JP2017175129A - 半導体装置、半導体ウエハ、モジュールおよび電子機器とその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1および第2のゲート電極と、第1および第2のゲート絶縁体と、ソース電極と、ドレイン電極と、第1乃至第6の酸化物と、第1および第2の層と、第1および第2のゲート絶縁体を有し、第3の酸化物はソース電極の下にあり、第4の酸化物はドレイン電極の下にあり、第6の酸化物は、第2のゲート電極の下にあり、第3および第4の酸化物は、第2の酸化物へ酸素を注入する機能を有し、第6の酸化物は、第2のゲート絶縁体へ酸素を注入する機能を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の一態様は、トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1乃至第4の導電体と、第1乃至第6の酸化物と、第1および第2の層と、第1および第2の絶縁体を有し、第1の絶縁体は、第1の導電体と重なる領域を有し、第1の酸化物は、第1の絶縁体上にあり、第2の酸化物は、第1の酸化物上にあり、第2の酸化物は、第1乃至第3の領域を有し、第2の領域は、第1の領域と第3の領域の間に挟まれ、第3の酸化物は、第2の酸化物上にあり、第2の導電体は第3の酸化物上にあり、第1の層は、第2の導電体上にあり、第3の酸化物、第2の導電体および第1の層は、第1の領域と重なる領域を有し、第4の酸化物は第2の酸化物上にあり、第3の導電体は第4の酸化物上にあり、第2の層は、第3の導電体上にあり、第4の酸化物、第3の導電体および第2の層は、第3の領域と重なる領域を有し、第5の酸化物は、第1の層と重なる領域と、第2の層と重なる領域と、第2の領域と重なる領域と、を有し、第2の絶縁体は、第5の酸化物上にあり、第6の酸化物は、第2の絶縁体上にあり、第4の導電体は、第6の酸化物上にあり、第2の絶縁体、第6の酸化物および第4の導電体は、第2の領域と重なる領域を有する半導体装置である。
本発明の一態様は、第3の酸化物、第4の酸化物および第6の酸化物は、金属酸化物を含む(1)に記載の半導体装置である。
本発明の一態様は、第1の酸化物、第2の酸化物および第5酸化物は、酸化物半導体を含む(1)または(2)に記載の半導体装置である。
本発明の一態様は、第1の層および第2の層は、金属および酸素を含む(1)乃至(3)のいずれか一に記載の半導体装置である。
本発明の一態様は、(1)乃至(4)のいずれか一に記載の半導体装置およびプリント基板を有するモジュールである。
本発明の一態様は、(1)乃至(4)のいずれか一に記載の半導体装置、(5)に記載のモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有する電子機器である。
本発明の一態様は、(1)乃至(4)のいずれか一に記載の半導体装置を複数個有し、ダイシング用の領域を有する半導体ウエハである。
本発明の一態様は、第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体に、底部が第1の絶縁体に達する第1の開口部を形成し、第1の開口部に第1のゲート電極を形成し、第2の絶縁体上および第1のゲート電極上に、第1のゲート絶縁体を形成し、第1のゲート絶縁体上に第1の酸化物を成膜し、第1の酸化物上に第2の酸化物を成膜し、第2の酸化物上に第3の酸化物を成膜し、第3の酸化物上に導電体を成膜し、導電体上に第1の層を形成し、リソグラフィー法を用いて、第1の層を加工することで、底部に導電体が露出した第2の開口部を形成し、リソグラフィー法を用いて第3の酸化物、導電体および第1の層を加工することで、第2の開口部、第3の酸化物、導電体、第1の層を含む第2の層を形成し、第2の層をエッチングマスクとして、第2の酸化物および第1の酸化物を加工し、第2の開口部の底部に露出した導電体および第3の酸化物を除去することで、第2の開口部の底部に第2の酸化物を露出させ、導電体をソース電極とドレイン電極に分離し、第3の酸化物を第4の酸化物と第5の酸化物に分離し、第1の層を第3の層と第4の層に分離し、第1の酸化物、第2の酸化物、ソース電極、ドレイン電極、第4の酸化物、第5の酸化物、第3の層および第4の層を含む第5の層を形成し、酸化性ガスを含むプラズマ処理を行い、第1の酸化物中および第2の酸化物中に含まれる不純物を放出することで不純物を低減させ、窒素ガスを含む雰囲気による熱処理および酸素ガスを含む雰囲気による熱処理を行ない、第1の酸化物中および第2の酸化物中に含まれる水素および水を放出することで水素および水を低減させ、第5の層上に第6の酸化物を成膜し、第6の酸化物上に第2のゲート絶縁体を形成し、第2のゲート絶縁体上に第7の酸化物を形成し、第7の酸化物上に、第2のゲート電極を形成し、第7の酸化物を形成することによって、酸素を第2のゲート絶縁体に添加することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、酸化性ガスは、一酸化二窒素を含むことを特徴とする(8)に記載の半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、第4の酸化物、第5の酸化物および第7の酸化物は、金属と酸素を有することを特徴とする(8)または(9)に記載の半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、モジュールは、(8)乃至(10)のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュールの作製方法である。
