2構造の前記第2ストライプ状半導体領域上を通過する配線金属層を更に備える、請求項1に記載されたマッハツェンダ変調器。 - 前記高比抵抗半導体は、遷移金属ドープの半導体及びアンドープ半導体の少なくともいずれかを備える、請求項2に記載されたマッハツェンダ変調器。
- 前記第1構造は、前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられた第3半導体メサ及び第4半導体メサを含み、
前記第2構造は、前記第2エリア及び前記第3エリア上にそれぞれ設けられた第3ストライプ状半導体領域及び第4ストライプ状半導体領域と、前記第3ストライプ状半導体領域及び前記第4ストライプ状半導体領域を規定する第3ストライプ状ボイド及び第4ストライプ状ボイドと、前記第3エリア上に設けられ前記第2ストライプ状半導体領域及び前記第4ストライプ状半導体領域を合流させる分岐導波路とを含む、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載されたマッハツェンダ変調器。 - 当該マッハツェンダ変調器の第2アーム導波路に接続された第2電極と、
前記第1電極に接続される第1配線導体と、
前記第2電極に接続される第2配線導体と、
を更に備え、
前記第2配線導体は、前記第3エリアにおいて前記第2構造の前記第2ストライプ状半導体領域上を通過し、
前記第2アーム導波路は、前記第3半導体メサ、前記第4半導体メサ、前記第3ストライプ状半導体領域及び前記第4ストライプ状半導体領域を含む、請求項4に記載されたマッハツェンダ変調器。 - マッハツェンダ変調器を作製する方法であって、
上部導波路構造のための半導体積層、及び該半導体積層の第1面上に設けられ下部導波路構造のための半導体厚膜を含む積層体と、該積層体を搭載する基板とを含むエピタキシャル基板を準備する工程と、
第1ストライプ溝及び第2ストライプ溝を前記半導体厚膜に形成して、半導体生産物を形成する工程と、
前記半導体生産物上に第1絶縁膜を成長する工程と、
第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を備え、支持体と該支持体の主面上に設けられた第2絶縁膜とを含む支持基板を準備する工程と、
前記半導体生産物の前記第1絶縁膜と前記支持基板の前記第2絶縁膜との貼り合わせを行って、基板生産物を作製する工程と、
前記基板生産物から前記基板を除去して、前記半導体積層の第2面を露出させる工程と、
前記半導体積層を露出させた後に、前記半導体積層を加工して前記上部導波路構造のための第1半導体メサ及び第2半導体メサを形成する工程と、
を備え、
前記基板生産物は、前記貼り合わせにより前記第1ストライプ溝及び前記第2ストライプ溝からそれぞれ形成された第1ストライプ状ボイド及び第2ストライプ状ボイドを含み、
前記基板生産物は、前記第1ストライプ状ボイド及び前記第2ストライプ状ボイドによって規定され前記下部導波路構造のための第1ストライプ状半導体領域及び第2ストライプ状半導体領域を含み、
前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、それぞれ、前記第2エリア及び前記第3エリア上に設けられ、
前記第1半導体メサ及び前記第2半導体メサは、それぞれ、前記第1エリア及び前記第2エリア上にそれぞれ設けられ、
前記基板生産物の前記第2エリアにおいて、前記第1ストライプ状半導体領域は、前記第2半導体メサと前記支持基板との間に設けられ、
前記第1半導体メサ、前記第2半導体メサ、前記第1ストライプ状半導体領域及び前記第2ストライプ状半導体領域は、当該マッハツェンダ変調器の第1アーム導波路のために設けられる、マッハツェンダ変調器を作製する方法。
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