JP6590749B2 - レーザ加工装置およびレーザ加工方法 - Google Patents
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Description
以下に、本発明にかかるレーザ加工装置およびレーザ加工方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため各層あるいは各部材の縮尺が現実と異なる場合があり、各図面間においても同様である。
図6(a)から(d)は、実施の形態2のレーザ加工方法を示す工程断面図である。図7は実施の形態2のレーザ加工方法を示すフローチャートである。実施の形態1のレーザ加工方法では、第3工程のレーザ加工が、第1工程のレーザ加工におけるレーザ照射面と同一面側で実施されたのに対し、実施の形態2のレーザ加工方法では、第3工程におけるレーザ加工が、第1工程のレーザ加工におけるレーザ照射面と対向する面に向けてレーザ照射が実施される。
図8(a)から(f)は、実施の形態3のレーザ加工方法を示す工程断面図である。図9は実施の形態3のレーザ加工方法を示すフローチャートである。実施の形態3のレーザ加工方法は、実施の形態1のレーザ加工方法における、第3工程のレーザ加工の後すなわち、貫通穴形成後にさらにガラス基板1全体を加熱するステップS104を実施する。
図10(a)から(g)は、実施の形態4のレーザ加工方法を示す工程断面図である。図11は実施の形態4のレーザ加工方法を示すフローチャートである。実施の形態4のレーザ加工方法は、加工時に発生するガラスの溶融物あるいは飛散物がガラス基板1に付着する場合がある。これらを防ぐために実施の形態4の方法では、ガラス基板1表面に保護材11a,11bを貼着する。
本発明のレーザ加工の第1工程では、ガラス基板に対してレーザを照射する場合、ガラスの厚み方向の途中位置までではなく、貫通穴を形成してもよい。
Claims (16)
- ガラス基板に対し、厚み方向の途中位置まで、レーザを照射し、加工穴を形成する第1加工部と、
前記第1加工部で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第2加工部とを備え、
前記第2加工部で加工された前記ガラス基板に、前記第1加工部で加工された前記加工穴の位置にさらにレーザを照射し、貫通穴を形成することを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記第1加工部を制御するレーザ制御部を備え、
前記第1加工部の加工穴形成時のレーザ照射位置と、前記貫通穴形成時のレーザ照射位置との距離は、前記レーザ制御部によって、前記第1加工部および前記貫通穴形成時のレーザ照射径の平均半径以内に制御されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。 - 前記第2加工部で加工された前記ガラス基板に、前記第1加工部で加工された前記加工穴の位置にさらにレーザを照射し、貫通穴を形成する第3加工部を備え、
前記第3加工部のレーザ照射径は、前記第1加工部のレーザ照射径以下であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。 - 前記第1加工部は、
レーザ照射前の前記ガラス基板の表面または裏面に保護材を貼着する保護材貼着部と、
レーザ照射後の前記ガラス基板の表面または裏面の前記保護材を剥離する保護材剥離部とを備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ加工装置。 - 前記第1加工部は、波長9.0μmから11.0μmのパルスCO2レーザからなるレーザ照射部を備えたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- ガラス基板に対してレーザを照射し、側面に傾斜をもつ貫通穴を形成する第1加工部と、前記第1加工部で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第2加工部とを備え、前記第2加工部で加工された前記ガラス基板に、前記貫通穴の位置にさらにレーザを照射し、前記貫通穴よりも急峻な傾斜をもつ断面形状の貫通穴を形成することを特徴とするレーザ加工装置。
- ガラス基板に対し、厚み方向の途中位置まで、レーザを照射し、加工穴を形成する第1工程と、
前記第1工程で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第2工程と、
前記第2工程で加工された前記ガラス基板に、前記第1工程で加工された前記加工穴の位置にさらにレーザを照射し、貫通穴を形成する第3工程とを備えたことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記第1工程および前記第3工程は、前記第1工程の加工穴形成時のレーザ照射位置と、前記第3工程の前記貫通穴形成時のレーザ照射位置との距離が、前記第1工程および前記第3工程のレーザ照射径の平均半径以内であることを特徴とする請求項7に記載のレーザ加工方法。
- 前記第3工程のレーザ照射径は、前記第1工程のレーザ照射径以下であることを特徴とする請求項8に記載のレーザ加工方法。
- 前記ガラス基板が、保護材付きガラス基板であることを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記第1工程におけるレーザ照射に先立ち、前記ガラスの表面または裏面に保護材を貼着する保護材貼着工程と、
レーザ照射後、前記ガラス基板の表面または裏面の前記保護材を剥離する保護材剥離工程とを備えたことを特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。 - 前記第3工程で加工されたガラス基板全体を加熱する第4工程を備えたことを特徴とする請求項7から11のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記第1工程および前記第3工程は、波長9.0μmから11.0μmのパルスCO2レーザからなるレーザ照射部を用いることを特徴とする請求項7から12のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記第3工程におけるレーザ照射に先立ち、前記ガラス基板の表面または裏面に第2保護材を貼着する第2保護材貼着工程と、
レーザ照射後、前記ガラス基板の表面または裏面の前記第2保護材を剥離する第2保護材剥離工程とを備えたことを特徴とする請求項11に記載のレーザ加工方法。 - 前記保護材貼着工程と、前記第2保護材貼着工程とは、異なる仕様を有することを特徴とする請求項14に記載のレーザ加工方法。
- ガラス基板に対してレーザを照射し、側面に傾斜をもつ貫通穴を形成する第1工程と、前記第1工程で加工された前記ガラス基板全体を加熱する第2工程と、前記第2工程で加工された前記ガラス基板に、前記第1工程で加工された前記貫通穴の位置にさらにレーザを照射し、前記第1工程で形成された前記貫通穴よりも急峻な傾斜をもつ断面形状の貫通穴を形成する第3工程とを備えたことを特徴とするレーザ加工方法。
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