JP2017133038A - 高分子／液晶複合体 - Google Patents

Abstract

【課題】高分子／液晶複合体における配向状態の乱れを低減させることができる液晶組成物を提供する。【解決手段】ブルー相を発現する液晶材料、下記一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物である。なお、液晶組成物には、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が含まれていてもよい。（但し、一般式（Ｇ１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｙ１、Ｙ２は、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、それぞれ独立して炭素及び酸素の合計が１〜２０のアルキレン基を示す。）【選択図】なし

Description

本発明は高分子安定化ブルー相を実現する液晶組成物、液晶組成物を高分子安定化して
得られる高分子／液晶複合体、液晶素子、および液晶表示装置に関する。

近年、フラットパネルディスプレイが実用化され、従来のブラウン管を用いたディスプ
レイからの置き換えが進んでいる。フラットパネルディスプレイには、液晶表示素子を有
する液晶表示装置をはじめ、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）を有するＥＬ表
示装置や、プラズマディスプレイなどが存在しており、市場においてはこれらが競合して
いる。現在のところ、様々な技術による欠点の克服、生産コストの抑制などにより、液晶
表示装置が市場において優位な立場にある。

上述の液晶表示装置が、他のフラットパネルディスプレイと比較して劣っている点の一
つに、素子の応答速度（表示の切り替え速度）がある。応答速度の欠点を克服すべく、こ
れまでにも様々な技術が提案されてきた。従来の、いわゆるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）モードと呼ばれる液晶駆動方式を採用する液晶素子では、その応答速度が１
０ｍｓ程度であったが、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）
モードやＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード
といった方式を用いることで、１ｍｓ程度までの応答速度の向上が実現されている。

このような液晶の駆動方式と並んで注目される技術として、ブルー相と呼ばれる状態を
液晶表示素子に用いる技術がある（例えば、特許文献１参照）。ブルー相は、例えばコレ
ステリック相と等方相との間に出現する液晶相で、極めて応答速度が速いという特徴を備
えている。このブルー相を用いることで、液晶表示装置の応答時間を１ｍｓ以下とするこ
とが可能である。

ブルー相は、数℃程度の狭い温度範囲でしか配向状態を維持できないという特徴を有し
ているが、ブルー相を発現する液晶材料と重合性モノマーとを含む液晶組成物を重合させ
て得られる高分子／液晶複合体を用いることによって、ブルー相の発現温度範囲が改善さ
れるという報告がなされている（例えば、特許文献２参照）。

ＷＯ２００５／０９０５２０号公報 特開２００３−３２７９６６号公報

しかしながら、高分子／液晶複合体を得るためにブルー相を発現する液晶材料と重合性
モノマーとを含む液晶組成物を高分子安定化処理によって重合させる際、ブルー相の配向
状態を維持できない場合のあることが確認されている。これらの配向状態の乱れは、高分
子／液晶複合体により得られる高分子安定化ブルー相を利用した液晶素子や、これらを用
いた液晶パネルなどの表示パネルにおける欠陥となるため、歩留まりの低下などを招く。
したがって、上記問題を鑑み、開示される本発明の一態様では、高分子／液晶複合体にお
ける配向状態の乱れを低減させることができる液晶組成物を提供することを課題の一とす
る。また、高分子／液晶複合体における配向状態の乱れを低減するために、ブルー相を発
現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るための、高分子安定化処理の温度
範囲を拡大することが可能な液晶組成物を提供することを課題の一とする。また、上記液
晶組成物を重合して得られる高分子／液晶複合体を有する液晶素子を提供することを課題
の一とする。また、上記液晶素子の駆動電圧を低下させることを課題とする。また、上記
液晶組成物を重合して得られる高分子／液晶複合体を有する液晶表示装置を提供すること
を課題の一とする。また、上記液晶素子を用いて作製される液晶表示装置の駆動電圧を低
下させることを課題とする。また、上記液晶組成物に含まれる新規な材料を提供すること
を課題の一とする。

本発明の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料と、下記一般式（Ｇ１）で示される液
晶性モノマーとを含む液晶組成物である。なお、液晶組成物には、非液晶性モノマー、及
び重合開始剤が含まれていてもよい。

但し、一般式（Ｇ１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｙ_１
、Ｙ_２は、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性
が低下しない程度の長さであるとして、それぞれ独立して炭素及び酸素の合計が１〜２０
のアルキレン基を示す。アルキレン基は側鎖としてアルキル基を有していても良い。また
、当該アルキレン基、及び当該アルキル基はカルボニル基を含んでいても良く、エーテル
結合を有していても良い。また、当該カルボニル基と当該エーテル結合とが連続してエス
テル構造となってもよい。また、一般式（Ｇ１）中、Ｚ_１、Ｚ_２はそれぞれ独立してアク
リロイル基又はメタクリロイル基を示す。

なお、上記構成において、一般式（Ｇ１）中のＹ_１、Ｙ_２は、それぞれ独立して炭素及
び酸素の合計が奇数のアルキレン基であることを特徴とする。

また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、下記一般式（Ｇ１−１）
で示される液晶性モノマー、非液晶性モノマー、及び重合開始剤を含む液晶組成物である
。

但し、一般式（Ｇ１−１）中、Ｘ_１は、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１−１
）中、Ｒ^１、Ｒ^２は、それぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を示す。また、一
般式（Ｇ１−１）中、ｎ、ｍは、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現す
る液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、それぞれ独立に１〜１９の
いずれか一である。

なお、上記構成において、一般式（Ｇ１−１）中のＸ_１は、下記構造式（ｓ１１）〜（
ｓ１８）のいずれか一であることを特徴とする。

但し、構造式（ｓ１１）中のＲ^３〜Ｒ^６、構造式（ｓ１２）中のＲ^７〜Ｒ^１０、構造式
（ｓ１３）中のＲ^１１〜Ｒ^１４、構造式（ｓ１５）中のＲ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立
に水素、メチル基、またはフッ素のいずれか一である。

また、上記各構成において、一般式（Ｇ１）または一般式（Ｇ１−１）で示される液晶
性モノマーは、下記構造式（１０４）であることを特徴とする。

また、上記各構成において、一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーは、下記構造式
（１０２）であることを特徴とする。

なお、本発明の一態様である液晶組成物において、上記一般式（Ｇ１）および上記一般
式（Ｇ１−１）で示される液晶性モノマーは、液晶性が維持できる程度であり、またブル
ー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、アルキレン基
の長さ（酸素及び炭素の合計数）を１〜２０とすることにより、高分子安定化処理（重合
処理）の際、Ｘで示されるメソゲン骨格間の分子間相互作用を抑えるとともに、液晶組成
物内での相分離を容易にすることができる。そのため、ブルー相を発現する温度範囲が拡
大された高分子／液晶複合体を得るための、高分子安定化処理の温度範囲を拡大すること
が可能となる。これにより、高分子安定化ブルー相を発現する高分子／液晶複合体におけ
る配向状態の乱れを低減させることができる。なお、アルキレン基の長さ（酸素及び炭素
の合計数）が上記範囲よりも長くなる場合であっても、液晶性が維持できる程度であり、
またブルー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであれば本発明に含
まれることとする。なお、本明細書中において、ブルー相を発現する液晶組成物とは、光
学的変調作用を有し、電圧無印加時には光学的に等方性であるが、電圧印加によって配向
秩序が変化して光学的に異方性となるものをいう。

また、上記構成において、液晶組成物に含まれるブルー相を発現する液晶材料としては
、ネマチック性液晶性化合物、スメクチック性液晶性化合物が挙げられ、ネマチック性液
晶性化合物が好ましい。なお、ネマチック性液晶性化合物としては特に制限されず、ビフ
ェニル系化合物、ターフェニル系化合物、フェニルシクロヘキシル系化合物、ビフェニル
シクロヘキシル系化合物、フェニルビシクロヘキシル系化合物、安息香酸フェニル系化合
物、シクロヘキシル安息香酸フェニル系化合物、フェニル安息香酸フェニル系化合物、ビ
シクロヘキシルカルボン酸フェニル系化合物、アゾメチン系化合物、アゾおよびアゾオキ
シ系化合物、スチルベン系化合物、ビシクロヘキシル系化合物、フェニルピリミジン系化
合物、ビフェニルピリミジン系化合物、およびピリミジン系化合物などが挙げられる。

また、上記構成において、液晶組成物に含まれる非液晶性モノマーとしては、分子構造
中にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、フマレート基、シンナ
モイル基等の重合性基を含むモノマーなどが挙げられる。

また、上記構成において、液晶組成物に含まれる重合開始剤としては、アセトフェノン
類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾインアル
キルエーテル類、ベンジルジメチルケタール類、およびチオキサントン類などが挙げられ
る。

また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを含む液
晶組成物を用いて形成された高分子／液晶複合体である。なお、液晶組成物は、非液晶性
モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。

また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを含む液
晶組成物を用いて形成された液晶素子である。なお、液晶組成物は、非液晶性モノマー、
および重合開始剤を含んでいてもよい。

また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを含む液
晶組成物を重合させて得られる高分子／液晶複合体を有する液晶素子である。なお、液晶
組成物は、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。

また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを含む液
晶組成物を用いて形成された液晶表示装置である。なお、液晶組成物は、非液晶性モノマ
ー、および重合開始剤を含んでいてもよい。

また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを含む液
晶組成物を重合させて得られる高分子／液晶複合体を有する液晶表示装置である。なお、
液晶組成物は、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。

