JP2017142465A - 光操作装置および光源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化に適する光操作装置および光源装置を提供すること。【解決手段】光操作装置は、光が外部から入力される、または外部に光を出力する少なくとも一つのポートを有する光入出力ポートと、前記光入出力ポートのいずれかのポートから入力した光を前記光入出力ポートのいずれかのポートに向けて出力するための光操作素子と、前記光入出力ポートと前記光操作素子との間に配置され、前記光入出力ポートと前記光操作素子とを光学的に結合させる集光レンズ系と、前記光入出力ポートと前記集光レンズ系との間に配置され、前記ポートから入力した光を光分散方向で分光する透過型の回折格子と、を備え、前記回折格子は、前記光入出力ポートから入力した光の入射角とリトロー角とが異なるように配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、光操作装置および光源装置に関するものである。

近年の光通信システムは、その形態がｐｏｉｎｔ−ｔｏ−ｐｏｉｎｔ型から、リング型またはメッシュ型のネットワークへと発展しつつある。このような形態のネットワークのノードには、任意の信号光を任意のポートに入出力させて、信号光の経路を任意に変更するための光操作装置である光スイッチ装置が必要とされる。

特に、互いに異なる波長の信号光が波長分割多重（Wavelength Division Multiplexing）されたＷＤＭ信号光を用いる場合は、任意の波長の信号光に対して任意に経路を変更できる波長選択光スイッチ装置が必要とされる（特許文献１）。

光スイッチ装置には、信号光の経路を切り替えるために、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）を用いたものがある。ＬＣＯＳは、２次元配列された複数の微小光操作素子である位相変調素子（液晶の画素）を有し、入力された光の位相を位相変調素子によって変調し、回折させることができる光操作素子である。したがって、ＬＣＯＳを用いた光スイッチ装置では、ある経路から入力された信号光を、ＬＣＯＳによって回折させて、特定の経路に出力することにより、光スイッチ動作を実現している。

また、波長選択光スイッチ装置の場合は、回折格子などの光分散素子を備えている。入力されたＷＤＭ信号光は光分散素子により分光され、互いに波長が異なる信号光毎にＬＣＯＳの異なる位置に到達する。ＬＣＯＳでは、複数の位相変調素子を含んでおり各信号光が入力される入力領域が割り当てられている。そして、各信号光は各入力領域に入力され、各入力領域の位相変調素子は各信号光をその信号光の所望の経路に出力するように回折させる。

特許文献２には、光操作素子としてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた２次元配列された複数の微小光操作素子である微小反射ミラーを有するＭＥＭＳミラーを使用し、かつアナモルフィックプリズムを用いた波長選択光スイッチ装置が開示されている。この波長選択光スイッチ装置では、アナモルフィックプリズムにより、回折格子に入力する信号光のビーム形状を、信号光が分光される方向（分散方向）に長軸を有し、分散方向とは垂直方向（スイッチ方向）に短軸を有する楕円形状とし、ＭＥＭＳミラーに入力する信号光のビーム形状を、分散方向に短軸を有し、スイッチ方向に長軸を有する楕円形状とする。これにより、波長選択光スイッチ装置の波長分解能およびＭＥＭＳミラーの面積効率が向上する。

非特許文献１には、液晶を用いたＳＬＭ（Spatial Light Modulator）によりＷＤＭ信号光に対する波長選択光スイッチ装置であって、ＳＬＭによりＷＤＭ信号光の偏波回転を行うことによりスイッチングを行うものが開示されている。ＳＬＭは、１次元もしく２次元的に配列された複数の微小光操作素子である位相変調素子の画素から構成され、その各画素の位相を制御することで光を操作する空間位相変調素子である。

米国特許第７，３９７，９８０号明細書 米国特許第８，２４３，３７２号明細書

Al R. Ranalli, et al., "LIQUID CRYSTAL-BASED WAVELENGTH SELECTABLE CROSS-CONNECT",ECOC’99, 26-30 Sepetmber 1999, Nice, France.

ところで、近年は波長選択光スイッチの小型化が急速に進んでおり、さらなる小型化が望まれている。同様に、ＷＤＭ信号光を出力する光源装置も、小型化が望まれている。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、小型化に適する光操作装置および光源装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る光操作装置は、光が外部から入力される、または外部に光を出力する少なくとも一つのポートを有する光入出力ポートと、前記光入出力ポートのいずれかのポートから入力した光を前記光入出力ポートのいずれかのポートに向けて出力するための光操作素子と、前記光入出力ポートと前記光操作素子との間に配置され、前記光入出力ポートと前記光操作素子とを光学的に結合させる集光レンズ系と、前記光入出力ポートと前記集光レンズ系との間に配置され、前記ポートから入力した光を光分散方向に分光する透過型の回折格子と、を備え、前記回折格子は、前記光入出力ポートから入力した光の入射角とリトロー角とが異なるように配置されていることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記入射角がリトロー角よりも小さいことを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記入射角がリトロー角よりも大きいことを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記光操作素子は、２次元配列された複数の微小光操作素子を有していることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記光入出力ポートから入力した光は互いに異なる複数の信号光を含むＷＤＭ信号光であり、前記ＷＤＭ信号光が前記光操作素子上に入射する幅が前記光操作素子の有効エリアの幅の９０％以上であることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記光操作素子は、前記光分散方向に沿って離散的に配列された複数の操作素子を有していることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記光入出力ポートから入力した光は互いに異なる複数の信号光を含むＷＤＭ信号光であり、前記ＷＤＭ信号光に含まれる各信号光が分光されて、前記光操作素子の各操作素子に到達し、前記複数の操作素子の間隔と分光された前記各信号光の前記操作素子上での間隔が略等しいことを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記光の前記光操作素子近傍でのビームウェスト半径が１２μｍ以上であることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記光入出力ポートの前記集光レンズの光軸に一致したポートから入力された光の前記光操作素子近傍におけるビームウェストの位置と、前記集光レンズの光軸から最もはずれたポートから入力された光の前記光操作素子近傍におけるビームウェストの位置との中間の位置において、前記光軸に一致したポートから入力された光の前記光操作素子上でのビーム半径の、前記ビームウェスト半径からの増加率が２０％以下であることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光操作装置は、前記光の前記光操作素子近傍でのビームウェスト半径が１２μｍ以上であることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光源装置は、外部に光を出力するポートを有する光出力ポートと、離散的に配列された、互いに波長が異なる光を出力する複数の光源と、前記光出力ポートと前記複数の光源との間に配置され、前記光出力ポートと前記複数の光源とを光学的に結合させる集光レンズ系と、前記光出力ポートと前記集光レンズ系との間に配置され、前記複数の光源から出力された各光を前記複数の光源の配列方向である光分散方向で分光する透過型の回折格子と、を備え、前記回折格子は、前記複数の光源から入力した各光がリトロー角とは異なる入射角で入射し、かつ前記各光が同じ回折角で出射するように配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、小型化に適する光操作装置および光源装置を実現できるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。 図２は、実施形態１に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。 図３は、回折格子への光の入射角と回折角を説明する図である。 図４は、回折格子への光の入射角と回折角との関係を説明する図である。 図５は、光スイッチ装置の帯域について説明する図である。 図６は、ビームウェスト位置からのオフセットとビーム半径との関係を示す図である。 図７は、２ω／ｄと０．５ｄＢ帯域との関係を示す図である。 図８は、オフセットとビーム半径の増加率との関係を示す図である。 図９は、集光レンズの光軸と一致する光ファイバポートから入力される光の光スイッチ素子近傍におけるビームウェストの位置と、光軸から最もはずれた光ファイバポートから入力される光の光スイッチ素子近傍におけるビームウェストの位置を分散方向にプロットした図である。 図１０は、図９で説明した位置ずれの中間地点に光スイッチ素子を配置した状態を示す図である。 図１１は、オフセットと、光と光スイッチ素子との結合効率との関係を示す図である。 図１２は、光分散方向におけるビーム半径の大きさが違う場合について説明する図である。 図１３は、位置ずれと、光と光スイッチ素子との結合効率との関係を示す図である。 図１４は、比較例と実施例の光スイッチ装置の０．５ｄＢ帯域の波長依存性を示す図である。 図１５は、実施形態２に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。 図１６は、実施形態２に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。 図１７は、回折格子への光の入射角と回折角を説明する図である。 図１８は、光スイッチ素子と信号光のビームとを示す図である。 図１９は、実施形態３に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。 図２０は、実施形態３に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。 図２１は、光スイッチ素子と信号光のビームとを示す図である。 図２２は、実施形態４に係る光源装置の模式的な構成図である。 図２３は、回折格子への光の入射角と回折角を説明する図である。 図２４は、光フィルタと光サーキュレータとを組み合わせた構成を示す図である。 図２５は、回折格子が２つの場合の光の入射角と回折角を説明する図である。

