JP7243649B2 - Soiウェーハの貼合わせ方法 - Google Patents
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Description
本発明は、以上の知見にさらに検討を加えてなされたものであり、その要旨は以下のとおりである。
前記支持側ウェーハと前記活性側ウェーハとの貼合わせを行う、円盤状のメインステージと前記メインステージの半径方向外側に隣接して設置するサブステージとを有する貼合わせステージの上に、前記支持側ウェーハを載置する載置工程、
前記載置工程の前または後に、前記メインステージに対して前記サブステージを持ち上げて該サブステージと前記メインステージとに跨がって載置される、前記支持側ウェーハに傾斜および、下方に凸となる撓みを与えるステージ工程および、
前記傾けた支持側ウェーハの上に前記活性側ウェーハを載置し、前記支持側ウェーハ上にて前記支持側ウェーハの傾斜方向へ前記活性側ウェーハを移動させ、前記支持側ウェーハに対して前記活性側ウェーハが前記傾斜方向へずれる相互配置にて、前記活性側ウェーハを前記支持側ウェーハに固定する位置決め工程
を有する、SOIウェーハの貼合わせ方法。
a)前記支持側ウェーハと前記活性側ウェーハとの貼合わせを行う、円盤状のメインステージと該メインステージの半径方向外側に隣接して設置するサブステージとを有する貼合わせステージ上に前記支持側ウェーハを載置する載置工程。
b)前記載置工程の前または後に、前記メインステージに対して前記サブステージを持ち上げて該サブステージと前記メインステージとに跨がって載置される、前記支持側ウェーハに傾斜および、下方に凸となる撓みを与えるステージ工程。
c)前記傾けた支持側ウェーハの上に前記活性側ウェーハを載置し、前記支持側ウェーハ上にて前記支持側ウェーハの傾斜方向へ前記活性側ウェーハを移動させ、前記支持側ウェーハに対して前記活性側ウェーハが前記傾斜方向へずれる、相互配置にて、前記活性側ウェーハを前記支持側ウェーハに固定する位置決め工程。
上記の各工程について、以下の実施形態毎に詳しく説明する。
[載置工程]
載置工程では、図3に示すように、支持側ウェーハ1を貼合わせステージ2上に載置する。この貼合わせステージ2は、円盤状のメインステージ20および該メインステージ20の半径方向外側に隣接して設置するサブステージ21をそなえる。図示例において、サブステージ21は、メインステージ20の半径方向外側に延びる長辺を有する矩形状の台座であり、メインステージ20との接触部を中心に上方に向かって揺動可能に設けられる。
支持側ウェーハ1は、メインステージ20上において、例えば円周等分位置に配置するガイドピン22aおよび22bと、ウェーハに予め形成されているノッチまたはオリフラ部分と係合するガイド23とに案内され、メインステージ20と同心となる位置に保持される。なお、ガイド23には、支持側ウェーハ1に設けてあるノッチ1aを係合させてメインステージ20上の支持側ウェーハ1の位置決めを行うものであり、このガイド23によりノッチ1aの位置を正確に把握することができる。
ステージ工程では、図4に示すように、貼合わせステージ2上に支持側ウェーハ1を載せた状態において、上記したサブステージ21を上方に向かって揺動し、メインステージ20との接触部とは逆側をメインステージ20より持ち上げる。このとき、ガイドピン22aおよび22bとガイド23は支持側ウェーハ1から離間させておく。サブステージ21を持ち上げると、該サブステージ21とメインステージ20との間を跨いでいる支持側ウェーハ1には、サブステージ21側からメインステージ20へ下る傾斜Sが与えられるとともに、メインステージ20およびサブステージ21の上面と支持側ウェーハ1の下面との間に隙間が生じて、この隙間に向かって支持側ウェーハ1が自重により撓む結果、下方に凸となる撓みBが与えられる。
位置決め工程では、図5に示すように、上記のステージ工程において前記傾斜Sおよび撓みBが付与された支持側ウェーハ1の上に活性側ウェーハ3を載置する。支持側ウェーハ1と活性側ウェーハ3との間には、前記撓みBに起因する空間Aが形成されるとともに、支持側ウェーハ1に傾斜S(図4参照)が与えられているため、支持側ウェーハ1上の活性側ウェーハ3は、前記傾斜Sに従って傾斜Sの向きに滑動する。この滑動は、例えば活性側ウェーハ3がガイド23に当接することで停止する。或いは、ガイド23に当接する手前で滑動が止まる場合や、ガイド23に当接後も滑動が続く場合があってもよい。いずれの場合も、次のガイドピン22aおよび22bとガイド23の移動によって、活性側ウェーハ3は所期した位置まで案内されることになる。
このガイドピン22aおよび22bとガイド23による操作を、活性側ウェーハ3の例えばノッチ3aが前記ガイド23に係合するまで行う。活性側ウェーハ3のノッチ3aが前記ガイド23に係合したならば、当該活性側ウェーハ3は前記ガイドピン22aおよび22bとガイド23との3点にて保持される。その結果、支持側ウェーハ1に対して活性側ウェーハ3がずれる相互配置が実現される。なお、支持側ウェーハ1に対する活性側ウェーハ3のずれは、支持側ウェーハ1と活性側ウェーハ3との径差分が前記傾斜S方向へずれていることが好ましい。
第2実施形態は、上記した載置工程において、ガイドピン22aおよび22bとガイド23とによって、支持側ウェーハ1をメインステージ20に対して位置決めした後、ガイドピン22aおよび22bとガイド23とを支持側ウェーハ1から離間し、上記したステージ工程および位置決め工程を行う。すなわち、ステージ工程において支持側ウェーハ1に傾斜Sおよび撓みBを付与し、次いで位置決め工程において、傾斜Sおよび撓みBが付与された支持側ウェーハ1の上に活性側ウェーハ3を載置し支持側ウェーハ1上の活性側ウェーハ3を、前記傾斜Sに従って傾斜Sの向きに滑動させる。活性側ウェーハ3の滑動が停止した段階で、離間させていたガイドピン22aおよび22bとガイド23とを元の位置に復帰させ、ガイド23に支持側ウェーハ1のノッチ1aおよび活性側ウェーハ3のノッチ3aを収めて、好ましくは支持側ウェーハ1と活性側ウェーハ3との径差分が前記傾斜S方向へずれる、所期した相互配置とする。
