JP2017147303A - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るパワー半導体モジュールを備える鉄道車両の主電力変換装置10の回路図である。本実施形態のパワー半導体モジュールは、電力変換装置に搭載される直接水冷方式のパワー半導体モジュールに適用した例である。
図1に示すように、電車線1から供給された交流電力は、整流回路であるコンバータ4によって直流電力へ変換される。主電力変換装置10を構成するコンバータ4での整流後、平滑コンデンサ3によって平滑化された直流電力がインバータ5へ印加され、所望の電圧と周波数の交流電力へと逆変換される。逆変換後、インバータ5が出力する三相交流電力は交流電動機6への出力となり、所望の回転速度で交流電動機6を駆動する。
図2に示すように、コンバータ4は、電車線1からの交流電力を直流電力に変換させるものである。入力となる交流電力を、コンバータ4の交流配線40r、40sに供給し、各相に備えられた上アームのスイッチング素子31および整流素子33と、下アームのスイッチング素子32および整流素子34と、を用いて整流させる。本実施形態では、スイッチング素子としてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、整流素子としてダイオードを用いているが、これらに限らず、他の種類の素子を適用することも可能である。コンバータ4のスイッチング素子31、33は、制御回路200からの駆動信号210によって駆動される。
図3に示すように、インバータ5は、平滑コンデンサ3で平滑化された直流電力を三相交流電力に変換させるものである。コンバータ4により変換された直流電力を、各相に備えられた上アームのスイッチング素子31および整流素子33と、下アームのスイッチング素子32および整流素子34と、を用いて三相交流電力に変換させ、交流配線40u、40v、40wに出力する。インバータ5のスイッチング素子31、32は、制御回路201からの駆動信号211によって駆動される。
本実施形態の冷却装置20の冷却系統は、循環する冷却水がパワー半導体モジュール100の発熱を取り去ることによって、主電力変換装置10を安定的に動作させる。冷却水には、水やエチレングリコール水溶液がよく使用されるが、他の液体であってもよい。
本実施形態では、4並列のパワー半導体モジュール100から成るパワーユニット53を3並列として冷却する構成を示す。定格出力に応じて、パワー半導体モジュール100の並列数、あるいはパワーユニット53の並列数を変えてもよい。また、並列・直列は任意に設定される。
図5に示すように、パワーユニット53は、4並列のパワー半導体モジュール100と、水路形成体70とから構成される。
図6に示すように、パワー半導体モジュール100には、絶縁基板上にマウントされたスイッチング素子31、32と整流素子33、34とが含まれる。各々のパワー半導体素子間は、図2、図3に示されるレグ35を構成するように接続される。また、絶縁基板には、正極直流端子110p、負極直流端子110n、交流端子110ac、スイッチング素子のオンとオフとを制御するゲート端子110gが取り付けられる。
図7に示すように、パワー半導体モジュール100の外郭は、パワー半導体素子101の発熱を冷却水へ放熱するベース板130と、パワー半導体素子101と絶縁基板102(後記図12(a)参照)とを保護する筐体113で構成される。
ベース板130は、水路形成体70に固定するための固定用通し穴114を備える。
図8に示すように、ベース板130が水路形成体70に当接する面135には、微小円柱状の突起であるピンフィン131(放熱フィン)が、多数(例えば、合計約200以上)突出している。ピンフィン131は、図8に示すようなピン形状の他にも平板形状など、面135から突出させてなる凸部であればよい。また、図8では、ピンフィン131をパワー半導体素子101の直下の領域だけに配置しており、直流端子110p、110n側と、交流端子110ac側との二つの群に分けて形成したが、分けずに一つの群として形成してもよい。
図9に示すように、パワーユニット53は、水路形成体70の上面に位置する開口部75を塞ぐように、Oリング73を介して、パワー半導体モジュール固定用ボルト穴76にボルトを通し、パワー半導体モジュール100を設けることによって構成される。本実施形態では、封止部材としてOリング73を用いたが、他のシール材であってもよい。上面から、Oリング73とパワー半導体モジュール100を取り付けることにより、組み付け時にOリング73がOリング用溝74から外れることがないため、組立性が向上する。
図10に示すように、低温冷却水51は、低温側冷却水継手71から水路形成体70に流入する。水路形成体内の冷却水60(液体冷媒)は、開口部75と、ベース板130のピンフィン131とで形成される空間を流れ、ベース板130を直接冷却する。冷却水60は、ピンフィン131と熱交換することによって水温上昇し、高温側冷却水継手72から排出される高温冷却水54となる。
図11に示すように、筐体113と、ベース板130との間に据え込まれる押さえ部材115は、ベース板130と共締めされて、筐体113の強度を高めるとともに、ベース板130の変形を抑制する。ピンフィン131が形成する間隙では、流路断面積が小さいことに起因して、冷却水60の流動抵抗が増加する。ポンプ50の送水能力は、冷却系統の全流動抵抗を鑑みて決定されるため、パワー半導体モジュール100の並列数が多くなるほど、大流量の冷却水60が必要となる。ベース板130の領域132にかかる水圧は、冷却水60の流量に応じて変化し、方向230の向きを凸にしてベース板130が変形する。ベース板130が変形すると、ベース板130によって圧潰されるOリング73のつぶし率が減少する。