以下に、図面を参照して本発明に係る光操作装置および光源装置の実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。さらに、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、図中、３軸（ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸）の直交座標系であるｘｙｚ座標系を適宜用いて方向を説明する。

（実施形態１）
図１、２は、本発明の実施形態１に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。この光スイッチ装置１０００は、波長選択光スイッチ装置であって、光の経路をスイッチング操作する光操作装置である。図１は、光スイッチ装置１０００を、ｘ軸の負の側から見た図である。図２は、光スイッチ装置１０００を、ｙ軸の正の側から見た図である。

光スイッチ装置１０００は、光入出力ポート１０と、アナモルフィックプリズムペアなどで構成されるアナモルフィック光学系２０と、光分散素子である透過型の回折格子３０と、集光レンズ系である集光レンズ４０と、光操作素子である光スイッチ素子５０とがこの順番に配置されて構成されている。また、光スイッチ装置１０００は、光スイッチ素子５０を制御する制御部６０を備える。

なお、実際には回折格子３０において光路は曲げられるので、アナモルフィック光学系２０から光スイッチ素子５０までの各素子は回折格子３０の前後で角度を持って配置される。また、アナモルフィック光学系２０において光路がｙ軸方向にシフトすることがある。ただし、図１、２においては、説明の簡略化のために、ｚ軸方向に平行な集光レンズ４０の光軸４０ａに沿って各素子を直列に配置して示している。

光入出力ポート１０は、光ファイバからなる光ファイバポート１１、１２、１３、１４、１５と、コリメート部１６とを備えている。光ファイバポート１１〜１５は、所定の配列方向（ｘ軸に沿った光スイッチ方向である方向Ｄ２）に沿って、略等間隔でアレイ状に配列されている。光ファイバポート１１〜１５は、外部から光が入力される、または外部に光を出力するものである。コリメート部１６は、複数のコリメータレンズを備える。各コリメータレンズは、各光ファイバポート１１〜１５に対応して設けられている。各コリメータレンズは、各光ファイバポート１１〜１５から出力した光を平行光にする、または、入力された平行光を各光ファイバポート１１〜１５に集光して結合させる機能を有する。なお、コリメート部１６は、複数のコリメータレンズの代わりにコリメート機能を有する複数の光導波路を備えていてもよい。なお、コリメート部１６を省略することもできる。

なお、本明細書では光ファイバポートが方向Ｄ２に沿ったアレイ状の構成で説明するが、本発明は、光ファイバポートが後述する方向Ｄ１にも配列する２次元アレイ状光ファイバポートにも拡張することができる。また、光スイッチ装置１０００に入力または出力される光は特に限定されないが、たとえば波長１５２０〜１６２０ｎｍの光通信用の信号光である。

光スイッチ素子５０は、たとえばＳＬＭ（Spatial Light Modulator）である。ＳＬＭは、１次元もしくは２次元的に配列された複数の微小光操作素子である位相変調素子の画素から構成され、その各画素の位相を制御することで光を操作する空間位相変調素子である。本実施形態１では、光スイッチ素子５０は、ＳＬＭの一種であり、位相変調素子である液晶の画素が２次元配列されたＬＣＯＳであるとする。ただし、光スイッチ素子５０はＬＣＯＳに限られず、たとえばＤＭＤ（Digital Micromirror Device）でもよい。ＤＭＤは入力された光の角度を変化させて出力することができる微小な画素（微小光操作素子）が２次元的に配列した素子である。

光スイッチ素子５０は、光入出力ポート１０のいずれかの光ファイバポートから入力した光を反射（回折）して光路を切り換え、光入出力ポート１０の他のいずれかの光ファイバポートに向けて出力する機能を有する。

単レンズである集光レンズ４０は、点対称レンズであって、光入出力ポート１０と光スイッチ素子５０との間に配置されている。この集光レンズ４０は、光入出力ポート１０と光スイッチ素子５０とを光学的に結合するものである。

回折格子３０は、光入出力ポート１０と集光レンズ４０との間に配置され、光入出力ポート１０のいずれかの光ファイバポートから入力した光を光分散方向（ｙ軸に沿った方向Ｄ１）に分光する。なお、回折格子３０および光スイッチ素子５０はそれぞれ集光レンズ４０の前側と後側の凡そ焦点位置に配置されるように設計されている。このように、光スイッチ装置１０００では、集光レンズ４０により２ｆ光学系が形成されている。以下、焦点位置とは、レンズまたはレンズ系の主面から焦点距離ｆだけ離れた位置とする。

アナモルフィック光学系２０は、光入出力ポート１０と回折格子３０との間に配置されている。アナモルフィック光学系２０は、光入出力ポート１０側から入力された光のビーム形状を方向Ｄ１に拡大する機能を有する。また、アナモルフィック光学系２０は、光相反性を有するため、光スイッチ素子５０側から入力された光のビーム形状を方向Ｄ１に縮小する機能を有する。なお、アナモルフィック光学系２０は、たとえばシリンドリカルレンズ系やアナモルフィックプリズムで構成されていてもよい。