本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより、ブルー相を発現する温度範囲が
拡大された高分子／液晶複合体を得るための、高分子安定化処理の温度範囲を拡大するこ
とが可能となり、高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向状態の乱
れを低減させることができる。したがって、これらの液晶組成物を用いて作製された高分
子安定化ブルー相を利用した液晶素子や液晶表示装置の歩留まりを向上させることができ
る。また、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより液晶素子の駆動電圧を低
下させることができるので、液晶表示装置の駆動電圧を低下させることができる。また、
上記液晶組成物に含まれる液晶性モノマーとして新規な材料を提供することができる。

液晶性モノマーについて説明する図。 液晶素子の一態様を示す図。 液晶表示装置の一態様を示す図 液晶表示装置の一態様を示す図 液晶表示装置の応用例を示す図。 液晶表示装置の応用例を示す図。 ＲＭ−Ｏ７（略称）のＮＭＲチャート図。 ＲＭ−Ｏ７（略称）のＮＭＲチャート図。 ＲＭ−Ｏ７（略称）の吸収スペクトル。 実施例１で説明する高分子安定化処理可能な温度範囲を示す図。 実施例３で説明する液晶素子の電圧−透過率特性を示す図。 実施例４で説明する高分子安定化処理可能な温度範囲を示す図。 実施例１で作製された液晶素子の配向写真を示す図。 実施例４で作製された液晶素子の配向写真を示す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。

また、本明細書中で説明する液晶表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、も
しくは光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌ
ｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ
）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられ
たモジュール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ
（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。

（実施の形態１）
本実施の形態では、高分子安定化ブルー相を発現する液晶組成物、および液晶組成物を
高分子安定化処理（重合処理）して得られる高分子／液晶複合体について説明する。

本実施の形態で示す液晶組成物は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマー、非
液晶性モノマー、および重合開始剤を含んで構成される。

ブルー相を発現する液晶材料とは、光を実質的に散乱せずかつ光学的に等方性の状態で
ある、いわゆるブルー相を発現することが可能な液晶材料をいう。ブルー相を発現する液
晶材料としては、ネマチック性液晶性化合物、スメクチック性液晶性化合物等が挙げられ
、ネマチック性液晶性化合物が好ましい。なお、ネマチック性液晶性化合物としては特に
制限されず、ビフェニル系化合物、ターフェニル系化合物、フェニルシクロヘキシル系化
合物、ビフェニルシクロヘキシル系化合物、フェニルビシクロヘキシル系化合物、安息香
酸フェニル系化合物、シクロヘキシル安息香酸フェニル系化合物、フェニル安息香酸フェ
ニル系化合物、ビシクロヘキシルカルボン酸フェニル系化合物、アゾメチン系化合物、ア
ゾおよびアゾオキシ系化合物、スチルベン系化合物、ビシクロヘキシル系化合物、フェニ
ルピリミジン系化合物、ビフェニルピリミジン系化合物、ピリミジン系化合物、およびビ
フェニルエチン系化合物等が挙げられる。

液晶性モノマーは、液晶性を示し、例えば、光重合又は熱重合によって重合することが
できるモノマーである。具体的には、図１（ａ）に示すようにメソゲン骨格１０１と２つ
のアルキレン基１０２、１０３を有する構造である。なお、本明細書中におけるメソゲン
骨格とは、芳香環などの環を２環以上有する構造の剛直性に富むユニットのことを言う。
また、図１（ａ）において、アルキレン基１０２の鎖長をｒ_ａ１で示し、アルキレン基１
０３の鎖長をｒ_ａ２で示す。なお、アルキレン基１０２とアルキレン基１０３は、同じで
あっても異なっていてもよい。

図１（ａ）に示す液晶性モノマーを重合して得られる重合体は、例えば図１（ｂ）に示
すような構造をとる。すなわち、液晶性モノマー１００ａと液晶性モノマー１００ｂを重
合すると、液晶性モノマー１００ａのメソゲン骨格１０１ａと、液晶性モノマー１００ｂ
のメソゲン骨格１０１ｂとの間の長さ（距離）は、ｒ_ｚ（＝ｒ_ａ２＋ｒ_ｂ１）で示される
。

なお、本発明の一態様において、液晶組成物の高分子安定化処理（重合処理）の際、液
晶組成物に含まれる液晶性モノマーの重合時のメソゲン骨格間の長さ（ｒ_ｚ）を、一定の
範囲にすることが好ましい。液晶性モノマーの側鎖が長い方が、液晶組成物の（粘度が下
がり）液晶組成物内での相分離が容易となる。また、高分子安定化処理（重合処理）の際
、重合過程において、メソゲン骨格間の長さ（ｒ_ｚ）が短すぎると、メソゲン骨格間の分
子間相互作用により（液晶性モノマーの重合時における粘度が高くなり、相分離しにくく
なるので）高分子安定化を図ることが難しくなる。また、重合した際のメソゲン骨格間の
長さ（ｒ_ｚ）が長すぎると、液晶材料との相溶性が低下するなどの問題が生じる。

以上のことから、メソゲン骨格間の長さ（ｒ_ｚ）を、一定の範囲にすることで、液晶組
成物内での相分離を容易にし、ブルー相を発現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複
合体を得るための、高分子安定化処理の温度範囲を拡大することができる。これにより、
高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向状態の乱れを低減すること
ができる。なお、図１（ａ）に示す２つのアルキレン基１０２、１０３は、同一の構造で
あっても異なる構造であってもよい。

上記メソゲン骨格間の分子間相互作用は、メソゲン骨格間の長さ（ｒ_ｚ）によって影響
を受けることから、メソゲン骨格間の長さ（ｒ_ｚ）を、一定の範囲とした本発明の一態様
における液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１）で示される。

但し、一般式（Ｇ１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｙ_１
、Ｙ_２は、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性
が低下しない程度の長さであるとして、それぞれ独立して鎖長（酸素及び炭素の合計）が
１〜２０のアルキレン基を示す。アルキレン基は側鎖としてアルキル基を有していても良
い。また、当該アルキレン基、及び当該アルキル基はカルボニル基を含んでいても良く、
エーテル結合を有していても良い。また、当該カルボニル基と当該エーテル結合とが連続
してエステル構造となってもよい。また、一般式（Ｇ１）中、Ｚ_１、Ｚ_２はそれぞれ独立
してアクリロイル基又はメタクリロイル基を示す。

なお、上記一般式（Ｇ１）中のＹ_１、Ｙ_２は、それぞれ独立して鎖長（酸素及び炭素の
合計）が奇数のアルキレン基であることが好ましい。

また、一般式（Ｇ１）中のＸで表される構造として、具体的には、下記構造式（ｓ１）
〜（ｓ８）等が挙げられる。

但し、構造式（ｓ１）〜（ｓ８）中に示す（Ｙ）は、一般式（Ｇ１）中のＹ_１、または
Ｙ_２のいずれかとの結合部位を示す。また、構造式（ｓ１）中のＲ^３〜Ｒ^６、構造式（ｓ
２）中のＲ^７〜Ｒ^１０、構造式（ｓ３）中のＲ^１１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に水素、メ
チル基、またはフッ素のいずれか一である。

また、一般式（Ｇ１）中のＹ_１、Ｙ_２で表される構造として、具体的には、下記構造式
（ｔ１）〜（ｔ４８）等が挙げられる。

但し、構造式（ｔ１）〜（ｔ４８）中に示す（Ｘ）は、一般式（Ｇ１）中のＸとの結合
部位を示し、構造式（ｔ１）〜（ｔ４８）中に示す（Ｚ）は、一般式（Ｇ１）中のＺ_１、
またはＺ_２のいずれかとの結合部位をそれぞれ示す。また、構造式（ｔ１）〜（ｔ４８）
で表されるアルキレン基は、（Ｘ）で表される部分に（Ｚ）が結合され、（Ｚ）で表され
る部分に（Ｘ）が結合される構造であっても良い。

また、一般式（Ｇ１）中のＺ_１、Ｚ_２で表される構造として、具体的には、下記構造式
（ｕ１）、（ｕ２）等が挙げられる。

また、本発明の一態様における液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１−１）で示される
構造であってもよい。

但し、一般式（Ｇ１−１）中、Ｘ_１は、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１−１
）中、Ｒ^１、Ｒ^２は、それぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を示す。また、一
般式（Ｇ１−１）中、ｎ、ｍは、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現す
る液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、それぞれ独立に１〜１９の
いずれか一である。

また、一般式（Ｇ１−１）中のＸ_１で表される構造として、具体的には、下記構造式（
ｓ１１）〜（ｓ１８）等が挙げられる。

但し、構造式（ｓ１１）中のＲ^３〜Ｒ^６、構造式（ｓ１２）中のＲ^７〜Ｒ^１０、構造式
（ｓ１３）中のＲ^１１〜Ｒ^１４、構造式（ｓ１５）中のＲ^１５〜Ｒ^１８は、それぞれ独立
に水素、メチル基、またはフッ素のいずれか一である。

一般式（Ｇ１）または一般式（Ｇ１−１）で表される液晶性モノマーの具体例としては
、構造式（１００）〜構造式（１１０）で表される液晶性モノマーが挙げられる。ただし
、本発明は、これらに限定されない。

なお、構造式（１００）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が３の
アルキレン基を有し、１，４−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエチル−１−オキ
シ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＭｅＲＭ−Ｏ２）である。

構造式（１０１）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が４のアルキ
レン基を有し、１，４−ビス［４−（３−アクリロイルオキシ−ｎ−プロピル−１−オキ
シ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ３）である。

構造式（１０２）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が５のアルキ
レン基を有し、１，４−ビス［４−（４−アクリロイルオキシ−ｎ−ブチル−１−オキシ
）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ４）である。