電子機器の作製方法であって、電子機器は、(8)乃至(10)のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、(11)に記載のモジュールの作製方法を用いて作製されたモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器の作製方法である。
異なる電気特性を有するトランジスタを同一層上に設けることで、半導体装置の設計自由度を高めることができる。また、異なる電気特性を有するトランジスタを同一層上に設けることで、半導体装置の集積度を高めることができる。本実施の形態では、作製工程数の増加を抑制しながら、異なる電気特性を有するトランジスタを同一層上に設ける実施形態の一例を説明する。
図1(A)は、半導体装置1000を示す断面図である。半導体装置1000はトランジスタ200およびトランジスタ400を有する。トランジスタ200およびトランジスタ400は、異なる構成を有する。また、図1(A)では、基板201上に設けたトランジスタ200およびトランジスタ400の断面を示している。なお、図1(A)は、図2にL1−L2の一点鎖線で示す部位の断面図に相当する。
トランジスタ200はトップゲート型のトランジスタの一種である。トランジスタ200は、導電体205(導電体205a、導電体205b、および導電体205c)、絶縁体224、酸化物230(酸化物230a、酸化物230b、および酸化物230c)、酸化物235(酸化物235aおよび酸化物235b)、酸化物262、導電体240(導電体240a、および導電体240b)、層245(層245a、および層245b)、絶縁体250、導電体260、層270、絶縁体272を有する(図3、および図4(A)参照。)。
また、層270、絶縁体272、絶縁体280、絶縁体282、および絶縁体284に設けられた、導電体260と重なる開口に、導電体285cが設けられている。
導電体287cは、導電体285cを介して導電体260と電気的に接続する。
導電体205または導電体260および酸化物262の一方はゲート電極として機能でき、他方はバックゲート電極として機能できる。一般に、ゲート電極とバックゲート電極は導電層で形成される。また、ゲート電極とバックゲート電極で半導体のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極はゲート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位としてもよいし、接地電位や、任意の電位としてもよい。また、バックゲート電極の電位をゲート電極と独立して変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。
トランジスタ400はトップゲート型のトランジスタの一種である。トランジスタ400は、導電体405(導電体405a、導電体405b、および導電体405c)、導電体406(導電体406a、導電体406b、および導電体406c)、導電体407(導電体407a、導電体407b、および導電体407c)、酸化物430、絶縁体450、酸化物462、導電体460、および層470を有する(図3、図4(B)、および図4(C)参照。)。
〔基板〕
基板201として用いる材料に大きな制限はないが、少なくとも後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、基板201としてシリコンや炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどを材料とした化合物半導体基板等を用いることができる。また、SOI基板や、半導体基板上に歪トランジスタやFIN型トランジスタなどの半導体素子が設けられたものなどを用いることもできる。または、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)に適用可能なヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、ヒ化インジウムガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、シリコンゲルマニウムなどを用いてもよい。すなわち、基板201は、単なる支持基板に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。この場合、トランジスタ200、またはトランジスタ400のゲート、ソース、またはドレインの少なくとも一つは、上記他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。
