JP2017199760A - インプリント方法、物品の製造方法、およびプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】スループットの点で有利なインプリント方法を提供する。
【解決手段】モールドを用いて複数の基板の各々にパターンを形成するインプリント方法において、前記複数の基板の各々は、第１モールドを用いてパターンを形成すべき第１ショット領域と、第２モールドを用いてパターンを形成すべき第２ショット領域とを含む複数のショット領域を有し、前記インプリント方法は、前記第１モールドによる前記第１ショット領域へのパターンの形成を前記複数の基板にわたって連続して行う第１処理が前記第１モールドに起因して中断した場合、前記第１処理に代えて、前記第２モールドによる前記第２ショット領域へのパターンの形成を前記複数の基板にわたって連続して行う第２処理を実行し、当該第２処理が終了した後に前記第１処理を再開する。
【選択図】図１

Description

本発明は、インプリント方法、物品の製造方法、およびプログラムに関する。

モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を、基板における複数のショット領域の各々に行うインプリント装置が、半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。インプリント装置では、第１モールドを用いてパターンを形成すべき第１ショット領域と、第２モールドを用いてパターンを形成すべき第２ショット領域とをそれぞれ含む複数の基板の各々についてインプリント処理を行う場合がある。この場合、第１モールドと第２モールドとを基板ごとに交換してしまうと、スループットが低下しうる。そのため、インプリント装置では、第１モールドによる第１ショット領域へのインプリント処理を複数の基板にわたって連続して行う第１処理を先に実行する。そして、第１処理が終了した後に、第２モールドによる第２ショット領域へのインプリント処理を複数の基板にわたって連続して行う第２処理を実行することが好ましい。

特許文献１には、露光装置において、第１マスクを用いた露光を複数の基板に対して行った後、第２マスクを用いた露光を複数の基板に対して行う方法が提案されている。

特開平３−４６３１７号公報

インプリント装置では、例えば、第１処理の途中で、第１モールドにパーティクルが付着したり、第１モールドのインプリント回数が上限に達したりすることがある。この場合、第１モールドを継続して使用することができないため、第１処理が中断し、第１処理を再開するまでに相応の時間を要しうる。インプリント装置では、第１処理が中断した場合であっても、スループットの低下が低減されるようにインプリント処理を制御することが好ましい。

そこで、本発明は、スループットの点で有利なインプリント方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント方法は、モールドを用いて複数の基板の各々にパターンを形成するインプリント方法であって、前記複数の基板の各々は、第１モールドを用いてパターンを形成すべき第１ショット領域と、第２モールドを用いてパターンを形成すべき第２ショット領域とを含む複数のショット領域を有し、前記インプリント方法は、前記第１モールドによる前記第１ショット領域へのパターンの形成を前記複数の基板にわたって連続して行う第１処理が前記第１モールドに起因して中断した場合、前記第１処理に代えて、前記第２モールドによる前記第２ショット領域へのパターンの形成を前記複数の基板にわたって連続して行う第２処理を実行し、当該第２処理が終了した後に前記第１処理を再開する、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、スループットの点で有利なインプリント方法を提供することができる。

第１実施形態のインプリント装置を示す概略図である。 基板における複数のショット領域のレイアウトを示す図である。 第１モールドおよび第２モールドを示す図である。 基板における複数のショット領域のレイアウトを示す図である。 第１モールドおよび第２モールドを示す図である。 第１実施形態のインプリント方法を説明するための図である。 第１実施形態のインプリント方法を示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態のインプリント装置１００について説明する。インプリント装置１００は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。つまり、インプリント装置１００は、パターンが形成されたパターン領域１１を有するモールド１を用いて、基板２のショット領域上に供給されたインプリント材３に当該パターンを転写するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置１００は、パターンが形成されたモールド１を基板上のインプリント材３に接触させた状態で当該インプリント材３を硬化する。そして、インプリント装置１００は、モールド１と基板２との間隔を広げ、硬化したインプリント材３からモールド１を剥離（離型）することによって、インプリント材３にパターンを形成することができる。

インプリント材３を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、本実施形態では、光硬化法を採用した例について説明する。光硬化法とは、インプリント材３として未硬化の紫外線硬化樹脂を基板上に供給し、モールド１とインプリント材３とを接触させた状態でインプリント材３に光（紫外線）を照射することにより当該インプリント材３を硬化させる方法である。

インプリント材３には、硬化用のエネルギが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材３は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材３の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