構造式（１０３）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が６のアルキ
レン基を有し、１，４−ビス［４−（５−アクリロイルオキシ−ｎ−ペンチル−１−オキ
シ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ５）である。

構造式（１０４）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が７のアルキ
レン基を有し、１，４−ビス［４−（６−アクリロイルオキシ−ｎ−へキシル−１−オキ
シ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ６）である。

構造式（１０５）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が８のアルキ
レン基を有し、１，４−ビス［４−（７−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキ
シ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ７）である。

構造式（１０６）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が９のアルキ
レン基を有し、１，４−ビス［４−（８−アクリロイルオキシ−ｎ−オクチル−１−オキ
シ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ８）である。

構造式（１０７）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が１０のアル
キレン基を有し、１，４−ビス［４−（９−アクリロイルオキシ−ｎ−ノニル−１−オキ
シ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ９）である。

構造式（１０８）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が１１のアル
キレン基を有し、１，４−ビス［４−（１０−アクリロイルオキシ−ｎ−デシル−１−オ
キシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ１０）である。

構造式（１０９）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が１２のアル
キレン基を有し、１，４−ビス［４−（１１−アクリロイルオキシ−ｎ−ウンデシル−１
−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ１１）である。

構造式（１１０）で示す液晶性モノマーは、鎖長（酸素及び炭素の合計）が７のアルキ
レン基を有し、４，４’−ビス（６−アクリロイルオキシ−ｎ−へキシル−１−オキシ）
−１，１’−ビフェニル（略称：Ｄａｃ−ＰＰ−Ｏ６）である。

非液晶性モノマーは、液晶性を示さず、光重合又は熱重合等によって重合することがで
きるモノマーであって、棒状の分子構造（例えば、ビフェニル基、又はビフェニル・シク
ロヘキシル基等の末端にアルキル基、シアノ基、フッ素などが付いたような分子構造）を
有さないモノマーをいう。具体的には、分子構造中にアクリロイル基、メタクリロイル基
、ビニル基、エポキシ基、フマレート基、シンナモイル基等の重合性基を含むモノマーが
挙げられるが、これらに限られるものではない。

重合反応としては、光重合反応や熱重合反応が可能であるが、光重合反応が好ましく、
紫外線による光重合反応が特に好ましい。従って、重合開始剤としては、例えばアセトフ
ェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾイ
ンアルキルエーテル類、ベンジルジメチルケタール類、およびチオキサントン類などから
適宜選択して用いることができる。なお、重合開始剤は、高分子安定化処理後の高分子／
液晶複合体中では液晶表示装置の動作に寄与しない不純物となるため可能な限り少量とす
ることが望ましい。従って、例えば、液晶組成物に対して０．５ｗｔ％以下とするのが好
ましい。

また、上記液晶組成物には、上述したブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマー、
非液晶性モノマー、重合開始剤の他に、カイラル剤を含んでいてもよい。なお、カイラル
剤とは、液晶材料にねじれ構造を生じさせるものである。また、カイラル剤の添加量はブ
ルー相を発現する液晶材料の回折波長に影響する。従って、カイラル剤の添加量は、ブル
ー相を発現する液晶材料の回折波長が可視領域（３８０〜７５０ｎｍ）外となるように調
整するのが好ましい。カイラル剤としては、Ｓ−８１１（メルク社製）、Ｓ−１０１１（
メルク社製）、１，４：３，６−ジアンヒドロ−２，５−ビス［４−（ｎ−ヘキシル−１
−オキシ）安息香酸］ソルビトール（略称：ＩＳＯ−（６ＯＢＡ）_２）（みどり化学株式
会社製）などを適宜選択して用いることができる。

本発明の一態様である液晶組成物は、以上の材料を含んで構成される。そして、この液
晶組成物を高分子安定化処理（重合処理）することにより、高分子安定化ブルー相を発現
する高分子／液晶複合体を得ることができる。

なお、液晶組成物の高分子安定化処理（重合処理）において、光重合反応を用いる場合
の処理温度は、高分子安定化処理（重合処理）により得られる高分子／液晶複合体が、高
分子安定化ブルー相を示す温度であることが好ましい。より好ましくは液晶組成物および
高分子／液晶複合体が（等方相または）ブルー相の状態を維持できる温度とするのが好ま
しい。また、液晶組成物が等方相であっても高分子安定化処理（重合処理）後の高分子／
液晶複合体がブルー相の状態を維持できる温度であればよい。また高分子安定化処理（重
合処理）中において温度を変化させてもよく、この場合、液晶組成物が等方相またはブル
ー相を発現する温度で重合を開始し、高分子／液晶複合体がブルー相を示す温度であれば
よい。

上記温度範囲において、紫外線などを照射することにより、光重合反応を行う。なお、
重合させる時間については、液晶組成物に含まれる材料に応じて適宜調節すればよい。

本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより、ブルー相を発現する温度範囲が
拡大された高分子／液晶複合体を得るための、高分子安定化処理の温度範囲を拡大するこ
とが可能となり、高分子／液晶複合体における配向状態の乱れを低減させることができる
。

以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと
適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した液晶組成物を重合させて得られる高分子／
液晶複合体を用いた液晶素子について、その一例を図２を用いて説明する。図２は液晶素
子の断面図である。

図２において、第１の基板２００と第２の基板２０１との間には、液晶層２０２が設け
られており、液晶層２０２には実施の形態１で説明した高分子／液晶複合体を用いている
。また、第１の基板２００上には、画素電極層２０３と、共通電極層２０４とが隣接して
設けられている。

本実施の形態に示す液晶素子は、基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じ
させて、基板と平行（すなわち水平な方向）に液晶分子を動かして、階調を制御する方式
である。

なお、液晶層２０２を介して隣接する画素電極層２０３と、共通電極層２０４との距離
ａ（図２に示す）は、画素電極層２０３及び共通電極層２０４にそれぞれ所定の電圧を印
加した時、液晶層２０２に含まれる液晶のうち、画素電極層２０３と共通電極層２０４と
の間に介在する液晶が応答する距離とする。なお、距離ａの長さに応じて印加する電圧を
適宜制御するものとする。

第１の基板２００、および第２の基板２０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノ
ホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。

また、画素電極層２０３、および共通電極層２０４は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）
、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したインジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ
ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を混合した導電
材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タン
グステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタン
を含むインジウム錫酸化物、またはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（
Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若し
くはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いてそれぞれ形成することができる。

また、液晶層２０２は、実施の形態１で説明した液晶組成物を滴下法（ＯＤＦ）や、液
晶注入法などにより、第１の基板２００と第２の基板２０１との間に備えた後、重合して
高分子／液晶複合体とすることにより得られる。なお、得られる液晶層２０２の厚さ（膜
厚）は、１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。

以上により得られる液晶素子は、画素電極層２０３と共通電極層２０４との間に水平方
向の電界が形成されるため、第１の基板２０１に対して水平方向に液晶層２０２中の液晶
分子を制御することができる。

本実施の形態に示す液晶素子は、高分子安定化ブルー相を発現することができる液晶素
子であり、液晶層２０２に用いた高分子／液晶複合体は、高速応答が可能で、高いコント
ラストを付与することができる液晶素子である。

また、本実施の形態に示す液晶素子には、偏光板、位相差板、反射防止膜などの光学フ
ィルムなどを適宜組み合わせて用いることができる。例えば、偏光板及び位相差板による
円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライトなどを用いてもよい。

なお、本実施の形態に示す液晶素子は、光源の光を透過することによって表示を行う透
過型の液晶表示装置、入射する光を反射することによって表示を行う反射型の液晶表示装
置、又は透過型と反射型を両方有する半透過型の液晶表示装置に適用することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である液晶組成物を液晶層に用いて作製された液晶
表示装置について説明する。なお、本実施の形態で示す液晶表示装置は、表示素子として
実施の形態２で説明したような液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。また、液晶表
示装置としては、パッシブマトリクス型の液晶表示装置でもアクティブマトリクス型の液
晶表示装置でも適用可能であるが、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の液晶表
示装置に適用した場合について、図３を用いて説明する。

図３（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、１画素分の画素を示している。また、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）のＸ１−Ｘ２における断面図を示す。

図３（Ａ）において、複数のソース配線層３０５（配線層３０５ａを含む）が互いに平
行（図３（Ａ）中、上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数の
ゲート配線層３０１（ゲート電極層３０１ａを含む）は、ソース配線層３０５とほぼ直交
する方向（図３（Ａ）中、左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されてい
る。また、複数の共通配線層３０８は、複数のゲート配線層３０１とそれぞれ隣接する位
置に配置されており、ゲート配線層３０１に平行して、つまり、ソース配線層３０５とほ
ぼ直交する方向（図３（Ａ）中、左右方向）に延伸している。また、ソース配線層３０５
、共通配線層３０８、及びゲート配線層３０１によって囲まれる空間には、液晶表示装置
の画素電極層３４７及び共通電極層３４６が配置されている。なお、画素電極層３４７は
、トランジスタ３２０と電気的に接続されており、トランジスタ３２０は、画素ごとにそ
れぞれ配置されている。

また、図３（Ａ）の液晶表示装置において、画素電極層３４７と共通配線層３０８によ
って容量が形成されている。共通配線層３０８は、フローティング状態（電気的に孤立し
た状態）で動作させることも可能だが、固定電位、好ましくはコモン電位（データとして
送られる画像信号の中間電位）近傍でフリッカーの生じないレベルに設定してもよい。

図３に示す液晶表示装置の電極構成は、画素電極層３４７と共通電極層３４６が基板と
平行な同一面内に形成された構造であり、基板と水平方向に電界を発生させて、基板と平
行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式（いわゆるＩＰＳモード）に適用す
ることができる。