絶縁体212、絶縁体214、絶縁体216、絶縁体224、絶縁体250、絶縁体450、絶縁体272、絶縁体280、絶縁体282、および絶縁体284は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ばれた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。
導電体205、導電体405、導電体406、導電体407、導電体240、導電体260および導電体460を形成するための導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
酸化物235a、酸化物235b、酸化物262および酸化物462として、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。また、上記の材料で形成される酸化物を複数積層して用いてもよい。
本実施の形態の変形例として、図5に示すように、絶縁体224に凸部を形成してもよい。
図5(B)に示すように、トランジスタ200は、チャネル幅方向において、酸化物230bが導電体205、および導電体260および酸化物262に囲まれている。前述した通り、絶縁体224は凸部を有する。また、酸化物230aと酸化物230bは当該凸部上に設けられている。当該凸部を設けることで、当該凸部と重ならない領域(酸化物230bと重ならない領域)における酸化物262の底面を、酸化物230bの底面よりも基板に近づけることができる。当該凸部の高さは、絶縁体250の厚さ以上であることが好ましい。または、当該凸部の高さは、絶縁体250の厚さと酸化物230cの厚さの合計以上であることが好ましい。よって、酸化物230bの側面を導電体260および酸化物262で覆うことができる。
絶縁体を形成するための絶縁性材料、導電体を形成するための導電性材料、または半導体を形成するための半導体材料は、スパッタリング法、スピンコート法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法(熱CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、PECVD(Plasma Enhanced CVD)法、高密度プラズマCVD(High density plasma CVD)法、LPCVD(low pressure CVD)法、APCVD(atmospheric pressure CVD)法等を含む)、ALD(Atomic Layer Deposition)法、または、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、または、PLD(Pulsed Laser Deposition)法を用いて形成することができる。
半導体装置1000の作製方法例について図6乃至図25を用いて説明する。図6乃至図25中のL1−L2断面は、図2にL1−L2の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。また、図6乃至図25中のW1−W2、W3−W4、およびW5−W6断面は、図2にW1−W2、W3−W4、およびW5−W6の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタが有する酸化物半導体について、図29乃至図34を用いて以下説明を行う。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
次に、酸化物半導体のキャリア密度について、以下に説明を行う。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図35乃至図37を用いて説明する。
本発明の一態様である容量素子を使用した、半導体装置(記憶装置)の一例を図35乃至図37に示す。なお、図35(A)は、図36、および図37を回路図で表したものである。
図35(A)、図36、および図37に示す半導体装置は、トランジスタ300と、トランジスタ200、および容量素子100を有している。
図35(B)に示す半導体装置は、トランジスタ300を有さない点で図35(A)に示した半導体装置と異なる。この場合も図35(A)に示した半導体装置と同様の動作により情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
本発明の一態様の半導体装置は、図36に示すようにトランジスタ300、トランジスタ200、容量素子100を有する。トランジスタ200はトランジスタ300の上方に設けられ、容量素子100はトランジスタ300、およびトランジスタ200の上方に設けられている。
また、本実施の形態の変形例の一例を、図37に示す。図37は、図36と、トランジスタ300の構成が異なる。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した半導体装置の回路の一例について説明する。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した半導体装置の回路の一例について、図38、および図39を用いて説明する。
図38に示す半導体装置は、トランジスタ3400、第6の配線3006を有する点で先の実施の形態で説明した半導体装置と異なる。この場合も先の実施の形態に示した半導体装置と同様の動作により情報の書き込みおよび保持動作が可能である。また、トランジスタ3400としては上記のトランジスタ300と同様のトランジスタを用いればよい。
