JP2017157214A - インモジュール機能を遂行するメモリモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
表4〜表7は、RASフィードバック状態メッセージに含まれる情報の追加的な例を示す。
図14は、本発明の一実施形態によるRASフィードバック状態メッセージを読み出すようにMRSコマンドを利用してメモリモジュールを構成する方法を示すフローチャートである。
101、201、202、702、1102、1201、1302、1402 メモリモジュール(MM)
102 CPU
103、203、1101、1720 メモリコントローラ(MC)
104 インモジュールコントローラ
105 メモリチップ
106 リフレッシュロジック(RL)
107 タイマー
108 カウンター
109 レジスター
110 機能的構成要素
200、1200 メモリチャンネル
700 インターフェイス
701 CPU/MC
1000 フィードバック状態情報
1301、1401、1730 ホスト
1600 電子装置
1610 コントローラ
1620 入出力装置
1630 メモリ装置
1640 無線インターフェイス
1650 バス
1700 メモリシステム
1710 メモリ装置
Claims (20)
- メモリアレイと、
前記メモリアレイをホスト装置にインターフェイス(interface)するために前記メモリアレイに連結されたインターフェイスと、
前記メモリアレイ及び前記インターフェイスに連結されたコントローラと、を備え、
前記インターフェイスは、前記メモリアレイのフィードバック状態情報を前記ホスト装置にインターフェイスするために標準のDIMM(Dual In−Line Memory Module)ピンアウト(pin out)構成から用途変更された複数のコネクション(connection)を含み、
前記コントローラは、前記メモリアレイの少なくとも1つのリフレッシュ動作を制御し、前記メモリアレイのエラー訂正動作を制御し、前記メモリアレイのメモリスクラビング(scrubbing)動作を制御し、前記メモリアレイのウェアレベリング(wear−leveling)コントロール動作を制御し、そして前記インターフェイスを通じて前記ホスト装置からコマンド(command)を受信し、前記受信されたコマンドに応答して、前記コマンドが受信される時に前記コントローラによって制御される動作に関連する前記インターフェイスを通じて前記ホスト装置にフィードバック状態情報を提供することを特徴とするメモリモジュール。 - 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記リフレッシュ動作を制御し、前記メモリアレイの前記リフレッシュ動作の間、前記リフレッシュ動作が遂行中であることを示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項1に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記リフレッシュ動作を制御し、前記メモリアレイの前記リフレッシュ動作の間、フィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御し、
前記フィードバック状態情報は、ランク識別(Rank Identification)及びバンク識別(Bank Identification)が現在リフレッシュ動作中であることを示し、前記リフレッシュ動作が完了すると、前記ホスト装置に完了したことを知らせることを特徴とする請求項1に記載のメモリモジュール。 - 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記エラー訂正動作を制御し、前記エラー訂正動作の結果に関連するフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項1に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記エラー訂正動作の結果が失敗(failure)である場合に措置を遂行するように、前記ホスト装置に指示するフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項4に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記スクラビング動作を制御し、前記スクラビング動作が遂行中であることを示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項1に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリアレイは、複数の不揮発性メモリセルを含み、
前記コントローラは、前記メモリアレイの前記ウェアレベリング動作を制御し、前記ウェアレベリング動作が遂行中であることを示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項1に記載のメモリモジュール。 - 前記メモリアレイは、複数の不揮発性メモリセルを含み、
前記コントローラは、前記メモリアレイの前記ウェアレベリング動作を制御し、フィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御し、
前記フィードバック状態情報は、前記ウェアレベリング動作が遂行中であることを示し、前記ウェアレベリング動作のレイテンシ(Latency)等級を前記ホスト装置に示すことを特徴とする請求項1に記載のメモリモジュール。 - DRAM(Dynamic Random Access Memroy)及びNVRAM(Non−Volatile Random Access Memory)を含むメモリセルのアレイを含み、DIMM(Dual In−Line Memory Module)で構成されたメモリアレイと、
前記メモリアレイに連結されたコントローラと、を備え、
前記コントローラは、前記メモリアレイの少なくとも1つのリフレッシュ動作を制御し、前記メモリアレイのエラー訂正動作を制御し、前記メモリアレイのメモリスクラビング(scrubbing)動作を制御し、前記メモリアレイのウェアレベリング(wear−leveling)コントロール動作を制御し、前記コントローラによって制御される動作に関連する前記ホスト装置にインターフェイスを通じてフィードバック状態情報を提供し、
前記インターフェイスは、標準のDIMMピンアウト構成で用途変更された複数のコネクションを含むことを特徴とするメモリモジュール。 - 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記リフレッシュ動作を制御し、前記リフレッシュ動作が発生したことのフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供することを特徴とする請求項9に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記エラー訂正動作を制御し、前記エラー訂正動作が完了したこと及び前記エラー訂正動作の結果を示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供することを特徴とする請求項9に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記スクラビング動作を制御し、前記スクラビング動作が発生したことを示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供することを特徴とする請求項9に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリアレイは、複数の不揮発性メモリセルを含み、
前記コントローラは、前記メモリアレイの前記ウェアレベリング動作を制御し、フィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供し、
前記フィードバック状態情報は、前記ウェアレベリング動作が遂行中であることを示し、前記ウェアレベリング動作のレイテンシ(Latency)等級を前記ホスト装置に示すことを特徴とする請求項9に記載のメモリモジュール。 - 前記DIMMは、前記メモリアレイの動作状態を前記ホスト装置にインターフェイスするように標準のDIMMピンアウト構成で用途変更された複数のコネクションを含むことを特徴とする請求項9に記載のメモリモジュール。
- メモリセルのアレイを含むメモリアレイと、
インターフェイスと、
前記メモリアレイ及び前記インターフェイスに連結されたコントローラと、を備え、
前記メモリアレイは、前記メモリアレイの動作状態をホスト装置にインターフェイスするように標準のDIMMピンアウト構成で用途変更された複数のコネクションを含むDIMMで構成され、
前記インターフェイスは、前記メモリアレイを前記ホスト装置にインターフェイス(interface)するために前記DIMMの複数のコネクションを含んで前記メモリアレイに連結され、
前記コントローラは、前記メモリアレイの少なくとも1つのリフレッシュ動作を制御し、前記メモリアレイのエラー訂正動作を制御し、前記メモリアレイのメモリスクラビング(scrubbing)動作を制御し、前記メモリアレイのウェアレベリング(wear−leveling)コントロール動作を制御することを特徴とするメモリモジュール。 - 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記リフレッシュ動作を制御し、前記メモリアレイの前記リフレッシュ動作の間、前記リフレッシュ動作が遂行中であることを示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項15に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記エラー訂正動作を制御し、前記エラー訂正動作の結果を示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項15に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記エラー訂正動作の結果が失敗(failure)である場合に措置を遂行するように、前記ホスト装置に指示するフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項17に記載のメモリモジュール。
- 前記コントローラは、前記メモリアレイの前記スクラビング動作を制御し、前記スクラビング動作が遂行中であることを示すフィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御することを特徴とする請求項15に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリアレイは、複数の不揮発性メモリセルを含み、
前記コントローラは、前記メモリアレイの前記ウェアレベリング動作を制御し、フィードバック状態情報を前記ホスト装置に提供するように前記インターフェイスを制御し、
前記フィードバック状態情報は、前記ウェアレベリング動作が遂行中であることを示し、前記ウェアレベリング動作のレイテンシ(Latency)等級を前記ホスト装置に示すことを特徴とする請求項15に記載のメモリモジュール。
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