図12(a)に示すように、パワー半導体素子101を搭載した絶縁基板102は、ベース板130と接合材(図示省略)を介して接合される。ここで、絶縁基板102の平面形状は、パワー半導体素子実装領域の形状と略等しい。
本発明者らは、ベース板130全体のSiC配合率を高めると部材コストが上昇してしまうことに着目した。ただし、ベース板130の基材として、AlSiCは優れた特徴を有する。すなわち、AlSiCは、低熱膨張かつ高剛性であることに加えて、アルミニウムに近い熱伝導率を有するため、絶縁基板102とベース板130との接合信頼性と冷却能力の向上に寄与する。
SiC(強化材料)のヤング率はアルミニウム(母材)の約6倍である。また、SiCはアルミニウムよりも線膨張率が小さい。
図13は、AlSiCでベース板130を製造する場合の工程概略図である。
<第1工程>
第1工程では、コロイド状のSiC溶液を2種類作製し、それぞれのSiCの配合率を設定する。SiCの配合率の低い(40%SiCの配合)SiC溶液Aと、SiCの配合率の高い(60%SiCの配合)SiC溶液Bとを作製する。
第2工程では、ベース板130の型となる2つの金型A,Bを用いる。金型Aは、パワー半導体素子実装領域に対応する形状の金型であり、上面視して、図12(b)の領域140の平面形状と同一形状である。金型Bは、パワー半導体素子実装領域以外の周辺領域に対応する形状の金型であり、上面視して、図12(b)の周辺領域133のフレーム形状と同一形状である。
金型Aに対して、第1工程で配合したSiCの配合率の低いコロイド状SiC溶液Aの冷間射出成形を行い、ベース板130のうち、パワー半導体素子実装領域に対応する形状を模した成形物を作製する。
金型Bに対して、第1工程で配合したSiCの配合率の高いコロイド状SiC溶液Bの冷間射出成形を行い、ベース板130のうち、周辺領域に対応するフレーム形状を模した成形物を作製する。
第3工程では、2つの冷間射出成形物をそれぞれ凍結乾燥し、コロイド状SiC溶液の溶媒である液体を昇華させる。凍結乾燥後の冷間射出成形物は、SiCだけで構成される多孔質体となる。SiCの密度の低いSiC多孔質体AとSiCの密度の高いSiC多孔質体Bとが作製される。
第4工程では、2つのSiC多孔質体をそれぞれ焼結して固める。焼結によりSiCの密度の低い焼結SiC多孔質体AとSiCの密度の高い焼結SiC多孔質体Bとが作製される。
第5工程では、SiCの密度の高い焼結SiC多孔質体Bに、SiCの密度の低い焼結SiC多孔質体Aを嵌め込み、一体化させる。すなわち、焼結SiC多孔質体Aの外周部に、周辺領域に対応する形状の焼結SiC多孔質体Bが取り囲むように一体化させる。
第6工程では、一体化したSiC多孔質体のSiC粒子間をアルミニウムで固結するために、アルミニウムの溶湯に含浸した後に凝固成形する。
第7工程では、ベース板130に仕上げ処理(例えば,所定寸法に合わせるための加工や防食を目的としたニッケルめっき等)を施す。
第8工程では、一体成形のベース板130の完成に至る。
完成したベース板130は、図12(b)に示すように、絶縁基板102が位置する領域140はSiC配合率の低いSiC低配合部302で形成され、その周辺領域133はSiC配合率の高いSiC高配合部301で形成されている。
このように、パワー半導体モジュール100の冷却性能と絶縁基板とベース板130との接合信頼性に影響しない範囲で直接水冷方式のパワー半導体モジュール100と水路形成体70(図5参照)との間の液漏れ信頼性を向上させることができる。
図14は、本発明の第2の実施形態に係るパワー半導体モジュール100の分解図であり、図14(a)は、その分解図、図14(b)は、ベース板130Aの放熱フィン形成面の平面図である。図12と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。
図14(a)に示すように、パワー半導体素子101を搭載した絶縁基板102Aは、ベース板130Aと接合材(図示省略)を介して接合される。ここで、絶縁基板102Aは、パワー半導体素子実装領域を覆うように配置された4枚の基板である。
この構成により、領域145の周囲は、SiC配合率の高いSiC高配合部301Aで囲まれることになる。特に、ベース板130Aの中央部Pとこの中央部Pに縦横に交差する部分においても周辺領域133Aが形成され、この周辺領域133AはSiC配合率の高いSiC高配合部301Aで構成される。
なお、本実施形態では、領域145を40%SiCの配合で形成し、周辺領域133Aを60%SiCの配合で構成しているが、他の配合率の組み合わせであってもよい。
図15は、本発明の第3の実施形態に係るパワー半導体モジュール100の分解図であり、図15(a)は、その分解図、図15(b)は、ベース板130Bの放熱フィン形成面の平面図である。図14と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。
