JP2017155148A - 蛍光体、発光装置、画像表示装置及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、発光特性に優れたＳＣＡＳＮ蛍光体を提供する。また本発明は、発光効率の高い発光装置、ならびに高品質の照明装置および画像表示装置を提供する。【解決手段】下記式［１］で表される結晶相を含み、Halder-Wagner法で計算されるミクロ歪みが０．０３％以下かつ、結晶子サイズが１００ｎｍ以上であることを特徴とする、蛍光体。ＭａＳｒｂＣａｃＡｌｄＳｉｅＮｆ［１］（前記式［１］中、Ｍは、付活元素を表し、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ下記の範囲の値である。０＜ａ≦０．１５０．５≦ｂ＜１０＜ｃ＜０．５ａ＋ｂ＋ｃ＝１０．７≦ｄ≦１．３０．７≦ｅ≦１．３２．５≦ｆ≦３．５）【選択図】なし
Description
本発明は、蛍光体、発光装置、画像表示装置及び照明装置に存する。
近年、省エネルギーの流れを受け、ＬＥＤを用いた照明やバックライトの需要が増加している。ここで用いられるＬＥＤは、青または近紫外波長の光を発するＬＥＤチップ上に、蛍光体を配置した白色発光ＬＥＤである。
このようなタイプの白色発光ＬＥＤとしては、青色ＬＥＤチップ上に、青色ＬＥＤチップからの青色光を励起光として赤色に発光する窒化物蛍光体と緑色に発光する蛍光体を用いたものが近年用いられている。
このようなタイプの白色発光ＬＥＤとしては、青色ＬＥＤチップ上に、青色ＬＥＤチップからの青色光を励起光として赤色に発光する窒化物蛍光体と緑色に発光する蛍光体を用いたものが近年用いられている。
特に、赤色に発光する窒化物蛍光体としては、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３で表される母体に賦活剤を添加した蛍光体（以下、「ＳＣＡＳＮ蛍光体」と称する場合がある）などが開発されている（特開２００５−３３６２５３号公報、特開２００７−２９１３５２号公報）。
これらの窒化物蛍光体の発光特性を更に改良する為に、例えば、特許文献１では、蛍光体中のＣｕ含有量を一定値以下にする方法や、特許文献２では、蛍光体中の硫黄やリンの含有量を一定値以下にする方法など特定の組成領域に制御する方法が開示されている。また、特許文献３では、特定の粒径および厚さの平板状であるＳＣＡＳＮ蛍光体について開示されている。
これらの窒化物蛍光体の発光特性を更に改良する為に、例えば、特許文献１では、蛍光体中のＣｕ含有量を一定値以下にする方法や、特許文献２では、蛍光体中の硫黄やリンの含有量を一定値以下にする方法など特定の組成領域に制御する方法が開示されている。また、特許文献３では、特定の粒径および厚さの平板状であるＳＣＡＳＮ蛍光体について開示されている。
しかしながら、本発明者の検討では、特許文献１〜３に開示されているＳＣＡＳＮ蛍光体は、発光特性が不十分であるため、得られる発光装置の発光効率が不十分である場合があった。
即ち、本発明は、発光特性に優れたＳＣＡＳＮ蛍光体を提供する。また本発明は、発光効率の高い発光装置、ならびに高品質の照明装置および画像表示装置を提供する。
即ち、本発明は、発光特性に優れたＳＣＡＳＮ蛍光体を提供する。また本発明は、発光効率の高い発光装置、ならびに高品質の照明装置および画像表示装置を提供する。
本発明者等は、更なる検討を重ねた結果、Halder-Wagner法で計算されるミクロ歪みと
結晶子サイズをそれぞれ特定範囲としたＳＣＡＳＮ蛍光体とすることで上記課題を解決しうることを見出して本発明に到達した。
即ち本発明は、下記式［１］で表される結晶相を含み、Halder-Wagner法で計算される
ミクロ歪みが０．０３％以下かつ、結晶子サイズが１００ｎｍ以上であることを特徴とする蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置に存する。
結晶子サイズをそれぞれ特定範囲としたＳＣＡＳＮ蛍光体とすることで上記課題を解決しうることを見出して本発明に到達した。
即ち本発明は、下記式［１］で表される結晶相を含み、Halder-Wagner法で計算される
ミクロ歪みが０．０３％以下かつ、結晶子サイズが１００ｎｍ以上であることを特徴とする蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置に存する。
ＭａＳｒｂＣａｃＡｌｄＳｉｅＮｆ ［１］
（前記式［１］中、
Ｍは、付活元素を表し、
また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ下記の範囲の値である。
０＜ａ≦０．１５
０．５≦ｂ＜１
０＜ｃ＜０．５
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．７≦ｄ≦１．３
０．７≦ｅ≦１．３
２．５≦ｆ≦３．５）
（前記式［１］中、
Ｍは、付活元素を表し、
また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ下記の範囲の値である。
０＜ａ≦０．１５
０．５≦ｂ＜１
０＜ｃ＜０．５
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．７≦ｄ≦１．３
０．７≦ｅ≦１．３
２．５≦ｆ≦３．５）
本発明は、発光特性に優れたＳＣＡＳＮ蛍光体を提供することが可能となる。また本発明は、発光効率の高い発光装置、ならびに高品質の照明装置および画像表示装置を提供することが可能となる。
以下、本発明について実施形態や例示物を示して説明するが、本発明は以下の実施形態や例示物等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。また、本明細書中の蛍光体の組成式において、各組成式の区切りは読点（、）で区切って表わす。また、カンマ（，）で区切って複数の元素を列記する場合には、列記された元素のうち一種又は二種以上を任意の組み合わせ及び組成で含有していてもよいことを示している。例えば、「（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ」という組成式は、「ＣａＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「ＢａＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｃａ１−ｘＳｒｘＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｓｒ１−ｘＢａｘＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｃａ１−ｘＢａｘＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｃａ１−ｘ−ｙＳｒｘＢａｙＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」（但し、式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１である。）