JP2017154933A - 板ガラスおよびその製造方法 - Google Patents

板ガラスおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017154933A
JP2017154933A JP2016040101A JP2016040101A JP2017154933A JP 2017154933 A JP2017154933 A JP 2017154933A JP 2016040101 A JP2016040101 A JP 2016040101A JP 2016040101 A JP2016040101 A JP 2016040101A JP 2017154933 A JP2017154933 A JP 2017154933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate glass
notch
glass
manufacturing
support surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016040101A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6664658B2 (ja
Inventor
裕貴 片山
Yuki Katayama
裕貴 片山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority to JP2016040101A priority Critical patent/JP6664658B2/ja
Priority to US16/064,041 priority patent/US10773994B2/en
Priority to CN201680070288.7A priority patent/CN108290777B/zh
Priority to PCT/JP2016/085974 priority patent/WO2017149877A1/ja
Priority to KR1020187010081A priority patent/KR102614200B1/ko
Priority to TW105142273A priority patent/TWI663136B/zh
Publication of JP2017154933A publication Critical patent/JP2017154933A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6664658B2 publication Critical patent/JP6664658B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C03C15/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching for making a smooth surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B24B41/047—Grinding heads for working on plane surfaces
    • B24B41/053—Grinding heads for working on plane surfaces for grinding or polishing glass

Abstract

【課題】板ガラスに設けた切欠き部に漏れなく安定した加工を施すことで板ガラスの強度を向上させる。【解決手段】周縁部Ｇａに切欠き部Ｇｂを有する円盤状の板ガラスＧを製造する方法において、切欠き部Ｇｂにエッチング処理を施すものである。【選択図】図１３

Description

本発明は、周縁部に切欠き部を有する板ガラスおよびその製造方法に関する。
例えば半導体ウェハの製造プロセス中、半導体ウェハを支持する部材に板ガラスが用いられることがある。この際、半導体ウェハには、その結晶方位を所定の向きに合わせるためにノッチと呼ばれる切欠き部が設けられており、この切欠き部に対して研磨加工が施されるのが一般的である。
例えば特許文献１には、半導体ウェハの切欠き部に対して研磨加工を施すための方法が開示されている。この研磨方法は、不織布等で形成された円板状の研磨工具を回転させながら、研磨対象となる半導体ウェハの切欠き部に押し当てることで、当該切欠き部を研磨工具の凸状外周部に対応する形状に研磨するものである（段落００２７、図２〜図４）。
特開２００５−１１８９０３号公報
ところで、半導体ウェハの支持用に板ガラスを用いる場合、板ガラスにも位置合わせ用の切欠き部を設ける必要がある。ガラスは一般的に脆性であるため、半導体製造工程において支持用板ガラスを使用した際に、当該板ガラスが切欠き部から破損するおそれがあった。そのため、この板ガラスの強度を向上するために、板ガラスの切欠き部に対しても研磨加工を施すことが考えられる。しかしながら、研磨工具を用いた研磨加工では切欠き部の表面を十分に平滑な状態とすることができず、支持用板ガラスとして十分な強度を得られない場合があった。すなわち、従来の半導体製造工程において支持用板ガラスを使用した際に、当該板ガラスが破損するおそれがあった。
