JP2017137233A - 僅かな散乱光割合を示す、好ましくは着色されていないガラスセラミック材料の製造方法、並びにその方法により製造されたガラスセラミック材料及びその使用 - Google Patents
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Abstract
Description
ガラスセラミック、殊に主成分が酸化リチウム、酸化アルミニウム及び酸化ケイ素から形成されているLASガラスセラミックは、既に数年来公知である。この特別な材料特性、例えばその低い膨張係数、その高い強度及びその熱衝撃挙動に基づいて、ガラスセラミックは広範囲に使用されている。殊に、このようなガラスセラミックから調理プレートが製造される。
本発明は、僅かな散乱光割合を示す、好ましくは着色されていないガラスセラミック材料の製造方法に関する。本発明の別の態様は、この方法により製造された材料並びにその使用に関する。
本発明の範囲内で、ガラスセラミックとは、少なくとも2段階プロセスで得られ、第1の工程として材料を形成する成分の完全な溶融を行い、その結果ガラス融液が得られ、このガラス融液から融液の凝固によりガラス状の成形品が得られる材料をいう。この場合、ガラス融液は、得られたガラスが結晶化可能であり、つまり制御された結晶化を行いやすいように構成されている。第2の工程では、得られたガラス状の成形品を、温度処理において制御された結晶化に供し、その結果、ガラス状の相並びに少なくとも1種の結晶質の相を含むガラスセラミックが得られる。本発明の範囲内で、ガラスセラミックは、ガラスセラミック材料ともいう。
この課題は、請求項1による方法、請求項6によるガラスセラミック材料、並びに請求項17による使用により解決される。好ましい実施は、従属請求項に見られる。
− セラミック化可能なガラス及び/又はガラスセラミック材料1を含む出発材料の準備、
− 好ましくは、温度TKB及び期間tKBでの結晶核の形成のための温度処理の実施、
− 好ましくは、温度TKV及び期間tKVでの結晶質の前駆体相の結晶化のための温度処理の実施、
− 温度TKK及び期間tKKでの、殊にケアタイト混晶の結晶化のための温度処理の実施、
ここで、期間tKKは、セラミック化可能なガラス及び/又はガラスセラミック材料の膨張率に基づき、好ましくは相対的な百分率の膨張率に基づいて決められる。
又は
期間tKKは、これらの接線の交点により決定される時点で終わり、ここでtKKは、好ましくはこうして突き止められた期間から30分より大きく、特に好ましくは20分より大きく逸脱しない。
1100℃で2min
900℃で2min
850℃で200min
980℃で200min
により決定される範囲から選択される。
Al2O3 18〜23
Li2O 2.5〜4.2、好ましくは3〜4.2
SiO2 60〜69
ZnO 0〜2
Na2O 0〜1.5、好ましくは0〜1未満
K2O 0〜1.5、好ましくは0〜1未満
Na2O+K2O 0.2〜1.5
MgO 0〜1.5、好ましくは0〜1
CaO+SrO+BaO 0〜4
B2O3 0〜2
TiO2 2〜5
ZrO2 0.5〜2.5
P2O5 0〜3
好ましくはV2O5 0〜0.08、特に0〜0.01
R2O3 0〜1、R=ランタノイド、好ましくはNd
MnO2 0〜0.3
Fe2O3 0〜0.3、好ましくは0.008〜0.1未満、特に0〜0.02%、最良では80〜500ppmの範囲、
SnO2 0〜0.6未満、好ましくは0.05〜0.6未満
この場合、ガラスセラミック材料は、更に清澄剤、例えばAs2O3及び/又はSb2O3を、好ましくは最大2質量%の全含有率で含むことができ、更に、TiO2+ZrO2+SnO2の合計は、3.8〜6質量%である。ガラスセラミック材料の着色されていない態様は、Fe2O3を、好ましくは約120〜140ppm含むことができる。
− 材料中に含まれる散乱粒子の大きさ。本発明の場合に、ガラスセラミック材料が含む散乱粒子は、結晶又はクリスタリットである。
− 取り囲む母材と、その中に埋め込まれた粒子との間の屈折率の差。ガラスセラミック材料の場合に、母材はガラスを含み、かつその中に埋め込まれた粒子はクリスタリット及び結晶を含む。
− 材料の複屈折。ガラスセラミック材料の場合に、ここでは殊にクリスタリットの複屈折を考慮しなければならない。
次に、本発明を実施例によって詳細に説明する。
次に、本発明を実施例によって詳細に説明する。この場合、同じ符号は同じ又は相応する構成要素を示す。
1100℃で2min
900℃で2min
及び
850℃で200min
980℃で200min
である。
11 ガラスセラミック材料の上面
12 ガラスセラミック材料の下面
2 表面近傍層
3 コア
4 ガラス状の表面区域
5 ウルブリヒト球
51 光トラップ(開放されている)
6 試料
7 入射光
71 透過光
72 反射光
73 散乱光
81 高石英混晶(HQMK)の結晶相含有率の曲線