制御部６０は、光スイッチ素子５０の各位相変調素子の画素に電圧信号を印加し、その画素が光に与える位相を制御する。制御部６０は、たとえば電圧信号発生部と、演算部と、記憶部とを備えている。電圧信号発生部は、光スイッチ素子５０に印加する電圧信号を発生する。演算部は、電圧信号発生部の制御のための各種演算処理を行うものであり、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成される。記憶部は、演算部が演算処理を行うために使用する各種プログラムやデータ等が格納される、たとえばＲＯＭ（Read Only Memory）で構成される部分と、演算部が演算処理を行う際の作業スペースや演算部の演算処理の結果等を記憶する等のために使用される、たとえばＲＡＭ（Random Access Memory）で構成される部分とを備えている。

この光スイッチ装置１０００では、光ファイバポート１１〜１５のうちいずれか一つが、外部から光が入力される共通の光ファイバポート（Ｃｏｍポート）として機能し、その他の四つの光ファイバポートが、外部に光を出力する光ファイバポートとして設定されている。すなわち、この光スイッチ装置１０００は１×４の光スイッチとして機能する。

つぎに、図１、２を参照して、この光スイッチ装置１０００の動作について説明する。

まず、光入出力ポート１０の光ファイバポート１３をＣｏｍポートとした場合、光ファイバポート１３に、外部から或る信号光Ｌ１が入力される。信号光Ｌ１はＷＤＭ信号光であり、互いに異なる波長を有する信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃを含むとする。信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃの波長については、信号光Ｌ１ｃが最も長波長であり、信号光Ｌ１ｂが最も短波長であり、信号光Ｌ１ａがその中央の波長であるとする。

光ファイバポート１３は、入力された信号光Ｌ１をコリメート部１６の対応するコリメータレンズへ出力する。このコリメータレンズは、信号光Ｌ１を、ビーム形状が略円形の略平行光にする。このとき、光入出力ポート１０の光の出射側において、信号光Ｌ１のビーム（ビームＢ１とする）の方向Ｄ１、Ｄ２におけるビーム半径は、それぞれω_ｈ１、ω_ν１である。信号光Ｌ１のビームは光入出力ポート１０の略光の出射側の位置でビームウェストを有している。

アナモルフィック光学系２０は、光入出力ポート１０から出力された信号光Ｌ１のビーム形状を方向Ｄ１の方向に拡大し、楕円形にする。

回折格子３０は、楕円形にされた信号光Ｌ１をその波長に応じた所定の回折角で回折する。その結果、図１に示すように、信号光Ｌ１は、それぞれ信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃに分光される。なお、図２では、分光された後の信号光も信号光Ｌ１として図示している。

集光レンズ４０は、回折された信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃを光スイッチ素子５０のそれぞれ別の領域に集光させる。このとき、集光レンズ４０の光の入力側において、信号光Ｌ１のビーム（ビームＢ２とする）の方向Ｄ１、Ｄ２におけるビーム半径は、それぞれω_ｈ２、ω_ν２である。なお、ビーム半径は光強度のピーク値から１／ｅ^２となるビーム半径で定義される。また、信号光Ｌ１（信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃ）は、光スイッチ素子５０の表面にほぼ垂直に入射する。回折格子３０と集光レンズ４０との間において信号光Ｌ１ａと信号光Ｌ１ｂとのなす角をθ_１、信号光Ｌ１ａと信号光Ｌ１ｃとのなす角をθ_２とすると、光スイッチ素子５０において信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃが入射される領域の幅Ｗは、Ｗ＝ｆ×（ｔａｎθ_１＋ｔａｎθ_２）である。

光スイッチ素子５０では、幅Ｗよりも広い有効エリアに信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃが入射される。有効エリアでは、制御部６０により、有効エリアに含まれる複数の画素の位相が制御されて、各信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ａ、Ｌ１ｃを、各信号光の波長に応じた所定の角度で反射（回折）させる。このとき、光スイッチ素子５０上において、信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのビーム（ビームＢ３１、Ｂ３２、Ｂ３３とする）の方向Ｄ１におけるビーム半径は、それぞれω_ｈ３である。また、信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのビーム（代表してビームＢ３とする）の方向Ｄ２におけるビーム半径は、ω_ν３である。信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのビームは、光スイッチ素子５０上または光スイッチ素子５０の近傍でビームウェストを有している。

以下、反射された信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのうち、信号光Ｌ１ａの反射光を代表して説明する。信号光Ｌ１ａは、集光レンズ４０、回折格子３０を順次通過し、光相反性によって反射前とは逆の屈折または回折を受ける。

アナモルフィック光学系２０は、光相反性によって、信号光Ｌ１ａのビーム形状を方向Ｄ１の方向に縮小して略円形に戻す。その後、信号光Ｌ１ａはコリメート部１６の、光ファイバポート１１に対応するコリメータレンズに入力する。このコリメータレンズは、信号光Ｌ１ａを集光し、光ファイバポート１１に結合させる。光ファイバポート１１は結合された信号光Ｌ１ａを外部に出力する。以上のようにして、この光スイッチ装置１０００は、Ｃｏｍポートである光ファイバポート１３から入力された信号光Ｌ１に含まれる信号光Ｌ１ａの経路を光ファイバポート１１に切り換えることができる。

また、信号光Ｌ１に含まれる他の波長の信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃについても同様に、その経路が、光ファイバポート１３以外の光ファイバポート、たとえば光ファイバポート１２、１４にそれぞれ切り換られる。これによって、信号光の波長毎の所望の経路の切り換えを実現することができる。

つぎに、回折格子３０への信号光Ｌ１の入射角について図を参照して説明する。図３に示すように、信号光Ｌ１は、破線で示す回折格子３０の法線に対して入射角αで入射する。信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃはその波長に応じた回折角で回折される。たとえば信号光Ｌ１ａの回折角はβである。

ここで、実施形態１に係る光スイッチ装置１０００では、回折格子３０の入射角αとリトロー（Ｌｉｔｔｒｏｗ）角θ_Ｌとが異なるように配置されている。ここで、入射角αとリトロー角θ_Ｌとが異なるとは、たとえば、両者の差が１°よりも大きいことを意味する。具体的には、本実施形態１においては、入射角αがリトロー角θ_Ｌよりも小さい。したがって、図３においてα≠βである。ここで、リトロー角θ_Ｌとは、回折格子に入射する或る波長の光について、入射角と回折角とが等しくなるような入射角である。なお、実施形態１では、リトロー角θ_Ｌを、入射する信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃが形成する波長帯域（使用波長帯域）の中心波長である信号光Ｌ１ａの波長の光に対して定義する。なお、使用波長帯域の中心波長に信号光がない場合には、使用波長帯域の中心波長の光に対してリトロー角θ_Ｌを定義する。