図15(a)に示すように、パワー半導体素子101を搭載した絶縁基板102Aは、ベース板130Bと接合材(図示省略)を介して接合される。ここで、絶縁基板102Aは、パワー半導体素子実装領域を覆うように配置された4枚の基板である。また、図15(a)(b)に示すように、パワー半導体素子101の直下の領域150は、横方向(冷却水流路と直交方向)に配置した2枚の絶縁基板102Aの略中央に配置されている。
なお、本実施形態では、領域150を40%SiCの配合で形成し、周辺領域133を60%SiCの配合で構成しているが、他の配合率の組み合わせであってもよい。
図16は、本発明の第4の実施形態に係るパワー半導体モジュール100の分解図であり、図16(a)は、その分解図、図16(b)は、ベース板130Cの放熱フィン形成面の平面図である。図12と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。
図16(a)に示すように、パワー半導体素子101を搭載した絶縁基板102は、ベース板130Cと接合材(図示省略)を介して接合される。ここで、絶縁基板102の形状は、パワー半導体素子実装領域の形状と略等しい。
また、上記各実施の形態と同様に、パワー半導体モジュール100の冷却性能と絶縁基板とベース板130Cとの接合信頼性に影響しない範囲で直接水冷方式のパワー半導体モジュール100と水路形成体70(図5参照)との間の液漏れ信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態では、フィン形成領域155内と領域140外の周辺領域133Cとを、同じ配合率のSiC高配合部301Cで構成しているが、配合率を変えてもよい。なお、配合率を変える場合、図13の製造工程の第1工程で、コロイド状のSiC溶液を3種類作製し、それぞれのSiCの配合率を設定する。そして、図13の第2工程で、ベース板130Cの型となる2つの金型A,B,C(図示省略)を用いる。以下、図13の第2工程および第3工程を経て、第5工程で、SiCの密度の低い焼結SiC多孔質体Aと、SiCの密度の高い焼結SiC多孔質体Bと、SiCの密度の高い焼結SiC多孔質体Cと一体化させる。
図17は、ベース板130,130A,130B,130Cの放熱フィン形成面から水圧を負荷する有限要素解析を行い、ベース板130,130A,130B,130Cの縁部での最大の変形量を比較したものである。
図17に示すように、第1の実施形態ないし第4の実施形態のベース板130,130A,130B,130Cのいずれかを適用した場合であっても、40%SiC配合で一様に形成されたベース板に比べて、ベース板の縁部での最大の変形量は小さくなっており、水圧によるベース板の変形量を低減できることがわかる。ちなみに、当該変形量は、第3の実施形態のベース板130B(周辺部(端部)と中央部のSiC配合率を高くしたベース板)が最も小さく、中央部でのSiC高配合が変形量のさらなる低減に寄与していることが分かった。
上記各実施形態では、SiC(強化材料)とアルミニウム(母材)の複合材AlSiCを基材として用いるが、強化材料と当該強化材料を支持する母材との複合材からなるものであればよい。例えば、強化材料は、SiC以外のセラミックスまたはセラミックス粒子であってもよく、母材は、マグネシウム、チタン、ベリリウムまたはこれらを少なくとも1種含む合金であってもよい。
また、上記各実施形態では、SiC低配合部を40%SiCの配合で形成し、SiC高配合部を60%SiCの配合で構成しているが、他の配合率の組み合わせであってもよい。
2 変圧器
3 平滑コンデンサ
4 コンバータ
5 インバータ
6 交流電動機
31 上アームスイッチング素子
32 下アームスイッチング素子
33 上アーム整流素子
34 下アーム整流素子
35 レグ
50 ポンプ
51 低温冷却水(液体冷媒)
52 低温側分配管
53 パワーユニット
54 高温冷却水
55 高温側分配管
56 ラジエータ
57 ファン
58 冷却風
59 膨張タンク
60 水路形成体内冷却水(液体冷媒)
70 水路形成体
71 低温側冷却水継手
72 高温側冷却水継手
73 Oリング
74 Oリング溝
75 開口部
76 パワー半導体モジュール固定用ボルト穴
100 パワー半導体モジュール
101 パワー半導体素子
102,102A 絶縁基板
110p 正極直流端子
110n 負極直流端子
110ac 交流端子
110g ゲート端子
111 弱電系電極
112 ゲートドライブ基板固定用ネジ穴
113 筐体
114 パワー半導体モジュール固定用通し穴
115 押さえ部材
116 筐体取付用通し穴
130,130A,130B,130C ベース板
131 ピンフィン(放熱フィン)
132 水圧がかかる領域
133,133A 周辺領域
135 水路形成体との当接面
140 絶縁基板直下領域(パワー半導体素子実装領域)
145 4枚絶縁基板直下領域(パワー半導体素子実装領域)
150 パワー半導体素子直下領域
155 ピンフィンを除く絶縁基板直下領域
155 フィン形成領域
160 絶縁基板が位置する領域内で、かつ、フィン形成領域外の領域(ピンフィンを除く絶縁基板直下領域)
200 コンバータ制御回路
201 インバータ制御回路
230 ベース板の反り方向
301,301A,301B SiC高配合部
302,302A,302B SiC低配合部
303 100%Al配合部
P パワー半導体素子実装領域の中央部
Claims (13)
- パワー半導体素子および絶縁基板と、前記パワー半導体素子の発熱を液体冷媒へ放熱するベース板と、を備え、