第3実施形態は、図10に工程フローを示すように、上記した位置決め工程の後に、貼合わせウェーハにおける最大ずれ量tを測定し、該測定値が所定の範囲から外れる場合は、支持側ウェーハ1から活性側ウェーハ3を剥がし、位置決め工程を再度行うものである。具体的には、支持側ウェーハ1から活性側ウェーハ3を剥がし、支持側ウェーハを前記載置工程に供し、活性側ウェーハを位置決め工程に供して位置合わせを行うことになる。最大ずれ量tの測定値が所定の範囲内にあれば、貼合わせ強化熱処理工程における熱処理に供する。この熱処理を経た貼合わせウェーハは、面取りが施されて製品SOIウェーハとして出荷される。
1a ノッチ
2 貼合わせステージ
20 メインステージ
21 サブステージ
22a、22b ガイドピン
23 ガイド
3 活性側ウェーハ
3a ノッチ
w 貼合わせウェーハ
S 傾斜
B 撓み
Claims (5)
- 支持基板となる支持側ウェーハおよび、半導体デバイスを作り込む、前記支持側ウェーハより大径の活性側ウェーハのどちらか一方、もしくは両方に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して前記径差を有する支持側ウェーハおよび活性側ウェーハを貼合わせる、SOIウェーハの貼合わせ方法であって、
前記支持側ウェーハと前記活性側ウェーハとの貼合わせを行う、円盤状のメインステージと前記メインステージの半径方向外側に隣接して設置するサブステージとを有する貼合わせステージの上に、前記支持側ウェーハを載置する載置工程、
前記載置工程の前または後に、前記メインステージに対して前記サブステージを持ち上げて該サブステージと前記メインステージとに跨がって載置される、前記支持側ウェーハに傾斜および、下方に凸となる撓みを与えるステージ工程および、
前記傾けた支持側ウェーハの上に前記活性側ウェーハを載置し、前記支持側ウェーハ上にて前記支持側ウェーハの傾斜方向へ前記活性側ウェーハを移動させ、前記支持側ウェーハに対して前記活性側ウェーハが前記傾斜方向へずれる相互配置にて、前記活性側ウェーハを前記支持側ウェーハに固定する位置決め工程
を有する、SOIウェーハの貼合わせ方法。 - 前記位置決め工程の後に、前記支持側ウェーハと前記活性側ウェーハとの最大ずれ量を測定し、該測定値が所定の範囲から外れる場合は、前記支持側ウェーハから前記活性側ウェーハを剥がし、該支持側ウェーハを前記載置工程に供し、該活性側ウェーハを位置決め工程に供する、請求項1に記載のSOIウェーハの貼合わせ方法。
- 前記所定の範囲が20μm以上1000μm以下である請求項2に記載のSOIウェーハの貼合わせ方法。
- 前記ステージ工程において前記活性側ウェーハに与える傾きは、前記サブステージの水平面に対する傾斜角度で0.1°以上1.0°以下である請求項1、2または3に記載のSOIウェーハの貼合わせ方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載のSOIウェーハの貼合わせ方法により得られる、貼合わせウェーハを、前記活性側ウェーハの、前記支持側ウェーハの周縁部から突出する部分を支点として、ボートに装填して熱処理を行って前記支持側ウェーハと前記活性側ウェーハとを結合する、SOIウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7243649B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031779A (ja) | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Soiウェハの製造方法 |
JP2005005318A (ja) | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 貼り合わせ基板およびその製造方法 |
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JP2010245396A (ja) | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Sumco Corp | Soiウェーハの製造方法及び貼り合わせ装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274442A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Sony Corp | 基板はり合わせ方法 |
-
2020
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003031779A (ja) | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Soiウェハの製造方法 |
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JP2010245396A (ja) | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Sumco Corp | Soiウェーハの製造方法及び貼り合わせ装置 |
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JP2021125647A (ja) | 2021-08-30 |
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