光スイッチ装置１０００は、信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角αがリトロー角θ_Ｌよりも小さいことにより、小型化できる。その理由を以下に説明する。

上述したように、光スイッチ装置には小型化が要求されているが、特に、ｙｚ平面の小型化、薄型化（ｘ方向の小型化）を実現する方法として、集光レンズの焦点距離を短くする方法がある。しかしながら、集光レンズの焦点距離を短くすると、集光レンズにより集光した後の光の光分散方向におけるビーム径が小さくなる。そのため、光スイッチ素子位置と光のビームウェスト位置がずれた場合、光の損失の増加が大きくなる場合がある。

そこで、本発明者は、光スイッチ装置を設計するにあたり、回折格子への光の入射角をリトロー角とは異なるように回折格子を配置することで、回折された光のビームの特性を調整し、光スイッチ装置の小型化、薄型化が実現される設計とできることに想到した。

図４は、回折格子への光の入射角と回折角との関係を説明する図である。信号光Ｌ１（信号光Ｌ１ａ）の入射角がαの場合の光分散方向におけるビーム径をｄ_１、回折角がβの場合の光分散方向におけるビーム径をｄ_２とし、λを信号光Ｌ１ａの波長とし、ｍを回折次数とし、Λを回折格子３０の溝間隔とすると、ｓｉｎα＋ｓｉｎβ＝ｍλ／Λ、ｄ_２＝ｄ_１×（ｃｏｓβ／ｃｏｓα）が成り立つ。したがって、入射角αを小さくすると回折角βが大きくなり、信号光Ｌ１ａのビーム径ｄ_２が小さくなる。ただし、信号光Ｌ１ａのビーム径は集光レンズ４０で集光後は逆に大きくなる。また、回折角βが大きくなるため、分散ｄβ／ｄλ＝ｍ／（ｄ ｃｏｓβ）が大きくなる。そのため、信号光Ｌ１ａ（および信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃ）の分散も大きくなる。一方、入射角αを大きくすると回折角βが小さくなり、信号光Ｌ１ａのビーム径ｄ_２が大きくなる。ただし、信号光Ｌ１ａのビーム径は集光レンズ４０で集光後は逆に小さくなる。また、回折角βが小さくなるため、分散ｄβ／ｄλ＝ｍ／（ｄ ｃｏｓβ）が小さくなる。そのため、信号光Ｌ１ａ（および信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃ）の分散も小さくなる。このように、入射角αを変化させることで回折光のビーム径と分散とを調整できる。

上記の説明から解るように、光スイッチ装置１０００では、回折格子３０における信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角αがリトロー角θ_Ｌよりも小さいことにより、集光レンズ４０を短焦点化しても、集光後の信号光Ｌ１ａのビーム径を光分散方向において大きくできる。これにより、光スイッチ装置１０００の作製時における光スイッチ素子５０の位置ずれに対する光スイッチ装置１０００の透過率のスペクトル帯域のトレランスが高くなる。その結果、光スイッチ装置１０００は製造性高く小型化できる。

以下に好ましい入射角αの設定方法についてさらに詳細に説明する。光スイッチ装置１０００の透過率のスペクトル帯域とビーム径との関係についてさらに詳述する。まず、信号光Ｌ１ａの光分散方向（方向Ｄ１）のビーム半径ω_ｈ３（図１参照）が小さい場合、信号光Ｌ１ａのビームウェストと光スイッチ素子５０との光伝搬方向（ｚ軸方向）における位置ずれが発生すると、光スイッチ装置１０００の挿入損失が増加（透過率が低下）するとともに、透過率のスペクトル帯域が狭くなる。ここで、帯域の性能を示す指標として、２ω／ｄがある。ｄは信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃに割り当てられた光スイッチ素子５０の分散方向の幅を示し、ωは光スイッチ素子５０近傍のビームウェストにおけるビーム半径を示す。図５（ａ）に示すように、２ω／ｄが小さいほど（ｄ／ωが大きいほど）、透過率の０．５ｄＢ帯域が広くなり、好ましい。なお、０．５ｄＢ帯域とは、図５（ｂ）に示すように、光の周波数を横軸とした透過率スペクトルにおいて、スペクトルのピークから０．５ｄＢだけ透過率が低下する帯域を意味する。

また、図６に示すように、信号光Ｌ１ａのビームウェストと光スイッチ素子５０との光伝搬方向における位置ずれ（光スイッチ素子５０のビームウェスト位置からのオフセット）が大きいほど、光スイッチ素子５０での信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのビーム半径が大きくなる（ビームが広がってしまう）。特に、ビームウェスト半径が小さいビームであるほどそのビーム半径の広がりの程度が大きい。なお、ビームウェストの位置とは、ビーム径が最小となるときのビーム形状の中心位置とする。

図７は、計算による２ω／ｄと０．５ｄＢ帯域との関係を示す図である。なお、ｄは１００μｍとしている。図７に示すように、２ω／ｄと０．５ｄＢ帯域とは凡そ負の傾きを持つ線形の関係となり、ＢＷ＝−３９．７４５×２ω／ｄ＋５０となる。ＢＷは０．５ｄＢ帯域を示す。また、矢印はそれぞれωが１２μｍ、１４μｍ、２２μｍの位置を示している。

たとえば、ＷＤＭ信号において、信号光を配置するグリッドの間隔を光の周波数で５０ＧＨｚとする場合、０．５ｄＢ帯域はおよそ３５ＧＨｚ以上であることが好ましい。図７より、光伝搬方向における位置ずれのオフセットによる０．５ｄＢ帯域の減少量を１ＧＨｚ以下としたい場合を考える。たとえば、０．５ｄＢ帯域が３６ＧＨｚから３５ＧＨｚとなる場合、２ω／ｄは、０．３５９から０．３８４になる。すなわち、オフセットによるビーム半径ωのビームウェスト半径からの増加率を７％以下とすればよい。同様にして、減少量を２ＧＨｚ以下としたい場合は、ビーム半径ωの増加率を１４％以下とすればよく、減少量を３ＧＨｚ以下としたい場合は、ビーム半径ωの増加率を２０％以下とすればよいことがわかる。なお、このような増加率の設定は、回折格子３０の配置により入射角αを調整することで実現することができる。