半導体装置(記憶装置)の変形例について、図39に示す回路図を用いて説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明したOSトランジスタを適用可能な回路構成の一例について、図40乃至図43を用いて説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明したOSトランジスタ200および/またはOSトランジスタ400を有する複数の回路を有する半導体装置の一例について、図44乃至図50を用いて説明する。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUの一例について説明する。
図51に示す半導体装置5400は、CPUコア5401、パワーマネージメントユニット5421および周辺回路5422を有する。パワーマネージメントユニット5421は、パワーコントローラ5402、およびパワースイッチ5403を有する。周辺回路5422は、キャッシュメモリを有するキャッシュ5404、バスインターフェース(BUS I/F)5405、及びデバッグインターフェース(Debug I/F)5406を有する。CPUコア5401は、データバス5423、制御装置5407、PC(プログラムカウンタ)5408、パイプラインレジスタ5409、パイプラインレジスタ5410、ALU(Arithmetic logic unit)5411、及びレジスタファイル5412を有する。CPUコア5401と、キャッシュ5404等の周辺回路5422とのデータのやり取りは、データバス5423を介して行われる。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した撮像装置の一例について説明する。
以下では、本発明の一態様に係る撮像装置について説明する。
撮像装置2200が有する1つの画素2211を複数の副画素2212で構成し、それぞれの副画素2212に特定の波長域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。各トランジスタは上記実施の形態に示すものと同様のトランジスタを用いることができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係る半導体ウエハ、チップおよび電子部品について説明する。
図57(A)は、ダイシング処理が行なわれる前の基板5711の上面図を示している。基板5711としては、例えば、半導体基板(「半導体ウエハ」ともいう。)を用いることができる。基板5711上には、複数の回路領域5712が設けられている。回路領域5712には、本発明の一態様に係る半導体装置や、CPU、RFタグ、またはイメージセンサなどを設けることができる。
チップ5715を電子部品に適用する例について、図58を用いて説明する。なお、電子部品は、半導体パッケージ、またはIC用パッケージともいう。電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した電子機器について説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図59に示す。
112 導電体
116 導電体
130 絶縁体
132 絶縁体
134 絶縁体
150 絶縁体
200 トランジスタ
201 基板
205 導電体
205a 導電体
205b 導電体
205c 導電体
210 絶縁体
212 絶縁体
213 絶縁体
214 絶縁体
216 絶縁体
218 導電体
224 絶縁体
230 酸化物
230a 酸化物
230A 酸化膜
230b 酸化物
230B 酸化膜
230c 酸化物
230C 酸化膜
235 酸化物
235a 酸化物
235A 酸化膜
235b 酸化物
235B 酸化膜
240 導電体
240a 導電体
240A 導電膜
240b 導電体
240B 導電膜
245 層
245a 層
245A 膜
245b 層
245B 膜
250 絶縁体
250A 絶縁膜
260 導電体
260a 導電体
260A 導電膜
262 酸化物
262A 酸化膜
270 層
270A 膜
272 絶縁体
280 絶縁体
282 絶縁体
284 絶縁体
285 導電体
285a 導電体
285b 導電体
285c 導電体
285d 導電体
287a 導電体
287b 導電体
287c 導電体
287d 導電体
290 レジストマスク
291 レジストマスク
292 レジストマスク
293 レジストマスク
294 レジストマスク
295 有機物
296 レジストマスク
297 レジストマスク
300 トランジスタ
311 基板
312 半導体領域
314 絶縁体
316 導電体
318a 低抵抗領域
318b 低抵抗領域
320 絶縁体
322 絶縁体
324 絶縁体
326 絶縁体
328 導電体
330 導電体
350 絶縁体
352 絶縁体
354 絶縁体
356 導電体
358 絶縁体
400 トランジスタ
405 導電体
405a 導電体
405b 導電体
405c 導電体