とを全て包括的に示しているものとする。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。また、本明細書中の蛍光体の組成式において、各組成式の区切りは読点（、）で区切って表わす。また、カンマ（，）で区切って複数の元素を列記する場合には、列記された元素のうち一種又は二種以上を任意の組み合わせ及び組成で含有していてもよいことを示している。例えば、「（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ」という組成式は、「ＣａＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「ＢａＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｃａ１−ｘＳｒｘＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｓｒ１−ｘＢａｘＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｃａ１−ｘＢａｘＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」と、「Ｃａ１−ｘ−ｙＳｒｘＢａｙＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ」（但し、式中、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１である。）とを全て包括的に示しているものとする。
｛蛍光体について｝
［式［１］について］
本発明のＳＣＡＳＮ蛍光体は、下記式［１］で表される結晶相を有する。
ＭａＳｒｂＣａｃＡｌｄＳｉｅＮｆ ［１］
（前記式［１］中、
Ｍは、付活元素を表し、
また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ下記の範囲の値である。
［式［１］について］
本発明のＳＣＡＳＮ蛍光体は、下記式［１］で表される結晶相を有する。
ＭａＳｒｂＣａｃＡｌｄＳｉｅＮｆ ［１］
（前記式［１］中、
Ｍは、付活元素を表し、
また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ下記の範囲の値である。
０＜ａ≦０．１５
０．５≦ｂ＜１
０＜ｃ＜０．５
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．７≦ｄ≦１．３
０．７≦ｅ≦１．３
２．５≦ｆ≦３．５）
０．５≦ｂ＜１
０＜ｃ＜０．５
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．７≦ｄ≦１．３
０．７≦ｅ≦１．３
２．５≦ｆ≦３．５）
ここで、Ｍは、付活元素を表す。付活元素としては、ユーロピウム（Ｅｕ）、マンガン（Ｍｎ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（
Ｓｍ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）を含むことが好ましく、少なくともＥｕを含むことがより好ましい。
Ｓｍ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）を含むことが好ましく、少なくともＥｕを含むことがより好ましい。
さらに、Ｅｕに加えて、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｔｂ及びＹｂよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含んでいてもよく、発光量子効率の点でＣｅがより好ましい。つまり、Ｍは、Ｅｕ及び／又はＣｅであることが更に好ましく、特に好ましくは、Ｅｕ及び／又は、Ｅｕ及びＣｅである。付活元素全体に対するユーロピウム（Ｅｕ）の割合は、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が特に好ましい。
前記式［１］において、「Ｓｒ」はストロンチウム元素を表し、「Ｃａ」はカルシウム元素を表す。Ｓｒ及びＣａは、その他の化学的性質が類似した元素、例えば、バリウム（Ｂａ）又はマグネシウム（Ｍｇ）等で一部置換されていてもよい。これら元素、例えば、Ｂａは、原料に不可避的に混入している場合や蛍光体の製造でフラックス（融剤）を用いた場合、微量に混入することがあるが、本発明はこれらを除外するものではない。
前記式［１］において、「Ａｌ」はアルミニウム元素を表す。Ａｌは、その他の化学的性質が類似した元素、例えば、ホウ素（Ｂ）又はガリウム（Ｇａ）等で一部置換されていてもよい。前記式［１］において、「Ｓｉ」はケイ素元素を表す。Ｓｉは、その他の化学的性質が類似した元素、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）等で一部置換されていてもよい。
前記式［１］において、「Ｎ」は、窒素を表す。Ｎは、一部その他の元素、例えば、酸素（Ｏ）又はハロゲン原子、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）又はヨウ素（Ｉ）等を含有していてもよい。尚、本発明における「元素の含有」には、元素が置換されている形態、元素の置換がされていないで含まれる形態の双方を意味するものである。
前記式［１］において、「Ｎ」は、窒素を表す。Ｎは、一部その他の元素、例えば、酸素（Ｏ）又はハロゲン原子、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）又はヨウ素（Ｉ）等を含有していてもよい。尚、本発明における「元素の含有」には、元素が置換されている形態、元素の置換がされていないで含まれる形態の双方を意味するものである。
酸素は、原料金属中の不純物として混入する場合や粉砕工程又は窒化工程などの製造プロセス時に導入される場合などが考えられ、本発明のＳＣＡＳＮ蛍光体においては不可避的に混入してしまうものである。
尚、蛍光体に含まれる酸素の含有量は、蛍光体の発光特性低下が容認できる範囲で通常１０質量％以下、好ましくは６質量％以下、より好ましくは４質量％以下、更に好ましくは２質量％以下である。
尚、蛍光体に含まれる酸素の含有量は、蛍光体の発光特性低下が容認できる範囲で通常１０質量％以下、好ましくは６質量％以下、より好ましくは４質量％以下、更に好ましくは２質量％以下である。