次に、図３（Ｂ）に示す液晶表示装置の断面構造について説明する。図３（Ｂ）に示す
液晶表示装置は、トランジスタ３２０、画素電極層３４７、共通電極層３４６などを有す
る第１の基板３４１と、第２の基板３４２との間に液晶層３４４を挟んでなる構造である
。また、第１の基板３４１と第２の基板３４２のそれぞれに接して、偏光板（３４３ａ、
３４３ｂ）が備えられている。

なお、トランジスタ３２０は逆スタガ型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する
基板である第１の基板３４１上に形成され、ゲート電極層３０１ａ、ゲート絶縁層３０２
、半導体層３０３、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層３０５ａ、３
０５ｂを含む。

本実施の形態に示す液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、
例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いる
ことができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート
構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリプルゲート構造
であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された２つのゲ
ート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。

図３（Ｂ）において、第１の基板３４１上には、ゲート電極層３０１ａが形成されてい
る。ゲート電極層３０１ａとしては、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングス
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とす
る合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。ゲート電極層３０１ａ
に遮光性を有する導電膜を用いると、バックライトからの光（第１の基板３４１から入射
する光）が、半導体層３０３へ入射することを防止することができる。

また、ゲート電極層３０１ａは積層構造を有していてもよく、例えば、ゲート電極層３
０１ａが、２層の積層構造の場合には、アルミニウム層上にモリブデン層が積層された２
層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した２層構造、または銅層上に窒化チ
タン層若しくは窒化タンタル層を積層した２層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを積
層した２層構造とすることが好ましい。また、３層の積層構造の場合には、タングステン
層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金またはアルミニウムとチ
タンの合金と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した積層構造とすることが好ましい
。

なお、絶縁膜からなる下地膜を第１の基板３４１とゲート電極層３０１ａとの間に設け
てもよい。下地膜は、第１の基板３４１からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、
窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選
ばれた一又は複数の膜による単層、又は積層構造により形成することができる。

ゲート絶縁層３０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリ
コン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層を単層で又は積層
して形成することができる。また、ゲート絶縁層３０２として、有機シランガスを用いて
ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン層を用いることも可能である。有機シランガスと
しては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）、テトラメチルシラン（
ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ_３）_４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ
）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（Ｈ
ＭＤＳ）、トリエトキシシラン（化学式ＳｉＨ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３）、トリスジメチルアミ
ノシラン（化学式ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_３）等のシリコン含有化合物を用いることが
できる。

半導体層３０３に用いる材料は、特に限定されず、トランジスタ３２０に要求される特
性に応じて適宜設定すればよい。半導体層３０３に用いることのできる材料としては、シ
ランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作
製される非晶質（アモルファスともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱
エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶半導体、酸化物半導体な
どを用いることができる。

アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体
としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）に
は、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた高
温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料とし
て用いた低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを
結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体
又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。

また、酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系
や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−
Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚ
ｎ−Ｏ系や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ
−Ｏ系、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系や
、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などを用いることができる。また、上記酸化物半
導体にＳｉＯ_２を含んでもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体
とは、少なくともＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。
また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでもよい。

また、酸化物半導体としては、化学式ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表記される
薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一
または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、ま
たはＧａ及びＣｏなどがある。また、酸化物半導体として、単結晶構造ではなく、非晶質
構造でもない構造であり、Ｃ軸配向を有した結晶性酸化物半導体（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉ
ｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ； ＣＡ
ＡＣとも呼ぶ）を用いることができる。

なお、半導体層３０３は、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法
等により成膜することができる。また、半導体層３０３を所望の形状に加工するために用
いるエッチング工程としては、ドライエッチングやウエットエッチングを用いることがで
きる。

なお、ドライエッチングに用いるエッチング装置としては、反応性イオンエッチング法
（ＲＩＥ法）を用いたエッチング装置や、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）やＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａ
ｓｍａ）などの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置を用いることができる。
また、ＩＣＰエッチング装置と比べて広い面積に渡って一様な放電が得られやすいドライ
エッチング装置としては、上部電極を接地させ、下部電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電
源を接続し、さらに下部電極に３．２ＭＨｚの低周波電源を接続したＥＣＣＰ（Ｅｎｈａ
ｎｃｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）モードのエッチ
ング装置がある。このＥＣＣＰモードのエッチング装置であれば、例えば基板として、第
１０世代の３ｍを超えるサイズの基板を用いる場合にも対応することができる。

トランジスタ３２０のソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層３０５ａ
、３０５ｂの材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）
、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウ
ム（Ｍｇ）から選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を
組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、熱処理を行う場合には、この熱処理に耐える
耐熱性を導電膜に持たせることが好ましい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）単体では耐熱
性が劣り、また腐蝕しやすい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成
する。Ａｌと組み合わせる耐熱性導電性材料としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ
）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、ス
カンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述し
た元素を組み合わせた合金膜、または上述した元素を成分とする窒化物で形成する。

なお、ゲート絶縁層３０２、半導体層３０３、配線層３０５ａ、３０５ｂを大気に触れ
させることなく連続的に形成してもよい。大気に触れさせることなく連続成膜することで
、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく各積層界面を形成す
ることができるので、トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。

絶縁膜３０７、絶縁膜３０９には、乾式法や湿式法で形成される無機絶縁膜、有機絶縁
膜を用いることができる。例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを用いて得られる窒
化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタ
ル膜などを用いることができる。また、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポ
リアミド、エポキシ等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低
誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（
リンボロンガラス）等を用いることができる。また、絶縁膜３０７として酸化ガリウム膜
を用いてもよい。

なお、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ
−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂の置換基としては、有機基（例えば
アルキル基やアリール基）やフルオロ基を有していても良い。シロキサン系樹脂は塗布法
により成膜し、焼成することによって用いることができる。

なお、絶縁膜３０７、絶縁膜３０９は、上述した材料により形成される絶縁膜を複数積
層させることにより形成してもよい。例えば、無機絶縁膜上に有機樹脂膜を積層する構造
としてもよい。

層間膜３１３は、上述した絶縁膜３０７、絶縁膜３０９と同様の材料を用いることがで
きる。また、層間膜３１３の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スピンコー
ト、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセ
ット印刷等）、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等を用いることができる。

また、画素電極層３４７及び共通電極層３４６には、酸化タングステンを含むインジウ
ム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム
酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示
す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性
を有する導電性材料を用いることができる。その他にも、タングステン（Ｗ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（
Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チ
タン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属
、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することが
できる。

さらに、画素電極層３４７及び共通電極層３４６には、導電性高分子（導電性ポリマー
ともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率
が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。なお、導電性高分子としては、いわゆる
π電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導
体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリ
ン、ピロールおよびチオフェンなどの２種以上からなる共重合体またはその誘導体などが
あげられる。

液晶層３４４には、本発明の一態様である液晶組成物を用いる。なお、液晶組成物には
、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマー、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が
含まれており、液晶層３４４には、この液晶組成物を高分子安定化処理（重合処理）して
得られる高分子／液晶複合体を用いる。

なお、ここでは図示しないが、第１の基板３４１と対向基板である第２の基板３４２と
の間に液晶層３４４を形成する液晶組成物を挟持させた後、シール材で固着する。液晶組
成物を挟持させる方法として、ディスペンサ法（滴下法）や、第１の基板３４１と第２の
基板３４２とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて注入する方法を用いることができ
る。

また、シール材としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹
脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを
用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、
カップリング剤を含んでもよい。

また、液晶組成物を第１の基板３４１と第２の基板３４２との間に充填した後、光を照
射して高分子安定化処理（重合処理）を行い、液晶層３４４を形成する。照射する光は、
液晶組成物に含まれる液晶性モノマー、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が反応する波
長の光とする。この光照射による高分子安定化処理（重合処理）により、液晶層３４４が
得られる。なお、シール材に光硬化樹脂を用いる場合には、高分子安定化処理と同時にシ
ール材の硬化を行ってもよい。

なお、本実施の形態で示す液晶表示装置の電極構造により、液晶層３４４に含まれる液晶
分子は水平方向の電界により制御される。なお、高分子／液晶複合体は、ブルー相を呈す
るように配向しており、基板と平行な方向で制御できるため、視野角を広くすることがで
きる。

また、本実施の形態では、第１の基板３４１の外側（液晶層３４４と反対側）に偏光板
３４３ａを、第２の基板３４２の外側（液晶層３４４と反対側）に偏光板３４３ｂを設け
ている。なお、偏光板の他、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを設けてもよ
い。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。

また、図示しないが、本実施の形態に示す液晶表示装置の光源としては、バックライト
、サイドライトなどを用いることができる。なお、光源からの光は、第１の基板３４１側
から、視認側である第２の基板３４２へと透過するように照射される。

また、大型の基板を用いて複数の液晶表示装置を作製する場合（所謂多面取り）、その
分断工程は、高分子安定化処理の前か、偏光板を設ける前に行うことができるが、分断工
程による液晶層への影響（分断工程時にかかる力などによる配向乱れなど）を考慮すると
、第１の基板３４１と第２の基板３４２とを貼り合わせた後、高分子安定化処理の前が好
ましい。

本実施の形態に示す液晶表示装置において、本発明の一態様である液晶組成物を用いる
ことにより、ブルー相を発現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るための
、高分子安定化処理の温度範囲を拡大することが可能となり、高分子安定化ブルー相を示
す高分子／液晶複合体における配向状態の乱れを低減させることができる。これにより、
液晶表示装置におけるパネルの欠陥を低減させることができるので、液晶表示装置の歩留
まりを向上させることができる。また、本発明の一態様である液晶組成物を用いることに
より液晶素子の駆動電圧を低下させることができるので、液晶表示装置の駆動電圧を低下
させることができる。

