JP2017149667A5 - - Google Patents
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Claims (24)
- ゼオライト様イミダゾレート構造体（ＺＩＦ）の錯体結晶を含んでなる、多結晶型の多孔性錯体複合体であって、該多結晶型の多孔性錯体複合体粒子の中心部は中空状であり、該多孔性錯体結晶は外殻部に存在することを特徴とする、中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体。
- 該ゼオライト様イミダゾレート構造体錯体中の金属が亜鉛およびコバルトからなる群から選ばれる金属であり、該イミダゾレート配位子は置換基を有していてもよいイミダゾールまたはその誘導体由来のイミダゾレート配位子であって、該置換基は、Ｃ１〜６アルキル基、ハロゲン基及びニトロ基からなる群から選ばれる１〜３個の置換基であるか、またはイミダゾレート配位子上の４および５位の隣接する置換基が一緒になって、置換基を有していてもよい縮合環式の５もしくは６員の芳香族炭素環もしくは芳香族ヘテロ環を形成していてもよい、請求項１記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体。
- 多結晶型の多孔性錯体複合体の粒子の大きさが平均粒径が１μｍ〜２０μｍであり、中空部の大きさが５００ｎｍ〜１０μｍであり、粒子の外殻部の厚さが１０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする、請求項１または２記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体。
- 多結晶型の多孔性錯体複合体の粒子の大きさが平均粒径が３μｍ〜５μｍであり、中空部の大きさが１μｍ〜３μｍであり、粒子の外殻部の厚さが２０ｎｍ〜４００ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体。
- ゼオライト様イミダゾレート構造体（ＺＩＦ）の錯体結晶および金属酸化物を含んでなる、多結晶型の多孔性錯体複合体であって、該多結晶型の多孔性錯体複合体粒子の中心部が中空状であり、該金属酸化物は多結晶型の多孔性錯体複合体粒子の外殻に存在する複合粒子の外側表面にあることを特徴とする、中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体。
- 該ゼオライト様イミダゾレート構造体錯体中の金属が亜鉛およびコバルトからなる群から選ばれる金属であり、該イミダゾレート配位子は置換基を有していてもよいイミダゾールまたはその誘導体由来のイミダゾレート配位子であって、該置換基は、Ｃ１〜６アルキル基、ハロゲン基及びニトロ基からなる群から選ばれる１〜３個の置換基であるか、またはイミダゾレート配位子上の４および５位の隣接する置換基が一緒になって、置換基を有していてもよい縮合環式の５もしくは６員の芳香族炭素環もしくは芳香族ヘテロ環を形成していてもよい、請求項５記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体。
- 該金属が亜鉛であって、該ゼオライト様イミダゾレート構造体がＺＩＦ−８である、請求項１〜６のいずれか１つ記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体。
- ゼオライト様イミダゾレート構造体（ＺＩＦ）の錯体結晶を含んでなる、非晶質状錯体複合体であって、該非晶質状錯体複合体粒子の中心部は中実状である、非晶質状錯体複合体。
- 該ゼオライト様イミダゾレート構造体錯体中の金属が亜鉛およびコバルトからなる群から選ばれる金属であり、該イミダゾレート配位子は置換基を有していてもよいイミダゾールまたはその誘導体由来のイミダゾレート配位子であって、該置換基は、Ｃ１〜６アルキル基、ハロゲン基及びニトロ基からなる群から選ばれる１〜３個の置換基であるか、またはイミダゾレート配位子上の４および５位の隣接する置換基が一緒になって、置換基を有していてもよい縮合環式の５もしくは６員の芳香族炭素環もしくは芳香族ヘテロ環を形成していてもよい、請求項８記載の非晶質状錯体複合体。
- 請求項１〜４のいずれか１項記載の多結晶型の多孔性錯体複合体を製造するための中間体である、請求項９記載の非晶質状錯体複合体。
- ゼオライト様イミダゾレート構造体（ＺＩＦ）の錯体および金属酸化物を含む複合粒子を含んでなる非晶質状錯体複合体であって、該金属酸化物は該複合粒子の中心部にあり、そして該ゼオライト様イミダゾレート構造体錯体は該複合粒子の外殻部にあることを特徴とする、非晶質状錯体複合体。
- 該ゼオライト様イミダゾレート構造体錯体中の金属が亜鉛およびコバルトからなる群から選ばれる金属であり、該イミダゾレート配位子は置換基を有していてもよいイミダゾールまたはその誘導体由来のイミダゾレート配位子であって、該置換基は、Ｃ１〜６アルキル基、ハロゲン基及びニトロ基からなる群から選ばれる１〜３個の置換基であるか、またはイミダゾレート配位子上の４および５位の隣接する置換基が一緒になって、置換基を有していてもよい縮合環式の５もしくは６員の芳香族炭素環もしくは芳香族ヘテロ環を形成していてもよい、請求項１１記載の非晶質状錯体複合体。
- 該金属酸化物が酸化亜鉛である、請求項５記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体または請求項１１記載の非晶質状錯体複合体。
- 前記複合粒子中の該ゼオライト様イミダゾレート構造体錯体および該金属酸化物の含有重量比が１：９〜９：１である、請求項５記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体または請求項１１記載の非晶質状錯体複合体。
- 以下の工程を含む、請求項１記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体の製造方法；
１）金属塩と、イミダゾールまたはその誘導体とを水中で混合して反応させる；
２）反応混合物を噴霧乾燥して、請求項８記載の非晶質状錯体複合体を得る；
３）前記で得られた非晶質状錯体複合体を有機溶媒で処理する、
該製造方法。 - 請求項１５における工程１）における金属塩の代わりに金属酸化物を用いて、工程２）において請求項１１記載の非晶質状錯体複合体を得る、ことを含む、請求項５記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体の製造方法。
- 該金属塩または金属酸化物と、イミダゾールまたはその誘導体とをモル比が１：２の割合で反応させる、請求項１５または１６のいずれか記載の製造方法。
- 工程３）における有機溶媒が、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、または非プロトン性溶媒から選ばれる、請求項１５または１６のいずれか記載の製造方法。
- 連続フロー式である、請求項１５または１６のいずれか記載の製造方法。
- 請求項１または５のいずれか記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体を含有する、吸着剤。
- 請求項１または５のいずれか記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体を用いたガス貯蔵装置。
- 請求項１または５のいずれか記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体を用いたガス分離装置。
- 請求項１または５のいずれか記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体を用いたガスセンサーデバイス。
- 請求項１または５のいずれか記載の中空状の多結晶型の多孔性錯体複合体を用いた不均一反応触媒。
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