JP2017157684A - Light-emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

Light-emitting device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2017157684A
JP2017157684A JP2016039538A JP2016039538A JP2017157684A JP 2017157684 A JP2017157684 A JP 2017157684A JP 2016039538 A JP2016039538 A JP 2016039538A JP 2016039538 A JP2016039538 A JP 2016039538A JP 2017157684 A JP2017157684 A JP 2017157684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor film
emitting device
recess
light emitting
case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016039538A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
裕輝 田沼
Hiroteru Tanuma
裕輝 田沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2016039538A priority Critical patent/JP2017157684A/en
Publication of JP2017157684A publication Critical patent/JP2017157684A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device capable of achieving efficient light emission, and excellent in heat dissipation.SOLUTION: A light-emitting device includes a resin case 100 having a bottom face 101, a side face 102, a top face 103 and a recess 110 recessed from the top face 103, a first metal terminal board 200 having an exposure face 201 exposed to the bottom face 101 of the case 100, a second metal terminal board 300 having an exposure face 301 exposed to the bottom face 101 of the case 100, a first conductor film 410 covering a part of the top face of the first metal terminal board 200 at the bottom 111 of the recess 110, and covering a part of the inside surface 112 of the recess 110, a second conductor film 420 covering a part of the top face of the second metal terminal board 300 at the bottom 111 of the recess 110, and covering a part of the inside surface 112 of the recess 110, an LED bare chip 500 bonded onto the first conductor film 410 at the bottom 111 of the recess 110, and a conductive member 510 conducting the LED bare chip 500 and second conductor film 420.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、発光装置およびその製造方法に関し、より詳しくは、LEDベアチップを光源素子として包含する発光装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a light emitting device including an LED bare chip as a light source element and a manufacturing method thereof.

この種の発光装置は、例えば、特許文献1に示されている。同文献に示された発光装置は、パラボラ状の凹部を備えた絶縁基板と、この絶縁基板の上記凹部の底部に配置されたLEDベアチップと、上記凹部の開口を塞ぐように絶縁基板の上面に接合されたレンズと、を含む。絶縁基板には、凹部の内面、当該絶縁基板の上面、側面ないし底面にかけて、金メッキ等で形成された導電膜が形成されている。この導電膜は絶縁基板の一方側の第1導電膜と、絶縁基板の他方側の第2導電膜とに分断されている。第1導電膜の上記凹部の底部に位置する部分には、LEDベアチップがボンディングされ、第2導電膜の上記凹部の底部に位置する部分には、一端がLEDベアチップの上面に接続されたワイヤの他端が接続されている。第1導電膜における上記絶縁基板の底面に位置する部分は、マザー基板に対する第1端子として機能し、第2導電膜における上記絶縁基板の底面に位置する部分は、マザー基板に対する第2端子として機能する。第1導電膜および第2導電膜の上記凹部の内面に位置する部分は、パラボラ状の反射面として機能する。   This type of light-emitting device is disclosed in Patent Document 1, for example. The light emitting device disclosed in the same document includes an insulating substrate having a parabolic concave portion, an LED bare chip disposed at the bottom of the concave portion of the insulating substrate, and an upper surface of the insulating substrate so as to close the opening of the concave portion. A cemented lens. On the insulating substrate, a conductive film formed by gold plating or the like is formed over the inner surface of the recess and the upper surface, side surface, or bottom surface of the insulating substrate. The conductive film is divided into a first conductive film on one side of the insulating substrate and a second conductive film on the other side of the insulating substrate. An LED bare chip is bonded to a portion of the first conductive film positioned at the bottom of the recess, and a portion of the second conductive film positioned at the bottom of the recess has a wire having one end connected to the upper surface of the LED bare chip. The other end is connected. A portion of the first conductive film located on the bottom surface of the insulating substrate functions as a first terminal for the mother substrate, and a portion of the second conductive film located on the bottom surface of the insulating substrate functions as a second terminal for the mother substrate. To do. The part located in the inner surface of the said recessed part of a 1st electrically conductive film and a 2nd electrically conductive film functions as a parabolic reflection surface.

第1導電膜および第2導電膜を介した給電によりLEDベアチップが発光すると、光は、上記パラボラ状の反射面で反射して集光状態でレンズの入射面に入射し、レンズの出射面からより指向性を与えられて出射される。   When the LED bare chip emits light by power feeding through the first conductive film and the second conductive film, the light is reflected by the parabolic reflecting surface and is incident on the incident surface of the lens in a condensed state. It is emitted with more directivity.

特許文献1に示された発光装置は、コンパクト化や光の効率出射において優れているが、発光源であり、発熱源でもあるLEDベアチップが薄膜状の第1導体膜を挟んで伝熱性に乏しい絶縁基板上に設けられているため、放熱性能において優れているとはいえず、このことが寿命に悪影響を及ぼす懸念がある。   The light emitting device disclosed in Patent Document 1 is excellent in downsizing and efficient light emission, but is a light emitting source, and the LED bare chip, which is also a heat generating source, has poor heat conductivity with the thin first conductor film sandwiched between them. Since it is provided on the insulating substrate, it cannot be said that the heat dissipation performance is excellent, and there is a concern that this adversely affects the life.

特開2012−109475号公報JP 2012-109475 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、効率的な光出射が可能であり、かつ放熱性に優れた発光装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a light emitting device capable of efficient light emission and excellent in heat dissipation and a method for manufacturing the same. To do.

上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を採用した。   In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.

すなわち、本発明の第1の側面によって提供される発光装置は、底面、側面、上面および当該上面から凹入する凹部を有する樹脂製のケースと、上記ケースの底面に露出する露出面を有する金属製の第1端子板と、上記ケースの底面に露出する露出面を有する金属製の第2端子板と、上記凹部の底部において、上記第1端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第1導体膜と、上記凹部の底部において、上記第2端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第2導体膜と、上記凹部の底部において、上記第1導体膜上にボンディングされたLEDベアチップと、上記LEDベアチップと上記第2導体膜との間を導通させる導電部材と、を備えることを特徴とする。   That is, the light emitting device provided by the first aspect of the present invention includes a resin case having a bottom surface, a side surface, a top surface, and a recess recessed from the top surface, and a metal having an exposed surface exposed on the bottom surface of the case. A first terminal plate made of metal, a metal second terminal plate having an exposed surface exposed on the bottom surface of the case, and a part of the top surface of the first terminal plate at the bottom of the recess, A first conductor film covering a portion of the inner surface; a second conductor film covering a portion of the upper surface of the second terminal plate and covering a portion of the inner surface of the recess at the bottom of the recess; and the recess The LED bare chip bonded on the first conductor film and a conductive member for conducting between the LED bare chip and the second conductor film are provided at the bottom of the first conductor film.

好ましい実施の形態においては、上記第1端子板の露出面および上記第2端子板の露出面は、上記ケースの底面と面一状または略面一状である。   In a preferred embodiment, the exposed surface of the first terminal plate and the exposed surface of the second terminal plate are flush with or substantially flush with the bottom surface of the case.

好ましい実施の形態においては、上記凹部の内側面は、パラボラ状である。   In a preferred embodiment, the inner surface of the recess is parabolic.

好ましい実施の形態においては、上記LEDベアチップは、底面電極と上面電極とを有しており、上記底面電極が上記第1導体膜上にボンディングされており、上記上面電極がワイヤを介して上記第2導体膜に接続されている。   In a preferred embodiment, the LED bare chip has a bottom electrode and a top electrode, the bottom electrode is bonded onto the first conductor film, and the top electrode is connected to the first electrode via a wire. Two conductor films are connected.

好ましい実施の形態においては、上記第1導体膜は、上記ケースの上面に及んでおり、上記第2導体膜は、上記ケースの上面に及んでいる。   In a preferred embodiment, the first conductor film extends to the upper surface of the case, and the second conductor film extends to the upper surface of the case.