図８は、オフセットとビーム半径の増加率との関係を示す図である。縦軸の破線は、ビーム半径の増加量が７％、１４％、２０％の位置をそれぞれ示している。図９は、計算により求めた、光入出力ポート１０において集光レンズ４０の光軸４０ａと一致する光ファイバポート１３から入力される光の光スイッチ素子５０近傍におけるビームウェストの位置Ｉ２と、光入出力ポート１０において集光レンズ４０の光軸４０ａから最もはずれた光ファイバポート１１または１５から入力される光の光スイッチ素子５０近傍におけるビームウェストの位置Ｉ１を分散方向にプロットした図である。図９が示すように、集光レンズ４０の光学収差により光学軸に近いポートと光学軸から離れたポートではビームウェスト位置が互いにｚ方向（光軸方向）で４００μｍ程だけずれる場合がある。図１０が示すように、このような光軸４０ａ上のポートからの光のビームウェストＢａと光軸４０ａから最も離れたポートからの光のビームウェストＢｂとの４００μｍのずれの中間地点に光スイッチ素子５０を配置すると、各ビームウェストに対するオフセットは２００μｍとなる。図８から、オフセットが２００μｍ以下である場合、光スイッチ素子５０近傍でのビームウェスト半径が１６．２μｍ以上であればオフセットによるビーム半径ωのビームウェスト半径からの増加率を７％以下とすることができ、０．５ｄＢ帯域の減少量を１ＧＨｚ以下とできる。同様に、ビームウェスト半径が１３．６μｍ以上であればビーム半径ωの増加率を１４％以下とすることができ、０．５ｄＢ帯域の減少量を２ＧＨｚ以下とでき、ビームウェスト半径が１２μｍ以上である１２．２μｍ以上であればビーム半径ωの増加率を２０％以下とすることができ、０．５ｄＢ帯域の減少量を３ＧＨｚ以下とできることがわかる。なお、このようなビームウェスト半径の設定は、回折格子３０の配置により入射角αを調整することで実現することができる。

図１１は、オフセットと、結合効率との関係を示す図である。図１１ではオフセットが０μｍの場合を基準として、オフセットが生じたときの結合効率の低下（すなわち、光スイッチ装置の挿入損失の増加）を示している。ここで、光スイッチ装置の典型的な挿入損失は１０ｄＢ以下であることを考慮すると、オフセットによる挿入損失の増加は０．５ｄＢ以下とすることが望ましい。この点から、図１１に示すように、オフセットが２００μｍ以下である場合、光スイッチ素子５０近傍でのビームウェスト半径を１２μｍ以上とすれば、オフセットによる挿入損失の増加を０．５ｄＢ以下とすることができる。なお、このようなビームウェスト径の設定は、回折格子３０の配置により入射角αを調整することで実現することができる。

以上のように、オフセットによるビーム半径ωのビームウェスト半径からの増加率が２０％以下となるように入射角αを調整することにより、０．５ｄＢ帯域の減少量を３ＧＨｚ以下とすることができ、増加率が１４％以下となるように入射角αを調整することにより、０．５ｄＢ帯域の減少量を２ＧＨｚ以下とすることができ、増加率が７％以下となるように入射角αを設定することにより、０．５ｄＢ帯域の減少量を１ＧＨｚ以下とすることができる。
また、光スイッチ素子５０近傍でのビームウェスト半径を１２μｍ以上となるように入射角αを設定することにより、オフセットによる挿入損失の増加を０．５ｄＢ以下とすることができる。
なお、入射角αをリトロー角θ_Ｌとよりも小さくし、その差を大きくすることで、ビームウェスト半径をより大きくでき、オフセットによるビーム半径ωのビームウェスト半径からの増加率を小さく抑えることができる。

本実施形態においては、光分散方向におけるビーム径が大きくなるため、挿入損失の増大と帯域の低減を抑制できるという効果も得られる。
本効果について、さらに詳細に説明する。まず、光分散方向における光スイッチ素子５０近傍でのビームウェスト半径について説明する。光分散方向における光スイッチ素子５０近傍でのビームウェスト半径が小さいと、光スイッチ装置１０００の挿入損失が大きくなりやすく、かつ０．５ｄＢ帯域が劣化しやすい。図１２は、光入出力ポート１０の異なる２つのポートから入力した各光の光スイッチ素子５０上でのビームの状態を示しており、図１２（ａ）は光スイッチ素子５０上での光分散方向におけるビーム半径が大きい場合を示しており、図１２（ｂ）は光スイッチ素子５０上でのビーム半径が小さい場合を示している。図１２に示すように、２つのビームの光分散方向（ｙ軸方向）における位置ずれ量が同じであっても、図１２（ｂ）の場合のように光分散方向におけるビーム半径が小さいと、２つのビームの重なり積分が小さくなるため、結合効率が低下して挿入損失が増加する。また、帯域が低減しやすい。

図１３は、ビームウェストと光スイッチ素子との分散方向における位置ずれと、結合効率との関係を示す図である。図１３より、ビームウェスト半径（ω_ｈ３、図１参照）が小さいと、光スイッチ素子５０のｙ軸方向における位置ずれに応じて結合効率が低下して挿入損失が増大しやすい。

これに対して、光スイッチ装置１０００では、入射角αをリトロー角θ_Ｌより小さくしているので、光分散方向におけるビーム径が大きくなるため、挿入損失の増大と帯域の低減を抑制できる。これにより、光スイッチ装置１０００の作製時における光スイッチ素子５０の位置ずれに対する光スイッチ装置１０００の透過率のスペクトル帯域のトレランスが高くなる。その結果、光スイッチ装置１０００は製造性高く小型化できる。

図１４は、比較例と実施例の光スイッチ装置の０．５ｄＢ帯域の波長依存性の測定結果を示す図である。実施例の光スイッチ装置は光スイッチ装置１０００の構成を有し、入射角αを、リトロー角である４８．３°から２．３°だけ小さくした４６°としたものである。比較例の光スイッチ装置は光スイッチ装置１０００の構成を有するが、入射角αを、リトロー角である４８．３°としたものである。なお、測定した波長帯域は１５２９ｎｍ〜１５６５ｎｍである。

光スイッチ素子近傍での光分散方向のビームウェスト半径については、上記波長帯の最短波長において、比較例で１４μｍ、実施例で１７μｍであった。また、上記波長帯の最長波長において、比較例で１８μｍ、実施例で２２μｍであった。また、上記波長帯域において光スイッチ素子上で光が入射される５０ＧＨｚ ｇｒｉｄの領域の幅は、比較例で１００μｍであり、実施例で１１３μｍであった。また、比較例では、最短波長から最長波長までの光が入射される領域（両側のビームの端部から端部までの領域）の幅は、有効エリアの幅８８％であり、実施例では有効エリアの幅９５％であった。また、上記波長帯の最短波長において、２ω／ｄの値は、比較例で０．３０、実施例で０．２８であった。

図１４（ａ）に示す比較例では、短波長側の０．５ｄＢ帯域が約３ＧＨｚ低下したが、図１４（ａ）に示す実施例では、短波長側の０．５ｄＢ帯域の低下が約２ＧＨｚに改善された。また、比較例では光スイッチ素子の有効エリアの８８％を使用できたが、実施例では有効エリアの９０％以上である９５％を使用できた。