また、板ガラスの切欠き部に角部があると、どうしても割れを生じ易くなるため、例えば角部をＲ面などの滑らかな曲面形状とすることも考えられる。しかしながら、この場合には、切欠き部の三次元形状がより複雑化するため、特許文献１に記載の如き形態の研磨工具では切欠き部の表面を漏れなく研磨することが難しい。
本発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであり、板ガラスに設けた切欠き部に漏れなく安定した加工を施すことで板ガラスの強度を向上させることを解決すべき技術的課題とする。
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、周縁部に切欠き部を有する円盤状の板ガラスを製造する方法において、前記切欠き部にエッチング処理を施すことを特徴とする。このように、切欠き部にエッチング処理を施すことにより、切欠き部の表面全体を漏れなく平滑化することができる。したがって、板ガラスの強度を向上させることができる。また、切欠き部を漏れなく安定して加工を施すことができる。
本発明に係る板ガラスの製造方法では、前記切欠き部の位置を揃えて複数の前記板ガラスを積層し、前記切欠き部にエッチング処理を施すことが望ましい。このように、切欠き部の位置を揃えた状態で複数の板ガラスを積層させることで、各切欠き部のエッチング処理を連続的又は同時に行うことができ、板ガラスを効率良く製造することが可能になる。
本発明に係る板ガラスの製造方法では、前記複数の板ガラスにおける前記切欠き部の位置を位置決め部材により揃えることが望ましい。これによれば、位置決め部材を複数の切欠き部に接触させることにより、複数の板ガラスの切欠き部の位置を精度良く揃えることが可能になる。
本発明に係る板ガラスの製造方法では、前記複数の板ガラスを載置する載置台に前記位置決め部材を着脱自在又は移動可能に取り付けることが望ましい。このように、位置決め部材は、載置台に取り付けられることにより、定位置にて効率良く切欠き部の位置決めを行うことができる。この位置決めが終了すると、位置決め部材は、載置台から取り外され、またはその位置が変更されることで、切欠き部から離れることになる。したがって、位置決め部材が邪魔にならずに、良好なエッチング処理を切欠き部に施すことが可能になる。
本発明に係る板ガラスの製造方法では、前記載置台は、前記板ガラスが載置される支持面を有し、前記支持面は、水平方向に対して傾斜状に配置されることが望ましい。このように、載置台の支持面を傾斜状に配置することにより、板ガラスをこの支持面に載置させ易くなり、支持面に対する板ガラスの積層作業を効率良く行うことが可能になる。
本発明に係る板ガラスの製造方法では、前記複数の板ガラスの間に保護層を形成することが望ましい。このように板ガラスの間に保護層を形成することにより、板ガラスの表面がエッチング液により浸食されることを防止できる。
また、前記保護層は、液体により構成されてなることが望ましい。保護層を液体により構成すれば、保護層の形成を迅速に行うことができ、しかもエッチング処理が終了した際に、積層されている板ガラスを容易に剥離させることが可能である。
本発明に係る板ガラスの製造方法では、前記板ガラスの前記切欠き部と、前記切欠き部を除く前記板ガラスの前記周縁部とにエッチング処理を施すことが望ましい。このように、板ガラスの切欠き部のみならず、その周縁部にもエッチング処理を施すことで、板ガラスの全体的な強度を向上させることが可能になる。
本発明の板ガラスは、周縁部に切欠き部を有する円盤状の板ガラスであって、主表面が非エッチング面からなり、切欠き部がエッチング面からなることを特徴とする。このような構成によれば、例えば、当該板ガラスを半導体支持用途に用いた場合に、半導体製造工程における破損を抑制できる。
本発明によれば、板ガラスに設けた切欠き部に漏れなく安定した加工を施すことで板ガラスの強度を向上させることが可能になる。
板ガラスの製造方法に使用される保持具の分解側面図である。 保持具の第一部材を示す平面図である。 保持具の第二部材を示す平面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。 板ガラスの製造方法に係る一工程を示す側面図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。図１乃至図１３は、本発明に係る板ガラスの製造方法の一実施形態を示す。
図１は、本方法を実施するために使用される、板ガラスの保持具を示す。保持具１は、複数の板ガラスＧが載置される第一部材２と、複数の板ガラスＧが載置された第一部材２に重ねられる第二部材３とを備える。なお、板ガラスＧは、図２に示すように、円盤状に構成されるとともに、その周縁部Ｇａの一部にノッチと呼ばれる切欠き部Ｇｂが形成されてなるものである。
図１及び図２に示すように、第一部材２は、板ガラスＧが載置される本体部４と、本体部４に載置される板ガラスＧに対して位置決めを行う位置決め部５と、第一部材２と第二部材３とを連結するための連結部６とを備える。
本体部４は、長方形状の板部材により構成される。本体部４は、板ガラスＧが積載される支持面７を有する。支持面７は、板ガラスＧを２列に積層させて支持するように長方形状に構成されている。また、支持面７は、位置決め部５を着脱自在に支持する複数（本例では三つ）の穴部８を有する。