［装置構成］
次に、第１実施形態のインプリント装置１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態のインプリント装置１００を示す概略図である。インプリント装置１００は、モールド１を保持するモールド保持部４と、基板２を保持する基板ステージ５と、基板上のインプリント材３に光を照射して当該インプリント材を硬化させる硬化部６とを含みうる。また、インプリント装置１００は、インプリント材３を基板２に供給する供給部７と、基板上のインプリント材３をモールド１を介して撮像する撮像部８と、制御部９とを含みうる。制御部９は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、インプリント処理の各工程を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）。

モールド１は、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域１１）には、基板上のインプリント材３を成形するための凹凸のパターンが形成されている。また、基板２としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるための密着層を設けてもよい。

モールド保持部４は、例えば真空吸着力や静電力などによりモールド１を保持し、モールド１のパターン領域１１と基板上のインプリント材３とを接触させたり剥離させたりするようにモールド１をＺ方向に駆動する。モールド保持部４は、Ｚ方向にモールド１を駆動する機能だけでなく、ＸＹ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）におけるモールド１の位置を調整する調整機能や、モールド１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。

基板ステージ５は、例えば真球吸着力や静電力などにより基板２を保持し、基板２のＸＹ方向における位置決めを行う。基板ステージ５は、ＸＹ方向に基板２を移動させる機能だけでなく、Ｚ方向に基板２を移動させる機能やθ方向における基板２の位置を調整する調整機能などを有していてもよい。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１と基板上のインプリント材３とを接触させたり、基板上の硬化したインプリント材３からモールド１を剥離させたりする動作がモールド保持部４によって行われるが、それに限られるものではない。例えば、基板ステージ５によって行われてもよいし、双方で相対的に行われてもよい。

硬化部６は、インプリント処理の際に、基板上に供給されたインプリント材３に光（紫外線）を照射し、当該インプリント材３を硬化させる。硬化部６は、例えば、インプリント材を硬化させる光（紫外線）を射出する光源を有し、ビームスプリッタ１０およびモールド１を介して基板上のインプリント３に光を照射する。また、硬化部６は、光源から射出された光をインプリント処理において適切な光に調整するための光学素子を含んでいてもよい。第１実施形態では光硬化法が採用されているため、紫外線を射出する光源が用いられているが、例えば熱サイクル法を採用する場合には、インプリント材３としての熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源が光源の代わりに用いられうる。

供給部７は、基板上にインプリント材３を供給（塗布）する。本実施形態の供給部７は、インプリント材３を収容するタンク７ａと、タンク７ａに収容されたインプリント材３を吐出するディスペンサ７ｂとを含みうる。また、撮像部８は、モールド１と基板上のインプリント材３との接触状態を観察するために設けられ、ビームスプリッタ１０およびモールド１を介して基板上のインプリント３を撮像する。撮像部８は、後述するように、モールド１（パターン領域１１）に異物（パーティクル）が付着しているか否かを確認するため、インプリント材３に接触していない状態のモールド１のパターン領域１１を撮像するように構成されてもよい。

［ショット領域のレイアウト］
インプリント装置１００では、基板２における複数のショット領域１２の各々に対してインプリント処理が行われうる。ショット領域１２とは、１回のインプリント処理によってパターンが形成されるべき領域のことである。そして、基板２における複数のショット領域１２には、別々のモールド１を用いてパターンを形成すべき第１ショット領域１２ａおよび第２ショット領域１２ｂが含まれる場合がある。つまり、基板２における複数のショット領域１２には、第１モールド１ａを用いてパターンを形成すべき第１ショット領域１２ａと、第１モールド１ａとは異なる第２モールド１ｂを用いてパターンを形成すべき第２ショット領域１２ｂとが含まれる場合がある。

図２は、基板における複数のショット領域１２のレイアウトを示す図である。図２に示すように配置された複数のショット領域１２には、モールド１のパターンの全体が転写されるフルショット領域１２ｆと、モールド１のパターンの一部のみが転写されるパーシャルショット領域１２ｐとが含まれる。ここで、パーシャルショット領域１２ｐでは、インプリント処理の際にモールド１が基板２の外縁に接触しうるため、インプリント処理の際にモールド１に蓄積されるダメージがフルショット領域１２ｆに比べて大きくなりうる。つまり、パーシャルショット領域１２ｐのインプリント処理では、フルショット領域１２ｆのインプリント処理に比べてモールド１が破損する可能性が高い。そのため、基板２の中央部に配置されたフルショット領域１２ｆにおいて良品の収率を向上させるためには、フルショット領域１２ｆとパーシャルショット領域１２ｐとで別々のモールド１を用いてインプリント処理を行うことが好ましい。