ハロゲン原子も酸素と同様に、本発明の蛍光体中に含有していてもよい。蛍光体中に、ハロゲン原子が含まれる場合、原料金属中の不純物として混入される場合、又は粉砕工程若しくは窒化工程などの製造プロセス時に導入される場合などが考えられ、特に、フラックスとしてハロゲン化物を用いる場合、蛍光体中に含まれてしまう場合がある。ハロゲン元素は、蛍光体の発光特性が容認できる点で、好ましくは１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下である。
式［１］におけるａ＋ｂ＋ｃ、ｄ、ｅ及びｆについては、下記の観点により、その元素モル比を設定することが好ましい。式［１］における元素のモル比（ａ＋ｂ＋ｃ：ｄ：ｅ：ｆ）は、化学量論組成である１：１：１：３が好ましい。実際には、２価金属若しくは酸素による欠損又は電荷補償などにより過不足が生じる。
過不足の許容範囲は、通常３割、好ましくは２割、より好ましくは１割強であり、特に好ましくは１割程度である。いずれも、蛍光体として使用可能であり、かつＳＣＡＳＮ蛍光体と同一の結晶構造を有する範囲であればよい。尚、ＳＣＡＳＮ蛍光体と同一の結晶構造であるとは、例えば、ＪＣＰＤＳカードに記載されているＳＣＡＳＮのＸＲＤピークと主要なピークが実質同じ位置であることで確認ができる。
過不足の許容範囲は、通常３割、好ましくは２割、より好ましくは１割強であり、特に好ましくは１割程度である。いずれも、蛍光体として使用可能であり、かつＳＣＡＳＮ蛍光体と同一の結晶構造を有する範囲であればよい。尚、ＳＣＡＳＮ蛍光体と同一の結晶構造であるとは、例えば、ＪＣＰＤＳカードに記載されているＳＣＡＳＮのＸＲＤピークと主要なピークが実質同じ位置であることで確認ができる。
ａの範囲は、０＜ａ≦０．１５であり、その下限値は好ましくは０．００００１、より好ましくは０．００１、更に好ましくは０．０１、またその上限値は好ましくは０．１、より好ましくは０．０５、特に好ましくは０．０１である。
ｂの範囲は、０．５≦ｂ＜１であり、その下限値は好ましくは０．６、より好ましくは０．７、更に好ましくは０．８、最も好ましくは０．８５であり、またその上限値は、好ましくは０．９９である。
ｂの範囲は、０．５≦ｂ＜１であり、その下限値は好ましくは０．６、より好ましくは０．７、更に好ましくは０．８、最も好ましくは０．８５であり、またその上限値は、好ましくは０．９９である。
ｃの範囲は、０＜ｃ＜０．５であり、その上限値は、好ましくは０．４、より好ましくは０．３、更に好ましくは０．２、最も好ましくは０．１５である。
ａ、ｂ及びｃの相互の関係は、ａ＋ｂ＋ｃ＝１を満足する。
ｄの範囲は、０．７≦ｄ≦１．３であり、その下限値は好ましくは０．８、より好ましくは０．９、またその上限値は好ましくは１．２、より好ましくは１．１である。
ａ、ｂ及びｃの相互の関係は、ａ＋ｂ＋ｃ＝１を満足する。
ｄの範囲は、０．７≦ｄ≦１．３であり、その下限値は好ましくは０．８、より好ましくは０．９、またその上限値は好ましくは１．２、より好ましくは１．１である。
ｅの範囲は、０．７≦ｅ≦１．３であり、その下限値は好ましくは０．８、より好ましくは０．９、またその上限値は好ましくは１．２、より好ましくは１．１である。
ｆの範囲は、２．５≦ｆ≦３．５であり、その下限値は好ましくは２．６、更に好ましくは２．８、またその上限値は好ましくは３．３、更に好ましくは３．１である。
［ミクロ歪みおよび結晶子サイズについて］
本発明の蛍光体は、Halder-Wagner法により計算されるミクロ歪みが、通常０．０３％
以下かつ、結晶子サイズが１００ｎｍ以上である。
ｆの範囲は、２．５≦ｆ≦３．５であり、その下限値は好ましくは２．６、更に好ましくは２．８、またその上限値は好ましくは３．３、更に好ましくは３．１である。
［ミクロ歪みおよび結晶子サイズについて］
本発明の蛍光体は、Halder-Wagner法により計算されるミクロ歪みが、通常０．０３％
以下かつ、結晶子サイズが１００ｎｍ以上である。
本発明におけるミクロ歪み（結晶格子歪み）は、蛍光体の格子面間隔の変動を示し、数値が小さいほど蛍光体結晶中の歪が少ないことを意味する。
本発明の蛍光体におけるミクロ歪みは、通常０．０３％以下、好ましくは０．０２％以下、より好ましくは０．０１％以下である。尚、ミクロ歪みの下限値は、通常０より大きい値である。
本発明の蛍光体におけるミクロ歪みは、通常０．０３％以下、好ましくは０．０２％以下、より好ましくは０．０１％以下である。尚、ミクロ歪みの下限値は、通常０より大きい値である。
本発明における結晶子サイズは、単結晶とみなせる最大の集まりの大きさを示し、数値が大きいほど結晶性が良いことを意味する。
本発明の蛍光体における結晶子サイズは、好ましくは１２０ｎｍ以上、より好ましくは１３０ｎｍ以上である。尚、上限は、通常、蛍光体の粒子サイズ以下であり、具体的には１０００ｎｍ以下である。
本発明の蛍光体における結晶子サイズは、好ましくは１２０ｎｍ以上、より好ましくは１３０ｎｍ以上である。尚、上限は、通常、蛍光体の粒子サイズ以下であり、具体的には１０００ｎｍ以下である。
（計算方法）
本発明におけるHalder-Wagner法は、例えば、「Fujio Izumi and Takuji Ikeda、先端
セラミックス研究センター年報（2014) Vol. 3、p.33-38」（参考文献１）等に記載の方法が用いられる。
結晶子サイズは、多目的パターンフィッティング・システム RIETAN-FPを用いて計算
することができる。このシステムのマニュアル「RIETAN-FP の新機能について, Rietan-FPマニュアル、P.27」（参考文献２）に示すHalder-Wagner法は、積分幅β（ピーク面積
をピーク強度で割り算した値）と入射波長λおよび回折ピークθから、以下の式により求める。
本発明におけるHalder-Wagner法は、例えば、「Fujio Izumi and Takuji Ikeda、先端
セラミックス研究センター年報（2014) Vol. 3、p.33-38」（参考文献１）等に記載の方法が用いられる。
結晶子サイズは、多目的パターンフィッティング・システム RIETAN-FPを用いて計算
することができる。このシステムのマニュアル「RIETAN-FP の新機能について, Rietan-FPマニュアル、P.27」（参考文献２）に示すHalder-Wagner法は、積分幅β（ピーク面積
をピーク強度で割り算した値）と入射波長λおよび回折ピークθから、以下の式により求める。
ここで、縦軸を(β/tanθ)2、横軸をβ/(tanθsinθ)として２次元プロットすると、近似直線の傾きから結晶子サイズＤ、縦軸の切片からミクロ歪εを求めることができる。本