位置決め部５は、本体部４の支持面７に着脱自在に取り付けられる複数の位置決めピン５ａ〜５ｃを含む。本実施形態では、支持面７に対して、三本の位置決めピン５ａ〜５ｃを一組とし、合計二組の位置決めピン５ａ〜５ｃが配置されている。一組の位置決めピン５ａ〜５ｃは、板ガラスＧの切欠き部Ｇｂの位置決めを行う第一位置決めピン５ａ、板ガラスＧの周縁部Ｇａの位置決めを行う、第二位置決めピン５ｂおよび第三位置決めピン５ｃを含む。図１に示すように、各位置決めピン５ａ〜５ｃは、その一端部が支持面７の穴部８に挿入されて立位状態となっている。
図１に示すように、連結部６は、本体部４の支持面７から突出する複数の棒状部材６ａを有する。この棒状部材６ａは、ねじ部材からなり、その全長に亘って雄ねじ部を有する。また、連結部６は、この棒状部材６ａの雄ねじ部に嵌め込まれるナット６ｂを有する。
図２に示すように、連結部６を構成する複数の棒状部材６ａは、本体部４の支持面７に載置される板ガラスＧを囲むように、環状に配置される。具体的には、連結部６は、２列に積層される板ガラスＧに対応して、本体部４の支持面７の二箇所に環状配置されている。棒状部材６ａによって構成される環の直径（棒状部材６ａに内接する円の直径）は、板ガラスＧの直径よりも大きくなるように設定される。これにより、第一部材２に板ガラスＧが積載されたときに、各棒状部材６ａは、板ガラスＧの周縁部Ｇａから離れて位置し、後述するエッチング処理の際に、この周縁部Ｇａに接触することはない。
図３に示すように、第二部材３は、第一部材２と同様に長方形状の板部材により構成される。第二部材３は、位置決め部５の各位置決めピン５ａ〜５ｃを挿通可能な第一貫通孔９と、連結部６の棒状部材６ａを挿通可能な第二貫通孔１０とを有する。また、第二部材３は、保持具１を操作するための把持部１１を有する。
以下、上記構成の保持具１を利用して板ガラスＧを製造する方法について説明する。
板ガラスＧは、例えば、母材ガラスから切削加工、研削加工により周縁部Ｇａを有する円形ガラスを形成した後、この周縁部Ｇａの一部に、切削加工、研削加工を施して切欠き部Ｇｂを形成することにより得られる。なお、板ガラスＧの表面、周縁部Ｇａ、及び切欠き部Ｇｂは、以下に説明するエッチング処理の前に、研磨砥石や研磨テープ等の研磨工具を用いて研磨加工されても良い。
その後、板ガラスＧは、第一部材２の支持面７に載置される。本実施形態において、第一部材２は、板ガラスＧを積層するための載置台として使用される。
最初の板ガラスＧが支持面７に載置される前に、ダミーガラスＤＧが支持面７に載置される（図４参照）。ダミーガラスＤＧは、板ガラスＧとほぼ同一形状を有することが望ましい。すなわち、ダミーガラスＤＧは、その周縁部に切欠き部Ｇｂを有するものである。支持面７にダミーガラスＤＧが載置されると、図５乃至図７に示すように、ダミーガラスＤＧの上に複数の板ガラスＧが順次積層される。
第一部材２は、図５に示すように、所定の設置台１２に載置される。設置台１２と第一部材２との間には、スペーサ１３が配置されている。このスペーサ１３は、第一部材２の本体部４における短手方向の一端部４ａの下面を支持している。これにより、第一部材２の本体部４における支持面７は、短手方向における一端部４ａの位置が高く、他端部４ｂの位置が低くなるように傾斜する。これによる支持面７の水平方向に対する傾斜角度は、４５°以下とされることが望ましい。
その後、図７（ａ）に示すように、ダミーガラスＤＧの表面に所定の液体Ｌ（例えば水）が塗布され、その後、図７（ｂ）に示すように、ダミーガラスＤＧの上に最初の板ガラスＧが重ねられる。これにより、図７（ｃ）に示すように、ダミーガラスＤＧと板ガラスＧとの間に、液体Ｌによる膜が形成される。この液体Ｌによる膜は、後述するエッチング処理の際に、ダミーガラスＤＧと板ガラスＧとの間にエッチング液が侵入することを防止し、板ガラスＧの表面を保護する層（保護層１４）として機能する。
板ガラスＧを積層する際には、各板ガラスＧの間にもこの液体Ｌによる保護層１４が形成される。図８に示すように、所定数（図例では五枚）の板ガラスＧが積層されると、最上部に位置する板ガラスＧの上に、ダミーガラスＤＧが積層される。このダミーガラスＤＧと最上部に位置する板ガラスＧとの間にも保護層１４が形成される。
板ガラスＧを積層する際には、本体部４の支持面７に対して環状に配置されてなる連結部６の棒状部材６ａが目印となり、作業者は、この連結部６における環の内側に向かって板ガラスＧを移動させることで、その設置を容易に行うことができる。また、板ガラスＧを支持面７に載置する際に、連結部６に板ガラスＧを接触させ、ガイドとして板ガラスＧを設置位置へと案内させてもよい。
作業者は、板ガラスＧを第一位置決めピン５ａ、第二位置決めピン５ｂ、及び第三位置決めピン５ｃに当接させながら、板ガラスＧを第一部材２の支持面７上に積層させる。具体的には、作業者は、板ガラスＧの切欠き部Ｇｂを第一位置決めピン５ａに接触させ、第二位置決めピン５ｂ及び第三位置決めピン５ｃを板ガラスＧの周縁部Ｇａに接触させる。これにより第一部材２の支持面７上に積層される複数の板ガラスＧは、各切欠き部Ｇｂの位置が揃った状態で位置決めされる。これにより、積層された板ガラスＧは、切欠き部Ｇｂの位置ずれが生じることがないため、その表面が露出することがない。なお、第一位置決めピン５ａは切欠き部Ｇｂの形状に対応し、切欠き部Ｇｂと係合する形状で構成されることが好ましい。本実施形態では、切欠き部Ｇｂが平面視丸凹形状に形成されているので、第一位置決めピン５ａは切欠き部Ｇｂの寸法に応じた径の円柱状に構成されている。
