JP2015065310A - シール部材、冷却装置及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 シール性が良好であり、且つ、冷却能力の低下を防止することができるシール部材等の提供を目的とする。
【解決手段】 冷媒流路用のシール部材は、冷媒流路形成部材における冷媒流路部の外周部に沿って載置され、前記冷媒流路部を囲繞する閉じた形状を備える本体部と、前記本体部の内側に形成され、前記本体部よりも厚みの小さい延長部とを含む。好ましくは、前記冷媒流路形成部材の外周部の表面は、平らであり、前記延長部は、前記本体部の内側において前記外周部の表面全体上に延在する。
【選択図】 図３

Description

本開示は、シール部材、冷却装置及び半導体装置に関する。

従来から、金属ヒートシンクと金属成形体との間をＯリングでシールする構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。この構造では、Ｏリングは、金属成形体における第１のキャビティ（冷媒流路部）の外周部の平らな表面上に配置されている。

特開2012-104822号公報

しかしながら、Ｏリングを使用する場合は、鋳型で作製される金属成形体の鋳巣を介した漏れが生じないようにＯリングの体格を大きくする必要が生じる。特に、上記の特許文献１に記載のように、Ｏリングが金属成形体における外周部の平らな表面上に配置される場合、Ｏリングの体格を大きくと、その分だけ金属成形体と金属ヒートシンクとの間の隙間が大きくなり、この隙間に、より多くの冷媒が流れこむことにより、冷却能力が低下するという問題がある。

そこで、本開示は、シール性が良好であり、且つ、冷却能力の低下を防止することができるシール部材、冷却装置及び半導体装置の提供を目的とする。

本開示の一局面によれば、冷媒流路用のシール部材であって、
冷媒流路形成部材における冷媒流路部の外周部に沿って載置され、前記冷媒流路部を囲繞する閉じた形状を備える本体部と、
前記本体部の内側に形成され、前記本体部よりも厚みの小さい延長部とを含む、シール部材が提供される。

本開示によれば、シール性が良好であり、且つ、冷却能力の低下を防止することができるシール部材等が得られる。

一実施例による半導体装置１の冷却構造部分を示す斜視図である。 半導体装置１の冷却構造部分を示す一部分解斜視図である。 半導体装置１の断面図である。 シール部材５０の上面図である。 シール部材５０の断面図である。 装着状態のシール部材５０の断面図である。 比較例によるシール構造の断面図である。

以下、添付図面を参照しながら各実施例について詳細に説明する。

図１は、一実施例による半導体装置１の冷却構造部分を示す斜視図である。図２は、半導体装置１の冷却構造部分を示す一部分解斜視図である。図３は、半導体装置１の断面図である。尚、図１においては、シール部材５０及び冷媒流路部７２０を見えるようにするための便宜上、図３に示されるシール部材５０よりも上側に位置する構成要素については図示が省略されている。また、図１においては、複雑化を防止するための便宜上、ケース７０の一部の図示は省略されている。また、図２においては、冷媒流路部７２０を見えるようにするための便宜上、シール部材５０は装着前の状態（分解図）で示されている。

尚、半導体装置１の上下方向は、半導体装置１の搭載状態に応じて上下方向が異なるが、以下では、便宜上、図３の上側を上方とする。半導体装置１は、例えば、ハイブリッド車又は電気自動車で使用されるモータ駆動用のインバータを構成するものであってよい。以下では、半導体装置１は、モータ駆動用のインバータであるとして説明する。

半導体装置１は、図３に示すように、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂと、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂと、絶縁層３０と、ヒートシンク４０と、シール部材５０と、ケース７０と、バスバーモジュール８０と、制御基板９０を含む。

半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、図３に示すように、Ｘ方向に並んで配置される。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、例えば、インバータの上下アームを形成してよい。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、パワー半導体素子を含む。尚、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂが含むパワー半導体素子の種類や数は、任意である。図示の例では、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、それぞれ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）からなる半導体チップと、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）からなる半導体チップとを含む。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、ＩＧＢＴに代えて、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)のような他のスイッチング素子を含んでもよい。半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、それぞれヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂ上に半田（図示せず）により接合される。

ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂのそれぞれに対応して設けられる。ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、Ｘ方向に並んで配置され、互いに対してＸ方向で離間される。ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ半導体チップ１０Ａ，１０Ｂで発生する熱を吸収し拡散する部材である。ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、例えば銅、アルミなどの熱拡散性の優れた金属から形成される。本例では、一例として、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂは、銅により形成される。銅としては、伝導率が銅材の中で最も高い無酸素銅(C1020)が好適である。

絶縁層３０は、樹脂接着剤や樹脂シートから構成されてよい。絶縁層３０は、例えばアルミナをフィラーとした樹脂で形成されてもよい。絶縁層３０は、図３に示すように、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂとヒートシンク４０の間に設けられ、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂとヒートシンク４０に接合する。絶縁層３０は、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂとヒートシンク４０との間の電気的な絶縁性を確保しつつ、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂからヒートシンク４０への高い熱伝導性を確保する。

ヒートシンク４０は、熱伝導性の良い材料から形成され、例えば、アルミなどの金属により形成される。ヒートシンク４０は、上述の如く、上面がヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂに接合される。ヒートシンク４０は、図３に示すように、下面側にフィン４２Ａ，４２Ｂを備える。フィン４２Ａは、半導体チップ１０Ａに係るヒートスプレッダ２０Ａの下方に設けられる。フィン４２Ｂは、半導体チップ１０Ｂに係るヒートスプレッダ２０Ｂの下方に設けられる。フィン４２Ａ，４２Ｂの数や配列態様は任意である。フィン４２Ａ，４２Ｂは、千鳥配置されるピンフィンであってもよいし、ストレートフィンであってもよい。尚、ヒートシンク４０は、２つ以上の部材で構成されてもよい。例えば、ヒートシンク４０は、第１の金属板と、フィン４２Ａ，４２Ｂを備えた第２の金属板とを結合して構成されてもよい。

シール部材５０は、ヒートシンク４０とケース７０との間に挟まれる態様で設けられる。シール部材５０は、ガスケットであり、ヒートシンク４０とケース７０により形成される冷媒流路部７２０（後述）に対してシール機能を果たす。シール部材５０は、ケース７０における冷媒流路部７２０の外周部７３０に沿って載置される。シール部材５０は、図１及び図３に示すように、閉じた形状（環状の形態）を備える。図１及び図３に示す例では、シール部材５０は、略矩形の冷媒流路部７２０を囲繞するような矩形の形状である。尚、以下では、"内側"及び"外側"は、冷媒流路部７２０の中心Ｃ（図１参照）を基準として、中心Ｃに近い側を"内側"とし、遠い側を"外側"とする。シール部材５０の更なる構成は、後述する。

ケース７０は、駆動ユニット（例えば遊星歯車機構やモータ等）のケースであり、例えばアルミの鋳造により形成される。即ち、本例では、インバータ用ケースは省略され、駆動ユニットのケース７０が、インバータの半導体チップ１０Ａ，１０Ｂに対する冷媒流路部７２０を形成する。

バスバーモジュール８０は、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂを外部のモータ（図示せず）や電源（図示せず）に接続するために設けられる。

制御基板９０は、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂを制御するためのハードウェア構成（例えばマイコン）を含んでよい。制御基板９０は、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂと通信可能に接続される。例えば、制御基板９０は、ゲート信号を生成して、ＩＧＢＴからなる半導体チップ１０Ａ，１０Ｂを駆動する。

次に、半導体装置１の冷却構造部分について説明する。

本実施例では、冷媒流路部７２０は、ヒートシンク４０とケース７０により形成される。

ヒートシンク４０は、下面側がケース７０に対向するように配置される。ヒートシンク４０の下面において、Ｘ方向で、フィン４２Ａが形成される領域４３Ａ（以下、「第１フィン形成領域４３Ａ」とも称する）と、フィン４２Ｂが形成される領域４３Ｂ（以下、「第２フィン形成領域４３Ｂ」とも称する）との間には、フィンが形成されない領域４４（以下、「フィン非形成領域４４」とも称する）が形成される。フィン非形成領域４４は、絶縁層３０をヒートシンク４０及びヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂに接合する際に、治具により押圧される部位であってよい。フィン非形成領域４４は、ヒートシンク４０のＹ方向の両端間に延在してよい。