好ましい実施の形態においては、平面視において、上記第1導体膜および上記第2導体膜は、スリットを挟んで対向している。   In a preferred embodiment, the first conductor film and the second conductor film are opposed to each other with a slit in plan view.

好ましい実施の形態においては、上記凹部の内側面は、上記スリットを挟んだ上記第1導体膜および上記第2導体膜で覆われている。   In a preferred embodiment, the inner surface of the recess is covered with the first conductor film and the second conductor film sandwiching the slit.

好ましい実施の形態においては、上記第1導体膜および上記第2導体膜は、メッキ膜またはスパッタ膜である。   In a preferred embodiment, the first conductor film and the second conductor film are a plating film or a sputtered film.

好ましい実施の形態においては、上記第1導体膜および上記第2導体膜は、厚さ5000〜40000nmである。   In a preferred embodiment, the first conductor film and the second conductor film have a thickness of 5000 to 40000 nm.

好ましい実施の形態においては、上記第1導体膜および上記第2導体膜の材質は、金または金を主成分とする合金である。   In a preferred embodiment, the material of the first conductor film and the second conductor film is gold or an alloy containing gold as a main component.

好ましい実施の形態においては、上記第1端子板の底面および上記第2端子板の底面は、同一平面内に位置する。   In a preferred embodiment, the bottom surface of the first terminal plate and the bottom surface of the second terminal plate are located in the same plane.

他の好ましい実施の形態においては、上記第2端子板は、上記第2導体膜で覆われる内方部が上記ケースの底面に対して上位に変位しており、当該内方部の下方には、上記ケースを構成する樹脂が入り込んでいる。   In another preferred embodiment, the second terminal plate has an inner portion covered with the second conductor film displaced upward with respect to the bottom surface of the case, and below the inner portion, The resin constituting the case is contained.

好ましい実施の形態においては、上記第1端子板および上記第2端子板は、製造用フレームに由来する。   In a preferred embodiment, the first terminal plate and the second terminal plate are derived from a manufacturing frame.

好ましい実施の形態においては、上記ケースの上面には、上記凹部の開口を塞ぐようにして、レンズ部材が載せられている。   In a preferred embodiment, a lens member is placed on the upper surface of the case so as to close the opening of the recess.

好ましい実施の形態においては、上記レンズ部材は、凸レンズ部を有する。   In a preferred embodiment, the lens member has a convex lens portion.

好ましい実施の形態においては、全体として、直方体形状を有する。   In preferable embodiment, it has a rectangular parallelepiped shape as a whole.

好ましい実施の形態においては、上記凹部において、上記LEDベアチップおよび上記導電部材は保護樹脂で覆われている。   In a preferred embodiment, in the recess, the LED bare chip and the conductive member are covered with a protective resin.

本発明の第2の側面によって提供される発光装置の製造方法は、第1端子部およびこれに対向する第2端子部を有する製造用フレームを用いて発光装置を製造する方法であって、樹脂インサート成形により、底面、上面および当該上面から凹入する凹部を有し、上記第1端子部および上記第2端子部の一部が上記底面に露出するとともに、上記凹部の底部に上記第1端子部および上記第2端子部の各上面の一部が露出するようにして、ケースを形成するケース形成工程と、上記凹部の底部において、上記第1端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第1導体膜、および、上記第2端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第2導体膜を形成する導体膜形成工程と、上記凹部の底部において、上記第1導体膜上にLEDベアチップをボンディングするチップボンディング工程と、上記LEDベアチップと上記第2導体膜との間を導電部材により導通させる導通工程と、を含むことを特徴とする。   A method for manufacturing a light-emitting device provided by the second aspect of the present invention is a method for manufacturing a light-emitting device using a manufacturing frame having a first terminal portion and a second terminal portion facing the first terminal portion. The insert molding has a bottom surface, a top surface, and a recess recessed from the top surface, and a part of the first terminal portion and the second terminal portion are exposed to the bottom surface, and the first terminal is formed at the bottom of the recess. And forming a case so that a part of each upper surface of the first terminal plate and the second terminal part are exposed, and covering the part of the upper surface of the first terminal plate at the bottom of the concave part and the concave part A conductor film forming step of forming a first conductor film covering a part of the inner surface of the first terminal and a second conductor film covering a part of the upper surface of the second terminal plate and covering a part of the inner surface of the recess. , At the bottom of the recess, A chip bonding step of bonding the LED bare chip serial first conductive film, characterized in that it comprises a and a conduction step of conducting the conductive member between the LED bare chip and the second conductive film.

好ましい実施の形態において、上記ケース形成工程では、上記凹部をパラポラ状に形成する。   In a preferred embodiment, in the case forming step, the concave portion is formed in a parapolar shape.

好ましい実施の形態において、上記導体膜形成工程では、メッキまたはスパッタリングにより上記第1導体膜および上記第2導体膜を形成する。   In a preferred embodiment, in the conductor film forming step, the first conductor film and the second conductor film are formed by plating or sputtering.

好ましい実施の形態において、上記導体膜形成工程では、上記第1導体膜および上記第2導体膜の材質として、金または金を主成分とする合金を用いる。   In a preferred embodiment, in the conductor film forming step, gold or an alloy containing gold as a main component is used as a material for the first conductor film and the second conductor film.

好ましい実施の形態において、上記導体膜形成工程は、上記ケースの上面ないし上記凹部の底部および内側面の全面に導体膜を形成した後、スリットを形成することにより当該導体膜を上記第1導体膜と上記第2導体膜とに分割して行う。   In a preferred embodiment, the conductor film forming step includes forming a conductor film on the entire upper surface of the case or the entire bottom surface and inner surface of the recess, and then forming the slit to form the first conductor film. And the second conductor film.

好ましい実施の形態において、上記導通工程は、上記LEDベアチップの上面電極と上記第2導体膜との間をワイヤによって接続することにより行う。   In a preferred embodiment, the conduction step is performed by connecting a wire between the upper electrode of the LED bare chip and the second conductor film.

好ましい実施の形態において、上記導通工程の後に、上記凹部の開口を塞ぐようにして、上記ケースの上面にレンズ部材を設けるレンズ部材設置工程を行う。   In a preferred embodiment, after the conduction step, a lens member installation step is performed in which a lens member is provided on the upper surface of the case so as to close the opening of the recess.

好ましい実施の形態において、上記導通工程の後に、上記LEDベアチップおよび上記導電部材を保護樹脂で覆う保護樹脂充填工程を行う。   In a preferred embodiment, after the conducting step, a protective resin filling step of covering the LED bare chip and the conductive member with a protective resin is performed.

上記構成の発光装置においては、ケースに設けた凹部の内側面が第1導体膜および第2導体膜に覆われており、この第1導体膜および第2導体膜は、好ましくは金または金を主成文とする材質で形成されているので、凹部の底部に配置されるLEDベアアチップが発する光を凹部の開口に向けて反射する好適な反射面として機能することができる。これにより、この発光装置の発光効率が向上する。   In the light emitting device having the above-described configuration, the inner surface of the recess provided in the case is covered with the first conductor film and the second conductor film, and the first conductor film and the second conductor film are preferably made of gold or gold. Since it is formed of the material used as the main component, it can function as a suitable reflecting surface that reflects the light emitted from the LED bearer chip disposed at the bottom of the recess toward the opening of the recess. Thereby, the luminous efficiency of the light emitting device is improved.