設置台１２に設置されるスペーサ１３により、第一部材２の支持面７は、傾斜状に配置されていることから（図５参照）、板ガラスＧを載置し易い姿勢となっている。すなわち、例えば第一部材２の短手方向における他端部４ｂ側から作業者が板ガラスＧを支持面７に載置する場合、支持面７は、作業者に近づくように傾斜配置されることになるため、板ガラスＧの支持面７への積層作業を容易に行うことができる。
しかも、この支持面７に支持される各位置決めピン５ａ〜５ｃは、支持面７の傾斜に応じて傾斜することになる。この場合、第一部材２の短手方向における他端部４ｂ側から作業者が板ガラスＧを支持面７に載置する際に、各位置決めピン５ａ〜５ｃは、その先端部が作業者に向かうように傾斜することになる。したがって、作業者は、板ガラスＧを支持面７に載置する際に、各位置決めピン５ａ〜５ｃに板ガラスＧを容易に接触させることができ、板ガラスＧの積層作業を一層容易に行うことができる。
その後、図９、図１０に示すように、第一部材２に第二部材３が重ねられる。第二部材３は、積層された板ガラスＧの最上部に位置するダミーガラスＤＧに接触する。また、第一部材２の位置決めピン５ａ〜５ｃの先端が、第二部材３の第一貫通孔９に挿通され、連結部６に係る棒状部材６ａの先端部が、第二部材３の第二貫通孔１０に挿通される（図１０参照）。
第二部材３が設置されると、図１０に示すように、位置決め部５の先端部及び連結部６に係る棒状部材６ａの先端部が、第二部材３の各貫通孔９，１０から突出した状態となる。この状態で、図１１に示すように、棒状部材６ａの先端部にナット６ｂが嵌め込まれる。
ナット６ｂを十分に締め付けることで、第二部材３は、積層された板ガラスＧを適切な力で押圧した状態で、第一部材２と連結される。図１２に示すように、第一部材２と第二部材３の連結が完了すると、第一位置決めピン５ａ、第二位置決めピン５ｂ及び第三位置決めピン５ｃは、保持具１から取り外される。この場合、各位置決めピン５ａ〜５ｃは、その一端部が第二部材３の第一貫通孔９から突出していることから、その一端部を摘まんで引き抜くことにより、保持具１から容易に取り外すことができる。
その後、作業者は、把持部１１に手を掛けて保持具１を持ち上げるとともに、エッチング液ＥＬが貯留されたエッチング槽１５に、保持具１を浸漬させる（図１３参照）。エッチング液ＥＬとしては、例えばフッ酸と塩酸とを含む混酸が使用され得るが、これに限定されるものではない。保持具１によって積層されたままで保持される各板ガラスＧは、エッチング槽１５内で、その周縁部Ｇａ及び切欠き部Ｇｂにエッチング処理が施される。
所定時間のエッチング処理の後、保持具１は、エッチング槽１５から引き上げられる。保持具１に保持されていた複数の板ガラスＧは、保持具１から取り出された後、その表面に仕上げの研磨加工が施される。その後、洗浄工程を経て、切欠き部Ｇｂにエッチング処理が施された板ガラスＧが完成する。完成した板ガラスＧは、その主表面が非エッチング面となり、切欠き部Ｇｂと、この切欠き部Ｇｂを除く周縁部Ｇとにエッチング面が形成されることになる。
以上説明した本発明に係る板ガラスＧの製造方法によれば、切欠き部Ｇｂにエッチング処理を施すことにより、漏れなく安定した加工を切欠き部Ｇｂの全域に施すことで、板ガラスＧの強度を向上させることができる。したがって、板ガラスＧ（切欠き部Ｇｂ）の耐久性、寿命を大幅に向上させることができる。さらに、複数の板ガラスＧを積層して保持具１にて保持した状態で、エッチング処理を行うため、その処理を効率良く行うことができる。
第一位置決めピン５ａによって、積層される複数の板ガラスＧの各切欠き部Ｇｂを同じ位置に揃えることにより、各板ガラスＧは、その表面が露出することなく積層することになり、エッチング処理の際に板ガラスＧの表面がエッチング液ＥＬに接触することもない。しかも、板ガラスＧの間に保護層１４を形成することによって、板ガラスＧは、その表面がエッチング液ＥＬに浸食されることなく、切欠き部Ｇｂを含む周縁部Ｇａのみがエッチング処理される。
第一部材２に配される連結部６に係る複数の棒状部材６ａは、積層された板ガラスＧの周りを囲むように環状に配置されることから、連結部６（棒状部材６ａ、ナット６ｂ）によって第二部材３を第一部材２に連結したときに、積層配置された複数の板ガラスＧに適度な押圧力を均一に付与することができる。これにより、各板ガラスＧは、各位置決めピン５ａ〜５ｃを取り外した後も、その位置がずれることなく保持具１に保持されることになる。
本発明者は、本発明の効果を確認するための試験を行った。この試験では、ダイヤモンドツールを使用して切欠き部を研磨してなる板ガラスを比較例１とし、切欠き部を研磨テープで研磨してなる板ガラスを比較例２とし、切欠き部にエッチング処理を施した板ガラスを実施例とした。比較例１、比較例２及び実施例について四点曲げ強度試験を実施し、その強度を比較した。
板ガラスは、直径３００ｍｍ、厚さ１．０ｍｍのものを使用し、載荷点の間隔を１００ｍｍ、支点の間隔を２００ｍｍ、クロスヘッドの速度を５．０ｍｍ／ｍｉｎとして、試験を実施した。この試験では、各例において、曲げ強度の平均値（平均強度）、最大値（最大強度）、最小値（最小強度）を測定して比較を行った。試験体の数（試験点数）は、比較例１が４１、比較例２が４５、そして実施例が４６である。試験結果を表１に示す。
Figure 2017154933
表１に示すように、実施例は、曲げ強度の平均値、最大値、最小値のいずれにおいても、比較例１及び比較例２を上回る試験結果となった。
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
