JP2017135158A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
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図７は、比較例に係る光半導体装置４００の断面図である。光半導体装置４００は、基準面１１にブロック部４１２を備える。ブロック部４１２は、基準面１１に対して垂直な第１側面４１３を有する。第１側面４１３には、表面が基準面１１と垂直な実装基板４１４が配置される。実装基板４１４の表面には、半導体レーザー４１６が配置される。半導体レーザー４１６の前端面側出射光４１８および後端面側出射光４２０は、基準面１１に対して垂直な出射光軸を有する。
また、前端面側出射光１８の出射角度と、後端面側出射光２０の出射角度は異なる角度であってもよい。この場合、前端面１１７側の光導波部と、後端面１１５側の光導波部３６は異なる屈折率に設定される。
本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、後端面側出射光２０は、後端面１１５から離れるほど実装基板７１４から遠ざかる出射光軸を持って出射される。また、前端面側出射光１８は、前端面１１７から離れるほど実装基板７１４から遠ざかる出射光軸を持って出射される。このため、実装基板７１４を大きくしても、出射光が実装基板７１４に当たりにくくなる。また、実装基板７１４の表面が傾斜している分、実装基板７１４の表面積を大きく確保できる。さらに、実装基板７１４は、表面が傾斜している箇所において、基準面１１から離れるほど厚さが薄くなる。ここで、実装基板７１４のインピーダンスは、実装基板７１４の厚さに応じて連続して変化させることが出来る。従って、インピーダンス整合が取り易くなる。
半導体レーザー８１６は、後端面８１５側にのみ、光導波部３６を備える。光導波部３６により、後端面８１５から離れるほど実装基板８１４から遠ざかる出射光軸を持って、後端面側出射光２０が出射される。このため、実装基板８１４を大きくしても、後端面側出射光２０が実装基板８１４に当たりにくくなる。また、フォトダイオード２２を実装基板８１４の直下から離れた位置に配置しても、出射光軸上で出射光を受光することが可能になる。従って、実装基板８１４を大きくする事と、フォトダイオード２２によるモニターの精度を確保することが両立できる。
また、前端面８１７側には光導波部３６が無いため、前端面側出射光１８は活性層４２と平行に出射される。半導体レーザー８１６を、実装基板８１４の表面において基準面１１から離して配置することで、前端面側出射光１８が実装基板８１４に当たり難くすることが出来る。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016011648A JP6790364B2 (ja) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 光半導体装置 |
| US15/249,691 US9929530B2 (en) | 2016-01-25 | 2016-08-29 | Optical semiconductor device |
| CN201710056430.9A CN107039881B (zh) | 2016-01-25 | 2017-01-25 | 光半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016011648A JP6790364B2 (ja) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 光半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017135158A JP2017135158A (ja) | 2017-08-03 |
| JP2017135158A5 true JP2017135158A5 (ja) | 2018-09-06 |
| JP6790364B2 JP6790364B2 (ja) | 2020-11-25 |
Family
ID=59359201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016011648A Active JP6790364B2 (ja) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 光半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9929530B2 (ja) |
| JP (1) | JP6790364B2 (ja) |
| CN (1) | CN107039881B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111386637B (zh) * | 2017-11-24 | 2023-07-28 | 京瓷株式会社 | 发光元件搭载用基板和阵列基板、以及发光装置 |
| JP7041757B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-03-24 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板、アレイ基板および発光装置 |
| JP6685482B1 (ja) * | 2019-08-06 | 2020-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| WO2021116286A1 (en) | 2019-12-12 | 2021-06-17 | Brolis Sensor Technology, Uab | Solid-state device |
| JP2021174928A (ja) * | 2020-04-28 | 2021-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 光学装置 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193080A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
| JPH01138781A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02271586A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP3235627B2 (ja) * | 1993-02-04 | 2001-12-04 | 住友電気工業株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH08160257A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-06-21 | Ricoh Co Ltd | 光伝送モジュールの実装構造 |
| JP3184440B2 (ja) * | 1995-02-10 | 2001-07-09 | 株式会社リコー | 半導体発光装置 |
| JPH10320810A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| JPH1187844A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-03-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光結合回路及びその製造方法 |
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| JP2001068777A (ja) | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ装置 |
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| US6920161B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-07-19 | Oepic Semiconductors, Inc. | High-speed TO-can optoelectronic packages |
| JP4193415B2 (ja) * | 2002-05-22 | 2008-12-10 | 住友電気工業株式会社 | 光通信モジュール |
| JP4309636B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2009-08-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよび光通信用素子 |
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| JP6220864B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2017-10-25 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | ビーム形状の改良を伴うレーザ |
| JP2014007295A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
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-
2016
- 2016-01-25 JP JP2016011648A patent/JP6790364B2/ja active Active
- 2016-08-29 US US15/249,691 patent/US9929530B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-25 CN CN201710056430.9A patent/CN107039881B/zh active Active
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