LEDベアチップは、ケースの凹部において、第1導体膜上にボンディングされているが、第1導体膜は、ケースの底部にインサートされている第1端子板の上面の一部を覆っており、LEDベアチップと導電部材を介して接続される第2導体膜もまた、ケースの底部にインサートされている第2端子板の上面を覆っている。したがって、この発光装置がマザー基板に実装された状態において、第1端子板および第2端子板から第1導体膜および第2導体膜を介して、LEDベアチップに問題なく給電を行うことができる。   The LED bare chip is bonded to the first conductor film in the recess of the case, but the first conductor film covers a part of the upper surface of the first terminal plate inserted in the bottom of the case, and the LED The second conductor film connected to the bare chip via the conductive member also covers the upper surface of the second terminal plate inserted in the bottom of the case. Therefore, in a state where the light emitting device is mounted on the mother board, power can be supplied from the first terminal plate and the second terminal plate to the LED bare chip through the first conductor film and the second conductor film without any problem.

LEDベアチップがボンディングされる第1導体膜は、ケースの凹部の底部において、第1端子板の上面の一部を覆っているので、この発光装置がマザー基板に実装された状態において、LEDベアチップが発生する熱を第1端子板を介してマザー基板に効果的に逃がすことができる。したがって、この発光装置の放熱性能が向上する。   Since the first conductor film to which the LED bare chip is bonded covers a part of the upper surface of the first terminal board at the bottom of the concave portion of the case, the LED bare chip is mounted in a state where the light emitting device is mounted on the mother substrate. The generated heat can be effectively released to the mother board through the first terminal board. Therefore, the heat dissipation performance of the light emitting device is improved.

本発明のその他の特徴および利点は、図面を参照して以下に行う詳細な説明から、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the drawings.

本発明の第1実施形態に係る発光装置の平面図であり、レンズ部材を省略して示す。It is a top view of the light-emitting device concerning a 1st embodiment of the present invention, and omits and shows a lens member. 図1のII-II線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the II-II line of FIG. 図1および図2に示す発光装置の製造に用いる製造用フレームの一例の部分平面図である。FIG. 3 is a partial plan view of an example of a manufacturing frame used for manufacturing the light emitting device shown in FIGS. 1 and 2. 図1および図2に示す発光装置の製造方法の説明図であり、製造用フレームにケース部をインサート成形した段階を示す平面図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. 1 and FIG. 2, and is a top view which shows the step which insert-molded the case part in the manufacturing frame. 図4のV-V線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VV line of FIG. 図1および図2に示す発光装置の製造方法の説明図であり、ケース部の上面および凹部の全域に導体膜を形成した段階を示す平面図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG.1 and FIG.2, and is a top view which shows the step which formed the conductor film in the upper surface of a case part and the whole region of a recessed part. 図6のVII-VII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VII-VII line of FIG. 図1および図2に示す発光装置の製造方法の説明図であり、導体膜にスリットを形成した段階を示す平面図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light-emitting device shown to FIG. 1 and FIG. 2, and is a top view which shows the step which formed the slit in the conductor film. 図8のIX-IX線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IX-IX line of FIG. 図1および図2に示す発光装置の製造方法の説明図であり、ケース部の凹部にLEDベアチップをボンディングするとともに、ワイヤボンディングした段階を示す平面図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light-emitting device shown to FIG. 1 and FIG. 2, and is a top view which shows the step which bonded and bonded the LED bare chip to the recessed part of the case part. 図10のXI-XI線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XI-XI line of FIG. 図1および図2に示す発光装置の製造方法の説明図であり、レンズ部材を取付けた段階を示す断面図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light-emitting device shown to FIG. 1 and FIG. 2, and sectional drawing which shows the step which attached the lens member. 図1および図2に示す発光装置の製造方法の説明図であり、個々の発光装置に分割する段階を説明するための平面図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. 1 and FIG. 2, and is a top view for demonstrating the step divided | segmented into each light-emitting device. 本発明の第2実施形態に係る発光装置の平面図であり、レンズ部材を省略して示す。It is a top view of the light-emitting device concerning a 2nd embodiment of the present invention, and omits and shows a lens member. 図14のXV-XV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XV-XV line | wire of FIG. 本発明の第3実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1、図2は、本発明の第1実施形態に係る発光装置A1を示し、図3〜図13は、当該発光装置A1の製造方法を示す。   1 and 2 show a light emitting device A1 according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 13 show a method for manufacturing the light emitting device A1.

発光装置A1は、樹脂製のケース100と、第1端子板200と、第2端子板300と、第1導体膜410と、第2導体膜420と、LEDベアチップ500と、レンズ部材600と、を含む。   The light emitting device A1 includes a resin case 100, a first terminal plate 200, a second terminal plate 300, a first conductor film 410, a second conductor film 420, an LED bare chip 500, a lens member 600, including.

ケース100は、底面101、側面102、上面103および当該上面103から凹入する凹部110を有し、たとえば、液晶ポリマーのようなメッキ付着性樹脂よりなり、全体として、直方体形状を有している。凹部110は、円形の底部111と、この底部111の周囲から立ち上がる内側面112と、を有しており、内側面112は、パラボラ状をしている。   The case 100 has a bottom surface 101, a side surface 102, an upper surface 103, and a concave portion 110 that is recessed from the upper surface 103, and is made of, for example, a plating adhesive resin such as a liquid crystal polymer, and has a rectangular parallelepiped shape as a whole. . The recess 110 has a circular bottom 111 and an inner side 112 rising from the periphery of the bottom 111. The inner side 112 has a parabolic shape.

第1端子板200および第2端子板300は、ケース100の下部において、それぞれケース100の底面101に露出する露出面201,301を有するようにして、ケース100にインサートされている。第1端子板200は、図1に示すように、平面視長矩形状の端子基部210と、この端子基部210から内方に延出する矩形状の端子半島部220と、を有しており、端子半島部220は、その先端が上記凹部110の円形底部111に一部オーバラップさせられている。第2端子板300もまた、図1に示すように、平面視長矩形状の端子基部310と、この端子基部310から内方に延出する矩形状の端子半島部320と、を有しており、端子半島部320は、その先端が上記凹部110の円形底部111の中心よりさらに第1端子板200側まで延出するようにして、当該円形底部111にオーパラップさせられている。図1に表れているように、第1端子板200の端子半島部220の先端221と、第2端子板300の端子半島部210の先端321は、所定間隔を開けて平行に対向させられている。   The first terminal board 200 and the second terminal board 300 are inserted into the case 100 so as to have exposed surfaces 201 and 301 exposed at the bottom surface 101 of the case 100 at the lower part of the case 100, respectively. As shown in FIG. 1, the first terminal board 200 includes a terminal base 210 having a rectangular shape in plan view, and a rectangular terminal peninsula 220 extending inwardly from the terminal base 210. The tip of the terminal peninsula 220 is partially overlapped with the circular bottom 111 of the recess 110. As shown in FIG. 1, the second terminal plate 300 also has a terminal base portion 310 that is rectangular in plan view, and a rectangular terminal peninsula portion 320 that extends inwardly from the terminal base portion 310. The terminal peninsula 320 is overlapped with the circular bottom 111 such that the tip thereof extends further to the first terminal board 200 side than the center of the circular bottom 111 of the recess 110. As shown in FIG. 1, the tip 221 of the terminal peninsula 220 of the first terminal board 200 and the tip 321 of the terminal peninsula 210 of the second terminal board 300 are opposed to each other in parallel at a predetermined interval. Yes.