ケース７０は、外周部７３０を含み、外周部７３０よりも内側に冷媒流路部７２０が形成される。即ち、冷媒流路部７２０は、外周部７３０により囲繞される。外周部７３０は、全周に亘って同一の高さの平らな表面を有する。但し、ケース７０が鋳造により形成される場合は、外周部７３０の表面には鋳巣等に起因した微細な凹部等は存在しうる。

冷媒流路部７２０は、ヒートシンク４０の外形に応じた外形（但し、ヒートシンク４０の外形より小さい外形）を有してよく、図１に示す例では、矩形の外形を有する。冷媒流路部７２０は、第１チャンバ７２１Ａと、第２チャンバ７２１Ｂと、第１フィン対向部７２２Ａと、第２フィン対向部７２２Ｂと、凸部７２３とを含む。

第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、図１に示すように、Ｙ方向に直線的に延在する。第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、Ｙ方向で冷媒流路部７２０の両端間に延在する。第１チャンバ７２１Ａは、Ｘ方向で冷媒流路部７２０の一端側に形成され、第２チャンバ７２１Ｂは、Ｘ方向で冷媒流路部７２０の他端側に形成される。第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、それぞれ、Ｘ方向で外周部７３０に隣接する。第１チャンバ７２１Ａ及び第２チャンバ７２１Ｂは、外周部７３０の表面、第１フィン対向部７２２Ａ及び第２フィン対向部７２２Ｂの表面よりも低い底面を持つ凹部を形成する。

第１フィン対向部７２２Ａは、ヒートシンク４０の第１フィン形成領域４３Ａに対応して形成される。第１フィン対向部７２２Ａは、ヒートシンク４０のフィン４２Ａに対して僅かなクリアランスだけ離間される。第１フィン対向部７２２Ａは、一定の高さの表面により形成されてよい。

第２フィン対向部７２２Ｂは、ヒートシンク４０の第２フィン形成領域４３Ｂに対応して形成される。第２フィン対向部７２２Ｂは、ヒートシンク４０のフィン４２Ｂに対して僅かなクリアランスだけ離間される。第２フィン対向部７２２Ｂは、一定の高さの表面により形成されてよい。

凸部７２３は、フィン非形成領域４４に対向する態様で形成される。凸部７２３は、ヒートシンク４０に至る前に終端する態様で突出する。即ち、凸部７２３は、ヒートシンク４０に対して接触しないような高さを有する。凸部７２３は、Ｘ方向の冷媒の流れに対してオリフィスとして機能する。

図１に示す例では、冷却水（例えば、ＬＬＣ：ロング・ライフ・クーラント）や冷却油のような冷媒は、第２チャンバ７２１ＢにおけるＹ方向の一端側の冷媒入口から導入され（図１の矢印Ｐ１参照）、第２フィン対向部７２２Ｂ、凸部７２３及び第１フィン対向部７２２Ａ上をＸ方向に流れ（図１の矢印Ｐ２参照）、第１チャンバ７２１ＡにおけるＹ方向の他端側の冷媒出口から排出される（図１の矢印Ｐ３参照）。尚、冷媒は、第２フィン対向部７２２Ｂ及び第１フィン対向部７２２Ａ上をＸ方向に流れる際、フィン４２Ａ，４２Ｂと接触する。このようにして、半導体装置１の駆動時に生じる半導体チップ１０Ａ，１０Ｂからの熱は、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂ、絶縁層３０を介して、ヒートシンク４０のフィン４２Ａ，４２Ｂから冷媒へと伝達され、半導体装置１の冷却が実現される。

次に、シール部材５０の構成について詳説する。

図４は、シール部材５０の上面図である。図５は、図４のラインＡ−Ａに沿った単品状態（非装着状態）のシール部材５０の断面図である。図６は、装着状態のシール部材５０の断面図である。

シール部材５０は、上述の如く、ケース７０の外周部７３０に沿って載置される。従って、シール部材５０は、ケース７０の外周部７３０に対応した閉じた形状を備える。シール部材５０は、本体部５２と、延長部５４と、外縁部５６とを含む。本体部５２及び延長部５４は、同一の軟質材料（例えば、ゴム系の材料）で形成されてよい。また、外縁部５６は、金属材料で形成されてもよい（即ち、金属環の形態であってよい）。