（実施形態２）
図１５、１６は、本発明の実施形態２に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。この光スイッチ装置１０００Ａは、実施形態１に係る光スイッチ装置１０００の構成において、光スイッチ素子５０を光スイッチ素子５０Ａに置き換え、回折格子３０の配置を変更したものである。光スイッチ装置１０００Ａのその他の構成や基本的な動作は光スイッチ装置１０００と同様であるので、説明を省略する。

回折格子３０への信号光Ｌ１の入射角について図を参照して説明する。図１７に示すように、信号光Ｌ１は、破線で示す回折格子３０の法線に対して入射角α１で入射する。信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃはその波長に応じた回折角で回折される。たとえば信号光Ｌ１ａの回折角はβ１である。

ここで、実施形態２に係る光スイッチ装置１０００Ａでは、回折格子３０の入射角α１とリトロー角θ_Ｌとが異なるように配置されている。ここで、入射角αとリトロー角θ_Ｌとが異なるとは、たとえば、両者の差が１°よりも大きいことを意味する。具体的には、入射角α１がリトロー角θ_Ｌよりも大きい。なお、実施形態２では、リトロー角θ_Ｌを、入射する信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃが形成する波長帯域の中心波長である信号光Ｌ１ａの波長の光に対して定義する。

光スイッチ装置１０００Ａは、回折格子３０への信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角α１がリトロー角θ_Ｌよりも大きいことにより、ｙ方向の小型化ができる。その理由を以下に説明する。

図１８は、光スイッチ素子と信号光のビームとを示す図である。図１８（ａ）に示すように、光スイッチ素子５０Ａは光スイッチ素子５０よりも小型のものであり、光スイッチ素子５０Ａの有効エリア５０Ａａの幅は、光スイッチ素子５０の有効エリア５０ａの幅より狭くなっている。したがって、光スイッチ装置１０００のように信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角αがリトロー角θ_Ｌよりも小さい場合、光スイッチ素子５０を用いた場合は信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのいずれも有効エリア５０ａに入射するが、光スイッチ素子５０Ａを用いた場合は信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃは有効エリア５０Ａａに入射しないこととなり、光スイッチングを行うことができない。

そこで、本発明者は、光スイッチ装置を設計するにあたり、回折格子への光の入射角をリトロー角とは異なるように回折格子を配置することで、回折された光のビームの特性を調整し、光スイッチ装置の小型化が実現される設計とできることに想到した。

光スイッチ装置１０００Ａでは、信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角α１がリトロー角θ_Ｌよりも大きい。図４を参照して説明したように、入射角α１を大きくすると回折角β１が小さくなり、信号光Ｌ１ａ（および信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃ）のｙ軸方向での分散も小さくなる。その結果、図１８（ｂ）に示すように、信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのいずれも有効エリア５０Ａａに入射し、いずれの信号光に対しても光スイッチングを行うことができる。

すなわち、光スイッチ装置１０００Ａは、回折格子３０への信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角α１がリトロー角θ_Ｌより大きいことにより、より小型の光スイッチ素子５０Ａを用いることができるので、装置全体を小型化できる。

なお、入射角α１は、許容される挿入損失や使用波長帯域などを考慮して、使用する光スイッチ素子５０Ａの有効エリア５０Ａａの幅に応じて設定し、このような入射角α１となるように回折格子３０を配置することで実現することができる。

（実施形態３）
図１９、２０は、本発明の実施形態３に係る光スイッチ装置の模式的な構成図である。この光スイッチ装置１０００Ｂは、実施形態２に係る光スイッチ装置１０００Ａの構成において、光スイッチ素子５０Ａを光スイッチ素子５０Ｂに置き換え、制御部６０を制御部６０Ｂに置き換えたものである。光スイッチ装置１０００Ｂのその他の構成や基本的な動作は光スイッチ装置１０００Ａと同様であるので、説明を省略する。

光スイッチ素子５０Ｂは、光分散方向（ｙ軸方向）に沿って離散的に配列された複数の操作素子であるＭＥＭＳミラー５０Ｂａ、５０Ｂｂ、５０Ｂｃを有している。

制御部６０Ｂは、光スイッチ素子５０Ｂの各ＭＥＭＳミラー５０Ｂａ、５０Ｂｂ、５０Ｂｃに電圧信号を印加し、ミラー面の角度を制御する。これにより、光スイッチ素子５０Ｂでは、ＭＥＭＳミラー５０Ｂａ、５０Ｂｂ、５０Ｂｃのそれぞれに信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのそれぞれが入射されると、各ＭＥＭＳミラー５０Ｂａ、５０Ｂｂ、５０Ｂｃはミラー面の角度が制御されて、各信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ａ、Ｌ１ｃを、各信号光の波長に応じた所定の角度で反射させる。

この光スイッチ装置１０００Ｂは、光スイッチ装置１０００Ａと同様に、回折格子３０への信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角α１がリトロー角θ_Ｌよりも大きいことにより、小型化できる。

図２１は、光スイッチ素子と信号光のビームとを示す図である。図２１（ａ）に示すように、ＭＥＭＳミラー５０Ｂａ、５０Ｂｂ、５０Ｂｃはｙ軸方向で離散的に配列されている。したがって、回折格子３０への信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角によっては、信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃはＭＥＭＳミラー５０Ｂｂ、５０Ｂｃに入射しないこととなり、光スイッチングを行うことができない。

これに対して、光スイッチ装置１０００Ｂでは、信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角α１がリトロー角θ_Ｌよりも大きいので、信号光Ｌ１ａ（および信号光Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃ）のｙ軸方向での分散も小さくなる。その結果、図２１（ｂ）に示すように、信号光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃのいずれも、対応するＭＥＭＳミラー５０Ｂａ、５０Ｂｂ、５０Ｂｃに入射し、いずれの信号光に対しても光スイッチングを行うことができる。

すなわち、光スイッチ装置１０００Ｂは、回折格子３０への信号光Ｌ１（Ｌ１ａ）の入射角α１がリトロー角θ_Ｌよりも大きいことにより、より小型の光スイッチ素子５０Ｂを用いることができるので、装置全体を小型化できる。

なお、入射角α１は、許容される挿入損失や使用波長帯域などを考慮して、ＷＤＭ信号光に含まれる各信号光が分光されて、光スイッチ素子の各ＭＥＭＳミラーに到達するように設定し、このような入射角α１となるように回折格子３０を配置することで実現することができる。

（実施形態４）
図２２は、本発明の実施形態４に係る光源装置の模式的な構成図である。この光源装置１０００Ｃは、実施形態３に係る光スイッチ装置１０００Ｂの構成において、光入出力ポート１０を光出力ポート１０Ｃに置き換え、光スイッチ素子５０Ｂを光源アレイ５０Ｃに置き換え、制御部６０Ｂを制御部６０Ｃに置き換えたものであり、ＷＤＭレーザ光源として機能する。光源装置１０００Ｃのその他の構成は光スイッチ装置１０００Ｂと同様であるので、説明を省略する。