第1端子板200と第2端子板300とは、同一厚みで同一平面内に位置する。したがって、第1端子板200の露出面201は第1端子板200の平面形状と同じであり、第2端子板300の露出面301もまた、第2端子板300の平面形状と同じである。本実施形態において、図2に表れているように、第1端子板200の露出面201および第2端子板300の露出面301は、ケース100の底面101と面一状または略面一状となっている。第1端子板200の端子基部210の外端面211および第2端子板300の端子基部310の外端面311は、ケース100の対向側面102に面一状に露出している。また、第1端子板200および第2端子板300の厚みは、ケース100の凹部110の底部111の厚み、すなわち、凹部110の底部111とケース100の底面101との間の距離と対応しており、したがって、第1端子板200および第2端子板300は、凹部110の底部111において、面一状に露出させられている。なお、第1端子板200および第2端子板300は、たとえば4−2アロイ等の金属製であり、後記するように、製造用フレーム700に由来している。   The first terminal board 200 and the second terminal board 300 are located in the same plane with the same thickness. Therefore, the exposed surface 201 of the first terminal board 200 is the same as the planar shape of the first terminal board 200, and the exposed surface 301 of the second terminal board 300 is also the same as the planar shape of the second terminal board 300. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the exposed surface 201 of the first terminal board 200 and the exposed surface 301 of the second terminal board 300 are flush with or substantially flush with the bottom surface 101 of the case 100. It has become. The outer end surface 211 of the terminal base 210 of the first terminal plate 200 and the outer end surface 311 of the terminal base 310 of the second terminal plate 300 are exposed on the opposite side surface 102 of the case 100 in a flush manner. The thicknesses of the first terminal plate 200 and the second terminal plate 300 correspond to the thickness of the bottom 111 of the recess 110 of the case 100, that is, the distance between the bottom 111 of the recess 110 and the bottom surface 101 of the case 100. Therefore, the first terminal plate 200 and the second terminal plate 300 are exposed in a flush manner at the bottom 111 of the recess 110. The first terminal board 200 and the second terminal board 300 are made of metal such as 4-2 alloy, for example, and are derived from the manufacturing frame 700 as described later.

第1導体膜410および第2導体膜420は、第1端子板200の端子半島部220と第2端子板300の端子半島部320との間を直線状に延びるスリット401を挟んで対向するようにして、凹部110の底部111、内側面112ないしケース100の上面103にかけて形成されている。この第1導体膜410および第2導体膜420は、たとえば、金または金を主成分とする合金を材質とし、後記するように、ケース100の上面103ないし凹部110の全面にメッキまたはスパッタリングにより、厚さ5000〜40000nm程度の導体膜400を形成した後、たとえば、レーザ照射によって上記スリット401を形成するなどすることにより、形成される。このようにして形成されることにより、本実施形態では、第1導体膜410および第2導体膜420は、凹部110のみならず、ケース100の上面103にわたって形成される。上記したように、凹部110の底部111には、第1端子板200と第2端子板300が露出させられているので、第1導体膜410は第1端子板200に、第2導体膜420は第2端子板300に、それぞれ導通させられる。   The first conductor film 410 and the second conductor film 420 are opposed to each other with the slit 401 extending linearly between the terminal peninsula portion 220 of the first terminal plate 200 and the terminal peninsula portion 320 of the second terminal plate 300. Thus, it is formed over the bottom 111 of the recess 110, the inner side surface 112, or the upper surface 103 of the case 100. The first conductor film 410 and the second conductor film 420 are made of, for example, gold or an alloy containing gold as a main component, and as will be described later, the upper surface 103 of the case 100 or the entire surface of the recess 110 is plated or sputtered. After the conductor film 400 having a thickness of about 5000 to 40000 nm is formed, the slit 401 is formed by, for example, laser irradiation. By forming in this way, in the present embodiment, the first conductor film 410 and the second conductor film 420 are formed over the upper surface 103 of the case 100 as well as the recess 110. As described above, since the first terminal plate 200 and the second terminal plate 300 are exposed at the bottom 111 of the recess 110, the first conductor film 410 is exposed to the first terminal plate 200 and the second conductor film 420. Are respectively conducted to the second terminal board 300.

LEDベアチップ500は、下面電極と上面電極とを有する公知の発光素子であり、上記凹部110の底部111において、第1導体膜410上にボンディングされる。好ましくは、図1から判るように、LEDベアチップ500は、凹部110の底部111のうち、第1端子板200の端子半島部220と対応した領域にボンディングされる。LEDベアチップ500の上面電極は、導電部材としてのワイヤ510の一端が接続され、このワイヤ510の他端は、凹部110の底部111において、第2導体膜420に接続されている。好ましくは、図1から判るように、ワイヤ510の他端は、凹部110の底部111のうち、第2端子板300の端子半島部320と対応した領域に接続される。   The LED bare chip 500 is a known light emitting element having a lower surface electrode and an upper surface electrode, and is bonded onto the first conductor film 410 at the bottom 111 of the recess 110. Preferably, as can be seen from FIG. 1, the LED bare chip 500 is bonded to a region corresponding to the terminal peninsula 220 of the first terminal board 200 in the bottom 111 of the recess 110. One end of a wire 510 as a conductive member is connected to the upper electrode of the LED bare chip 500, and the other end of the wire 510 is connected to the second conductor film 420 at the bottom 111 of the recess 110. Preferably, as can be seen from FIG. 1, the other end of the wire 510 is connected to a region corresponding to the terminal peninsula 320 of the second terminal plate 300 in the bottom 111 of the recess 110.

レンズ部材600は、ケース100と同じ平面形状を有し、上記凹部110の開口を塞ぐようにして、ケース100の上面103に接着等の手法によって設置されている。本実施形態において、レンズ部材600は、下面に凸膨出部を形成することによって凸レンズ部610をもつ、たとえば透明樹脂製のものが採用されている。   The lens member 600 has the same planar shape as the case 100 and is installed on the upper surface 103 of the case 100 by a technique such as adhesion so as to close the opening of the concave portion 110. In the present embodiment, the lens member 600 is made of, for example, a transparent resin having a convex lens portion 610 by forming a convex bulge portion on the lower surface.

次に、上記構成の発光装置A1の製造方法の一例を図3〜図13を参照して説明する。   Next, an example of a manufacturing method of the light emitting device A1 having the above configuration will be described with reference to FIGS.

図3は、発光装置A1の製造に用いる製造用フレーム700の一部平面図である。この製造用フレーム700は、所定の厚みを有するたとえば4−2アロイ等の金属製であり、所定間隔を開けて離間するサイドサポート710,710から、第1端子部200aおよび第2端子部300aが、互いの方向を向いて延びている。第1端子部200aは、矩形の基部210aと、この基部から延びる矩形の半島部220aとを有する。第2端子部300aもまた、矩形の基部310aと、この基部310aから延びる矩形の半島部320aとを有する。対向する第1端子部200aと第2端子部300aとの対は、サイドサポート710が延びる方向に複数並んでいる。図3中、仮想線750で囲まれた複数の矩形領域が、発光装置A1が占める領域である。   FIG. 3 is a partial plan view of a manufacturing frame 700 used for manufacturing the light emitting device A1. The manufacturing frame 700 is made of metal such as 4-2 alloy having a predetermined thickness, and the first terminal portion 200a and the second terminal portion 300a are separated from the side supports 710 and 710 spaced apart by a predetermined interval. It extends in the direction of each other. The first terminal portion 200a has a rectangular base portion 210a and a rectangular peninsula portion 220a extending from the base portion. The second terminal portion 300a also has a rectangular base portion 310a and a rectangular peninsula portion 320a extending from the base portion 310a. A plurality of pairs of the first terminal portion 200a and the second terminal portion 300a facing each other are arranged in a direction in which the side support 710 extends. In FIG. 3, a plurality of rectangular areas surrounded by the virtual line 750 are areas occupied by the light emitting device A1.