方法では、回折プロファイルのフィッティング関数に依存することなく、結晶子サイズとミクロ歪を計算された全回折ピークと積分幅の統計的な値として見積もるため、非常に簡便であり数値の精度が高い。
方法では、回折プロファイルのフィッティング関数に依存することなく、結晶子サイズとミクロ歪を計算された全回折ピークと積分幅の統計的な値として見積もるため、非常に簡便であり数値の精度が高い。
尚、従来において、結晶子サイズは、X線回折パターンのプロファイルフィッティング
より得た回折ピークθと半価幅（ＦＷＨＭ）から、Cagliotiらの式とTCHの擬フォークと
関数を用いて、２次のプロファイルパラメータであるU、V、W、P、X、Xe、Y、Yeを近似的に得た後、シェラーの式を用いて算出しうることが知られている（中井 泉、泉 富士夫
編著、「粉末X線解析の実際」朝倉書店、P.164）。
より得た回折ピークθと半価幅（ＦＷＨＭ）から、Cagliotiらの式とTCHの擬フォークと
関数を用いて、２次のプロファイルパラメータであるU、V、W、P、X、Xe、Y、Yeを近似的に得た後、シェラーの式を用いて算出しうることが知られている（中井 泉、泉 富士夫
編著、「粉末X線解析の実際」朝倉書店、P.164）。
しかしながら、シェラー式を用いた算出法においては、各プロファイルパラメータは相互に強い相関があり、高精度で計算するには精密化に時間がかかる等の問題点がある。また、物理的に意味のある関数を用いるため、回折ピーク形状が非対称的な場合は精度が著しく下がるといった問題もある。
（効果を奏する理由）
本発明の蛍光体とすることで、発光特性に優れるとの効果を奏する理由について下記の通り推測する。
ＳＣＡＳＮ蛍光体においては、発光に寄与する付活元素が、結晶中で偏析することなくＳｒもしくはＣａの格子位置に置換されることが望ましい。この場合、１個の粒子の結晶成長が大きく、歪が少ないほうが、結晶中内で付活元素から発光された光を阻害することなく、効率的に外部へ取り出すことができる。また、付活元素中、例えば、Ｅｕ２＋は、青色から緑色領域に光吸収を持ち、自らの発光エネルギーを再度吸収する（再吸収効果を要する）が、付活元素間が離れるほど、その影響は小さくなる。そのため、結晶子サイズが大きく、かつミクロ歪が少ない場合、付活元素間もしくは付活元素とミクロ歪間の相互のエネルギー伝達が少なくなり、結果として1個の付活元素からの発光効率が改善され、
発光特性に優れたＳＣＡＳＮ蛍光体となる。またこのようなＳＣＡＳＮ蛍光体は、発光スペクトルの半値幅も狭いとの効果も有する。
本発明の蛍光体とすることで、発光特性に優れるとの効果を奏する理由について下記の通り推測する。
ＳＣＡＳＮ蛍光体においては、発光に寄与する付活元素が、結晶中で偏析することなくＳｒもしくはＣａの格子位置に置換されることが望ましい。この場合、１個の粒子の結晶成長が大きく、歪が少ないほうが、結晶中内で付活元素から発光された光を阻害することなく、効率的に外部へ取り出すことができる。また、付活元素中、例えば、Ｅｕ２＋は、青色から緑色領域に光吸収を持ち、自らの発光エネルギーを再度吸収する（再吸収効果を要する）が、付活元素間が離れるほど、その影響は小さくなる。そのため、結晶子サイズが大きく、かつミクロ歪が少ない場合、付活元素間もしくは付活元素とミクロ歪間の相互のエネルギー伝達が少なくなり、結果として1個の付活元素からの発光効率が改善され、
発光特性に優れたＳＣＡＳＮ蛍光体となる。またこのようなＳＣＡＳＮ蛍光体は、発光スペクトルの半値幅も狭いとの効果も有する。
｛蛍光体の物性について｝
［発光色］
本発明の蛍光体の発光色は、化学組成等を調整することにより、波長３６０ｎｍ〜４８０ｎｍといった近紫外領域〜青色領域の光で励起され、黄緑色、黄色、橙色又は赤色等、所望の発光色とすることができる。
［発光色］
本発明の蛍光体の発光色は、化学組成等を調整することにより、波長３６０ｎｍ〜４８０ｎｍといった近紫外領域〜青色領域の光で励起され、黄緑色、黄色、橙色又は赤色等、所望の発光色とすることができる。
［発光スペクトル］
蛍光体の化学組成又は付活元素の種類によって発光ピーク波長及びその形状は異なるが、例えば、本発明の蛍光体が、付活元素ＭとしてＥｕを含有する場合、橙色ないし赤色蛍光体としての用途に鑑みて、ピーク波長４５５ｎｍの光で励起した場合における発光スペクトルを測定した場合に、以下の特徴を有することが好ましい。
蛍光体の化学組成又は付活元素の種類によって発光ピーク波長及びその形状は異なるが、例えば、本発明の蛍光体が、付活元素ＭとしてＥｕを含有する場合、橙色ないし赤色蛍光体としての用途に鑑みて、ピーク波長４５５ｎｍの光で励起した場合における発光スペクトルを測定した場合に、以下の特徴を有することが好ましい。
まず、前記蛍光体は、上述の発光スペクトルにおけるピーク波長λｐ（ｎｍ）が、通常５８０ｎｍ以上、好ましくは５９０ｎｍ以上、より好ましくは６００ｎｍ以上、また、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６５０ｎｍ以下、より好ましくは６４０ｎｍ以下である。ピーク波長λｐ（ｎｍ）が前記範囲内であると、橙色ないし赤色光としての発光特性が良好である点で好ましい。
また、前記蛍光体は、上述の発光スペクトルにおける発光ピークの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ。以下適宜「ＦＷＨＭ」と略称する。）が、通常５０ｎｍ以上、また好ましくは９０ｎｍ未満、より好ましくは８５ｎｍ以下、更に
好ましくは７０ｎｍ以下である。ＦＷＨＭが前記範囲内であると、発光装置に適用した場合、該発光装置の演色性と発光効率が共に良好である点で好ましい。
好ましくは７０ｎｍ以下である。ＦＷＨＭが前記範囲内であると、発光装置に適用した場合、該発光装置の演色性と発光効率が共に良好である点で好ましい。
なお、前記蛍光体をピーク波長４５５ｎｍの光で励起するには、例えば、ＧａＮ系発光ダイオードを用いることができる。また、本発明の蛍光体の発光スペクトルの測定は、例えば、励起光源として１５０Ｗキセノンランプを、スペクトル測定装置としてマルチチャンネルＣＣＤ検出器Ｃ７０４１（浜松フォトニクス社製）を備える蛍光測定装置（日本分光社製）等を用いて行うことができる。発光ピーク波長及び発光ピークの半値幅は、得られる発光スペクトルから算出することができる。
｛蛍光体の製造方法について｝
本発明の蛍光体の製造方法としては、蛍光体原料用合金を用いる製造方法（合金法）及び原料窒化物を用いる製造方法（窒化物法）などが挙げられる。
蛍光体原料用合金を用いる製造方法としては、例えば、特開２００９−１３２９１６号公報及び国際公開２００６／１０６９４８号などの各公報に記載に準じて製造することが可能である。また、原料窒化物を用いる製造方法としては、例えば、国際公開２００５／０５２０８７号などに記載の方法が挙げられる。