前記ベース板は、
強化材料と当該強化材料を支持する母材との複合材からなり、
前記絶縁基板が実装されるパワー半導体素子実装領域と、
前記パワー半導体素子実装領域以外の領域である周辺領域とから構成され、
前記周辺領域は、
前記パワー半導体素子実装領域より前記強化材料の配合が高められたことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - パワー半導体素子および絶縁基板と、前記パワー半導体素子の発熱を液体冷媒へ放熱するベース板と、を備え、
前記ベース板は、
強化材料と当該強化材料を支持する母材との複合材からなり、
前記ベース板は、
前記パワー半導体素子の直下の領域と、前記直下の領域以外の領域である周辺領域とから構成され、
前記周辺領域は、
前記直下の領域より前記強化材料の配合が高められたことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 前記パワー半導体素子実装領域は、
前記絶縁基板の枚数および/または前記絶縁基板の平面形状に応じて形成されたことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。 - 前記絶縁基板の直下に位置する前記パワー半導体素子実装領域の中央部が、前記強化材料の配合が高められた
ことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。 - 前記強化材料は、前記母材よりもヤング率が大きいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記強化材料は、前記母材よりも線膨張率が小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記周辺領域の前記強化材料の配合率が前記母材の配合率よりも高いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記強化材料は、炭化ケイ素を含むセラミックスであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記母材は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ベリリウムまたはこれらを少なくとも1種含む合金であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ベース板の前記絶縁基板が接合される面とは反対側の面に放熱フィンが形成され、
前記放熱フィンが形成されたフィン形成領域は、前記強化材料の配合が高められたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。 - 前記放熱フィンが、前記母材で構成されることを特徴とする請求項10に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ベース板は、前記パワー半導体素子実装領域の前記強化材料を40体積%とし、前記周辺領域の前記強化材料を60体積%とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記パワー半導体素子を保護する筐体と、前記ベース板と前記筐体との間に据え込まれて該ベース板と共締めされる押さえ部材とを備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109659280A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-19 | 西安中车永电电气有限公司 | 一种压接式igbt内部封装结构 |
CN117096122A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-21 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种新能源储能碳化硅功率器件及其封装结构 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5731067A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-24 | Denso Corporation | Multi-layered substrate |
JP2000150743A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置用基板及びその製造方法 |
JP2001345402A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | モジュール型半導体装置及びその方法 |
JP2002203930A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-07-19 | Kubota Corp | 半導体素子用放熱性部品及び半導体装置 |
JP2004247684A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Toyota Motor Corp | 放熱板および放熱装置 |
JP2005277382A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