図4および図5に示すように、上記製造用フレーム700に対し、インサート成形の手法により、ケース部100aが形成される。このケース部100aは、上記したように、液晶ポリマーのようなメッキ付着性樹脂によって形成される。本実施形態においては、ケース部100aは、複数のケース100となるべき構成が一連につながったものとして形成されているが、個々のケース100が独立するように形成してもよい。ケース部100aには、その上面103から凹入する凹部110が形成されており、この凹部110の底部111に第1端子部200aおよび第2端子部300aの各半島部220a,320aが面一状に露出するようになされる。   As shown in FIGS. 4 and 5, a case portion 100a is formed on the manufacturing frame 700 by an insert molding technique. As described above, the case portion 100a is formed of a plating adhesive resin such as a liquid crystal polymer. In the present embodiment, the case portion 100a is formed as a series of configurations to be a plurality of cases 100, but may be formed so that the individual cases 100 are independent. The case portion 100a has a recess 110 that is recessed from the upper surface 103 thereof, and the peninsula portions 220a and 320a of the first terminal portion 200a and the second terminal portion 300a are flush with the bottom portion 111 of the recess portion 110. To be exposed.

次に、図6および図7に示すように、ケース部100aの上面103から凹部110の全面に、たとえば、金または金を主成分とする導体膜400が、メッキまたはスパッタリングにより、形成される。本実施形態では、ケース部100aは、メッキ付着性樹脂によって形成されているので、かかる導体膜400をメッキによって形成することが可能である。この導体膜400の厚みは、たとえば、5000〜40000nmである。   Next, as shown in FIGS. 6 and 7, for example, gold or gold as a main component is formed by plating or sputtering on the entire surface of the recess 110 from the upper surface 103 of the case portion 100a. In this embodiment, since the case part 100a is formed with plating adhesive resin, it is possible to form the conductor film 400 by plating. The thickness of the conductor film 400 is, for example, 5000 to 40000 nm.

次に、図8および図9に示すように、導体膜400にスリット401を形成することにより、導体膜400を第1導体膜410と第2導体膜420とに分割する。スリット401は、第1端子部200aと第2端子部300aの各半島部220a,320aの先端221a,321a間を直線状に延びるように形成される。このスリット401は、たとえば、レーザ照射によって形成することができる。   Next, as shown in FIGS. 8 and 9, the conductor film 400 is divided into a first conductor film 410 and a second conductor film 420 by forming slits 401 in the conductor film 400. The slit 401 is formed to extend linearly between the tips 221a and 321a of the peninsula portions 220a and 320a of the first terminal portion 200a and the second terminal portion 300a. The slit 401 can be formed by, for example, laser irradiation.

次に、図10および図11に示すように、凹部110の底部111において、第1導体膜410上にLEDベアチップ500をボンディングするとともに、このLEDベアチップ500の上面電極と第2導体膜420との間をワイヤ510によって接続する。   Next, as shown in FIGS. 10 and 11, the LED bare chip 500 is bonded onto the first conductor film 410 at the bottom 111 of the recess 110, and the upper electrode of the LED bare chip 500 and the second conductor film 420 are bonded together. They are connected by a wire 510.

次に、図12に示すように、ケース部100aの上面103に、レンズ部材600を設置する。このレンズ部材600は、ケース部100aと同様、個々の発光装置A1と対応する部分が複数つながった形態のものとすることができる。   Next, as shown in FIG. 12, the lens member 600 is installed on the upper surface 103 of the case portion 100a. The lens member 600 may have a form in which a plurality of portions corresponding to the individual light emitting devices A1 are connected in the same manner as the case portion 100a.

最後に、図13に示すように、ラインL1に沿って製造用フレーム700の不要部分を切断するとともに、ラインL2に沿って切断して分割して、図1および図2に示した個々の発光装置A1を得る。   Finally, as shown in FIG. 13, unnecessary portions of the manufacturing frame 700 are cut along the line L1, and cut along the line L2 and divided to obtain the individual light emission shown in FIG. 1 and FIG. Device A1 is obtained.

次に、発光装置A1の作用について、説明する。   Next, the operation of the light emitting device A1 will be described.

上記構成の発光装置A1においては、ケース100に設けた凹部110の内側面112が、スリット401を除くほぼ全域において、第1導体膜410および第2導体膜420に覆われており、この第1導体膜410および第2導体膜420は、金または金を主成文とする材質で形成されているので、凹部110の底部111に配置されるLEDベアチップ500が発する光を凹部110の開口に向けて反射する好適な反射面として機能することができる。また、凹部110は、パラボラ状をしているので、反射効率はさらに高められる。さらに、凹部110の開口には、レンズ部材600の凸レンズ部610が位置しているので、効率が高められた光を指向性良く出射することができる。これらのことにより、この発光装置A1は、その発光効率が優れたものとなる。   In the light emitting device A1 configured as described above, the inner surface 112 of the recess 110 provided in the case 100 is covered with the first conductor film 410 and the second conductor film 420 in almost the entire area except the slit 401. Since the conductor film 410 and the second conductor film 420 are made of gold or a material whose main component is gold, the light emitted from the LED bare chip 500 disposed on the bottom 111 of the recess 110 is directed toward the opening of the recess 110. It can function as a suitable reflecting surface that reflects. Further, since the recess 110 has a parabolic shape, the reflection efficiency can be further increased. Furthermore, since the convex lens portion 610 of the lens member 600 is located in the opening of the concave portion 110, light with improved efficiency can be emitted with good directivity. For these reasons, the light emitting device A1 has excellent light emission efficiency.

LEDベアチップ500は、ケース100の凹部110において、第1導体膜410上にボンディングされているが、第1導体膜410は、ケース100にインサートされている第1端子板200の一部を覆っており、LEDベアチップ500とワイヤ510を介して接続される第2導体膜420もまた、ケース100にインサートされている第2端子板300を覆っている。したがって、この発光装置A1がマザー基板に実装された状態において、第1端子板200および第2端子板300から第1導体膜410および第2導体膜420を介して、LEDベアチップ500に問題なく給電を行うことができる。   The LED bare chip 500 is bonded to the first conductor film 410 in the recess 110 of the case 100, but the first conductor film 410 covers a part of the first terminal board 200 inserted in the case 100. The second conductor film 420 connected to the LED bare chip 500 via the wire 510 also covers the second terminal plate 300 inserted in the case 100. Therefore, in a state where the light emitting device A1 is mounted on the mother board, the LED bare chip 500 is fed with no problem from the first terminal board 200 and the second terminal board 300 via the first conductor film 410 and the second conductor film 420. It can be performed.

LEDベアチップ500がボンディングされる第1導体膜410は、ケース100の凹部110の底部111において、第1端子板200の一部を覆っているので、この発光装置A1がマザー基板に実装された状態において、LEDベアチップ500が発生する熱を金属製の第1端子板200を介してマザー基板に効果的に逃がすことができる。したがって、この発光装置A1の放熱性能が向上する。その結果、発光装置A1の寿命を延長することができる。   Since the first conductor film 410 to which the LED bare chip 500 is bonded covers a part of the first terminal board 200 at the bottom 111 of the recess 110 of the case 100, the light emitting device A1 is mounted on the mother substrate. , The heat generated by the LED bare chip 500 can be effectively released to the mother board via the metal first terminal board 200. Therefore, the heat dissipation performance of the light emitting device A1 is improved. As a result, the lifetime of the light emitting device A1 can be extended.

図14および図15は、本発明の第2実施形態に係る発光装置A2を示す。これらの図において、図1および図2に示した第1実施形態に係る発光装置A1と同一または近似する部材または部分には、同一の符号を付し、相違点を中心に説明をして適宜詳細な説明を省略する。   14 and 15 show a light emitting device A2 according to the second embodiment of the present invention. In these drawings, members or portions that are the same as or similar to those of the light emitting device A1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 and FIG. Detailed description is omitted.