光出力ポート１０Ｃは、光ファイバからなる光ファイバポート１１〜１５と、コリメート部１６Ｃとを備えている。光ファイバポート１１〜１５は、外部に光を出力するものである。コリメート部１６Ｃは、光ファイバポート１１に対応して設けられたコリメータレンズを備えている。このコリメータレンズは、入力された平行光を光ファイバポート１１に集光して結合させる機能を有する。なお、コリメート部１６Ｃは、コリメータレンズの代わりにコリメート機能を有する光導波路を備えていてもよい。

光源アレイ５０Ｃは、光分散方向（ｙ軸方向）に沿って離散的に配列された複数の光源である半導体レーザ素子５０Ｃａ、５０Ｃｂ、５０Ｃｃを有している。半導体レーザ素子５０Ｃａ、５０Ｃｂ、５０Ｃｃは、駆動電力を供給することにより、互いに波長が異なるレーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃを出力するように構成されている。レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃの波長については、レーザ光Ｌ２ｃが最も長波長であり、レーザ光Ｌ２ｂが最も短波長であり、レーザ光Ｌ２ａがその中央の波長であるとする。

制御部６０Ｃは、光源アレイ５０Ｃに駆動電力を供給するように構成されている。

つぎに、光源装置１０００Ｃの動作について説明する。制御部６０Ｃが光源アレイ５０Ｃに駆動電力を供給すると、半導体レーザ素子５０Ｃａ、５０Ｃｂ、５０Ｃｃはそれぞれレーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃを出力する。レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃはｘ軸方向に長軸を有する楕円形のビームとして出力される。

集光レンズ４０は、レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃを回折格子３０に集光させる。集光後のレーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃはｙ軸方向に長軸を有する楕円形のビームとなる。

回折格子３０は、レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃを所定の回折角で回折する。ここで、図２３に示すように、回折格子３０は、レーザ光Ｌ２ａがリトロー角θ_Ｌとは異なる入射角で入射し、かつ各レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃが同じ回折角β３で出射するように配置されている。なお、実施形態３では、リトロー角θ_Ｌを、レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃが形成する波長帯域（使用波長帯域）の中心波長であるレーザ光Ｌ２ａの波長の光に対して定義する。レーザ光Ｌ２ａの波長が使用波長帯域の中心波長からずれている場合には、使用波長帯域の中心波長の光に対してリトロー角θ_Ｌを定義する。たとえば、レーザ光Ｌ２ａの入射角α３はリトロー角θ_Ｌよりも大きい。その結果、３つのレーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃは合波されて１つのＷＤＭレーザ光Ｌ２となる。

アナモルフィック光学系２０は、ＷＤＭレーザ光Ｌ２の入力を受け付け、そのビーム形状を方向Ｄ１の方向に縮小して略円形とする。その後、ＷＤＭレーザ光Ｌ２はコリメート部１６Ｃのコリメータレンズに入力する。このコリメータレンズは、ＷＤＭレーザ光Ｌ２を集光し、光ファイバポート１１に結合させる。光ファイバポート１１は結合されたＷＤＭレーザ光Ｌ２を外部に出力する。以上のようにして、この光源装置１０００Ｃは、ＷＤＭレーザ光源として機能する。

この光源装置１０００Ｃは、回折格子３０へのレーザ光Ｌ２ａの入射角α３がリトロー角θ_Ｌよりも大きいことにより、半導体レーザ素子５０Ｃａ、５０Ｃｂ、５０Ｃｃの離間間隔が小さい小型の光源アレイ５０Ｃを用いることができるので、装置全体を小型化できる。また、回折格子３０が、各レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃが同じ回折角β３で出射するように配置されているので、確実にＷＤＭレーザ光Ｌ２を生成することができる。なお、入射角α３は、半導体レーザ素子５０Ｃａ、５０Ｃｂ、５０Ｃｃの離間間隔に応じて適宜設定することができる。

なお、光源アレイにおける複数の光源として、円形のビーム形状の光を出力するものを用いた場合は、アナモルフィック光学系を使用しなくてもよい。

また、上記実施形態では、集光レンズ系である集光レンズ４０は単レンズで構成されているが、本発明はこれに限らず、複数のレンズで構成されている集光レンズ系を用いても良い。また、集光レンズ系として、シリンドリカルレンズを用いてもよい。

また、上記実施形態では、光スイッチ装置は１×４光スイッチであるが、本発明では光が入出力するポートの数は特に限定されず、Ｎ×Ｍ光スイッチ（Ｎ、Ｍは任意の整数）であればよい。また、たとえば光スイッチ装置１０００の構成において、光ファイバポート１２、１３、１４、１５のいずれかから信号光を入力させて、Ｃｏｍポートとしての光ファイバポート１１から出力させるように光スイッチ装置１０００を動作させてもよい。これによって、光スイッチ装置１０００を４×１光スイッチとして使用することができる。

また、上記実施形態では、光操作装置を光スイッチ装置として説明してきたが、光操作素子としての光スイッチ素子を他の光操作機能を有する光操作素子に置き換えることで、例えば光フィルタや分散補償器等の光操作装置としても利用することができる。

光フィルタは、入力されたＷＤＭ信号光に含まれる特定の信号光の強度を減衰させたり、入力されたＷＤＭ信号光に含まれる信号光毎に異なる量の光減衰を与えて出力する光操作装置である。光フィルタは、たとえば光スイッチ装置１０００の光スイッチ素子５０を、光操作素子を有する光減衰部に置き換えることで実現できる。光減衰部はたとえばＳＬＭで構成できる。したがって、光フィルタは、光入力ポートと光出力ポートと、アナモルフィック光学系と、回折格子と、集光レンズ系と、光減衰部とをこの順番に配置して構成することができる。光フィルタの機能は、光入力ポートから入力されたＷＤＭ信号光が回折格子によって分光され、光減衰部に入力された信号光のうち、強度を減衰した信号光を光出力ポートに、強度が減衰するような入射角度で入射するようにスイッチするように制御することで実現される。上記光入力ポートと光出力ポートは必ずしも、別のポートである必要はなく、１つの光入出力ポートで光入力ポートと光出力ポートを兼ねてもよい。その場合は、図２４に示すように、光フィルタ１２００の１つの光入出力ポート１２１０の手前に光サーキュレータ１２２０を配置する構成とすることが好ましい。この構成によって、光サーキュレータ１２２０を介して、信号光Ｌ１を光フィルタ１２００の１つの光入出力ポート１２１０に入力して、強度を減衰させた信号光Ｌ１ａを取り出すことができる。