82 ケアタイト混晶(KMK)の結晶相含有率の曲線
9 時間区間
91 膨張計測定での時間に関する試料の温度推移
92 膨張計測定での時間に関する相対的な長さ変化
93,94 相対的な長さ変化の曲線に接する接線
95 接線の交点
96,97 時間区間9の端点
Claims (17)
- 次の工程:
− セラミック化可能なガラス及び/又はガラスセラミック材料1を含む出発材料の準備、
− 好ましくは、温度TKB及び期間tKBでの結晶核の形成のための温度処理の実施、
− 好ましくは、温度TKV及び期間tKVでの結晶質の前駆体相の結晶化のための温度処理の実施、
− 温度TKK及び期間tKKでの、殊にケアタイト混晶の結晶化のための温度処理の実施
を含み、ここで、前記期間tKKは、前記セラミック化可能なガラス及び/又は前記ガラスセラミック材料1の膨張率に基づき、好ましくは相対的な百分率の膨張率に基づき決定される、
僅かな散乱光割合を示す、好ましくは着色されていない、ガラスセラミック材料の製造方法。 - 前記期間tKKは、所与の温度TKKで前記ガラスセラミック材料1又は前記ガラスセラミック材料1の試料の相対的な長さ変化が最大値をとるまでの期間として決定され、ここで、好ましくは、前記期間tKKは、時点tHeizで始まり、前記ガラスセラミック材料1又は前記ガラスセラミック材料1の試料の前記相対的な長さ変化がその最大値に達する時点で終わり、前記時点tHeizで、前記ガラスセラミック材料1は、最大のかつ前記時点より等温の温度TKKに達する、請求項1に記載の方法。
- 前記期間tKKは、時点tHeizで始まり、前記時点tHeizで、前記ガラスセラミック材料1又は前記ガラスセラミック材料1の試料は、最大のかつ前記時点より等温の温度TKKに達し、かつ前記温度処理の期間tKKの終端は、所与の温度TKKに対して、前記ガラスセラミック材料1又は前記ガラスセラミック材料1の試料の相対的な百分率の長さ変化の曲線92及び前記曲線92に接する2つの接線93,94により決定される区間内にあり、前記接線93は、前記曲線92の第1の上昇又は第2の上昇の線状の部分に当接されていて、かつ前記接線94は、前記曲線92の前記上昇に時間的に後続するプラトーに当接されていて、かつ
前記温度処理の期間tKKは、前記接線93,94が、より高い温度から見て、前記曲線92にちょうどもはや接触しなくなる点96,97により固定される区間の中央で終わり、かつtKKは、好ましくは、こうして突き止められた期間から20分より大きく、特に好ましくは10分より大きく逸脱せず、
又は
前記期間tKKは、前記接線93及び94の交点により決定される時点で終わり、かつ
tKKは、好ましくは、こうして突き止められた期間から30分より大きく、特に好ましくは20分より大きく逸脱しない、請求項1に記載の方法。 - tKV及びtKBの合計は、考えられる加熱時間を含めて、15分より長く、かつ最長で250分、好ましくは200分未満であり、かつ好ましくは,前記温度処理tKB+tKV+tKKの期間の合計から生じる温度処理、並びに考えられる加熱時間の全体の期間は、5時間未満である、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1から4までのいずれか1項に記載の温度処理を含めたセラミック化の全体の期間tKK及び温度TKKは、温度−時間グラフ内の次の端点:
1100℃で2min
900℃で2min
850℃で200min
980℃で200min
により決定されている範囲から選択される、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。 - 20℃〜700℃の範囲で1.5ppm/K未満の熱膨張係数αを示し、並びに634nmの波長でかつ4mmの厚みのガラスセラミック材料に標準化して測定して、70%未満、好ましくは40%未満、特に好ましくは25%未満の散乱光割合を示し、少なくとも1種の結晶質の相、好ましくはケイ酸塩を基礎とする結晶質の相を含む第1の表面近傍層と、その下にあるコアとを含み、前記コアは、主結晶相としてケアタイト混晶を含み、かつ主結晶相とは、結晶相の割合が、結晶相割合の合計の50体積%を超える場合の結晶相を表し、かつ前記コアは、前記ガラスセラミック材料の表面から測定して、少なくとも100μmの深さに存在し、かつ少なくとも第1の表面近傍層は、複合的な混合金属酸化物の結晶質の相を含まず、例えば一般式AB2O4のスピネル状の化合物及び/又はABO3のような一般式のイルメナイト状の化合物を含まず、殊にガーナイトZnAl2O4及び/又はチタン酸マグネシウムMgTiO3を含まない、好ましくは請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法により製造された又は製造可能な、好ましくは着色されていないガラスセラミック材料。
- 0.9Nより高いクラック・イニシエーション・ロード(CIL)を示す、請求項6に記載のガラスセラミック材料。