この発光装置A2においては、ケース100の凹部110の形態を、その底部111が第1端子板200側の低位部分111aと、第2端子板300側の高位部分111bとを有するように構成するとともに、第2端子板300の端子半島部320を段上げしている。より詳しくは、凹部110の底部111の高位部分111bに第2端子板300の段上げされた端子半島部320の上面が面一状に露出させられており、凹部110の底部111の低位部分111aに第1端子板200の端子半島部220の上面が面一状に露出させられている。   In the light emitting device A2, the configuration of the concave portion 110 of the case 100 is configured such that the bottom portion 111 has a low-order part 111a on the first terminal board 200 side and a high-order part 111b on the second terminal board 300 side. The terminal peninsula 320 of the second terminal board 300 is raised. More specifically, the upper surface of the raised terminal peninsula 320 of the second terminal plate 300 is exposed to be flush with the higher portion 111b of the bottom 111 of the recess 110, and the lower portion 111a of the bottom 111 of the recess 110 is exposed. Further, the upper surface of the terminal peninsula 220 of the first terminal board 200 is exposed in a flush manner.

第1導体膜410および第2導体膜420は、ケース100の上面103と凹部110の全域に導体膜400を形成した後に、この導体膜400にスリット401を形成することにより、形成される。スリット401は、凹部110の底部111の高位部分111bの先端部を通るように、第1端子板200の端子半島部220と第2端子板300の端子半島部320の先端221,321間に直線状に形成されている。   The first conductor film 410 and the second conductor film 420 are formed by forming the conductor film 400 over the entire upper surface 103 and the recess 110 of the case 100 and then forming the slit 401 in the conductor film 400. The slit 401 is a straight line between the terminal peninsula portion 220 of the first terminal plate 200 and the distal ends 221 and 321 of the terminal peninsula portion 320 of the second terminal plate 300 so as to pass through the distal end portion of the higher portion 111 b of the bottom portion 111 of the recess 110. It is formed in a shape.

本実施形態に係る発光装置A2についても、第1の実施形態に係る発光装置A1について上述したのと同様の作用を奏するほか次の作用を奏する。   The light emitting device A2 according to the present embodiment also exhibits the following operation in addition to the same operation as described above for the light emitting device A1 according to the first embodiment.

図15に表れているように、第2端子板300の段上げされた端子半島部320の下位にケース100を形成する樹脂が入りこんでいるため、発光装置A2の底面において、第1端子板200の露出面201と第2端子板300の露出面301との間の離間距離が長くなる。したがって、この発光装置A2をたとえばハンダリフローの手法によってマザー基板に実装するに際し、第1端子板200と第2端子板300との間がハンダによって短絡させられるといった不具合が発生しにくくなる。   As shown in FIG. 15, since the resin forming the case 100 has entered under the raised terminal peninsula 320 of the second terminal board 300, the first terminal board 200 is formed on the bottom surface of the light emitting device A <b> 2. The distance between the exposed surface 201 and the exposed surface 301 of the second terminal board 300 becomes longer. Therefore, when the light emitting device A2 is mounted on the mother substrate by, for example, a solder reflow technique, it is difficult to cause a problem that the first terminal board 200 and the second terminal board 300 are short-circuited by the solder.

図16は、本発明の第3実施形態に係る発光装置A3を示す。この図において、図1および図2に示した第1実施形態に係る発光装置A1と同一または近似する部材または部分には、同一の符号を付し、相違点を中心に説明をして適宜詳細な説明を省略する。   FIG. 16 shows a light emitting device A3 according to a third embodiment of the present invention. In this figure, members or portions that are the same as or similar to those of the light emitting device A1 according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and are described in detail with a focus on the differences. The detailed explanation is omitted.

この発光装置A3においては、レンズ部材600を設けることなく、ケース100の凹部110に、LEDベアチップ500およびワイヤ510を包含する、たとえばシリコーン樹脂による保護樹脂800を充填している。   In the light emitting device A3, without providing the lens member 600, the concave portion 110 of the case 100 is filled with a protective resin 800 including, for example, a silicone resin including the LED bare chip 500 and the wire 510.

このように構成することにより、レンズ部材600を設けることなくとも、LEDベアチップ500およびワイヤ510を適切に保護することができる。   With this configuration, the LED bare chip 500 and the wire 510 can be appropriately protected without providing the lens member 600.

なお、本実施形態に係る発光装置A3についても、レンズ部材600に関する作用を除き、第1の実施形態に係る発光装置A1について上述したのと同様の作用を奏することができる。   Note that the light-emitting device A3 according to the present embodiment can also exhibit the same operation as described above for the light-emitting device A1 according to the first embodiment, except for the operation relating to the lens member 600.

なお、本実施形態に係る発光装置A3においても、第1の実施形態に係る発光装A1置のように、レンズ部材600を付加することが可能である。   In the light emitting device A3 according to the present embodiment, the lens member 600 can be added as in the light emitting device A1 according to the first embodiment.

もちろん、本発明の範囲は上記した各実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した事項の範囲内でのあらゆる設計変更は、すべて本発明の範囲に包摂される。   Of course, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and all design changes within the scope of matters described in the claims are all included in the scope of the present invention.

たとえば、導体膜400は、金または金を主成分とする合金による単一層で構成するほか、銅による下地層(たとえば、厚さ20μm程度)、その上にニッケル層(たとえば、厚さ5〜10μm)、さらにその上に金による表層(たとえば、0.1〜1.0μm)を積層した、導体材料による多層構造としても、もちろんよい。   For example, the conductor film 400 is composed of a single layer of gold or an alloy containing gold as a main component, a base layer of copper (for example, about 20 μm thick), and a nickel layer (for example, a thickness of 5 to 10 μm) thereon. Of course, a multilayer structure made of a conductive material in which a surface layer made of gold (for example, 0.1 to 1.0 μm) is further laminated thereon may be used.

A1 発光装置
A2 発光装置
A3 発光装置
100 ケース
100a ケース部
101 底面
102 側面
103 上面
110 凹部
111 底部
111a 低位部分
111b 高位部分
112 内側面
200 第1端子板
200a 第1端子部
201 露出面
210 端子基部
210a 矩形基部
211 外端面
220 端子半島部
220a 半島部
221 先端
221a 先端
300 第2端子板
300a 第2端子部
301 露出面
310 端子基部
310a 矩形基部
311 外端面
320 端子半島部
320a 半島部
321 先端
321a 先端
400 導体膜
401 スリット
410 第1導体膜
420 第2導体膜
500 LEDベアチップ
510 導電部材(ワイヤ)
600 レンズ部材
610 凸レンズ部
700 製造用フレーム
710 サイドサポート
750 領域
800 保護樹脂
L1 ライン
L2 ライン
A1 Light-emitting device A2 Light-emitting device A3 Light-emitting device 100 Case 100a Case portion 101 Bottom surface 102 Side surface 103 Top surface 110 Recess 111 Bottom portion 111b Higher portion 112 Inner side surface 200 First terminal plate 200a First terminal portion 201 Exposed surface 210 Terminal base portion 210a Rectangular base 211 Outer end surface 220 Terminal peninsula 220a Peninsula 221 Tip 221a Tip 300 Second terminal board 300a Second terminal 301 Exposed surface 310 Terminal base 310a Rectangular base 311 Outer end 320 Terminal peninsula 320a Peninsula 321 Tip 321a Tip 400 Conductor film 401 Slit 410 First conductor film 420 Second conductor film 500 LED bare chip 510 Conductive member (wire)
600 Lens member 610 Convex lens part 700 Manufacturing frame 710 Side support 750 Area 800 Protective resin L1 line L2 line

Claims (25)