本発明の蛍光体の製造方法としては、蛍光体原料用合金を用いる製造方法（合金法）及び原料窒化物を用いる製造方法（窒化物法）などが挙げられる。
蛍光体原料用合金を用いる製造方法としては、例えば、特開２００９−１３２９１６号公報及び国際公開２００６／１０６９４８号などの各公報に記載に準じて製造することが可能である。また、原料窒化物を用いる製造方法としては、例えば、国際公開２００５／０５２０８７号などに記載の方法が挙げられる。
ここで、本発明の蛍光体とするための製法上の技術思想は、ミクロ歪に起因する不純物を除去し、結晶成長が著しい焼成物の中心を選択的に得ることである。これは、各原料の純度や焼成機の焼成条件精度、例えば焼成温度、焼成時の圧力、焼成容器（るつぼ）の容量、焼成容器の形状等に依存する。
いずれの場合も、蛍光体原料用合金や原料窒化物などの蛍光体原料混合物を、るつぼに充填して、焼成してケーキを得る工程を含む。
いずれの場合も、蛍光体原料用合金や原料窒化物などの蛍光体原料混合物を、るつぼに充填して、焼成してケーキを得る工程を含む。
本発明の蛍光体とするには、前記蛍光体原料混合物をるつぼに充填し、焼成してケーキを得る工程（以下、「焼成工程」と称する場合がある）後、るつぼから取り出した該ケーキにおいて、該ケーキの表面から、ケーキ体積の５重量％以上、深さ方向に平坦に削る工程（以下、「切削工程」と称する場合がある）を含むことが好ましい。
焼成工程における、蛍光体原料混合物を充填するるつぼは、本発明の効果を損なわない限り特に制限はないが、本発明の効果が得られやすい点で、窒化ホウ素るつぼ、モリブデンるつぼであることが好ましい。
焼成工程における、蛍光体原料混合物を充填するるつぼは、本発明の効果を損なわない限り特に制限はないが、本発明の効果が得られやすい点で、窒化ホウ素るつぼ、モリブデンるつぼであることが好ましい。
切削工程における得られたケーキを削る量は、ケーキ体積に対して、通常５重量％以上、好ましくは１０重量％、より好ましくは１５重量％以上、また通常３０重量％以下である。
上記範囲内であると、本発明の効果が得られやすい点で好ましい。
尚、本発明における表面とは、焼成工程後、るつぼから取り出された蛍光体原料混合物の焼成物（ケーキ）において、表面のある一部分のみであっても、表面の全体のいずれをも意味する。
上記範囲内であると、本発明の効果が得られやすい点で好ましい。
尚、本発明における表面とは、焼成工程後、るつぼから取り出された蛍光体原料混合物の焼成物（ケーキ）において、表面のある一部分のみであっても、表面の全体のいずれをも意味する。
本発明の効果が良好に得られる点で、ケーキ表面の全体を削ることが好ましい。
また、削り方は、ケーキ表面から均一な深さで削ることが好ましい。本発明における均一な深さとは、同程度の深さを意味するものである。
尚、ケーキ表面を削る方法は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、ヤスリや彫刻刀、グラインダー等を用いて削る方法が挙げられる。尚、ケーキ表面を削る際に用いる道具は、金属製以外である方が、不純物の混入が防ぐことができる点で好ましい。
上記に切削工程後のケーキについて、更に、分級工程、洗浄工程、乾燥工程などの後処理工程を行ってもよい。
また、削り方は、ケーキ表面から均一な深さで削ることが好ましい。本発明における均一な深さとは、同程度の深さを意味するものである。
尚、ケーキ表面を削る方法は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、ヤスリや彫刻刀、グラインダー等を用いて削る方法が挙げられる。尚、ケーキ表面を削る際に用いる道具は、金属製以外である方が、不純物の混入が防ぐことができる点で好ましい。
上記に切削工程後のケーキについて、更に、分級工程、洗浄工程、乾燥工程などの後処理工程を行ってもよい。
｛蛍光体含有組成物｝
本発明の蛍光体は、液体媒体と混合して用いることもできる。特に、本発明の蛍光体を発光装置等の用途に使用する場合には、これを液体媒体中に分散させた形態で用いることが好ましい。本発明の蛍光体を液体媒体中に分散させたものを「本発明の蛍光体含有組成物」と呼ぶものとする。
本発明の蛍光体は、液体媒体と混合して用いることもできる。特に、本発明の蛍光体を発光装置等の用途に使用する場合には、これを液体媒体中に分散させた形態で用いることが好ましい。本発明の蛍光体を液体媒体中に分散させたものを「本発明の蛍光体含有組成物」と呼ぶものとする。
［蛍光体］
本発明の蛍光体含有組成物に含有させる本発明の蛍光体の種類に制限は無く、上述したものから任意に選択することができる。また、本発明の蛍光体含有組成物に含有させる本発明の蛍光体は、１種のみであってもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。更に、本発明の蛍光体含有組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、本発明の蛍光体以外の蛍光体を含有させてもよい。
本発明の蛍光体含有組成物に含有させる本発明の蛍光体の種類に制限は無く、上述したものから任意に選択することができる。また、本発明の蛍光体含有組成物に含有させる本発明の蛍光体は、１種のみであってもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。更に、本発明の蛍光体含有組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、本発明の蛍光体以外の蛍光体を含有させてもよい。
［液体媒体］
本発明の蛍光体含有組成物に使用される液体媒体としては、該蛍光体の性能を目的の範囲で損なわない限りにおいて特に限定されない。例えば、所望の使用条件下において液状の性質を示し、本発明の蛍光体を好適に分散させるとともに、好ましくない反応を生じないものであれば、任意の無機系材料及び／又は有機系材料が使用でき、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びポリイミドシリコーン樹脂などが挙げられる。
本発明の蛍光体含有組成物に使用される液体媒体としては、該蛍光体の性能を目的の範囲で損なわない限りにおいて特に限定されない。例えば、所望の使用条件下において液状の性質を示し、本発明の蛍光体を好適に分散させるとともに、好ましくない反応を生じないものであれば、任意の無機系材料及び／又は有機系材料が使用でき、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びポリイミドシリコーン樹脂などが挙げられる。
［液体媒体及び蛍光体の含有率］
本発明の蛍光体含有組成物中の蛍光体及び液体媒体の含有率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、液体媒体については、本発明の蛍光体含有組成物全体に対して、通常５０質量％以上、好ましくは７５質量％以上であり、通常９９質量％以下、好ましくは９５質量％以下である。