WO2007080701A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 |
WO2007125878A1 (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 |
JP2010178581A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2010283105A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Metals Ltd | 配線基板冷却機構、その製造方法、接合構造体、およびその製造方法 |
WO2011125441A1 (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-13 | 住友電気工業株式会社 | マグネシウム基複合部材、放熱部材、および半導体装置 |
JP2012099821A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Abb Technology Ag | ベースプレート |
-
2016
- 2016-02-16 JP JP2016027185A patent/JP6633935B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5731067A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-24 | Denso Corporation | Multi-layered substrate |
JP2000150743A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置用基板及びその製造方法 |
JP2001345402A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | モジュール型半導体装置及びその方法 |
JP2002203930A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-07-19 | Kubota Corp | 半導体素子用放熱性部品及び半導体装置 |
JP2004247684A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Toyota Motor Corp | 放熱板および放熱装置 |
JP2005277382A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
WO2007080701A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 |
WO2007125878A1 (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 |
JP2010178581A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2010283105A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Metals Ltd | 配線基板冷却機構、その製造方法、接合構造体、およびその製造方法 |
WO2011125441A1 (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-13 | 住友電気工業株式会社 | マグネシウム基複合部材、放熱部材、および半導体装置 |
JP2012099821A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Abb Technology Ag | ベースプレート |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109659280A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-19 | 西安中车永电电气有限公司 | 一种压接式igbt内部封装结构 |
CN117096122A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-21 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种新能源储能碳化硅功率器件及其封装结构 |
CN117096122B (zh) * | 2023-10-19 | 2024-01-09 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种新能源储能碳化硅功率器件及其封装结构 |
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Publication number | Publication date |
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JP6633935B2 (ja) | 2020-01-22 |
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