上記の実施形態では、第一部材２の支持面７に形成した穴部８によって各位置決めピン５ａ〜５ｃを支持させた例を示したが、これに限定されない。この穴部８に替えて、位置決めピン５ａ〜５ｃを支持面７に沿って移動可能（スライド可能）に支持する溝部を支持面７に形成してもよい。
この溝部は、位置決めピン５ａ〜５ｃを、板ガラスＧの位置決めを行う第一の位置と、この第一の位置から退避する第二の位置とに位置変更可能に構成され得る。これにより、第一の位置において位置決めピン５ａ〜５ｃによる板ガラスＧの位置決めを行った後、各位置決めピン５ａ〜５ｃを第二の位置に移動させることで、各位置決めピン５ａ〜５ｃが板ガラスＧに接触することがなくなり、良好なエッチング処理を、板ガラスＧに施すことができる。
また、穴部８や溝部を形成することなく、所定数の板ガラスＧを第一部材２の支持面７に積載した後に、作業者が手に持った位置決め部材（位置決めピン５ａ）を板ガラスＧの切欠き部Ｇｂに当接させることにより、切欠き部Ｇｂを揃えるようにしてもよい。
上記の実施形態では、位置決め部５として、位置決めピン５ａ〜５ｃを例示したが、これに限定されない。位置決め部５は、板ガラスＧや切欠き部Ｇｂの大きさに応じて、板部材その他の位置決め部材を含む。
上記の実施形態では、板ガラスＧの間に液体Ｌによる保護層１４が形成された例を示したが、これに限定されず、保護層１４は、粘性を有するシール剤や接着剤、又はダミーガラスＤＧその他の固体によって構成されてもよい。また、板ガラスＧの寸法、形状、強度等に応じて、保護層１４を形成することなく板ガラスＧを積層し、切欠き部Ｇｂにエッチング処理を施すことができる。
上記の実施形態では、切欠き部Ｇｂとしてノッチを例示したが、これに限らず、オリエンテーションフラットと呼ばれる直線状の切欠き部Ｇｂが半導体ウェハに形成される場合には、これに対応して直線状の切欠き部Ｇｂを板ガラスＧに形成してもよい。
上記の実施形態では、第一部材２の支持面７を傾斜状に配置し、この支持面７に板ガラスＧを積載した例を示したが、これに限定されない。支持面７は、水平状に配置された状態で板ガラスＧを支持してもよい。また、支持面７を鉛直方向に沿って配置するとともに、対向配置される第二部材３とによって、複数の板ガラスＧを挟持させてもよい。
上記の実施形態では、積層配置された板ガラスＧを保持具１に保持させ、この保持具１をエッチング槽１５に浸漬させた例を示したが、これに限定されない。保持具１を使用することなく、所定位置に複数の板ガラスＧを積層配置するとともに、切欠き部Ｇｂにエッチング液を塗布し又は吹き付けることにより、切欠き部Ｇｂのみにエッチング処理を施してもよい。この場合、板ガラスＧを積層することなく、一枚ずつエッチング処理を行ってもよい。また、この場合において、切欠き部Ｇｂのみならず、周縁部Ｇａにもエッチング処理を施してもよい。
上記の実施形態では、第一部材２への板ガラスＧの載置（積層）、板ガラスＧの間の保護層１４の形成、第一部材２に対する第二部材３の重ね合わせ、連結部６の棒状部材６ａに対するナット６ｂの締め付け、保持具１のエッチング槽１５への浸漬の各工程を、作業者による手作業により行う例を示したが、これに限定されない。これらの工程を自動化して板ガラスＧを製造してもよい。
２ 第一部材（載置台）
５ａ 第一位置決めピン（位置決め部材）
７ 支持面
１４ 保護層
Ｇ 板ガラス
Ｇａ 周縁部
Ｇｂ 切欠き部

Claims (9)

  1. 周縁部に切欠き部を有する円盤状の板ガラスを製造する方法において、
    前記切欠き部にエッチング処理を施すことを特徴とする、板ガラスの製造方法。
  2. 前記切欠き部の位置を揃えて複数の前記板ガラスを積層し、前記切欠き部にエッチング処理を施す、請求項１に記載の板ガラスの製造方法。
  3. 前記複数の板ガラスにおける前記切欠き部の位置を位置決め部材により揃える、請求項２に記載の板ガラスの製造方法。
  4. 前記複数の板ガラスを載置する載置台に前記位置決め部材を着脱自在又は移動可能に取り付ける、請求項３に記載の板ガラスの製造方法。
  5. 前記載置台は、前記板ガラスが載置される支持面を有し、前記支持面は、水平方向に対して傾斜状に配置される、請求項４に記載の板ガラスの製造方法。
  6. 前記複数の板ガラスの間に保護層を形成する、請求項２から５のいずれか１項に記載の板ガラスの製造方法。
  7. 前記保護層は、液体により構成されてなる請求項６に記載の板ガラスの製造方法。
  8. 前記板ガラスの前記切欠き部と、前記切欠き部を除く前記板ガラスの前記周縁部とにエッチング処理を施す、請求項２から７のいずれか１項に記載の板ガラスの製造方法。
  9. 周縁部に切欠き部を有する円盤状の板ガラスであって、
    主表面が非エッチング面からなり、
    前記切欠き部がエッチング面からなることを特徴とする板ガラス。
JP2016040101A 2016-03-02 2016-03-02 板ガラスの製造方法 Active JP6664658B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016040101A JP6664658B2 (ja) 2016-03-02 2016-03-02 板ガラスの製造方法
US16/064,041 US10773994B2 (en) 2016-03-02 2016-12-02 Plate glass and method for producing same