- L*a*b*色空間でのEN ISO 11664−4による測定によって決定され、かつ方程式
- 質量%で示して、
Al2O3 18〜23
Li2O 2.5〜4.2、好ましくは3〜4.2
SiO2 60〜69
ZnO 0〜2
Na2O 0〜1.5、好ましくは0〜1未満
K2O 0〜1.5、好ましくは0〜1未満
Na2O+K2O 0.2〜1.5
MgO 0〜1.5、好ましくは0〜1
CaO+SrO+BaO 0〜4
B2O3 0〜2
TiO2 2〜5
ZrO2 0.5〜2.5
P2O5 0〜3
好ましくはV2O5 0.08、特に0〜0.01
R2O3 0〜1、R=ランタノイド、好ましくはNd
MnO2 0〜0.3
Fe2O3 0〜0.3、好ましくは0.008〜0.1未満、特に0〜0.02%、最良では80〜500ppmの範囲、
SnO2 0〜0.6未満、好ましくは0.05〜0.6未満
の組成を示し、前記ガラスセラミック材料は、更に、清澄剤、例えばAs2O3及び/又はSb2O3を、好ましくは最大2質量%の全含有率で含んでいてよく、かつTiO2+ZrO2+SnO2の合計は、3.8〜6質量%であり、かつFe2O3は、殊に好ましくは着色されていないガラスセラミックの場合に、120〜140ppmの範囲にある、請求項6から8までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。 - 質量割合を基準として、1〜11、好ましくは1.2〜6.5のTiO2+SnO2対ZrO2の比率を示す、請求項6から9までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。
- 環境又は健康に有害な物質、例えばヒ素、アンチモン、カドミウム、鉛及び/又はハロゲン化物の含有率は、前記ガラスセラミック材料の全質量を基準として、それぞれ0.1質量%未満である、請求項6から10までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。
- 380〜780nmの波長領域での透過率Yは、前記ガラスセラミック材料の4mmの厚みを基準として、少なくとも50%、好ましくは少なくとも60%である、請求項6から11までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。
- 前記ガラスセラミック材料は、少なくとも部分的に、50〜1000nm、好ましくは300〜800nmの厚みを示すガラス状の表面区域を含む、請求項6から12までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。
- 1μmより大きくかつ最大100μmまでの深さの前記表面近傍層は、高石英混晶を含み、好ましくは主結晶相として高石英混晶を含む、請求項6から13までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。
- ガラスセラミックプレートとして形成され、前記ガラスセラミックプレートの少なくとも片側は少なくとも1つの装飾層を含む、請求項6から14までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。
- 請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法により製造可能な、殊に製造された、ガラスセラミック材料、好ましくは、請求項6から15までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料。
- 調理プレート、暖炉用覗き窓、耐火性窓ガラス又は覗き窓として、調理室扉として、例えば電気調理器内で、殊に熱分解機能を備えた電気調理器内で、又はヒータエレメント用のカバーとして、殊に調理器又はグリル調理器として、白物家電として、放熱体カバーとして、グリルプレートとして、暖炉用覗き窓として、殊に高純度条件下での製造プロセスのための、セラミック工業、太陽エネルギー工業又は医薬品工業又は医学工業におけるキャリアプレート又は炉内装材として、化学的又は物理的な被覆方法を実施するための炉の内装材として、又は化学的に耐性の実験室装備として、高温適用又は極低温適用のためのガラスセラミック物品として、燃焼炉用の炉窓として、熱い環境を遮閉するための断熱材として、リフレクタ、投光照明、プロジェクタ、投影機、カラー複写機用のカバーとして、熱機械的負荷がかかる適用のため、例えば暗視機器内で、ウェハ基板として、UV保護を備えた物品として、例えば電子機器のハウジング構成要素用の材料の材料として及び/又は携帯電話、ラップトップ型機器、スキャナーガラス等のようなIT製品用のカバーグラスとして、ファサードプレートとして、防火窓ガラスとして、又は弾動学的保護のための構成要素としての、請求項6から16までのいずれか1項に記載のガラスセラミック材料の使用。
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