JP2017191480A - 容量測定回路、それを用いた入力装置、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
IAVE=Σi=1:nIsi/n …(1a)
電流平均化回路20はオフ状態において、ゼロの平均電流IAVEを生成する。
IAVE=0 …(1b)
Isi=ICHGi×K1 …(2)
第3トランジスタm3は、第1トランジスタM1と同型のMOSFETであり、対応する第1トランジスタM1とカレントミラー回路を形成するように接続され、対応する検出電流Isに応じた電流Is’を生成する。第4トランジスタM4は、第3トランジスタM3と第2固定電圧ライン(接地ライン)の間に、すなわち電流Is’の経路上に設けられる。第4トランジスタM4のゲートドレイン間は接続される。
図5は、実施の形態に係る制御IC4の第1モードの動作を示す波形図である。
第iチャンネルに着目する。センススイッチSW1iがオンすると、センサ容量Csiに対して、第1トランジスタM1およびセンススイッチSW1を介して充電電流ICHGiが流れ、センサ容量Csiの電位が上昇する。そしてその電位Vxiが(Vdd−Vth)まで上昇すると、第1トランジスタM1がオフし、充電が停止する。Vthは第1トランジスタM1のゲートソース間しきい値電圧に応じている。この充電によってセンサ容量Csiに供給される電荷量は、
Qsi=C・V=Csi×(Vdd−Vth) …(3)
となり、センサ容量Csiの容量値に依存する。つまり充電回路10iは、対応するセンサ容量Csiの電位が所定レベル(Vdd−Vth)に達するまで、センサ容量Csに電流ICHGiを供給する。
QINTi=Qsi×K1 …(4)
QINTAVE=QsAVE×K1 …(5)
ここでQsAVEは、全チャンネルのセンサ容量Cs1〜nに供給される電荷量の平均値ΣQsi/nであり、式(6)で与えられる。
QsAVE=ΣQsi/n=ΣCsi/n×(Vdd−Vth) …(6)
ΔVi=(QINTi−QINTAVE)/CINTi
=(Qsi−QsAVE)×K1/CINTi
=(Csi−ΣCsi/n)/CINTi×K1×(Vdd−Vth) …(7)
Vsi=VCM+ΔVi
=VCM+(Csi−ΣCsi/n)/CINTi×K1×(Vdd−Vth) …(8)
図6は、実施の形態に係る制御IC4の第2モードの動作を示す波形図である。時刻t2より前の動作は、第1モードと同様である。時刻t2にセンス信号EVALBがアサート(ローレベル)され、センススイッチSW11〜nがオンする。
Qsi=C・V=Csi×(Vdd−Vth) …(3)
となる。
QINTi=Qsi×K1 …(4)
ΔVi=QINTi/CINTi
=Qsi×K1/CINTi
=Csi/CINTi×K1×(Vdd−Vth) …(8)
これらのモードについては上述した通りである。
図10は、第3モードにおける容量測定回路100の動作波形図である。第3モードにおいて、初期化スイッチSW2はオフであり、バイパススイッチSW6がオンである。
実施の形態では、センサ容量CSが実質的にマトリクス状に配置されるタッチパネル3を例に説明したが、容量測定回路100の用途はそれに限定されない。たとえば容量測定回路100は、X−Y型のタッチパネルにも適用可能であり、この場合、複数の行センサ電極と複数の列センサ電極の静電容量を、同時に検出できる。
実施の形態で示される容量測定回路100は、天地反転してもよい。当業者であれば、この際にPチャンネルMOSFETとNチャンネルMOSFETを適宜置換すればよいことが理解できる。このときの充電と放電は逆となるが、本質的な動作は同じである。一部のトランジスタを、バイポーラトランジスタに置換してもよい。
実施の形態においては、容量測定回路100を静電容量の変化を利用した入力装置に適用した場合について説明したが、容量測定回路100の用途はこれに限定されるものではない。たとえば、キャパシタ型マイクロフォンなど、ダイアフラム電極とバックプレート電極によってキャパシタが形成され、音圧によりキャパシタの静電容量が変化するようなマイクロフォンに適用することができる。
実施の形態においては、容量測定回路100はひとつの半導体集積回路上に一体集積化される場合について説明したがこれには限定されず、各回路ブロックをチップ部品やディスクリート素子を用いて構成してもよい。いずれのブロックを集積するかは、採用する半導体製造プロセスや要求されるコスト、特性などに応じて決定すればよい。
Claims (18)
- 複数の静電容量を測定する容量測定回路であって、
前記複数の静電容量に対応する複数のアナログフロントエンド回路を備え、
前記複数のアナログフロントエンド回路はそれぞれ、
対応する静電容量と接続されるセンス端子と、
対応する静電容量と第1固定電圧ラインの間に設けられた第1トランジスタと、
前記第1トランジスタと第1カレントミラー回路を形成するように接続された第2トランジスタおよび第3トランジスタと、
前記第3トランジスタと第2固定電圧ラインの間に設けられた第4トランジスタと、
前記第2トランジスタと前記第2固定電圧ラインの間に、前記第4トランジスタと第2カレントミラー回路を形成するように接続された第5トランジスタと、
を備え、前記第1トランジスタの電流と前記第5トランジスタの電流の差分に応じた信号を出力するよう構成され、
前記複数のアナログフロントエンド回路それぞれの前記第4トランジスタおよび第5トランジスタの制御端子は、共通に接続されており、
(i)前記第1トランジスタから前記第5トランジスタに電流が流れる第1モードと、(ii)前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタに電流が流れ、前記第5トランジスタに電流が流れない第2モードと、が切りかえ可能に構成されることを特徴とする容量測定回路。 - 前記複数のアナログフロントエンド回路はそれぞれ、前記第4トランジスタと並列に設けられた第1モードスイッチを含むことを特徴とする請求項1に記載の容量測定回路。
- 前記複数のアナログフロントエンド回路はそれぞれ、前記第4トランジスタおよび前記第5トランジスタの制御端子と前記第2固定電圧ラインの間に設けられた第2モードスイッチを含むことを特徴とする請求項1に記載の容量測定回路。