また、本実施の形態に示す液晶表示装置において、高分子安定化ブルー相を発現するこ
とが可能であるため、高いコントラストを付与することができ、視認性のよい高画質な液
晶表示装置を提供することができる。また、高速応答が可能であるため、液晶表示装置の
高性能化も可能となる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である液晶組成物を液晶層に用いて作製された液晶
表示装置について説明する。なお、本実施の形態で示す液晶表示装置は、表示素子として
実施の形態２で説明したような液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。

液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図４を用い
て説明する。図４（Ａ１）（Ａ２）は、第１の基板４００１上に形成されたトランジスタ
４０１０、４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４
００５によって封止した、パネルの上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ１）（Ａ２）
のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。

第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲
むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動
回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走
査線駆動回路４００４は、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６
によって、液晶層４００８と共に封止されている。

また、図４（Ａ１）は第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている
領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形
成された信号線駆動回路４００３が実装されている。なお、図４（Ａ２）は信号線駆動回
路の一部を第１の基板４００１上に設けられたトランジスタで形成する例であり、第１の
基板４００１上に信号線駆動回路４００３ｂが形成され、かつ別途用意された基板上に単
結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３ａが実装されてい
る。

なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法
、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図４（Ａ１）
は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図４（Ａ２）は、Ｔ
ＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。

また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は
、トランジスタを複数有しており、図４（Ｂ）では、画素部４００２に含まれるトランジ
スタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１１とを例示して
いる。トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁層４０２０、層間膜４０２１が設けら
れている。

トランジスタ４０１０、４０１１には、公知のトランジスタを適用することができる。

また、層間膜４０２１、又は絶縁層４０２０上において、駆動回路用のトランジスタ４
０１１の半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に導電層を設けてもよい。導電層は、
電位がトランジスタ４０１１のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第
２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がＧＮＤ、０Ｖ、
或いはフローティング状態であってもよい。

また、層間膜４０２１上に画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１が形成され、画
素電極層４０３０はトランジスタ４０１０と電気的に接続されている。液晶素子４０１３
は、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１及び液晶層４００８を含む。なお、第１の
基板４００１、第２の基板４００６の外側にはそれぞれ偏光板４０３２ａ、４０３２ｂが
設けられている。

液晶層４００８には、実施の形態１で示した液晶組成物を用いる。

なお、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１との間に電界を形成することで、液晶
層４００８の液晶分子を制御する。液晶層４００８には水平方向の電界が形成されるため
、その電界により液晶分子が制御される。実施の形態１で示した液晶組成物は、高分子安
定化処理（重合処理）により高分子／液晶複合体となっており、高分子／液晶複合体に含
まれる液晶は、ブルー相を呈するように配向しており、基板と平行な方向で制御できるた
め、視野角を広くすることができる。

なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性を有するガラス、プ
ラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌ
ａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライ
ド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる
。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシ
ートを用いることもできる。

また、柱状のスペーサ４０３５は絶縁層を選択的にエッチングすることで得られ、液晶
層４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペー
サを用いていても良い。液晶表示装置において、液晶層４００８の厚さであるセルギャッ
プは１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。なお、本明細書においてセルギャッ
プとは、液晶層４００８の厚さ（膜厚）の最大値とする。

図４に示す液晶表示装置は、透過型液晶表示装置であるが、本発明における液晶表示装
置は半透過型液晶表示装置でも、反射型液晶表示装置でもよい。

また、図４の液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設ける例を示すが、
偏光板は基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によって適宜設定すれ
ばよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。

また、層間膜４０２１の一部としてカラーフィルタ層や遮光層を形成してもよい。図４
においては、トランジスタ４０１０、４０１１上方を覆うように第２の基板４００６側に
遮光層４０３４が設けられている。なお、遮光層４０３４を設けることにより、コントラ
スト向上やトランジスタの安定化を図ることができる。

絶縁層４０２０を設けることにより、トランジスタの保護膜として機能させる構成とし
てもよいが、特に限定されない。この場合の保護膜とは、大気中に浮遊する有機物や金属
物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護
膜は、スパッタリング法を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニ
ウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。

また、平坦化絶縁膜として透光性の絶縁層をさらに形成する場合には、ポリイミド、ア
クリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用
いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロ
キサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることが
できる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させて絶縁層を形成してもよ
い。

また、積層する絶縁層の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリン
グ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等を用い
ることができる。

画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。
）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有
する導電性材料を用いることができる。その他にも、画素電極層４０３０及び共通電極層
４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウ
ム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（
Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から
一つ、又は複数種を用いて形成することができる。

さらに、画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１には、導電性高分子（導電性ポリ
マーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。

また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部
４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。

また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線またはソース線
に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路は
、非線形素子を用いて構成することが好ましい。

図４では、接続端子電極４０１５が、画素電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、
端子電極４０１６は、トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極
層と同じ導電膜で形成されている。また、接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有
する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。

また図４においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実
装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して
実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成し
て実装しても良い。

本実施の形態に示す液晶表示装置において、本発明の一態様である液晶組成物を用いる
ことにより、ブルー相を発現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るための
、高分子安定化処理の温度範囲を拡大することが可能となり、高分子安定化ブルー相を示
す高分子／液晶複合体における配向状態の乱れを低減させることができる。これにより、
液晶表示装置におけるパネルの欠陥を低減させることができるので、液晶表示装置の歩留
まりを向上させることができる。また、本発明の一態様である液晶組成物を用いることに
より液晶素子の駆動電圧を低下させることができるので、液晶表示装置の駆動電圧を低下
させることができる。

また、本実施の形態に示す液晶表示装置において、高分子安定化ブルー相を発現するこ
とが可能であるため、高いコントラストを付与することができ、視認性のよい高画質な液
晶表示装置を提供することができる。また、高速応答が可能であるため、液晶表示装置の
高性能化も可能となる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。

（実施の形態５）
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用する
ことができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジ
ョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。

図５（Ａ）は電子書籍（Ｅ−ｂｏｏｋともいう）であり、筐体５０００、表示部５００
１、操作キー５００２、太陽電池５００３、充放電制御回路５００４を有することができ
る。図５（Ａ）に示した電子書籍は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を
表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示し
た情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御
する機能、等を有することができる。なお、図５（Ａ）では充放電制御回路５００４の一
例としてバッテリー５００５、ＤＣＤＣコンバータ（以下、コンバータと略記）５００６
を有する構成について示している。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した
液晶表示装置を表示部５００１に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、
高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現した電子書籍とすることができる。

図５（Ａ）に示す構成とすることにより、表示部５００１として半透過型、又は反射型
の液晶表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想され、太陽電池５００
３による発電、及びバッテリー５００５での充電を効率よく行うことができ、好適である
。なお太陽電池５００３は、筐体５０００の空きスペース（表面や裏面）に適宜設けるこ
とができるため、効率的なバッテリー５００５の充電を行う構成とすることができるため
好適である。なおバッテリー５００５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化
を図れる等の利点がある。

また、図５（Ａ）に示す充放電制御回路５００４の構成、及び動作について図５（Ｂ）
にブロック図を示し説明する。図５（Ｂ）には、太陽電池５００３、バッテリー５００５
、コンバータ５００６、コンバータ５００７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部５００
１について示しており、バッテリー５００５、コンバータ５００６、コンバータ５００７
、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が充放電制御回路５００４に対応する箇所となる。

ここで、外光により太陽電池５００３により発電がされる場合の動作の例について説明
する。太陽電池５００３で発電した電力は、バッテリー５００５を充電するための電圧と
なるようコンバータ５００６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部５００１の動
作に太陽電池５００３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバ
ータ５００７で表示部５００１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、
表示部５００１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッ
テリー５００５の充電を行う構成とすればよい。

次に、外光により太陽電池５００３により発電がされない場合の動作の例について説明
する。バッテリー５００５に蓄電された電力は、スイッチＳＷ３をオンにすることでコン
バータ５００７により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部５００１の動作にバッ
テリー５００５からの電力が用いられることとなる。

なお、太陽電池５００３については、充電手段の一例として示したが、他の手段による
バッテリー５００５の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて
行う構成としてもよい。

図６（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体６００１、筐体６００
２、表示部６００３、キーボード６００４などによって構成されている。実施の形態３ま
たは実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示部６００３に適用することによ
り、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現し
たノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。

図６（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体６０１１には表示部６０１２と、
外部インターフェイス６０１３と、操作ボタン６０１４等が設けられている。また操作用
の付属品としてスタイラス６０１５がある。実施の形態３または実施の形態４のいずれか
で示した液晶表示装置を表示部６０１２に適用することにより、高コントラストで視認性
がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現した携帯情報端末（ＰＤＡ）と
することができる。

図６（Ｃ）は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍６０２１は、筐体６０
２２および筐体６０２３の２つの筐体で構成されている。筐体６０２２および筐体６０２
３は、軸部６０２４により一体とされており、該軸部６０２４を軸として開閉動作を行う
ことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。

筐体６０２２には表示部６０２５が組み込まれ、筐体６０２３には表示部６０２６が組
み込まれている。表示部６０２５および表示部６０２６は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば右側の表示部（図６（Ｃ）では表示部６０２５）に文章を表示し、左側の
表示部（図６（Ｃ）では表示部６０２６）に画像を表示することができる。実施の形態３
または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示部６０２５、表示部６０２６
に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、
低駆動電圧を実現した電子書籍６０２１とすることができる。