本発明の蛍光体含有組成物中の蛍光体及び液体媒体の含有率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、液体媒体については、本発明の蛍光体含有組成物全体に対して、通常５０質量％以上、好ましくは７５質量％以上であり、通常９９質量％以下、好ましくは９５質量％以下である。
［その他の成分］
なお、本発明の蛍光体含有組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、蛍光体及び液体媒体以外に、その他の成分を含有させてもよい。また、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
なお、本発明の蛍光体含有組成物には、本発明の効果を著しく損なわない限り、蛍光体及び液体媒体以外に、その他の成分を含有させてもよい。また、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
｛発光装置｝
本発明の発光装置（以下、適宜「発光装置」という）は、第１の発光体（励起光源）と、当該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発する第２の発光体とを備える発光装置であって、該第２の発光体は本発明の蛍光体の１種以上を、第１の蛍光体として含有するものである。ここで、本発明の蛍光体は、何れか１種を単独で使用してもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本発明の発光装置（以下、適宜「発光装置」という）は、第１の発光体（励起光源）と、当該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発する第２の発光体とを備える発光装置であって、該第２の発光体は本発明の蛍光体の１種以上を、第１の蛍光体として含有するものである。ここで、本発明の蛍光体は、何れか１種を単独で使用してもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本発明の蛍光体としては、例えば、励起光源からの光の照射下において、黄色ないし赤色領域の蛍光を発する蛍光体を使用する。具体的には、発光装置を構成する場合、本発明の橙色ないし赤色蛍光体としては、５８０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲に発光ピークを有するものが好ましい。尚、励起光源については、４２０ｎｍ未満の波長範囲に発光ピークを有するものを用いてもよい。
以下、本発明の蛍光体が、５８０〜７００ｎｍの波長範囲に発光ピークを有し、且つ第１の発光体が４２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有するものを用いる場合の、発光装置の態様について記載するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
前記の場合、本発明の発光装置は、例えば、次の（Ａ）又は（Ｂ）の態様とすることが
できる。
（Ａ）第１の発光体として、４２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有するものを用い、第２の発光体の第２の蛍光体として、５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の波長範囲に発光ピークを有する少なくとも１種の蛍光体（黄色蛍光体）、及び第１の蛍光体として本発明の蛍光体を用いる態様。
（Ｂ）第１の発光体として、４２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有するものを用い、第２の発光体の第２の蛍光体として、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ未満の波長範囲に発光ピークを有する少なくとも１種の蛍光体（緑色蛍光体）、及び第１の蛍光体として本発明の蛍光体を用いる態様。
前記の場合、本発明の発光装置は、例えば、次の（Ａ）又は（Ｂ）の態様とすることが
できる。
（Ａ）第１の発光体として、４２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有するものを用い、第２の発光体の第２の蛍光体として、５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の波長範囲に発光ピークを有する少なくとも１種の蛍光体（黄色蛍光体）、及び第１の蛍光体として本発明の蛍光体を用いる態様。
（Ｂ）第１の発光体として、４２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有するものを用い、第２の発光体の第２の蛍光体として、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ未満の波長範囲に発光ピークを有する少なくとも１種の蛍光体（緑色蛍光体）、及び第１の蛍光体として本発明の蛍光体を用いる態様。
［黄色蛍光体］
前記（Ａ）の態様における黄色蛍光体としては、例えば、下記の蛍光体が好ましい。
ガーネット系蛍光体としては、例えば、（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｌａ）３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：（Ｃｅ，Ｅｕ，Ｎｄ）が挙げられる。オルソシリケートとしては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：（Ｅｕ，Ｃｅ）が挙げられる。
前記（Ａ）の態様における黄色蛍光体としては、例えば、下記の蛍光体が好ましい。
ガーネット系蛍光体としては、例えば、（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｌａ）３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：（Ｃｅ，Ｅｕ，Ｎｄ）が挙げられる。オルソシリケートとしては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：（Ｅｕ，Ｃｅ）が挙げられる。
（酸）窒化物蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ（ＳＩＯＮ系蛍光体）、（Ｌｉ，Ｃａ）２（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：（Ｃｅ，Ｅｕ）（α−サイアロン蛍光体）、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉ４（Ｏ，Ｎ）７：（Ｃｅ，Ｅｕ）（１１４７蛍光体）、（Ｌａ，Ｃａ，Ｙ）３（Ａｌ，Ｓｉ）６Ｎ１１：Ｃｅ（ＬＳＮ蛍光体）などが挙げられる。