底面、側面、上面および当該上面から凹入する凹部を有する樹脂製のケースと、
上記ケースの底面に露出する露出面を有する金属製の第1端子板と、
上記ケースの底面に露出する露出面を有する金属製の第2端子板と、
上記凹部の底部において、上記第1端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第1導体膜と、
上記凹部の底部において、上記第2端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第2導体膜と、
上記凹部の底部において、上記第1導体膜上にボンディングされたLEDベアチップと、
上記LEDベアチップと上記第2導体膜との間を導通させる導電部材と、
を備えることを特徴とする、発光装置。
A resin case having a bottom surface, a side surface, a top surface and a recess recessed from the top surface;
A metal first terminal board having an exposed surface exposed on the bottom surface of the case;
A metal second terminal plate having an exposed surface exposed at the bottom of the case;
A first conductor film covering a part of the upper surface of the first terminal plate and a part of the inner surface of the recess at the bottom of the recess;
A second conductor film covering a part of the upper surface of the second terminal plate and a part of the inner surface of the recess at the bottom of the recess;
LED bare chip bonded on the first conductor film at the bottom of the recess,
A conductive member that conducts between the LED bare chip and the second conductor film;
A light-emitting device comprising:
上記第1端子板の露出面および上記第2端子板の露出面は、上記ケースの底面と面一状または略面一状である、請求項1に記載の発光装置。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein an exposed surface of the first terminal plate and an exposed surface of the second terminal plate are flush with or substantially flush with the bottom surface of the case. 上記凹部の内側面は、パラボラ状である、請求項1または2に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein an inner side surface of the concave portion has a parabolic shape. 上記LEDベアチップは、底面電極と上面電極とを有しており、上記底面電極が上記第1導体膜上にボンディングされており、上記上面電極がワイヤを介して上記第2導体膜に接続されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の発光装置。   The LED bare chip has a bottom electrode and a top electrode, the bottom electrode is bonded onto the first conductor film, and the top electrode is connected to the second conductor film via a wire. The light-emitting device according to claim 1. 上記第1導体膜は、上記ケースの上面に及んでおり、上記第2導体膜は、上記ケースの上面に及んでいる、請求項1ないし4のいずれかに記載の発光装置。   5. The light emitting device according to claim 1, wherein the first conductor film extends to an upper surface of the case, and the second conductor film extends to an upper surface of the case. 平面視において、上記第1導体膜および上記第2導体膜は、スリットを挟んで対向している、請求項1ないし5のいずれかに記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the first conductor film and the second conductor film are opposed to each other with a slit interposed therebetween in a plan view. 上記凹部の内側面は、上記スリットを挟んだ上記第1導体膜および上記第2導体膜で覆われている、請求項6に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 6, wherein an inner surface of the recess is covered with the first conductor film and the second conductor film sandwiching the slit. 上記第1導体膜および上記第2導体膜は、メッキ膜またはスパッタ膜である、請求項1ないし7のいずれかに記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the first conductor film and the second conductor film are a plating film or a sputtered film. 上記第1導体膜および上記第2導体膜は、厚さ5000〜40000nmである、請求項8に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 8, wherein the first conductor film and the second conductor film have a thickness of 5000 to 40000 nm. 上記第1導体膜および上記第2導体膜の材質は、金または金を主成分とする合金である、請求項1ないし9のいずれかに記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 9, wherein a material of the first conductor film and the second conductor film is gold or an alloy containing gold as a main component. 上記第1端子板の底面および上記第2端子板の底面は、同一平面内に位置する、請求項1ないし10のいずれかに記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein a bottom surface of the first terminal plate and a bottom surface of the second terminal plate are located in the same plane. 上記第2端子板は、上記第2導体膜で覆われる内方部が上記ケースの底面に対して上位に変位しており、当該内方部の下方には、上記ケースを構成する樹脂が入り込んでいる、請求項1ないし10のいずれかに記載の発光装置。   In the second terminal plate, an inner portion covered with the second conductor film is displaced upward with respect to the bottom surface of the case, and a resin constituting the case enters below the inner portion. The light-emitting device according to claim 1. 上記第1端子板および上記第2端子板は、製造用フレームに由来する、請求項1ないし12のいずれかに記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the first terminal plate and the second terminal plate are derived from a manufacturing frame. 上記ケースの上面には、上記凹部の開口を塞ぐようにして、レンズ部材が載せられている、請求項1ないし13のいずれかに記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 1, wherein a lens member is placed on an upper surface of the case so as to close an opening of the concave portion. 上記レンズ部材は、凸レンズ部を有する、請求項14に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 14, wherein the lens member has a convex lens portion. 全体として、直方体形状を有する、請求項14または15に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 14 or 15, which has a rectangular parallelepiped shape as a whole. 上記凹部において、上記LEDベアチップおよび上記導電部材は保護樹脂で覆われている、請求項1ないし16のいずれかに記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the LED bare chip and the conductive member are covered with a protective resin in the recess. 第1端子部およびこれに対向する第2端子部を有する製造用フレームを用いて発光装置を製造する方法であって、
樹脂インサート成形により、底面、上面および当該上面から凹入する凹部を有し、上記第1端子部および上記第2端子部の一部が上記底面に露出するとともに、上記凹部の底部に上記第1端子部および上記第2端子部の各上面の一部が露出するようにして、ケースを形成するケース形成工程と、
上記凹部の底部において、上記第1端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第1導体膜、および、上記第2端子板の上面の一部を覆うとともに上記凹部の内側面の一部を覆う第2導体膜を形成する導体膜形成工程と、
上記凹部の底部において、上記第1導体膜上にLEDベアチップをボンディングするチップボンディング工程と、
上記LEDベアチップと上記第2導体膜との間を導電部材により導通させる導通工程と、
を含むことを特徴とする、発光装置の製造方法。
A method of manufacturing a light emitting device using a manufacturing frame having a first terminal portion and a second terminal portion facing the first terminal portion,
The resin insert molding has a bottom surface, a top surface, and a recess recessed from the top surface, and a part of the first terminal portion and the second terminal portion are exposed on the bottom surface, and the first portion is formed on the bottom portion of the recess. A case forming step of forming a case such that a part of each upper surface of the terminal portion and the second terminal portion is exposed;
A first conductor film that covers a part of the upper surface of the first terminal plate and a part of an inner surface of the recess and covers a part of the upper surface of the second terminal plate at the bottom of the recess, and A conductor film forming step of forming a second conductor film covering a part of the inner surface of the recess;
A chip bonding step of bonding an LED bare chip on the first conductor film at the bottom of the recess;
A conduction step of conducting between the LED bare chip and the second conductor film by a conductive member;
The manufacturing method of the light-emitting device characterized by including.
上記ケース形成工程では、上記凹部をパラポラ状に形成する、請求項18に記載の発光装置の製造方法。   The method of manufacturing a light emitting device according to claim 18, wherein in the case forming step, the concave portion is formed in a parapolar shape. 上記導体膜形成工程では、メッキまたはスパッタリングにより上記第1導体膜および上記第2導体膜を形成する、請求項18または19に記載の発光装置の製造方法。   The method for manufacturing a light emitting device according to claim 18 or 19, wherein, in the conductor film forming step, the first conductor film and the second conductor film are formed by plating or sputtering. 上記導体膜形成工程では、上記第1導体膜および上記第2導体膜の材質として、金または金を主成分とする合金を用いる、請求項18ないし20のいずれかに記載の発光装置の製造方法。   21. The method of manufacturing a light-emitting device according to claim 18, wherein in the conductor film forming step, gold or an alloy containing gold as a main component is used as a material of the first conductor film and the second conductor film. . 上記導体膜形成工程は、上記ケースの上面ないし上記凹部の底部および内側面の全面に導体膜を形成した後、スリットを形成することにより当該導体膜を上記第1導体膜と上記第2導体膜とに分割して行う、請求項18ないし21のいずれかに記載の発光装置の製造方法。   The conductor film forming step includes forming a conductor film on the entire upper surface of the case or the bottom and inner side surfaces of the recess, and then forming slits to form the conductor film as the first conductor film and the second conductor film. The method for manufacturing a light-emitting device according to any one of claims 18 to 21, wherein the method is performed separately. 上記導通工程は、上記LEDベアチップの上面電極と上記第2導体膜との間をワイヤによって接続することにより行う、請求項18ないし22のいずれかに記載の発光装置の製造方法。   The method of manufacturing a light emitting device according to any one of claims 18 to 22, wherein the conducting step is performed by connecting the upper surface electrode of the LED bare chip and the second conductor film with a wire. 上記導通工程の後に、上記凹部の開口を塞ぐようにして、上記ケースの上面にレンズ部材を設けるレンズ部材設置工程を行う、請求項1ないし23のいずれかに記載の発光装置の製造方法。   The method for manufacturing a light emitting device according to any one of claims 1 to 23, wherein a lens member installation step of providing a lens member on an upper surface of the case so as to close the opening of the concave portion is performed after the conduction step. 上記導通工程の後に、上記LEDベアチップおよび上記導電部材を保護樹脂で覆う保護樹脂充填工程を行う、請求項18ないし23のいずれかに記載の発光装置の製造方法。   The manufacturing method of the light-emitting device according to any one of claims 18 to 23, wherein a protective resin filling step of covering the LED bare chip and the conductive member with a protective resin is performed after the conduction step.
JP2016039538A 2016-03-02 2016-03-02 Light-emitting device and manufacturing method thereof Pending JP2017157684A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016039538A JP2017157684A (en) 2016-03-02 2016-03-02 Light-emitting device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016039538A JP2017157684A (en) 2016-03-02 2016-03-02 Light-emitting device and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017157684A true JP2017157684A (en) 2017-09-07