また、図６（Ｃ）では、筐体６０２２に操作部などを備えた例を示している。例えば、
筐体６０２２において、電源６０２７、操作キー６０２８、スピーカー６０２９などを備
えている。操作キー６０２８により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一
面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の
裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部など
を備える構成としてもよい。さらに、電子書籍６０２１は、電子辞書としての機能を持た
せた構成としてもよい。

また、電子書籍６０２１は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により
、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とするこ
とも可能である。

図６（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体６０３１及び筐体６０３２の二つの筐体で構成さ
れている。筐体６０３１には、表示パネル６０３３、スピーカー６０３４、マイクロフォ
ン６０３５、ポインティングデバイス６０３６、カメラ用レンズ６０３７、外部接続端子
６０３８などを備えている。また、筐体６０３２には、携帯型情報端末の充電を行う太陽
電池セル６０３９、外部メモリスロット６０４０などを備えている。また、アンテナは筐
体６０３１内部に内蔵されている。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した
液晶表示装置を表示パネル６０３３に適用することにより、高コントラストで視認性がよ
く、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現した携帯電話とすることができる。

また、表示パネル６０３３はタッチパネルを備えており、図６（Ｄ）には映像表示され
ている複数の操作キー６０４１を点線で示している。なお、太陽電池セル６０３９で出力
される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。

表示パネル６０３３は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネ
ル６０３３と同一面上にカメラ用レンズ６０３７を備えているため、テレビ電話が可能で
ある。スピーカー６０３４及びマイクロフォン６０３５は音声通話に限らず、テレビ電話
、録音、再生などが可能である。さらに、筐体６０３１と筐体６０３２は、スライドし、
図６（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。

外部接続端子６０３８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可
能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外
部メモリスロット６０４０に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応で
きる。

また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであって
もよい。

図６（Ｅ）は、デジタルビデオカメラであり、本体６０５１、表示部（Ａ）６０５２、
接眼部６０５３、操作スイッチ６０５４、表示部（Ｂ）６０５５、バッテリー６０５６な
どによって構成されている。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表
示装置を表示部（Ａ）６０５２、表示部（Ｂ）６０５５に適用することにより、高コント
ラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現したデジタルビ
デオカメラとすることができる。

図６（Ｆ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置６０６１は、
筐体６０６２に表示部６０６３が組み込まれている。表示部６０６３により、映像を表示
することが可能である。また、ここでは、スタンド６０６４により筐体６０６２を支持し
た構成を示している。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置
を表示部６０６３に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高
性能、さらには、低駆動電圧を実現したテレビジョン装置６０６１とすることができる。

テレビジョン装置６０６１の操作は、筐体６０６２が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機か
ら出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置６０６１は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方
向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である
。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。

本実施例では、本発明の一形態である液晶組成物として１０種類の液晶組成物を作製し
、これらについて高分子安定化処理（重合処理）を行った結果を示す。

本実施例で作製する液晶組成物では、ブルー相を発現する液晶材料としてＥ−８（略称
）（メルク社製、または株式会社ＬＣＣ製）、４−（ｔｒａｎｓ−４−ｎ−プロピルシク
ロヘキシル）−３’，４’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル（略称：ＣＰＰ−３ＦＦ
）、４−ｎ−ペンチル安息香酸４−シアノ−３−フルオロフェニル（略称：ＰＥＰ−５Ｃ
ＮＦ）、非液晶性モノマーとしてメタクリル酸ドデシル（略称：ＤＭｅＡｃ）（東京化成
工業株式会社製）、重合開始剤としてＤＭＰＡＰ（略称）（東京化成工業株式会社製）、
カイラル剤として１，４：３，６−ジアンヒドロ−２，５−ビス［４−（ｎ−ヘキシル−
１−オキシ）安息香酸］ソルビトール（略称：ＩＳＯ−（６ＯＢＡ）_２）（みどり化学株
式会社製）をそれぞれ用い、液晶性モノマーとしては、表１に示す１０種類の材料のうち
のいずれかを用いて１０種類の液晶組成物を作製した。なお上述した物質の構造式を以下
に示す。

また、本実施例において、作製した液晶組成物の構成を表１に示す。混合比は全て重量
比（ｗｔ％）で表す。

また、本実施例では、液晶組成物の高分子安定化処理を行うために、一対のガラス基板
間に液晶組成物を備え、シール材で封止して得られる液晶セルを作製した。なお、各液晶
セル（液晶セル１〜液晶セル１０）に用いた液晶性モノマーを表２に示す。

液晶セル１〜１０の作製は、一対のガラス基板間に空隙（４μｍ）を有してシール材で
貼り合わせた後、注入法によって表１に示す割合で混合された液晶組成物を基板間に注入
し、作製した。

なお、シール材は紫外線及び熱硬化型シール材を用い、硬化処理として、９０秒間の紫
外線（放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）照射処理を行った。その後１２０℃で１時間加熱処
理を行った。

次に、液晶セルの高分子安定化評価を行った。高分子安定化評価には、偏光顕微鏡（Ｍ
Ｘ−５０ オリンパス株式会社製）及び温調器（ＭＫ１０００ ＩＮＳＴＥＣ社製）を用
いた。

液晶セル内の液晶組成物を等方相となる温度まで加熱した後、降温させ、任意の温度に
おいて恒温とし、紫外線（波長３６５ｎｍ、放射照度１１ｍＷ／ｃｍ^２）を、６分間照射
することによって高分子安定化処理を行った。なお、ＵＶ照射時の任意の温度については
１℃刻みで評価を行った。

上記観察の際の測定条件は、偏光顕微鏡において、測定モードを反射とし、偏光子にク
ロスニコルを用い、倍率を２００倍として室温環境で測定した。

高分子安定化ブルー相を発現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るため
の高分子安定化処理（ここでは、ＵＶ照射による重合処理）が可能な温度の上限、及び下
限を図１０に示す。

図１０の結果から、メソゲン骨格を有する液晶性モノマーにおいて、アルキレン基の鎖
長（酸素及び炭素の合計数）がある程度の長さを有していることで、通常に比べて高分子
安定化処理（ここでは、ＵＶ照射による重合処理）が可能な温度範囲を拡大できることが
わかる。

従って、メソゲン骨格を有する液晶性モノマーにおいて、アルキレン基の鎖長（酸素及
び炭素の合計数）を２０以下とすることは、高分子安定化処理（ここでは、ＵＶ照射によ
る重合処理）が可能な温度範囲を拡大する上で好ましいが、アルキレン基の鎖長（酸素及
び炭素の合計数）を１２以下とすることが、より好ましい。

また、図１０の結果から、アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が奇数となる
液晶性モノマーを使用した場合、高分子安定化処理が可能な温度の範囲（上限−下限）が
拡大する傾向が見られる。中でもアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が７とな
る液晶性モノマーを用いた場合、前後のアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が
６や８の液晶性モノマーを使用した場合に比べて高分子安定化処理が可能な温度範囲がも
っとも拡大することがわかった。

具体的には、本実施例に示すメソゲン骨格の両端に鎖長（酸素及び炭素の合計数）が奇
数（特に７が好ましい）であるアルキレン基を有し、両側のアルキレン基の末端にアクリ
ロイル基を有する液晶性モノマーを含む液晶組成物を使用した場合にブルー相を発現する
温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るための、高分子安定化処理が可能な温度
範囲を拡大できることがわかった。

一般に、高分子安定化ブルー相において、ブルー相を発現する温度範囲が拡大する要因
として、ＵＶ照射によるモノマーの高分子安定化処理（重合処理）過程において、液晶材
料と、重合により得られたポリマーとが相分離し、このポリマーがブルー相の欠陥領域へ
と濃縮（重合）されるためと考えられている。

従って、本実施例においては、本実施例に示すメソゲン骨格の両側に鎖長（酸素及び炭
素の合計数）が奇数（特に７が好ましい）であるアルキレン基を有し、両側のアルキレン
基の末端にアクリロイル基を有する液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いた場合、液晶
材料とポリマーの相分離がより効率的に行われるために高分子安定化処理が可能となる処
理温度が拡大しているものと考えられる。

さらに、本実施例に示すメソゲン骨格を有する液晶性モノマーを使用した場合において
、アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が奇数の場合と、偶数の場合で、それぞ
れ高分子安定化ブルー相を発現させた場合の配向状態について図１３に示す。なお、図１
３の（Ａ）、図１３（Ｂ）には、液晶性モノマーのアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の
合計数）がそれぞれ４、６と偶数の場合について示し、図１３の（Ｃ）、図１３（Ｄ）に
は、液晶性モノマーのアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）がそれぞれ５、７と
奇数の場合について示す。

この結果からは、液晶性モノマーのアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）がそ
れぞれ４、６と偶数の場合には、プレートレット状組織が見られるが、液晶性モノマーの
アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）がそれぞれ５、７と奇数の場合には、プレ
ートレット状組織が見られなかった。

また、本実施例の結果からは、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより、
ブルー相を発現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るための、高分子安定
化処理の温度範囲を拡大することが可能となることがわかる。

なお、高分子安定化ブルー相を発現できる液晶組成物において、高分子安定化処理が可
能な温度範囲の拡大を図ることは、大面積の液晶表示装置などの作製において、ＵＶ照射
時の面内温度の制御が難しい場合にとても有効である。

本実施例では、本発明の一態様である液晶組成物に含まれる液晶性モノマーであり、実
施の形態１において構造式（１０５）で表される１，４−ビス［４−（７−アクリロイル
オキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：
ＲＭ−Ｏ７）の合成方法について具体的に説明する。