本実施形態では、フルショット領域１２ｆを、第１モールド１ａを用いてパターンを形成すべき第１ショット領域１２ａとし、パーシャルショット領域１２ｐを、第２モールド１ｂを用いてパターンを形成すべき第２ショット領域１２ｂとしている。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、複数のショット領域１２のうち、＋Ｙ方向側のショット領域１２を第１ショット領域１２ａ、−Ｙ方向側のショット領域１２を第２ショット領域１２ｂとするなど、別の分け方であってもよい。また、複数のショット領域１２は、第１モールド１ａおよび第２モールド１ｂとは異なるモールド１を用いてパターンを形成すべきショット領域１２（第３ショット領域）が含まれてもよい。

次に、第１モールド１ａおよび第２モールド１ｂについて説明する。例えば、図３に示すように、第１モールド１ａおよび第２モールド１ｂは、パターン領域１１の寸法が同じであり、第１モールド１ａのパターン領域１１および第２モールド１ｂのパターン領域１１には同一のパターンが形成されている。図３（ａ）は、第１モールド１ａを示す図であり、図３（ｂ）は、第２モールド１ｂを示す図である。また、例えば、図４に示すように、フルショット領域１２ｆにおいて所謂マルチエリアインプリントが行われるように第１モールド１ａを構成してもよい。即ち、図５に示すように、第１モールド１ａは、パターン領域１１の寸法が第２モールド１ｂより大きくなるように構成されてもよい。図５（ａ）は、第１モールド１ａを示す図であり、図５（ｂ）は、第２モールド１ｂを示す図である。この場合、第１モールド１ａは、例えば、第１モールド１ａのパターン領域１１に、第２モールド１ｂのパターン領域１１に形成されたパターンと同一のパターンが複数（図５では４つ）含まれるように構成されうる。これにより、フルショット領域１２ｆのインプリント処理に要する時間を低減し、スループットを向上させることができる。

ここで、パーシャルショット領域１２ｐについては、第２モールド１ｂのパターン領域１１の寸法を大きくすると、それに伴い、第２モールド１ｂのパターン領域１１のうち基板上のインプリント材に接触しない部分が大きくなる。その結果、第２モールド１ｂと基板２との相対位置や相対傾きを、第２モールド１ｂと基板２もしくは基板ステージ５とが接触しないように制御することが困難となりうる。そのため、パーシャルショット領域１２ｐについては、マルチエリアインプリントを行わないことが好ましい。

［インプリント方法について］
次に、本実施形態におけるインプリント方法について説明する。インプリント処理を行う対象の基板２には、上述したように、第１モールド１ａを用いてパターンを形成すべき第１ショット領域１２ａと、第２モールド１ｂを用いてパターンを形成すべき第２ショット領域１２ｂとが含まれうる。そして、インプリント装置１００は、第１ショット領域１２ａおよび第２ショット領域１２ｂのインプリント処理を、複数の基板２を含むロット単位で制御する際、第１モールド１ａと第２モールド１ｂとを基板ごとに交換してしまうとスループットが低下しうる。そのため、インプリント装置１００では、第１モールド１ａによる第１ショット領域１２ａへのインプリント処理を複数の基板２にわたって連続して行う処理（以下、第１処理）を実行する。そして、第１処理が終了した後、第２モールド１ｂによる第２ショット領域１２ｂへのインプリント処理を複数の基板２にわたって連続して行う処理（以下、第２処理）を開始することが好ましい。

しかしながら、インプリント装置１００では、例えば、第１モールド１ａに起因して第１処理が中断することがある。第１モールド１ａに起因する第１処理の中断とは、例えば、第１モールド１ａに異物が付着したときや、第１モールド１ａのインプリント回数が上限に達したときなど、第１モールド１ａの継続使用ができなくなることによる第１処理の中断を含みうる。この場合、第１モールド１ａの洗浄や、第１モールド１ａの代わりとなるモールドの準備を行う必要があるため、第１処理を再開するまでに相応の時間を要しうる。インプリント装置１００では、第１処理が中断した場合であっても、スループットの低下が低減されるようにインプリント処理を制御することが好ましい。

