JP2017186185A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. ガラス基板に対し、厚み方向の途中位置まで、レーザを照射し、加工穴を形成する第１加工部と、
   前記第１加工部で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第２加工部とを備え、
   前記第２加工部で加工された前記ガラス基板に、前記第１加工部で加工された前記加工穴の位置にさらにレーザを照射し、貫通穴を形成することを特徴とするレーザ加工装置。
2. 前記第１加工部を制御するレーザ制御部を備え、
   前記第１加工部の加工穴形成時のレーザ照射位置と、前記貫通穴形成時のレーザ照射位置との距離は、前記レーザ制御部によって、前記第１加工部および前記貫通穴形成時のレーザ照射径の平均半径以内に制御されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記第２加工部で加工された前記ガラス基板に、前記第１加工部で加工された前記加工穴の位置にさらにレーザを照射し、貫通穴を形成する第３加工部を備え、
   前記第３加工部のレーザ照射径は、前記第１加工部のレーザ照射径以下であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
4. 前記第１加工部は、
   レーザ照射前の前記ガラス基板の表面または裏面に保護材を貼着する保護材貼着部と、
   レーザ照射後の前記ガラス基板の表面または裏面の前記保護材を剥離する保護材剥離部とを備えたことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ加工装置。
5. 前記第１加工部は、波長９．０μｍから１１．０μｍのパルスＣＯ₂レーザからなるレーザ照射部を備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
6. ガラス基板に対してレーザを照射し、側面に傾斜をもつ貫通穴を形成する第１加工部と、前記第１加工部で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第２加工部とを備え、前記第２加工部で加工された前記ガラス基板に、前記貫通穴の位置にさらにレーザを照射し、前記貫通穴よりも急峻な傾斜をもつ断面形状の貫通穴を形成することを特徴とするレーザ加工装置。
7. ガラス基板に対し、厚み方向の途中位置まで、レーザを照射し、加工穴を形成する第１工程と、
   前記第１工程で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第２工程と、
   前記第２工程で加工された前記ガラス基板に、前記第１工程で加工された前記加工穴の位置にさらにレーザを照射し、貫通穴を形成する第３工程とを備えたことを特徴とするレーザ加工方法。
8. 前記第１工程および前記第３工程は、前記第１工程の加工穴形成時のレーザ照射位置と、前記第３工程の前記貫通穴形成時のレーザ照射位置との距離が、前記第１工程および前記第３工程のレーザ照射径の平均半径以内であることを特徴とする請求項７に記載のレーザ加工方法。
9. 前記第３工程のレーザ照射径は、前記第１工程のレーザ照射径以下であることを特徴とする請求項８に記載のレーザ加工方法。
10. 前記ガラス基板が、保護材付きガラス基板であることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
11. 前記第１工程におけるレーザ照射に先立ち、前記ガラスの表面または裏面に保護材を貼着する保護材貼着工程と、
    レーザ照射後、前記ガラス基板の表面または裏面の前記保護材を剥離する保護材剥離工程とを備えたことを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
12. 前記第３工程で加工されたガラス基板全体を加熱する第４工程を備えたことを特徴とする請求項７から１１のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
13. 前記第１工程および前記第３工程は、波長９．０μｍから１１．０μｍのパルスＣＯ₂レーザからなるレーザ照射部を用いることを特徴とする請求項７から１２のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
14. 前記第３工程におけるレーザ照射に先立ち、前記ガラス基板の表面または裏面に第２保護材を貼着する第２保護材貼着工程と、
    レーザ照射後、前記ガラス基板の表面または裏面の前記第２保護材を剥離する第２保護材剥離工程とを備えたことを特徴とする請求項１１に記載のレーザ加工方法。
15. 前記保護材貼着工程と、前記第２保護材貼着工程とは、異なる仕様を有することを特徴とする請求項１４に記載のレーザ加工方法。
16. ガラス基板に対してレーザを照射し、側面に傾斜をもつ貫通穴を形成する第１工程と、前記第１工程で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第２工程と、前記第２工程で加工された前記ガラス基板に、前記第１工程で加工された前記貫通穴の位置にさらにレーザを照射し、前記第１工程で形成された前記貫通穴よりも急峻な傾斜をもつ断面形状の貫通穴を形成する第３工程とを備えたことを特徴とするレーザ加工方法。