本体部５２及び延長部５４は、シール部材５０の内側に位置し、同様に、ケース７０の外周部７３０に対応した閉じた形状を備える。外縁部５６は、シール部材５０の外側に位置し、同様に、ケース７０の外周部７３０に対応した閉じた形状を備える。外縁部５６は、本体部５２の外側の側面に接着等により固定されてよい。外縁部５６には、ボルト挿通穴５７が複数個所形成される。外縁部５６は、ボルト挿通穴５７を備えることで、シール部材５０の位置決め機能を果たす。ボルト挿通穴５７の数は任意である。本体部５２は、好ましくは、隣接する各ボルト挿通穴５７の中心を結ぶ直線上に延在するか、若しくは、当該直線よりも内側に延在する。各ボルト挿通穴５７には、ヒートシンク４０をケース７０に固定するためのボルト６０（図６参照）が通される。このようにして、シール部材５０は、ヒートシンク４０と共にケース７０に締結（共締め）される。尚、シール部材５０の本体部５２がボルト挿通穴５７の中心を結ぶ直線上に延在する場合、締結時に本体部５２にて面圧が周方向に亘って比較的均一に発生し、シール性が効率的に増加する。

本体部５２は、延長部５４よりも厚肉に形成される。従って、シール部材５０の装着状態（ヒートシンク４０とケース７０との間に挟まれて装着された状態）では、本体部５２は、延長部５４よりも潰れ（弾性変形量）が大きく、シール機能に大きく寄与する。このようにして本体部５２を延長部５４よりも厚肉に形成することにより、シール部材５０の装着状態で本体部５２にて受ける面圧を効率的に高めて、シール機能を高めることができる。

延長部５４は、本体部５２よりも内側に形成される。延長部５４は、好ましくは、図６に示すように、シール部材５０の装着状態で、ケース７０の外周部７３０の内側の端部７３０ａまで延在する。シール部材５０の装着状態では、延長部５４は、好ましくは、弾性変形し、本体部５２のシール機能を補助する。但し、延長部５４は、シール部材５０の装着状態で実質的に弾性変形しない構成であってもよい。延長部５４の更なる機能については後述する。

図７は、比較例によるシール構造の断面図であり、（Ａ）は、シール部材５０の延長部５４が存在しない構成の比較例１を示し、（Ｂ）は、シール部材５０に代えてＦＩＰＧ（Formed in Place Gasket）５０'を用いる比較例２を示し、（Ｃ）は、シール部材５０に代えてＯリング５０"を用いる比較例３を示し、（Ｄ）は、シール部材５０の延長部５４が存在せず、本体部５２がケース７０の外周部７３０の内側の端部７３０ａまで延在する比較例４を示す。

先ず、比較例２のように、Ｏリング５０"を用いる場合は、ケース７０に溝加工する必要がある。また、ケース７０の鋳巣をシールしようとすると、Ｏリング５０"の体格を大きくする必要があり、不利となる。また、比較例３のように、ＦＩＰＧ５０'を用いる場合は、例えばヒートシンク４０の交換時に付着しているＦＩＰＧ５０'を除去する作業が必要となり、不利となる。

これに対して、本実施例のシール部材５０によれば、上記の比較例２や比較例３で生じるような問題が無くなる。即ち、本実施例のシール部材５０によれば、溝加工も不要であり、ヒートシンク４０の交換時の作業性も良好である。また、本実施例のシール部材５０は、本体部５２及び延長部５４を備えることでケース７０の外周部７３０の表面の広範囲に覆うことができるので、ケース７０の鋳巣に対してもロバストなシール性を実現することができる。従って、この点で、本実施例のシール部材５０は、ケース７０が鋳造物であるときに特に好適となる。

また、比較例１のようなガスケットを用いる場合は、図７（Ａ）にて矢印Ｑ１で模式的に示すように、第１チャンバ７２１Ａ内を流れる冷媒が、ケース７０の外周部７３０とヒートシンク４０との間の隙間に流れ込むので、冷却性能の低下が生じる。尚、この現象は、第２チャンバ７２１Ｂにおいても生じる。