CN201680070288.7A CN108290777B (zh) 2016-03-02 2016-12-02 板状玻璃及其制造方法
PCT/JP2016/085974 WO2017149877A1 (ja) 2016-03-02 2016-12-02 板ガラスおよびその製造方法
KR1020187010081A KR102614200B1 (ko) 2016-03-02 2016-12-02 판유리의 제조 방법
TW105142273A TWI663136B (zh) 2016-03-02 2016-12-20 Plate glass and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016040101A JP6664658B2 (ja) 2016-03-02 2016-03-02 板ガラスの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020009278A Division JP6853970B2 (ja) 2020-01-23 2020-01-23 板ガラスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017154933A true JP2017154933A (ja) 2017-09-07
JP6664658B2 JP6664658B2 (ja) 2020-03-13

Family

ID=59743813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016040101A Active JP6664658B2 (ja) 2016-03-02 2016-03-02 板ガラスの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10773994B2 (ja)
JP (1) JP6664658B2 (ja)
KR (1) KR102614200B1 (ja)
CN (1) CN108290777B (ja)
TW (1) TWI663136B (ja)
WO (1) WO2017149877A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102309886B1 (ko) * 2020-05-04 2021-10-07 주식회사 도우인시스 박막 글라스 커팅 및 이송용 카세트 및 이를 이용한 박막 글라스 커팅 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001150311A (ja) * 1999-09-14 2001-06-05 Ricoh Co Ltd 薄肉円盤の円周加工方法および加工装置
JP2008041985A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート
JP2009040431A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Nippon Electric Glass Co Ltd 板状物梱包体及びその製造方法並びにスペーサ
JP2010003365A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Furukawa Electric Co Ltd:The ガラス基板の製造方法
JP2012099172A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Showa Denko Kk 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
WO2013137329A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 Hoya株式会社 電子機器用カバーガラスのガラス基板、及びその製造方法
JP2014210679A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 旭硝子株式会社 パレット及びガラス板収納体
WO2016088868A1 (ja) * 2014-12-04 2016-06-09 日本電気硝子株式会社 ガラス板
WO2016189945A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の研削方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1358061A (en) * 1971-05-21 1974-06-26 Glaverbel Methods of strengthening glass articles
US5196088A (en) * 1988-08-05 1993-03-23 Tru Vue, Inc. Process and apparatus for producing non-glare glass by etching
DE4134356A1 (de) * 1991-10-17 1993-04-22 Ernst Auwaerter Karosserie Und Verfahren zum herstellen einer scheibe, und eine scheibe