- 前記複数のアナログフロントエンド回路はそれぞれ、
前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタの制御端子と前記第3トランジスタの制御端子との間に設けられた第3モードスイッチと、
前記第3トランジスタの制御端子と前記第1固定電圧ラインの間に設けられた第4モードスイッチと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の容量測定回路。 - 前記複数のアナログフロントエンド回路はそれぞれ、
前記第1トランジスタによる前記静電容量の充電動作のオン、オフを切りかえるためのセンススイッチと、
前記センス端子と前記第2固定電圧ラインの間に設けられる初期化スイッチと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の容量測定回路。 - 前記センススイッチは、前記センス端子と前記第1固定電圧ラインの間に前記第1トランジスタと直列に設けられることを特徴とする請求項5に記載の容量測定回路。
- 前記複数のアナログフロントエンド回路はそれぞれ、
その一端が前記センス端子と接続されるバイパススイッチと、
その入力端子が前記第2トランジスタおよび前記バイパススイッチの他端と接続され、前記入力端子を介して入力される電流を積分し、検出電圧を生成する積分回路と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の容量測定回路。 - 前記積分回路は、
オペアンプと、
前記オペアンプの出力端子と反転入力端子の間に設けられた積分用キャパシタと、
前記積分用キャパシタと並列接続されたフィードバック抵抗と、
を含むことを特徴とする請求項7に記載の容量測定回路。 - 複数の静電容量それぞれを測定する容量測定回路であって、
前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、対応する静電容量を充電し、充電電流に応じた検出電流を生成する、複数の充電回路と、
オン、オフが切りかえ可能であり、オン状態において、前記複数の充電回路により生成される検出電流を平均化した平均電流を出力し、オフ状態においてゼロの平均電流を出力する電流平均化回路と、
を備え、
各静電容量を、対応する検出電流と前記平均電流との差分電流にもとづいて測定することを特徴とする容量測定回路。 - 前記充電回路は、
対応する静電容量の電荷を初期化するリセットスイッチと、
対応する静電容量と固定電圧端子の間に順に直列に設けられた、センススイッチおよびMOSFETである第1トランジスタと、
前記第1トランジスタと第1カレントミラー回路を形成するように接続された第2トランジスタと、
を含み、前記第2トランジスタに流れる電流を、対応する静電容量に応じた検出電流として出力することを特徴とする請求項9に記載の容量測定回路。 - 前記電流平均化回路は、
前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、前記第1トランジスタとカレントミラー回路を形成するように接続された、複数の第3トランジスタと、
前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、対応する第3トランジスタと直列に設けられ、それぞれの制御端子が共通に接続されている、複数の第4トランジスタと、
前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、対応する前記第4トランジスタとカレントミラー回路を形成するように接続された、複数の第5トランジスタと、
を含み、
前記複数の第5トランジスタそれぞれに流れる電流を平均電流として出力することを特徴とする請求項10に記載の容量測定回路。 - 前記電流平均化回路は、前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、対応する第4トランジスタと並列に接続される複数の第1モードスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の容量測定回路。
- 前記電流平均化回路は、前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、対応する第4トランジスタのゲートと接地の間に設けられる複数の第2モードスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の容量測定回路。
- 前記電流平均化回路は、
前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、対応する前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタの制御端子と、対応する前記第3トランジスタの制御端子との間に設けられた複数の第3モードスイッチと、
前記複数の静電容量に対応しており、それぞれが、対応する前記第3トランジスタの制御端子と電源ラインの間に設けられた、複数の第4モードスイッチと、
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の容量測定回路。 - 前記複数の第5トランジスタそれぞれの一端は、対応する前記第2トランジスタの一端と接続され、前記第2トランジスタの電流と前記第5トランジスタの電流の差分が出力されることを特徴とする請求項11から14のいずれかに記載の容量測定回路。
- ひとつの半導体集積回路上に一体集積化されたことを特徴とする請求項1から15のいずれかに記載の容量測定回路。
- 複数のセンサ電極を含み、ユーザの接触した座標近傍のセンサ電極の静電容量が変化するタッチパネルと、
複数のセンサ電極が形成する複数の静電容量を測定する請求項1から16のいずれかに記載の容量測定回路と、
を備えることを特徴とする入力装置。 - 請求項17に記載の入力装置を備えることを特徴とする電子機器。
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