［ステップ１：４−（７−ヒドロキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）安息香酸エチルの
合成］

２００ｍＬのナスフラスコに３．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）の４−ヒドロキシ安息香酸エチ
ルと、４．９ｇ（２５ｍｍｏｌ）の７−ブロモ−１−ヘプタノールと、１．０ｇ（２５ｍ
ｏｌ）の水酸化ナトリウムと、３．２ｇ（２１ｍｍｏｌ）のよう化ナトリウムと、１２０
ｍＬの２−ブタノンを加え、この混合物を窒素気流下、６０℃で１１時間、撹拌した。そ
の後、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認した後、得られた混合物を自然濾過し
、濾物を水に溶かして、この溶液をトルエンで３回抽出し、抽出液と濾液を合わせて硫酸
マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過し得られた濾液を濃縮して白色固体を得
た。

得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル：ヘキサ
ン＝１：２を１０００ｍＬ）により精製した。得られた目的物を含むフラクションを濃縮
したところ、無色油状物質を５．０ｇ、収率８５％で得た。

［ステップ２：４−（７−ヒドロキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）安息香酸の合成］

５００ｍＬのナスフラスコに５．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）の４−（７−ヒドロキシ−ｎ−
ヘプチル−１−オキシ）安息香酸エチルと、１５０ｍＬの水酸化カリウム水溶液（０．５
ｍｏｌ／Ｌ）を加え、この混合物を窒素気流下、１００℃で１０時間、撹拌した。その後
、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認した。得られた溶液へジエチルエーテルと
希塩酸を加え、水層をジエチルエーテルで３回抽出した。有機層と抽出液を合わせて硫酸
マグネシウムで乾燥し、この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して目的物の淡
黄色固体を３．３ｇ、粗収率７３％で得た。

［ステップ３：４−（７−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）安息香酸
の合成］

５００ｍＬのナスフラスコに３．３ｇ（１３ｍｍｏｌ）の４−（７−ヒドロキシ−ｎ−
ヘプチル−１−オキシ）安息香酸と、１００ｍＬの１，４−ジオキサンと、１．９ｇ（１
６ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルアニリンを加え撹拌した。この溶液に、１．４ｇ（１５
ｍｍｏｌ）アクリロイルクロリドをゆっくり加えた後、この溶液を窒素気流下、６０℃で
４時間撹拌した。その後、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認した。得られた溶
液を、約８００ｍＬの水にゆっくり加えたところ白色固体が析出した。白色固体を吸引濾
過により回収し、濾物を乾燥したところ目的物の白色固体を３．５ｇ、粗収率８８％で得
た。

［ステップ４：１，４−ビス［４−（７−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘプチル−１−オ
キシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（ＲＭ−Ｏ７）の合成］

３００ｍＬのナスフラスコに３．５ｇ（１１ｍｍｏｌ）の４−（７−アクリロイルオキ
シ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）安息香酸と、０．７１ｇ（５．７ｍｍｏｌ）のメチルヒ
ドロキノンと、０．２１ｇ（１．７ｍｍｏｌ）の４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノピリジ
ン（ＤＭＡＰ）と、８０ｍＬのアセトンと４０ｍＬのジクロロメタンを加え、大気下で撹
拌した。この混合物に２．２ｇ（１１ｍｍｏｌ）の１−エチル−３−（３−ジメチルアミ
ノプロピル）カルボジイミド 塩酸塩（ＥＤＣ）を加えたところ材料が全て溶け溶液とな
った。この溶液を大気下、室温で２０時間攪拌した。

その後、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認し、この溶液に約４０ｍＬのクロ
ロホルムを加えた。この溶液を約６０ｍＬまで濃縮し、得られた溶液へ飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液と飽和食塩水を加えた。この混合物の水層をクロロホルムで３回抽出し、得
られた抽出液と有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過に
より濾別し、濾液を濃縮して油状物質を得た。

この油状物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル：ヘキサ
ン＝１：１を７００ｍＬ）により精製した。得られた目的物を含むフラクションを濃縮し
て無色油状物質を得た。得られた無色油状物質を、ＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフィ
ー、展開溶媒；クロロホルム）により精製したところ、目的物の白色固体を０．３８ｇ、
収率１４％で得た。

核磁気共鳴測定（ＮＭＲ）によって、この化合物が、１，４−ビス［４−（７−アクリ
ロイルオキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（
ＲＭ−Ｏ７）であることを確認した。

得られた化合物の^１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３８−１．５１（ｍ、
１２Ｈ）、１．６８−１．８６（ｍ、８Ｈ）、２．２４（ｓ、３Ｈ）、４．０５（ｔ、Ｊ
＝５．４Ｈｚ、４Ｈ）、４．１７（ｔ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、４Ｈ）、５．８２（ｄｄ、Ｊ１
＝１０Ｈｚ、Ｊ２＝１．５Ｈｚ、２Ｈ）、６．１３（ｄｄ、Ｊ１＝１０Ｈｚ、Ｊ２＝１７
Ｈｚ、２Ｈ）、６．４１（ｄｄ、Ｊ１＝１．５Ｈｚ、Ｊ２＝１７Ｈｚ、２Ｈ）、６．９５
−７．００（ｍ、４Ｈ）、７．０６−７．１９（ｍ、３Ｈ）、８．１２−８．１８（ｍ、
４Ｈ）。

また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図７、図８（Ａ）（Ｂ）に示す。なお、図８（Ａ）は図
７における１．０ｐｐｍから５．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。図８
（Ｂ）は図７における５．５ｐｐｍから８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートで
ある。測定結果から、上述の構造式（１０５）で表される１，４−ビス［４−（７−アク
リロイルオキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン
（略称：ＲＭ−Ｏ７）が得られたことがわかった。

また、ＲＭ−Ｏ７（略称）のジクロロメタン溶液の吸収スペクトルを図９に示す。測定
には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。ＲＭ−Ｏ７（略
称）のジクロロメタン溶液中における吸収スペクトルの測定は、ＲＭ−Ｏ７（略称）のジ
クロロメタン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とジクロロメタンの吸収スペクトルを
差し引いて行った。

図９において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。ジクロロメタ
ン溶液の場合では２６３ｎｍ付近に吸収ピークが見られた。

なお、実施の形態１で示す１，４−ビス［４−（５−アクリロイルオキシ−ｎ−ペンチ
ル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ５）及び１
，４−ビス［４−（１１−アクリロイルオキシ−ｎ−ウンデシル−１−オキシ）ベンゾイ
ルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ１１）の合成は、本実施例で示すＲＭ
−Ｏ７（略称）の合成において、反応式（Ａ−１）で表されるステップで、７−ブロモ−
１−ヘプタノールの代わりにそれぞれ、５−ブロモ−１−ペンタノール、１１−ブロモ−
１−ウンデカノールを用いて行った。次いで、（Ａ―２）〜（Ａ−４）に相当する反応を
行うことで、ＲＭ−Ｏ５及びＲＭ−Ｏ１１を得た。

また、実施の形態１で示す１，４−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエチル−１
−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＭｅＲＭ−Ｏ２）、及び１
，４−ビス［４−（４−アクリロイルオキシ−ｎ−ブチル−１−オキシ）ベンゾイルオキ
シ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ４）の合成は、本実施例で示すＲＭ−Ｏ７（
略称）の合成において、反応式（Ａ−４）で表されるステップで、４−（７−アクリロイ
ルオキシ−ｎ−ヘプチル−１−オキシ）安息香酸の代わりに、それぞれ４−（２−メタク
リロイルオキシ−１−オキシ）安息香酸、４−（４−アクリロイルオキシ−ｎ−ブチル−
１−オキシ）安息香酸を用いて行った。

本実施例では、本発明の一形態である液晶組成物を用いて作製した液晶素子、およびそ
の特性について示す。

本実施例で示す液晶素子１には、実施例１において液晶セル１に用いた液晶組成物を用
い、液晶素子２には、実施例１において液晶セル２に用いた液晶組成物を用い、液晶素子
４には、実施例１において液晶セル４に用いた液晶組成物を用いて、それぞれ作製した。

液晶素子１、液晶素子２、液晶素子４の作製においては、画素電極層及び共通電極層が
櫛歯状に形成されたガラス基板と、別のガラス基板とを、間に空隙（４μｍ）を有してシ
ール材によって貼り合わせた後、注入法によってそれぞれの液晶組成物を基板間に注入し
、作製した。画素電極層及び共通電極層は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳ
Ｏ）をスパッタリング法により成膜し、形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、画
素電極層と共通電極層の各幅、及び画素電極層と共通電極層との間隔は２μｍとした。

なお、シール材には、紫外線及び熱硬化型シール材を用い、硬化処理として、９０秒間
の紫外線（放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）照射処理を行い、その後１２０℃で１時間加熱
処理を行った。

次に、液晶素子内の液晶組成物を等方相となる温度まで加熱した後、降温させ、任意の
温度において恒温とし、紫外線（波長３６５ｎｍ、放射照度１１ｍＷ／ｃｍ^２）を、６分
間照射することによって高分子安定化処理を行った。

液晶素子１、液晶素子２、液晶素子４のＵＶ照射時の温度については実施例１において
それぞれ液晶セル１、液晶セル２、液晶セル４の高分子安定化が可能であった温度とした
。

以上により得られた液晶素子１、液晶素子２、および液晶素子４について、電圧−透過
率特性について測定を行った。電圧−透過率特性についての測定結果を図１１に示す。

なお、電圧透過率測定にはＬＣＤ−７２００（大塚電子社製）を用いて、測定モードを
透過とし、偏光子にクロスニコルを用いて行った。

図１１の結果より、アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が長い液晶性モノマ
ーを使用することで駆動電圧が低下していることがわかる。