尚、前記蛍光体においては、ガーネット系蛍光体が好ましく、中でも、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅで表されるＹＡＧ系蛍光体が最も好ましい。
尚、前記蛍光体においては、ガーネット系蛍光体が好ましく、中でも、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅで表されるＹＡＧ系蛍光体が最も好ましい。
［緑色蛍光体］
前記（Ｂ）の態様における緑色蛍光体としては、例えば、下記の蛍光体が好ましい。
ガーネット系蛍光体としては、例えば、（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｌａ）３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：（Ｃｅ，Ｅｕ，Ｎｄ）及びＣａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：（Ｃｅ，Ｅｕ）（ＣＳＭＳ）が挙げられる。シリケート系蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）３ＳｉＯ１０：（Ｅｕ，Ｃｅ）及び（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：（Ｃｅ，Ｅｕ）（ＢＳＳ蛍光体）が挙げられる。
前記（Ｂ）の態様における緑色蛍光体としては、例えば、下記の蛍光体が好ましい。
ガーネット系蛍光体としては、例えば、（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｌａ）３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：（Ｃｅ，Ｅｕ，Ｎｄ）及びＣａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：（Ｃｅ，Ｅｕ）（ＣＳＭＳ）が挙げられる。シリケート系蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）３ＳｉＯ１０：（Ｅｕ，Ｃｅ）及び（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：（Ｃｅ，Ｅｕ）（ＢＳＳ蛍光体）が挙げられる。
酸化物蛍光体としては、例えば、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）（Ｓｃ，Ｚｎ）２Ｏ４：（Ｃｅ，Ｅｕ）（ＣＡＳＯ蛍光体）が挙げられる。（酸）窒化物蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：（Ｅｕ，Ｃｅ）、Ｓｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−Ｚ：（Ｅｕ，Ｃｅ）（β−サイアロン蛍光体）（０＜ｚ≦１）、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｌａ）３（Ｓｉ，Ａｌ）６Ｏ１２Ｎ２：（Ｅｕ，Ｃｅ）（ＢＳＯＮ蛍光体）が挙げられる。
アルミネート蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２Ａｌ１０Ｏ１７：（Ｅｕ，Ｍｎ）（ＧＢＡＭ系蛍光体）が挙げられる。
アルミネート蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２Ａｌ１０Ｏ１７：（Ｅｕ，Ｍｎ）（ＧＢＡＭ系蛍光体）が挙げられる。
［発光装置の構成］
本発明の発光装置は、第１の発光体（励起光源）を有し、且つ、第２の発光体として少なくとも本発明の蛍光体を使用している他は、その構成は制限されず、公知の装置構成を任意にとることが可能である。装置構成及び発光装置の実施形態としては、例えば、特開２００７−２９１３５２号公報に記載のものが挙げられる。その他、発光装置の形態としては、例えば、砲弾型、カップ型、チップオンボード及びリモートフォスファー等が挙げられる。
本発明の発光装置は、第１の発光体（励起光源）を有し、且つ、第２の発光体として少なくとも本発明の蛍光体を使用している他は、その構成は制限されず、公知の装置構成を任意にとることが可能である。装置構成及び発光装置の実施形態としては、例えば、特開２００７−２９１３５２号公報に記載のものが挙げられる。その他、発光装置の形態としては、例えば、砲弾型、カップ型、チップオンボード及びリモートフォスファー等が挙げられる。
｛発光装置の用途｝
本発明の発光装置の用途は特に制限されず、通常の発光装置が用いられる各種の分野に使用することが可能であるが、色再現範囲が広く且つ演色性も高いことから、中でも照明装置又は画像表示装置の光源として、とりわけ好ましく用いられる。
本発明の発光装置の用途は特に制限されず、通常の発光装置が用いられる各種の分野に使用することが可能であるが、色再現範囲が広く且つ演色性も高いことから、中でも照明装置又は画像表示装置の光源として、とりわけ好ましく用いられる。
｛照明装置｝
本発明の発光装置を照明装置に適用する場合には、前述のような発光装置を公知の照明装置に適宜組み込んで用いればよい。例えば、保持ケースの底面に多数の発光装置を並べた面発光照明装置等を挙げることができる。
本発明の発光装置を照明装置に適用する場合には、前述のような発光装置を公知の照明装置に適宜組み込んで用いればよい。例えば、保持ケースの底面に多数の発光装置を並べた面発光照明装置等を挙げることができる。
｛画像表示装置｝
本発明の発光装置を画像表示装置の光源として用いる場合には、その画像表示装置の具体的構成に制限は無いが、カラーフィルターとともに用いることが好ましい。例えば、画像表示装置として、カラー液晶表示素子を利用したカラー画像表示装置とする場合は、上記発光装置をバックライトとし、液晶を利用した光シャッターと赤、緑及び青の画素を有するカラーフィルターとを組み合わせることにより画像表示装置を形成することができる。
本発明の発光装置を画像表示装置の光源として用いる場合には、その画像表示装置の具体的構成に制限は無いが、カラーフィルターとともに用いることが好ましい。例えば、画像表示装置として、カラー液晶表示素子を利用したカラー画像表示装置とする場合は、上記発光装置をバックライトとし、液晶を利用した光シャッターと赤、緑及び青の画素を有するカラーフィルターとを組み合わせることにより画像表示装置を形成することができる。