406 導電体
406a 導電体
406b 導電体
406c 導電体
407 導電体
407a 導電体
407b 導電体
407c 導電体
430 酸化物
450 絶縁体
460 導電体
462 酸化物
470 層
810 FET
903E 電圧生成回路
905E 電圧生成回路
1000 半導体装置
1901 筐体
1902 筐体
1903 表示部
1904 表示部
1905 マイクロフォン
1906 スピーカー
1907 操作キー
1908 スタイラス
1911 筐体
1912 筐体
1913 表示部
1914 表示部
1915 接続部
1916 操作キー
1921 筐体
1922 表示部
1923 キーボード
1924 ポインティングデバイス
1931 筐体
1932 冷蔵室用扉
1933 冷凍室用扉
1941 筐体
1942 筐体
1943 表示部
1944 操作キー
1945 レンズ
1946 接続部
1951 車体
1952 車輪
1953 ダッシュボード
1954 ライト
2200 撮像装置
2201 スイッチ
2202 スイッチ
2203 スイッチ
2210 画素部
2211 画素
2212 副画素
2212B 副画素
2212G 副画素
2212R 副画素
2220 光電変換素子
2230 画素回路
2231 配線
2247 配線
2248 配線
2249 配線
2250 配線
2253 配線
2254 フィルタ
2254B フィルタ
2254G フィルタ
2254R フィルタ
2255 レンズ
2256 光
2257 配線
2260 周辺回路
2270 周辺回路
2280 周辺回路
2290 周辺回路
2291 光源
2300 シリコン基板
2310 層
2320 層
2330 層
2340 層
2351 トランジスタ
2352 トランジスタ
2353 トランジスタ
2360 フォトダイオード
2361 アノード
2363 低抵抗領域
2370 プラグ
2371 配線
2372 配線
2373 配線
2379 絶縁体
2380 絶縁体
2381 絶縁体
2390a 導電体
2390b 導電体
2390c 導電体
2390d 導電体
2390e 導電体
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3006 配線
3400 トランジスタ
4001 配線
4003 配線
4005 配線
4006 配線
4007 配線
4008 配線
4009 配線
4021 層
4023 層
4100 トランジスタ
4200 トランジスタ
4300 トランジスタ
4400 トランジスタ
4500 容量素子
4600 容量素子
5400 半導体装置
5401 CPUコア
5402 パワーコントローラ
5403 パワースイッチ
5404 キャッシュ
5405 バスインターフェース
5406 デバッグインターフェース
5407 制御装置
5408 PC
5409 パイプラインレジスタ
5410 パイプラインレジスタ
5411 ALU
5412 レジスタファイル
5421 パワーマネージメントユニット
5422 周辺回路
5423 データバス
5500 半導体装置
5501 記憶回路
5502 記憶回路
5503 記憶回路
5504 回路
5509 トランジスタ
5510 トランジスタ
5512 トランジスタ
5513 トランジスタ
5515 トランジスタ
5517 トランジスタ
5518 トランジスタ
5519 容量素子
5520 容量素子
5540 配線
5541 配線
5542 配線
5543 配線
5544 配線
5711 基板
5712 回路領域
5713 分離領域
5714 分離線
5715 チップ
5750 電子部品
5752 プリント基板
5753 半導体装置
5754 実装基板
5755 リード
5800 インバータ
5810 OSトランジスタ
5820 OSトランジスタ
5831 信号波形
5832 信号波形
5840 破線
5841 実線
5850 OSトランジスタ
5860 CMOSインバータ
5900 半導体装置
5901 電源回路
5902 回路
5903 電圧生成回路
5903A 電圧生成回路
5903B 電圧生成回路
5903C 電圧生成回路
5903D 電圧生成回路
5903E 電圧生成回路
5904 回路
5905 電圧生成回路
5905A 電圧生成回路
5906 回路
5911 トランジスタ
5912 トランジスタ
5912A トランジスタ
5912B トランジスタ
5921 制御回路
5922 トランジスタ
Claims (12)
- トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、第1乃至第4の導電体と、第1乃至第6の酸化物と、第1および第2の層と、第1および第2の絶縁体を有し、
前記第1の絶縁体は、前記第1の導電体と重なる領域を有し、
前記第1の酸化物は、前記第1の絶縁体上にあり、
前記第2の酸化物は、前記第1の酸化物上にあり、
前記第2の酸化物は、第1乃至第3の領域を有し、
前記第2の領域は、前記第1の領域と前記第3の領域の間に挟まれ、
前記第3の酸化物は、前記第2の酸化物上にあり、
前記第2の導電体は前記第3の酸化物上にあり、
前記第1の層は、前記第2の導電体上にあり、