そこで、本実施形態のインプリント装置１００は、第１処理が第１モールド１ａに起因して中断した場合、第１処理に代えて第２処理を実行する。これにより、第１処理が中断している間においても複数の基板２に対するインプリント処理を行うことができる。また、本実施形態のインプリント装置１００は、第２処理の途中で第１モールド１ａの洗浄や代わりのモールドの準備が完了した場合であっても、第２処理が終了した後に第１処理を再開させる。これにより、第２処理の途中で第１処理を再開させる場合と比べて、モールド１を交換する回数を低減することができる。即ち、第１処理が中断した場合であっても、スループットの低下が低減されるようにインプリント処理を制御することができる。

以下に、本実施形態のインプリント方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、本実施形態のインプリント方法を説明するための図である。以下の説明では、１つのロットがｎ枚の基板２を含み、ｎ枚の基板２の各々における複数の第１ショット領域１２ａおよび複数の第２ショット領域１２ｂにそれぞれインプリント処理を行うものとする。

制御部９は、第１モールド１ａによる第１ショット領域１２ａへのインプリント処理をｎ枚の基板２にわたって連続して行う第１処理を開始する。そして、図６（ａ）に示すように、第１基板から第ｎ基板の順序で第１処理を実行している途中で（図６（ａ）では、第２基板の第１ショット領域１２ａ’へのインプリント処理が終了したときに）、第１モールド１ａの継続使用ができなくなったとする。この場合、制御部９は、第１モールド１ａの洗浄や、第１モールド１ａの代わりとなるモールドの準備を行うため、第１処理を中断する。そして、モールド保持部４によって保持された第１モールド１ａを第２モールド１ｂに交換し、図６（ｂ）に示すように、第２モールド１ｂによる第２ショット領域１２ｂへのインプリント処理をｎ枚の基板２にわたって連続して行う第２処理を開始する。このとき、制御部９は、ｎ枚の基板２のうち第１処理が中断したときの基板２（第２基板）から第２処理を開始することが好ましい。即ち、制御部９は、第２基板、第３基板・・・第ｎ基板、第１基板の順番で第２処理を実行することが好ましい。基板２を交換する工程を削減することができるからである。

ここで、第１モールド１ａへの異物（パーティクル）の付着によって第１モールド１ａの継続使用ができなくなった場合では、第２処理の間に、第１モールド１ａの回復処理（例えば洗浄）が行われうる。また、第１モールド１ａのインプリント回数が上限に達したり、第１モールド１ａの破損が生じたりした場合では、第２処理の間に、第１モールド１ａと同じパターンを有する第３モールドが、第１モールド１ａの代わりとして装置内に搬入されうる。

第２処理が終了した後、制御部９は、モールド保持部４に保持された第２モールド１ｂを、回復処理（例えば洗浄）が行われた第１モールド１ａ、または、第１モールド１ａの代わりの第３モールドに交換し、図６（ｃ）に示すように、第１処理を再開する。即ち、インプリント処理が未だ行われていない第１ショット領域１２ａに対して、第１モールド１ａを用いたインプリント処理を複数の基板２にわたって連続して行う。このとき、制御部９は、ｎ枚の基板のうち第１処理を中断したときの基板２（第２基板）から第１処理を再開するとよい。即ち、制御部９は、第２基板、第３基板・・・第ｎ基板の順番で第１処理を実行することが好ましい。このようにインプリント処理を制御することにより、第１モールド１ａの継続使用ができなくなった場合であっても、スループットの低下を低減することができる。

［インプリント方法のフロー］
次に、本実施形態のインプリント方法のフローについて、図７を参照しながら説明する。図７は、本実施形態のインプリント方法を示すフローチャートである。図７に示すフローチャートの各工程は、制御部９によって制御されうる。以下の説明では、図２に示すように第１ショット領域１２ａおよび第２ショット領域１２ｂをそれぞれ含む複数の基板２（１ロット）に対してインプリント処理を行う例について説明する。

Ｓ１０では、制御部９は、ロットに含まれる複数の基板２の各々における全てのショット領域１２に対して、ショット領域１２の個別識別子であるショットＩＤを割り当てる。ショットＩＤは、そのＩＤが付されたショット領域１２に関する情報とともに制御部９に記憶されうる。ショット領域１２に関する情報は、当該ショット領域１２が設けられた基板２および当該基板上の位置を示す情報、当該ショット領域１２が第１ショット領域１２ａおよび第２ショット領域１２ｂのどちらなのかを示す情報などを含みうる。また、ショット領域１２に関する情報は、当該ショット領域１２のインプリント処理の状況（インプリント処理が行われたか否か）を示す情報も含みうる。