これに対して、本実施例のシール部材５０によれば、シール部材５０の延長部５４が、ケース７０の外周部７３０とヒートシンク４０との間の隙間を埋めるので、図６にて矢印Ｑ２で模式的に示すように、比較例１で生じるような冷媒の流れが発生せず、ケース７０の外周部７３０とヒートシンク４０との間の隙間に起因した冷却性能の低下を防止することができる。

また、比較例４のようなガスケットを用いる場合は、本体部５２が、ケース７０の外周部７３０とヒートシンク４０との間の隙間を埋めるので、比較例１で生じるような冷媒の流れが発生せず、冷却性能の低下を防止することができる。しかしながら、比較例４のようなガスケットを用いる場合は、シール部材の全周に亘って本体部５２がボルト６０よりも内側に位置するので、本体部５２の潰れ量が不十分（及び周方向に亘って面圧が不均一）となり、シール性が損なわれる。

これに対して、本実施例のシール部材５０によれば、図６に示すように、シール部材５０の本体部５２を、隣接する各ボルト挿通穴５７を結ぶ直線上に延在させることができ、シール性を高めることができる。このようにして、本実施例のシール部材５０によれば、本体部５２により高いシール性を維持しつつ、冷却性能の低下を防止することができる。尚、ボルト挿通穴５７の位置（ボルト６０の位置）は、ヒートシンク４０上に載置される構成要素の最外位置によって制約を受ける。即ち、ボルト挿通穴５７は、ヒートシンク４０上に載置される構成要素の最外位置よりも外側に形成される必要がある。図３に示す例では、ボルト挿通穴５７は、バスバーモジュール８０の側面に対して所定距離だけ外側に配置されている。このために、ケース７０の外周部７３０とヒートシンク４０との間の隙間が生じる。

尚、図示の実施例では、シール部材５０の本体部５２は、基本的に（第２チャンバ７２１Ｂ側以外では）、隣接する各ボルト挿通穴５７の中心を結ぶ直線上（又は各ボルト挿通穴５７間の２本の接線間の領域内）に延在し、各ボルト挿通穴５７の位置においてのみ各ボルト挿通穴５７の内側を通る態様で延在する。これにより、シール部材５０の略全周に亘り、高いシール性を維持することができる。尚、第２チャンバ７２１Ｂ側においても、同様に、本体部５２は、隣接する各ボルト挿通穴５７を結ぶ直線上に延在し、各ボルト挿通穴５７の位置においてのみ各ボルト挿通穴５７の内側を通る態様で延在することとしてもよい。

以上、各実施例について詳述したが、特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。また、前述した実施例の構成要素を全部又は複数を組み合わせることも可能である。

例えば、上述した実施例では、好ましい例として、延長部５４は、ケース７０の外周部７３０の内側の端部７３０ａまで延在し、ケース７０の外周部７３０とヒートシンク４０との間の隙間を完全に埋めている。また、延長部５４は、シール部材５０の全周に亘って形成されており、シール部材５０の全周に亘ってケース７０の外周部７３０とヒートシンク４０との間の隙間を完全に埋めている。しかしながら、延長部５４は、ケース７０の外周部７３０の内側の端部７３０ａの手前で終端してもよい。また、延長部５４は、シール部材５０の全周のうちの一部のみに形成されてもよい。これらの場合でも、図７（Ａ）に示す比較例１で生じる冷却能力の低下を部分的に防止することができる。

また、上述した実施例では、冷媒として流体が使用されているが、冷媒として空気（即ち空冷式）が用いられてもよい。

また、上述した実施例では、冷媒流路部７２０を形成するケース７０は、駆動ユニットのケースを兼ねているが、他のケース（例えば、インバータケース）であってもよいし、ケースとしての機能を有さない部材であってもよい。

また、上述した実施例において、冷媒流路部７２０の構成は多様に変形可能である。例えば、凸部７２３は省略されてもよいし、第１チャンバ７２１Ａの冷媒出口及び／又は第２チャンバ７２１Ｂの冷媒入口は逆側に形成されてもよい。また、第２チャンバ７２１Ｂ及び第１チャンバ７２１Ａでは、冷媒がＹ方向に導入及び排出されているが、Ｘ方向に導入及び排出される構成であってもよい。