前記第3の酸化物、前記第2の導電体および前記第1の層は、前記第1の領域と重なる領域を有し、
前記第4の酸化物は前記第2の酸化物上にあり、
前記第3の導電体は前記第4の酸化物上にあり、
前記第2の層は、前記第3の導電体上にあり、
前記第4の酸化物、前記第3の導電体および前記第2の層は、前記第3の領域と重なる領域を有し、
前記第5の酸化物は、前記第1の層と重なる領域と、前記第2の層と重なる領域と、前記第2の領域と重なる領域と、を有し、
前記第2の絶縁体は、前記第5の酸化物上にあり、
前記第6の酸化物は、前記第2の絶縁体上にあり、
前記第4の導電体は、前記第6の酸化物上にあり、
前記第2の絶縁体、前記第6の酸化物および前記第4の導電体は、前記第2の領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第3の酸化物、前記第4の酸化物および第6の酸化物は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の酸化物、前記第2の酸化物および前記第5の酸化物は、酸化物半導体を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1の層および前記第2の層は、金属および酸素を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置およびプリント基板を有することを特徴とするモジュール。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置、請求項5に記載のモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置を複数個有し、
ダイシング用の領域を有する半導体ウエハ。 - 第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、
前記第2の絶縁体に、底部が前記第1の絶縁体に達する第1の開口部を形成し、
前記第1の開口部に第1のゲート電極を形成し、
前記第2の絶縁体上および前記第1のゲート電極上に、第1のゲート絶縁体を形成し、
前記第1のゲート絶縁体上に第1の酸化物を成膜し、
前記第1の酸化物上に第2の酸化物を成膜し、
前記第2の酸化物上に第3の酸化物を成膜し、
前記第3の酸化物上に導電体を成膜し、
前記導電体上に第1の層を形成し、
リソグラフィー法を用いて、前記第1の層を加工することで、底部に前記導電体が露出した第2の開口部を形成し、
リソグラフィー法を用いて前記第3の酸化物、前記導電体および前記第1の層を加工することで、前記第2の開口部、前記第3の酸化物、前記導電体、前記第1の層を含む第2の層を形成し、
前記第2の層をエッチングマスクとして、前記第2の酸化物および前記第1の酸化物を加工し、
前記第2の開口部の底部に露出した前記導電体および前記第3の酸化物を除去することで、前記第2の開口部の底部に前記第2の酸化物を露出させ、前記導電体をソース電極とドレイン電極に分離し、前記第3の酸化物を第4の酸化物と第5の酸化物に分離し、前記第1の層を第3の層と第4の層に分離し、前記第1の酸化物、前記第2の酸化物、前記ソース電極、前記ドレイン電極、第4の酸化物、第5の酸化物、前記第3の層および前記第4の層を含む第5の層を形成し、
酸化性ガスを含むプラズマ処理を行い、前記第1の酸化物中および前記第2の酸化物中に含まれる不純物を放出することで前記不純物を低減させ、
窒素ガスを含む雰囲気による熱処理および酸素ガスを含む雰囲気による熱処理を行ない、前記第1の酸化物中および前記第2の酸化物中に含まれる水素および水を放出することで前記水素および前記水を低減させ、
前記第5の層上に第6の酸化物を成膜し、
前記第6の酸化物上に第2のゲート絶縁体を形成し、
前記第2のゲート絶縁体上に第7の酸化物を形成し、
前記第7の酸化物上に、第2のゲート電極を形成し、
前記第7の酸化物を形成することによって、酸素を第2のゲート絶縁体に添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 前記酸化性ガスは、一酸化二窒素を含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の作製方法。
- 前記第4の酸化物、前記第5の酸化物および前記第7の酸化物は、金属と酸素を有することを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体装置の作製方法。
- モジュールの作製方法であって、
前記モジュールは、請求項8乃至請求項10のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュールの作製方法。 - 電子機器の作製方法であって、
前記電子機器は、請求項8乃至請求項10のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、請求項11に記載のモジュールの作製方法を用いて作製されたモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器の作製方法。
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