Family

ID=59810209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016039538A Pending JP2017157684A (en) 2016-03-02 2016-03-02 Light-emitting device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017157684A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019046938A (en) * 2017-08-31 2019-03-22 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing package, and method for manufacturing light-emitting device

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235696A (en) * 1994-02-25 1995-09-05 Sharp Corp Chip part type led and manufacture thereof
WO2004098255A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-11 Sanko Lite Industries Co., Ltd. Electric circuit and electronic component
JP2004327955A (en) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Led lamp
JP2005285899A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd Package structure of light emitting diode
JP2006514434A (en) * 2003-02-28 2006-04-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Optoelectronic device having a package body with a structured metallization, a method for producing such a device, and a method for applying a structured metallization to a body comprising plastic
JP2007081063A (en) * 2005-09-13 2007-03-29 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting device
JP2007165502A (en) * 2005-12-13 2007-06-28 Yamaichi Electronics Co Ltd Element-incorporated circuit board and its manufacturing method
JP2009021426A (en) * 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp Chip component type led and method of manufacturing the same
JP2009135381A (en) * 2007-10-31 2009-06-18 Sharp Corp Chip-type led and method of manufacturing the same
JP2009259913A (en) * 2008-04-14 2009-11-05 Sharp Corp Chip component type led
WO2010095482A2 (en) * 2009-02-20 2010-08-26 三洋電機株式会社 Substrate for electronic components, light emitting device, and production method for substrate for electronic components
JP2011097011A (en) * 2009-09-11 2011-05-12 Rohm Co Ltd Light emitting device
WO2011077900A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 Light emitting diode element, light source device, surface light source illumination device, and liquid crystal display device
JP2012109475A (en) * 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and optical device
WO2012102266A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 大日本印刷株式会社 Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
US20130213697A1 (en) * 2010-11-03 2013-08-22 3M Innovative Properties Company Flexible led device with wire bond free die
DE102012217623A1 (en) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device i.e. LED package, has optoelectronic semiconductor chip arranged at bottom of recess on plastic carrier and copper electrical conductor embedded in plastic substrate
JP2015079835A (en) * 2013-10-16 2015-04-23 大日本印刷株式会社 Optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device, and manufacturing method thereof
WO2015101899A1 (en) * 2014-01-06 2015-07-09 Koninklijke Philips N.V. Thin led flash for camera

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235696A (en) * 1994-02-25 1995-09-05 Sharp Corp Chip part type led and manufacture thereof
JP2006514434A (en) * 2003-02-28 2006-04-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Optoelectronic device having a package body with a structured metallization, a method for producing such a device, and a method for applying a structured metallization to a body comprising plastic
JP2004327955A (en) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Led lamp
WO2004098255A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-11 Sanko Lite Industries Co., Ltd. Electric circuit and electronic component
JP2005285899A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd Package structure of light emitting diode
JP2007081063A (en) * 2005-09-13 2007-03-29 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting device
JP2007165502A (en) * 2005-12-13 2007-06-28 Yamaichi Electronics Co Ltd Element-incorporated circuit board and its manufacturing method
JP2009021426A (en) * 2007-07-12 2009-01-29 Sharp Corp Chip component type led and method of manufacturing the same
JP2009135381A (en) * 2007-10-31 2009-06-18 Sharp Corp Chip-type led and method of manufacturing the same
JP2009259913A (en) * 2008-04-14 2009-11-05 Sharp Corp Chip component type led
WO2010095482A2 (en) * 2009-02-20 2010-08-26 三洋電機株式会社 Substrate for electronic components, light emitting device, and production method for substrate for electronic components
JP2011097011A (en) * 2009-09-11 2011-05-12 Rohm Co Ltd Light emitting device
WO2011077900A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 Light emitting diode element, light source device, surface light source illumination device, and liquid crystal display device
US20130213697A1 (en) * 2010-11-03 2013-08-22 3M Innovative Properties Company Flexible led device with wire bond free die
JP2012109475A (en) * 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and optical device
WO2012102266A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 大日本印刷株式会社 Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
DE102012217623A1 (en) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device i.e. LED package, has optoelectronic semiconductor chip arranged at bottom of recess on plastic carrier and copper electrical conductor embedded in plastic substrate
JP2015079835A (en) * 2013-10-16 2015-04-23 大日本印刷株式会社 Optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device, and manufacturing method thereof
WO2015101899A1 (en) * 2014-01-06 2015-07-09 Koninklijke Philips N.V. Thin led flash for camera

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019046938A (en) * 2017-08-31 2019-03-22 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing package, and method for manufacturing light-emitting device
JP7116881B2 (en) 2017-08-31 2022-08-12 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing package and method for manufacturing light-emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10084117B2 (en) Light emitting device
JP5343831B2 (en) Light emitting device
US9307675B2 (en) Radiant heat circuit board, method of manufacturing the same, heat generating device package having the same, and backlight
EP2421060A1 (en) Light-emitting diode
JP2012109475A (en) Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and optical device
WO2006028073A1 (en) Chip component type light emitting device and wiring board for the same
JP2006278766A (en) Mount structure and mount method of light-emitting element
JP3696021B2 (en) Light irradiation device
JP2006222271A (en) Substrate for mounting light-emitting element
JP2012015438A (en) Semiconductor light emitting device
JP2015023219A (en) Led light emitting device and manufacturing method of the same
US9549458B2 (en) Radiant heat circuit board, heat generating device package having the same, and backlight unit
KR20080014298A (en) Light emitting diode package
JP2008103401A (en) Package for upper/lower electrode type light emitting diode, and its manufacturing method
JP2007317803A (en) Light emitting device and its manufacturing method
JP2002043632A (en) Light emitting diode
JP2017157684A (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2020161697A (en) Semiconductor light emitting device
CN212907791U (en) LED support, LED lamp pearl, module and illuminator
JP6322828B2 (en) Light emitting module and light emitting device
JP2008147512A (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP6005779B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL DEVICE
JP6162284B2 (en) Light emitting device
JP6165537B2 (en) LED lighting device
KR20150117508A (en) Printed circuit board and luminous device including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200918

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210105