Ｓ１１では、制御部９は、ショット領域１２に関する情報に基づいて、インプリント処理が未だ行われていない（未処理の）第１ショット領域１２ａについてのインプリント処理の順序を決定する。Ｓ１２では、制御部９は、第１モールド１ａを用いて第１ショット領域１２ａのインプリント処理を行う。そして、制御部９は、インプリント処理を行った第１ショット領域１２ａについてのショット領域１２に関する情報のうち、インプリント処理の状況を「未処理」から「処理済み」に更新する。

Ｓ１３では、制御部９は、第１モールド１ａの継続使用が可能か否かを判断する。そして、制御部９は、その判断結果に応じて第１処理を中断させる。このＳ１３の工程は、第１ショット領域１２ａのインプリント処理ごと（インプリント処理が終了する度）に行われうる。例えば、制御部９は、第１モールド１ａのインプリント回数（使用回数）を示す情報に基づいて、第１モールド１ａのインプリント回数が上限に達したか否かを判定する。そして、第１モールド１ａのインプリント回数が上限に達していると判定した場合に、第１モールド１ａの継続使用が不可能であると判断しうる。また、制御部９は、例えば、撮像部８で得られた画像の解析結果から、第１モールド１ａへの異物の付着や第１モールド１ａの破損が生じたか否かを判定する。そして、第１モールド１ａへの異物の付着や第１モールド１ａの破損が生じたと判定した場合に、第１モールド１ａの継続使用が不可能であると判断しうる。ここで、本実施形態では、第１モールド１ａへの異物の付着や第１モールド１ａの破損が生じたか否かを、撮像部８で得られた画像の解析結果から制御部９が判定したが、それに限られるものではない。例えば、撮像部８で得られた画像に基づいてオペレータが目視で判定してもよい。

Ｓ１３において第１モールド１ａの継続使用が可能であると判断した場合はＳ１４に進み、第１モールドの継続使用が不可能であると判断した場合は、第１処理を中断してＳ１６に進む。

Ｓ１４では、制御部９は、基板ステージ５によって保持されている基板２に、次にインプリント処理を行うべき第１ショット領域１２ａ（次の第１ショット領域１２ａ）があるか否かを判断する。次の第１ショット領域１２ａがある場合はＳ１２に戻り、次の第１ショット領域１２ａがない場合はＳ１５に進む。Ｓ１５では、制御部９は、未処理の第１ショット領域１２ａを有する基板２（次の基板２）があるか否かを判断する。次の基板２がある場合は基板２を交換してからＳ１２に戻り、次の基板２がない場合はＳ１６に進む。

Ｓ１６では、制御部９は、モールド保持部４によって保持された第１モールド１ａを第２モールド１ｂに交換する。Ｓ１７では、制御部９は、ショット領域１２に関する情報に基づいて、未処理の第２ショット領域１２ｂについてのインプリント処理の順序を決定する。Ｓ１８では、制御部９は、第２モールド１ｂを用いて第２ショット領域１２ｂのインプリント処理を行う。そして、制御部９は、インプリント処理を行った第２ショット領域１２ｂについてのショット領域１２に関する情報を「未処理」から「処理済み」に更新する。

Ｓ１９では、制御部９は、第２モールド１ｂの継続使用が可能か否かを判断する。例えば、制御部９は、Ｓ１３の工程と同様に、第２モールド１ｂのインプリント回数が上限に達したか否かや、第２モールド１ｂに異物が付着したか否かに基づいて、第２モールド１ｂの継続使用が可能か否かを判断しうる。Ｓ１９において第２モールド１ｂの継続使用が可能であると判断した場合はＳ２０に進み、第２モールド１ｂの継続使用が不可能であると判断した場合はＳ２３に進む。

Ｓ２０では、制御部９は、ショット領域１２に関する情報に基づいて、基板ステージ５によって保持されている基板２に、未処理の第２ショット領域１２ｂ（次の第２ショット領域１２ｂ）があるか否かを判断する。次の第２ショット領域１２ｂがある場合はＳ１８に戻り、次の第２ショット領域１２ｂがない場合はＳ２１に進む。Ｓ２１では、制御部９は、未処理の第２ショット領域１２ｂを有する基板２（次の基板２）があるか否かを判断する。次の基板２がある場合はＳ１８に戻り、次の基板２がない場合はＳ２２に進む。