分散補償器は、入力された光の各波長成分の遅延時間を制御することで各波長成分の波長分散を補償する機能を持つ光操作装置である。分散補償器は、たとえば光スイッチ装置１０００の光スイッチ素子５０を、光操作素子を有する分散補償部に置き換えることで実現できる。分散補償部はたとえば光操作素子としてのＳＬＭで構成できる。したがって、分散補償部は、光入力ポートと光出力ポートと、アナモルフィック光学系と、回折格子と、集光レンズ系と、分散補償部とをこの順番に配置して構成することができる。分散補償部の機能は、光入力ポートから入力された光が回折格子によって分光され、分散補償部に入力された各波長成分に、異なる遅延時間を与えるように制御することで実現される。分散補償器の場合も、光フィルタと同様に、上記光入力ポートと光出力ポートは必ずしも、別のポートである必要はなく、１つの光入出力ポートで光入力ポートと光出力ポートを兼ねてもよい。その場合は、図２４と同様に、光入出力ポートの手前に光サーキュレータを配置することで出力光を取り出すことができる。

また、上実施形態では、回折格子３０は一つの回折格子で構成されているが、これに換えて複数の回折格子からなる回折格子ユニットを用いてもよい。たとえば、図２５のように、２つの透過型の回折格子３０Ａａ、３０Ａｂで構成される回折格子ユニット３０Ａの場合、回折格子ユニット３０Ａにおける信号光Ｌ１の入射角α４と回折角β４とは図示した角度となる。

ところで、本発明において、回折格子への入射角αをリトロー角θ_Ｌよりも大きくするか、小さくするかは、これを適用する光操作装置または光源装置に対してどの方向での小型化が必要かによって選択できる。以下では光操作装置の場合について説明するが、光源装置に対しても同様の理由で選択を行うことができる。

まず、ｙｚ平面方向またはｘ方向の小型化を行うため、集光レンズの焦点距離を短くする場合について説明する。焦点距離を短くすると、集光レンズ近傍でのｘ方向でのビーム径が小さくなるため、ｘ方向での小型化をすることができる。なお、集光レンズの焦点距離を短くしたことにより、回折格子を入射角＝リトロー角で配置したときに、光スイッチ素子（光操作素子）近傍におけるビーム径が小さくなることにより光操作装置の特性が劣化する場合は、入射角をリトロー角よりも小さくする。
逆に、信号光の光スイッチ素子（光操作素子）への入射領域（ｙ方向における幅）を狭くし、ｙ方向の小型化を行いたい場合は入射角をリトロー角よりも大きくすればよい。

また、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。

１０、１２１０ 光入出力ポート
１０Ｃ 光出力ポート
１１、１２、１３、１４、１５ 光ファイバポート
１６、１６Ｃ コリメート部
２０ アナモルフィック光学系
３０、３０Ａａ、３０Ａｂ 回折格子
３０Ａ 回折格子ユニット
４０ 集光レンズ
４０ａ 光軸
５０、５０Ａ、５０Ｂ 光スイッチ素子
５０ａ、５０Ａａ 有効エリア
５０Ｂａ、５０Ｂｂ、５０Ｂｃ ＭＥＭＳミラー
５０Ｃ 光源アレイ
５０Ｃａ、５０Ｃｂ、５０Ｃｃ 半導体レーザ素子
６０、６０Ｂ、６０Ｃ 制御部
１０００、１０００Ａ、１０００Ｂ 光スイッチ装置
１０００Ｃ 光源装置
１２００ 光フィルタ
１２２０ 光サーキュレータ
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ３１、Ｂ３２、Ｂ３３ ビーム
Ｂａ、Ｂｂ ビームウェスト
Ｄ１、Ｄ２ 方向
Ｉ１、Ｉ２ 位置
Ｌ１、Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃ 信号光
Ｌ２ ＷＤＭレーザ光
Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃ レーザ光

Claims (11)

1. 光が外部から入力される、または外部に光を出力する少なくとも一つのポートを有する光入出力ポートと、
   前記光入出力ポートのいずれかのポートから入力した光を前記光入出力ポートのいずれかのポートに向けて出力するための光操作素子と、
   前記光入出力ポートと前記光操作素子との間に配置され、前記光入出力ポートと前記光操作素子とを光学的に結合させる集光レンズ系と、
   前記光入出力ポートと前記集光レンズ系との間に配置され、前記ポートから入力した光を光分散方向に分光する透過型の回折格子と、
   を備え、
   前記回折格子は、前記光入出力ポートから入力した光の入射角とリトロー角とが異なるように配置されている
   ことを特徴とする光操作装置。
2. 前記入射角がリトロー角よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の光操作装置。
3. 前記入射角がリトロー角よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の光操作装置。
4. 前記光操作素子は、２次元配列された複数の微小光操作素子を有していることを特徴とする請求項１に記載の光操作装置。
5. 前記光入出力ポートから入力した光は互いに異なる複数の信号光を含むＷＤＭ信号光であり、前記ＷＤＭ信号光が前記光操作素子上に入射する幅が前記光操作素子の有効エリアの幅の９０％以上であることを特徴とする請求項４に記載の光操作装置。
6. 前記光操作素子は、前記光分散方向に沿って離散的に配列された複数の操作素子を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光操作装置。
7. 前記光入出力ポートから入力した光は互いに異なる複数の信号光を含むＷＤＭ信号光であり、前記ＷＤＭ信号光に含まれる各信号光が分光されて、前記光操作素子の各操作素子に到達し、前記複数の操作素子の間隔と分光された前記各信号光の前記操作素子上での間隔が略等しいことを特徴とする請求項６に記載の光操作装置。
8. 前記光の前記光操作素子近傍でのビームウェスト半径が１２μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の光操作装置。
9. 前記光入出力ポートの前記集光レンズの光軸に一致したポートから入力された光の前記光操作素子近傍におけるビームウェストの位置と、前記集光レンズの光軸から最もはずれたポートから入力された光の前記光操作素子近傍におけるビームウェストの位置との中間の位置において、前記光軸に一致したポートから入力された光の前記光操作素子上でのビーム半径の、前記ビームウェスト半径からの増加率が２０％以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の光操作装置。
10. 前記光の前記光操作素子近傍でのビームウェスト半径が１２μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の光操作装置。
11. 外部に光を出力するポートを有する光出力ポートと、
    離散的に配列された、互いに波長が異なる光を出力する複数の光源と、
    前記光出力ポートと前記複数の光源との間に配置され、前記光出力ポートと前記複数の光源とを光学的に結合させる集光レンズ系と、
    前記光出力ポートと前記集光レンズ系との間に配置され、前記複数の光源から出力された各光を前記複数の光源の配列方向である光分散方向で分光する透過型の回折格子と、
    を備え、
    前記回折格子は、前記複数の光源から入力した各光がリトロー角とは異なる入射角で入射し、かつ前記各光が同じ回折角で出射するように配置されている
    ことを特徴とする光源装置。

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