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、下記の実施例に限定されるものではない。
｛測定方法｝
［色度測定］
発光スペクトルを、室温（２５℃）において、励起光源として１５０Ｗキセノンランプを、スペクトル測定装置としてマルチチャンネルＣＣＤ検出器Ｃ７０４１（浜松フォトニクス社製）を備える蛍光測定装置ＦＰ６５００（日本分光社製）を用いて測定した。
ｘ、ｙ表色系（ＣＩＥ １９３１表色系）の色度座標は、上述の方法で得られた発光スペクトルの４８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長領域のデータから、ＪＩＳ Ｚ８７２４（１９９７年）に準じた方法で、ＪＩＳ Ｚ８７０１（１９９９年）で規定されるＸＹＺ表色系における色度座標ｘとｙとして算出した。
［色度測定］
発光スペクトルを、室温（２５℃）において、励起光源として１５０Ｗキセノンランプを、スペクトル測定装置としてマルチチャンネルＣＣＤ検出器Ｃ７０４１（浜松フォトニクス社製）を備える蛍光測定装置ＦＰ６５００（日本分光社製）を用いて測定した。
ｘ、ｙ表色系（ＣＩＥ １９３１表色系）の色度座標は、上述の方法で得られた発光スペクトルの４８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長領域のデータから、ＪＩＳ Ｚ８７２４（１９９７年）に準じた方法で、ＪＩＳ Ｚ８７０１（１９９９年）で規定されるＸＹＺ表色系における色度座標ｘとｙとして算出した。
［ミクロ歪みおよび結晶子サイズ］
前記した参考文献１および２に記載の方法に準じて、Halder-Wagner法による結晶子サ
イズおよびミクロ歪みの計算は粉末X線回折装置X’Pert Pro MPD（PANalytical社製）を
用いて粉末X線回折（ＸＲＤ）スペクトルのデータを得た後、解析ソフトウェアRITAN-FP Ver. 2.71を用いて行った。
前記した参考文献１および２に記載の方法に準じて、Halder-Wagner法による結晶子サ
イズおよびミクロ歪みの計算は粉末X線回折装置X’Pert Pro MPD（PANalytical社製）を
用いて粉末X線回折（ＸＲＤ）スペクトルのデータを得た後、解析ソフトウェアRITAN-FP Ver. 2.71を用いて行った。
測定条件は、下記の通りである。
ＣｕＫα線封入式Ｘ線管球使用
ゴニオ半径＝２４０ｍｍ
入射側スリット＝１０ｍｍ
ソーラースリット＝０．０４ｒａｄ
ステップ幅＝０．００８°
操作範囲２θ＝１０〜１５０°
ＣｕＫα線封入式Ｘ線管球使用
ゴニオ半径＝２４０ｍｍ
入射側スリット＝１０ｍｍ
ソーラースリット＝０．０４ｒａｄ
ステップ幅＝０．００８°
操作範囲２θ＝１０〜１５０°
｛蛍光体の製造｝
（実施例１）
組成がＣａ０．０５０Ｓｒ０．９４４Ｅｕ０．００６ＡｌＳｉであるＣａ−Ｓｒ−Ｅｕ−Ａｌ−Ｓｉ合金を粉砕後ＢＮ坩堝に入れ、窒素雰囲気中２００ＭＰａ、１９５０℃で２時間焼成した。得られた焼成ケーキの表面を、ケーキ体積に対して、１５重量％削った後
、乳鉢で粉砕した。次いで、０．５Ｎ−ＨＣｌで１時間洗浄した後、水洗、乾燥等の工程を得て、実施例１の蛍光体を得た。
（実施例１）
組成がＣａ０．０５０Ｓｒ０．９４４Ｅｕ０．００６ＡｌＳｉであるＣａ−Ｓｒ−Ｅｕ−Ａｌ−Ｓｉ合金を粉砕後ＢＮ坩堝に入れ、窒素雰囲気中２００ＭＰａ、１９５０℃で２時間焼成した。得られた焼成ケーキの表面を、ケーキ体積に対して、１５重量％削った後
、乳鉢で粉砕した。次いで、０．５Ｎ−ＨＣｌで１時間洗浄した後、水洗、乾燥等の工程を得て、実施例１の蛍光体を得た。
（比較例１）
実施例１において、焼成ケーキの表面を削らなかった他は、実施例１と同様にして比較例１の蛍光体を得た。
実施例１の蛍光体および比較例１の蛍光体について、ＸＲＤ測定を行った後、ＲＩＴＡＮ−ＦＰによって得られたHalder-Wagnerプロットをそれぞれ図１および２に示した。
得られたHalder-Wagnerプロット図１および２より、近時直線の傾きから結晶子サイズＤ
、縦軸の切片からミクロ歪εを求めた結果を表１に示した。
また、実施例１の蛍光体および比較例１の蛍光体について、発光特性を測定した結果を表１に示した。
実施例１において、焼成ケーキの表面を削らなかった他は、実施例１と同様にして比較例１の蛍光体を得た。
実施例１の蛍光体および比較例１の蛍光体について、ＸＲＤ測定を行った後、ＲＩＴＡＮ−ＦＰによって得られたHalder-Wagnerプロットをそれぞれ図１および２に示した。
得られたHalder-Wagnerプロット図１および２より、近時直線の傾きから結晶子サイズＤ
、縦軸の切片からミクロ歪εを求めた結果を表１に示した。
また、実施例１の蛍光体および比較例１の蛍光体について、発光特性を測定した結果を表１に示した。
表１に示すが如く、本発明の蛍光体は発光輝度が高い。より具体的には、比較例１の蛍光体の発光輝度は１００％であるのに対して、実施例１の蛍光体の発光輝度は１０６％であり、６ポイントと大幅に輝度が向上されている。
Claims (7)
- 下記式［１］で表される結晶相を含み、
Halder-Wagner法で計算されるミクロ歪みが０．０３％以下かつ、結晶子サイズが１０
０ｎｍ以上であることを特徴とする、蛍光体。
ＭａＳｒｂＣａｃＡｌｄＳｉｅＮｆ ［１］
（前記式［１］中、
Ｍは、付活元素を表し、
また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ下記の範囲の値である。
０＜ａ≦０．１５
０．５≦ｂ＜１
０＜ｃ＜０．５
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
０．７≦ｄ≦１．３
０．７≦ｅ≦１．３
２．５≦ｆ≦３．５） - 更に、酸素を含む請求項１に記載の蛍光体。
- ３５０ｎｍ以上、４６０ｎｍ以下の波長を有する励起光を照射することにより、５８０ｎｍ以上、７００ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の蛍光体。
- 発光スペクトルにおける半値幅が、９０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蛍光体。
- 第１の発光体と、該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発する第２の発光体とを備え、
該第２の発光体が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の蛍光体の１種以上を、第１の蛍光体として含む発光装置。 - 請求項５に記載の発光装置を光源として含む照明装置。
- 請求項５に記載の発光装置を光源として含む画像表示装置。
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