US6685539B1 (en) * 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus
JP4162567B2 (ja) 2003-10-14 2008-10-08 スピードファム株式会社 ウェハノッチの鏡面加工装置
EP1738224A1 (en) * 2004-04-22 2007-01-03 Asahi Glass Company, Limited Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask
US7618895B2 (en) * 2004-12-06 2009-11-17 Asahi Glass Company, Limited Method for etching doughnut-type glass substrates
DE102006046719A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Ab Enzymes Gmbh Klonierung, Expression und Verwendung saurer Phospholipasen
US20080128088A1 (en) 2006-10-30 2008-06-05 Jusung Engineering Co., Ltd. Etching apparatus for edges of substrate
US8722189B2 (en) * 2007-12-18 2014-05-13 Hoya Corporation Cover glass for mobile terminals, manufacturing method of the same and mobile terminal device
US8713968B2 (en) * 2010-05-03 2014-05-06 Corning Incorporated Method and apparatus for making a 3D glass article
US20120052302A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Matusick Joseph M Method of strengthening edge of glass article
US9434644B2 (en) * 2010-09-30 2016-09-06 Avanstrate Inc. Cover glass and method for producing cover glass
JP2012169024A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Showa Denko Kk 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP5327275B2 (ja) * 2011-05-27 2013-10-30 旭硝子株式会社 端面研磨ブラシ及び磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
CN202424332U (zh) * 2011-12-26 2012-09-05 安波电机(宁德)有限公司 一种便于层叠理片的定子矽钢片
JP6111240B2 (ja) * 2012-03-13 2017-04-05 Hoya株式会社 電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法
CN104205218A (zh) * 2012-03-30 2014-12-10 旭硝子株式会社 支承轴、磁盘用玻璃基板的端面研磨方法、及磁盘用玻璃基板的制造方法
US9375820B2 (en) * 2012-04-16 2016-06-28 Corning Incorporated Method and system for finishing glass sheets
WO2016037343A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Schott Glass Technologies (Suzhou) Co. Ltd. Ultrathin chemically toughened glass article and method for producing such a glass article
JP2017528412A (ja) * 2014-09-16 2017-09-28 ザ ケマーズ カンパニー エフシー リミテッド ライアビリティ カンパニー ガラス基板に使用するためのエッチング切断溶液
CN112250313A (zh) * 2015-02-02 2021-01-22 康宁股份有限公司 强化层压玻璃制品边缘的方法及由此形成的层压玻璃制品

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001150311A (ja) * 1999-09-14 2001-06-05 Ricoh Co Ltd 薄肉円盤の円周加工方法および加工装置
JP2008041985A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート
JP2009040431A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Nippon Electric Glass Co Ltd 板状物梱包体及びその製造方法並びにスペーサ
