JP2017152467A - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における電界効果トランジスタの構成を示す構成図である。この電界効果トランジスタは、基板101の上に形成されたチャネル層102と、チャネル層102の上に形成されたバリア層103と、バリア層103の上にゲート絶縁層104を介して形成されたゲート電極105とを備える。この電界効果トランジスタは、チャネル層102に形成される2次元電子ガス(2DEG)をチャネルとする電界効果トランジスタである。
次に、本発明の実施の形態2について図6を用いて説明する。図6は、本発明の実施の形態2における電界効果トランジスタの構成を示す構成図である。この電界効果トランジスタは、基板201の上に形成されたチャネル層202と、チャネル層202の上に形成されたバリア層203と、バリア層203の上にゲート絶縁層204を介して形成されたゲート電極205とを備える。この電界効果トランジスタは、チャネル層202に形成される2DEGをチャネルとする電界効果トランジスタである。
次に、本発明の実施の形態3について図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施の形態3における電界効果トランジスタの構成を示す構成図である。この電界効果トランジスタは、基板301の上に形成されたチャネル層302と、チャネル層302の上に形成されたバリア層303と、バリア層303の上にゲート絶縁層304を介して形成されたゲート電極305とを備える。この電界効果トランジスタは、チャネル層302に形成される2DEGをチャネルとする電界効果トランジスタである。
Claims (5)
- 基板の上に形成されたGaNからなるチャネル層と、
前記チャネル層の上に形成された窒化物半導体からなるバリア層と、
前記チャネル層および前記バリア層からなり所望とする幅に形成されたメサ部と、
前記バリア層の上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、
前記メサ部を挾んで配置されて前記チャネル層に接続するソース電極およびドレイン電極と、
前記メサ部と前記ソース電極の間および前記メサ部と前記ドレイン電極との間の前記チャネル層の前記メサ部側面に接して形成されたGaAsまたはGaSbからなる接続層と
を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記接続層は、InxGa1-xAs(0≦x≦1)から構成され、前記チャネル層の前記メサ部側面に接する箇所はGaAsとされている
ことを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項2記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記接続層は、前記チャネル層の前記メサ部側面から離れるほどxが大きくなる構成とされていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 基板の上にGaNからなるチャネル層を形成するチャネル形成工程と、
前記チャネル層の上に窒化物半導体からなるバリア層を形成するバリア形成工程と、
前記チャネル層および前記バリア層を所望とする幅のメサ部に形成するメサ形成工程と、
前記メサ部の前記バリア層の上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成するゲート形成工程と、
前記メサ部を挾んで配置されるソース電極形成部およびドレイン電極形成部と前記メサ部との各々の間の前記チャネル層の前記メサ部側面にGaAsまたはGaSbからなる接続層を接して形成する接続形成工程と、
前記ソース電極形成部および前記ドレイン電極形成部にソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程と
を備えることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 請求項4記載の電界効果トランジスタの製造方法において、
前記接続層は、InxGa1-xAs(0≦x≦1)から構成して前記チャネル層の前記メサ部側面に接する箇所はGaAsとし、
前記接続形成工程では、前記チャネル層の前記メサ部側面に露出している前記チャネル層を構成している窒素をヒ素に置換することで、前記接続層の前記チャネル層の前記メサ部側面に接する箇所をGaAsとする
ことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
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