Ｓ２２では、制御部９は、ショット領域１２に関する情報に基づいて、ロット内の複数の基板２において、未処理の第１ショット領域１２ａがあるか否かを判断する。未処理の第１ショット領域１２ａがある場合はＳ２３に進み、Ｓ２３において、モールド保持部４によって保持された第２モールド１ｂを第１モールド１ａに交換した後、Ｓ１１に戻る。一方、未処理の第１ショット領域１２ａがない場合は終了する。

ここで、図７のフローチャートでは、第１ショット領域１２ａ（フルショット領域１２ｆ）のインプリント処理から開始したが、それに限られるものではなく、第２ショット領域１２ｂ（パーシャルショット領域１２ｐ）のインプリント処理から開始してもよい。例えば、第１ショット領域１２ａからインプリント処理を開始するようにレシピが設定されていても、装置内における第１モールド１ａの状態に応じて、第２ショット領域１２ｂからインプリント処理を開始してもよい。装置内における第１モールド１ａの状態とは、例えば、第１モールド１ａが装置内に存在しない状態や、インプリント回数が第１処理の途中で上限に達しうる第１モールド１ａしか装置内に存在しない状態のことを含みうる。また、制御部９は、第１ショット領域１２ａからインプリント処理を開始するようにレシピが設定されていても、モールド保持部４によって第２モールド１ｂが既に保持されている場合には、第２ショット領域１２ｂからインプリント処理を開始してもよい。このように第２ショット領域１２ｂからインプリント処理を開始する場合、制御部９は、そのことを装置内に設けられた表示部（ディスプレイ）や、半導体製造装置を統括制御するホストコンピュータを介してオペレータに通知しうる。これにより、オペレータは、インプリント回数が第１処理の途中で上限に達しない第１モールドを装置内に供給することができる。

また、インプリント装置内に複数の第１モールド１ａが保管されている場合、制御部９は、複数の第１モールド１ａのうちインプリント回数が少ない第１モールド１ａを優先的に使用するとよい。これにより、第１処理の途中で第１モールド１ａのインプリント回数が上限に達することを回避することができる。

上述したように、本実施形態のインプリント方法では、第１モールド１ａに起因して第１処理が中断した場合、第１処理に代えて第２処理を実行し、第２処理が終了した後に第１処理を再開する。これにより、スループットの低下が低減されるようにインプリント処理を制御することができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。

物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

＜その他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：モールド、２：基板、３：インプリント材、４：モールド保持部、５：基板ステージ、６：硬化部、７：供給部、８：撮像部、９：制御部、１００：インプリント装置。

Claims (10)

1. モールドを用いて複数の基板の各々にパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記複数の基板の各々は、第１モールドを用いてパターンを形成すべき第１ショット領域と、第２モールドを用いてパターンを形成すべき第２ショット領域とを含む複数のショット領域を有し、
   前記インプリント方法は、
   前記第１モールドによる前記第１ショット領域へのパターンの形成を前記複数の基板にわたって連続して行う第１処理が前記第１モールドに起因して中断した場合、前記第１処理に代えて、前記第２モールドによる前記第２ショット領域へのパターンの形成を前記複数の基板にわたって連続して行う第２処理を実行し、当該第２処理が終了した後に前記第１処理を再開する、ことを特徴とするインプリント方法。
2. 前記第１処理が中断した場合、前記複数の基板のうち前記第１処理が中断したときの基板から前記第２処理を開始する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記第１処理の間、前記第１モールドの継続使用が可能か否かをショット領域ごとに判断し、判断結果に応じて前記第１処理を中断する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
4. 前記第１モールドに起因する前記第１処理の中断は、前記第１モールドのインプリント回数が上限に達したことによる前記第１処理の中断、前記第１モールドへの異物の付着による前記第１処理の中断、および前記第１モールドの破損による前記第１処理の中断のうち少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか1項に記載のインプリント方法。
5. 前記第２処理が終了した後、回復処理が行われた前記第１モールド、または第１モールドと同じパターンを有する第３モールドを用いて前記第１処理を再開する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
6. 前記第１ショット領域は、モールドのパターンの全体が転写されるフルショット領域を含み、
   前記第２ショット領域は、モールドのパターンの一部が転写されるパーシャルショット領域を含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
7. 前記第１モールドと前記第２モールドとでは、パターンが形成されたパターン領域の寸法が同じである、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
8. 前記第１モールドは、パターンが形成されたパターン領域の寸法が前記第２モールドより大きい、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
9. 請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて複数の基板の各々にパターンを形成する工程と、
   前記工程でパターンを形成された前記複数の基板の各々を加工する工程と、
   を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
10. 請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。

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