JP2010003365A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Furukawa Electric Co Ltd:The ガラス基板の製造方法
JP2012099172A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Showa Denko Kk 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
WO2013137329A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 Hoya株式会社 電子機器用カバーガラスのガラス基板、及びその製造方法
JP2014210679A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 旭硝子株式会社 パレット及びガラス板収納体
WO2016088868A1 (ja) * 2014-12-04 2016-06-09 日本電気硝子株式会社 ガラス板
WO2016189945A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の研削方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102309886B1 (ko) * 2020-05-04 2021-10-07 주식회사 도우인시스 박막 글라스 커팅 및 이송용 카세트 및 이를 이용한 박막 글라스 커팅 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180119551A (ko) 2018-11-02
TWI663136B (zh) 2019-06-21
KR102614200B1 (ko) 2023-12-15
CN108290777B (zh) 2022-08-02
JP6664658B2 (ja) 2020-03-13
US10773994B2 (en) 2020-09-15
CN108290777A (zh) 2018-07-17
WO2017149877A1 (ja) 2017-09-08
US20180370849A1 (en) 2018-12-27
TW201800357A (zh) 2018-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102120495B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조 방법
US9437439B2 (en) Processing method for wafer having chamfered portion along the outer circumference thereof followed by thinning and separating
JPWO2006073098A1 (ja) ワークのブレイク方法及び装置、スクライブ及びブレイク方法、並びにブレイク機能付きスクライブ装置
TW200805546A (en) Support plate, transfer apparatus, peeling apparatus and peeling method
TWI650292B (zh) 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置
JP2013098248A (ja) 保持テーブル
TW201437163A (zh) 刻劃輪、刻劃裝置及刻劃輪之製造方法
JP2007294748A (ja) ウェーハ搬送方法
WO2017149877A1 (ja) 板ガラスおよびその製造方法
TWI459504B (zh) 一種提供夾具平台空氣區的系統及方法
TW201740449A (zh) 晶圓之製造方法及晶圓
JP6853970B2 (ja) 板ガラスの製造方法
CN112201566A (zh) 一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具
JP2006159334A (ja) ダイシングドレステーブル構造及びダイサ
JP5528202B2 (ja) 支持トレイ
KR20040002595A (ko) 실리콘 웨이퍼의 가공 방법
US20140045411A1 (en) Methods of and apparatus for producing wafers
JP2010184319A (ja) 切削方法
JP2014004663A (ja) 被加工物の加工方法
WO2017149876A1 (ja) 板ガラス及びその製造方法並びにエッチング処理装置
CN214237744U (zh) 用于倒棱机的固定装置及倒棱机
JP7243649B2 (ja) Ｓｏｉウェーハの貼合わせ方法
JP2021070173A (ja) ウエハの製造方法
CN106181676B (zh) 一种薄形平面光学元件磁性消应力上盘方法
JP4513647B2 (ja) 光学素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6664658

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150