JP2017181438A - 応力センサ - Google Patents
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Abstract
Description
ダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムの面上に配置される感応膜と、
前記ダイヤフラム上に配置される第1検出部と、
前記ダイヤフラム下に配置される第2検出部と、
接続部と、を備え、
前記第1検出部と前記第2検出部は、前記接続部によって電気的に直列に接続されている。
次に、本発明の一実施形態に係る応力センサ1の変形例について説明する。
次に、本実施形態に係る応力センサの製造工程の一例について、図5〜図10を参照して説明する。なお、図5〜図10に示す各構成要素において、同一の構成要素には同一符号を付す。
まず、応力センサの製造に用いるSOI基板を準備する。図5に、本発明の一実施形態に係る応力センサの製造に用いるSOI基板の概略構造を示す。図5に示すように、SOI基板100は、第1基板110と、SiO2層111と、第2基板112とを備える。第1基板110及び第2基板112は、Si基板である。第1基板110は、ダイヤフラムとして機能させるものであり、第2基板112よりも薄い。SOI基板100では、第2基板112上にSiO2層111が配置され、SiO2層111上に第1基板110が配置されている。SOI基板100は、例えばいわゆる貼り合わせ法によって製造される。なお、以下では、第1基板110はn型であるとする。なお、第1基板110の下面には、予めピエゾ抵抗素子40b〜43bを形成しておく。
次に、図5に示すSOI基板100に、拡散配線を形成する。図6に示すように、第1基板110上にマスクパターン200を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン200の開口部に高濃度のボロン(B)を注入し、拡散配線41A,43Aを形成する。なお、拡散配線40A〜43Aは、それぞれ、第1基板110の下面に形成されたピエゾ抵抗素子40b〜43bに接続するよう形成する。
図6に示すマスクパターン200を除去した後、ピエゾ抵抗素子40a〜43aを形成する。図7に示すように、第1基板110上にマスクパターン201を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン201の開口部に低濃度のボロン(B)を注入し、ピエゾ抵抗素子40a〜43aを形成する。
図7に示すマスクパターン201を除去し、所定のパターンの絶縁層310a,310bを積層した後、アルミニウム等の金属配線を形成する。図8(a)に示すように、第1基板110上の全面にスパッタによって金属(例えばアルミニウム)を堆積させ、金属層300(例えばアルミニウム層)を形成する。次に、図8(b)に示すように、金属層300上にマスクパターン202を形成する。その後、図8(c)に示すように、マスクパターン202により保護されていない金属層300をエッチングすることにより、金属配線300a,300bを形成する。金属配線300a等及び拡散配線41A等による接続によって、抵抗部40〜43は、ホイートストンブリッジ回路を構成する。
図8(c)に示すマスクパターン202を除去し、SOI基板100の上下を反転させた後、ダイヤフラムを形成する。図9(a)に示すように、第2基板112上にマスクパターン204を形成した後、マスクパターン204により保護されていない第2基板112を、ドライエッチングして凹部400を形成する。このとき、SiO2層111がストップ層の役割を果たすように、予めドライエッチングの条件を設定する。その後、ドライエッチングの条件を変更し、図9(b)に示すように、SiO2層111を除去してダイヤフラム10を形成する。
図9(b)に示すマスクパターン204を除去し、さらにSOI基板100の上下を反転させた後、感応膜20を形成する。図10に示すように、感応膜材料をダイヤフラム10上に塗布した後、乾燥させて感応膜20を形成する。
2 ガス分子
10 ダイヤフラム
20 感応膜
30,31,32,33 接続部
40,41,42,43,44,45,46,47 抵抗部
40a,41a,42a,43a ピエゾ抵抗素子(第1検出部)
40b,41b,42b,43b ピエゾ抵抗素子(第2検出部)
40A,41A,42A,43A 拡散配線
100 SOI基板
110 第1基板
111 SiO2層
112 第2基板
200,201,202,204 マスクパターン
300 金属層
300a,300b 金属配線
310a,310b 絶縁層
400 凹部
Claims (5)
- ダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムの面上に配置される感応膜と、
前記ダイヤフラム上に配置される第1検出部と、
前記ダイヤフラム下に配置される第2検出部と、
接続部と、を備え、
前記第1検出部と前記第2検出部は、前記接続部によって電気的に直列に接続されている、応力センサ。 - 前記第1検出部及び前記第2検出部の一部又は全部が、上下方向に重なっている、請求項1に記載の応力センサ。
- 前記第1検出部の長手方向は第1方向であり、前記第2検出部の長手方向は、該第1方向に直交する第2方向である、請求項1又は2に記載の応力センサ。
- 前記接続部は、ビア導体である、請求項1から3の何れか一項に記載の応力センサ。
- 前記第1検出部及び前記第2検出部は、ピエゾ抵抗素子を含んで構成される、請求項1から4の何れか一項に記載の応力センサ。
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2016
- 2016-03-31 JP JP2016072685A patent/JP2017181438A/ja active Pending
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