また、上述した実施例では、シール部材５０は、外縁部５６を備えているが、外縁部５６は部分的に又は全体が省略されてもよい。また、外縁部５６は２部材以上で形成されてもよい。尚、外縁部５６が省略される場合は、ヒートシンク４０がケース７０に締結されることで、シール部材５０は、ヒートシンク４０とケース７０の間に挟まれて固定される。

また、図示の例では、２つのヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂを備える構成を説明したが、半導体装置１に含まれるヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂの数は任意である。例えば、半導体装置１に含まれるヒートスプレッダの数は、６であってもよい。この場合、６つのヒートスプレッダ上の各半導体チップは、モータ駆動用のインバータのＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各上アーム及び各下アームを構成するものであってよい。

また、上述の実施例では、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂが接合される基板は、ヒートスプレッダ２０Ａ，２０Ｂであったが、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂは、他の任意の基板に配置されてもよい。例えば、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂが接合される基板は、セラミック基板の両面にアルミ板を備えたＤＢＡ（Direct Brazed Aluminum）基板や、セラミック基板の両面に銅板を備えたＤＢＣ（Direct Brazed Copper）基板であってもよい。

また、上述の実施例では、半導体装置１は、車両用のインバータに適用されるものであったが、半導体装置１は、他の用途（鉄道、エアコン、エレベータ、冷蔵庫等）で使用されるインバータに使用されてもよい。更に、半導体装置１は、インバータ以外の装置、例えば、コンバータや、無線通信機の送信部の電力増幅回路に使用される高周波パワーモジュールに使用されてもよい。

１ 半導体装置
１０Ａ，１０Ｂ 半導体チップ
２０Ａ，２０Ｂ ヒートスプレッダ
３０ 絶縁層
４０ ヒートシンク
４２Ａ，４２Ｂ フィン
５０ シール部材
５２ 本体部
５４ 延長部
５６ 外縁部
５７ ボルト挿通穴
６０ ボルト
７０ ケース
７２０ 冷媒流路部
７２１Ａ 第１チャンバ
７２１Ｂ 第２チャンバ
７２２Ａ 第１フィン対向部
７２２Ｂ 第２フィン対向部
７２３ 凸部
７３０ 外周部
８０ バスバーモジュール
９０ 制御基板

Claims (8)

1. 冷媒流路用のシール部材であって、
   冷媒流路形成部材における冷媒流路部の外周部に沿って載置され、前記冷媒流路部を囲繞する閉じた形状を備える本体部と、
   前記本体部の内側に形成され、前記本体部よりも厚みの小さい延長部とを含む、シール部材。
2. 前記冷媒流路形成部材の外周部の表面は、平らであり、
   前記延長部は、前記本体部の内側において前記外周部の表面全体上に延在する、請求項１に記載のシール部材。
3. 前記外周部は、前記冷媒流路部を画成する凹部に内側で連続し、
   前記延長部は、前記外周部の内側の端部まで延在する、請求項１又は２に記載のシール部材。
4. 前記本体部の外側に形成され、前記冷媒流路形成部材に取り付く締結具の挿通穴が前記冷媒流路形成部材の外周部に沿って複数個形成される外縁部を更に備え、
   前記本体部は、複数の前記挿通穴間において、複数の前記挿通穴の中心を結んだ線上を延在する、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載のシール部材。
5. 前記本体部は、前記挿通穴の位置において、前記挿通穴よりも内側を通って延在する、請求項４に記載のシール部材。
6. 前記冷媒流路形成部材は鋳造物である、請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載のシール部材。
7. 請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載のシール部材と、
   前記シール部材の本体部及び延長部が載置される外周部を備え、前記外周部よりも内側に冷媒流路部を形成する第１冷媒流路形成部材と、
   前記第１冷媒流路形成部材に対向して設けられ、前記第１冷媒流路形成部材と協動して前記冷媒流路部を形成する第２冷媒流路形成部材とを備え、
   前記シール部材の本体部及び延長部は、前記第１冷媒流路形成部材の外周部と前記第２冷媒流路形成部材との間に挟まれる、冷却装置。
8. 請求項７に記載の冷却装置と、
   前記冷却装置により冷却される半導体素子とを備え、
   前記第２冷媒流路形成部材は、前記第１冷媒流路形成部材と対向する第１の側の表面にフィンを備え、前記半導体素子は、前記第２冷媒流路形成部材の第２の側に設けられる、半導体装置。

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