従って、本実施例の結果からは、本発明の一態様であるメソゲン骨格を有する液晶性モ
ノマーにおいて、アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が長い液晶性モノマーを
使用することで、この液晶性モノマーを用いて作製される液晶素子の駆動電圧の低下を実
現できることがわかる。

本実施例では、本発明の一形態である液晶組成物として、実施例１に用いたのとは異な
るブルー相を発現する液晶材料を用いて１０種類の液晶組成物を作製し、これらについて
高分子安定化処理（重合処理）を行った結果を示す。

本実施例で作製する液晶組成物では、ブルー相を発現する液晶材料としてＭＤＡ−００
−３５０６（略称）（メルク社製）、ＮＥＤＯ ＬＣ−Ｃ（略称）（メルク社製）、４−
（ｔｒａｎｓ−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−３’，４’−ジフルオロ−１，１’
−ビフェニル（略称：ＣＰＰ−３ＦＦ）、４−ｎ−ペンチル安息香酸４−シアノ−３−フ
ルオロフェニル（略称：ＰＥＰ−５ＣＮＦ）、非液晶性モノマーとしてメタクリル酸ドデ
シル（略称：ＤＭｅＡｃ）（東京化成工業株式会社製）、重合開始剤としてＤＭＰＡＰ（
略称）（東京化成工業株式会社製）、カイラル剤として１，４：３，６−ジアンヒドロ−
２，５−ビス［４−（ｎ−ヘキシル−１−オキシ）安息香酸］ソルビトール（略称：ＩＳ
Ｏ−（６ＯＢＡ）_２）（みどり化学株式会社製）をそれぞれ用い、液晶性モノマーとして
は、表３に示す１０種類の材料のうちのいずれかを用いて１０種類の液晶組成物を作製し
た。なお上述した物質の構造式を以下に示す。

また、本実施例において、作製した液晶組成物の構成を表３に示す。混合比は全て重量
比（ｗｔ％）で表す。

また、本実施例では、液晶組成物の高分子安定化処理を行うために、一対のガラス基板
間に液晶組成物を備え、シール材で封止して得られる液晶セルを作製した。なお、各液晶
セル（液晶セル１１〜液晶セル２０）に用いた液晶性モノマーを表４に示す。

液晶セル１１〜２０の作製は、一対のガラス基板間に空隙（４μｍ）を有してシール材
で貼り合わせた後、注入法によって表１に示す割合で混合された液晶組成物を基板間に注
入し、作製した。

なお、シール材は紫外線及び熱硬化型シール材を用い、硬化処理として、９０秒間の紫
外線（放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）照射処理を行った。その後１２０℃で１時間加熱処
理を行った。

次に、液晶セルの高分子安定化評価を行った。高分子安定化評価には、偏光顕微鏡（Ｍ
Ｘ−５０ オリンパス株式会社製）及び温調器（ＭＫ１０００ ＩＮＳＴＥＣ社製）を用
いた。

液晶セル内の液晶組成物を等方相となる温度まで加熱した後、降温させ、任意の温度に
おいて恒温とし、紫外線（波長３６５ｎｍ、放射照度１１ｍＷ／ｃｍ^２）を、６分間照射
することによって高分子安定化処理を行った。なお、ＵＶ照射時の任意の温度については
１℃刻みで評価を行った。

上記観察の際の測定条件は、偏光顕微鏡において、測定モードを反射とし、偏光子にク
ロスニコルを用い、倍率を２００倍として室温環境で測定した。

高分子安定化ブルー相を発現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るため
の高分子安定化処理（ここでは、ＵＶ照射による重合処理）が可能な温度の上限、及び下
限を図１２に示す。

図１２の結果から、メソゲン骨格を有する液晶性モノマーにおいて、アルキレン基の鎖
長（酸素及び炭素の合計数）がある程度の長さを有していることで、通常に比べて高分子
安定化処理（ここでは、ＵＶ照射による重合処理）が可能な温度範囲を拡大できることが
わかる。

従って、メソゲン骨格を有する液晶性モノマーにおいて、アルキレン基の鎖長（酸素及
び炭素の合計数）を２０以下とすることは、高分子安定化処理（ここでは、ＵＶ照射によ
る重合処理）が可能な温度範囲を拡大する上で好ましいが、アルキレン基の鎖長（酸素及
び炭素の合計数）を１２以下とすることが、より好ましい。

また、図１２の結果から、アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が奇数となる
液晶性モノマーを使用した場合、高分子安定化処理が可能な温度の範囲（上限−下限）が
拡大する傾向が見られる。中でもアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が９とな
る液晶性モノマーを用いた場合、前後のアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が
６や１０の液晶性モノマーを使用した場合に比べて高分子安定化処理が可能な温度範囲が
もっとも拡大することがわかった。

具体的には、本実施例に示すメソゲン骨格の両端にアクリロイル基を有し、アルキレン
基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が奇数であり、特に９となる液晶性モノマーを使用し
た場合において、高分子安定化処理が可能な温度範囲を拡大できることがわかった。

一般に、高分子安定化ブルー相において、ブルー相を発現する温度範囲が拡大する要因
として、ＵＶ照射によるモノマーの高分子安定化処理（重合処理）過程において、液晶材
料と、重合により得られたポリマーとが相分離し、このポリマーがブルー相の欠陥領域へ
と濃縮（重合）されるためと考えられている。

従って、本実施例の結果からは、本実施例に示すメソゲン骨格を有する液晶性モノマー
を使用した場合において、アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が奇数であり、
特に９となる側鎖を有する液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いた場合、液晶材料とポ
リマーの相分離がより効率的に行われるために高分子安定化処理が可能となる処理温度が
拡大しているものと考えられる。

さらに、本実施例に示すメソゲン骨格を有する液晶性モノマーを使用した場合において
、アルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）が奇数の場合と、偶数の場合で、それぞ
れ高分子安定化ブルー相を発現させた場合の配向状態について図１４に示す。なお、図１
４の（Ａ）、図１４（Ｂ）には、液晶性モノマーのアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の
合計数）がそれぞれ４、６と偶数の場合について示し、図１４の（Ｃ）、図１４（Ｄ）に
は、液晶性モノマーのアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）がそれぞれ５、７と
奇数の場合について示す。

この結果からは、液晶性モノマーのアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の合計数）がそ
れぞれ４、６と偶数の場合にも、液晶性モノマーのアルキレン基の鎖長（酸素及び炭素の
合計数）がそれぞれ５、７と奇数の場合にも、それぞれプレートレット状組織が見られる
が、奇数の場合には、プレートレットのサイズが大きくなっていることが確認された。

また、本実施例の結果からは、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより、
ブルー相を発現する温度範囲が拡大された高分子／液晶複合体を得るための、高分子安定
化処理の温度範囲を拡大することが可能となることがわかる。

なお、高分子安定化ブルー相を発現できる液晶組成物において、高分子安定化処理が可
能な温度範囲の拡大を図ることは、大面積の液晶表示装置などの作製において、ＵＶ照射
時の面内温度の制御が難しい場合にとても有効である。

１００ 液晶性モノマー
１００ａ、１００ｂ 液晶性モノマー
１０１ メソゲン骨格
１０１ａ、１０１ｂ メソゲン骨格
１０２ アルキレン基
１０２ａ、１０２ｂ アルキレン基
１０３ａ、１０３ｂ アルキレン基
２００ 第１の基板
２０１ 第２の基板
２０２ 液晶層
２０３ 画素電極層
２０４ 共通電極層
３０１ ゲート配線層
３０１ａ ゲート電極層
３０２ ゲート絶縁層
３０３ 半導体層
３０５ ソース配線層
３０５ａ 配線層
３０７ 絶縁膜
３０８ 共通配線層
３０９ 絶縁膜
３１３ 層間膜
３２０ トランジスタ
３４１ 第１の基板
３４２ 第２の基板
３４４ 液晶層
３４６ 共通電極層
３４７ 画素電極層
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 操作キー
５００３ 太陽電池
５００４ 充放電制御回路
５００５ バッテリー
５００６ コンバータ（ＤＣＤＣコンバータ）
６００１ 本体
６００２ 筐体
６００３ 表示部
６００４ キーボード
６０１１ 本体
６０１２ 表示部
６０１３ 外部インターフェイス
６０１４ 操作ボタン
６０１５ スタイラス
６０２１ 電子書籍
６０２２ 筐体
６０２３ 筐体
６０２４ 軸部
６０２５ 表示部
６０２６ 表示部
６０２７ 電源
６０２８ 操作キー
６０２９ スピーカー
６０３１ 筐体
６０３２ 筐体
６０３３ 表示パネル
６０３４ スピーカー
６０３５ マイクロフォン
６０３６ ポインティングデバイス
６０３７ カメラ用レンズ
６０３８ 外部接続端子
６０３９ 太陽電池セル
６０４０ 外部メモリスロット
６０４１ 操作キー
６０５１ 本体
６０５２ 表示部（Ａ）
６０５３ 接眼部
６０５４ 操作スイッチ
６０５５ 表示部（Ｂ）
６０５６ バッテリー
６０６１ テレビジョン装置
６０６２ 筐体
６０６３ 表示部
６０６４ スタンド

Claims (3)

1. ネマチック液晶、および下記構造式（１０４）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いた、ブルー相を発現する高分子／液晶複合体であって、
   ブルー相を発現させたときの配向状態において、プレートレット状組織が観察されないことを特徴とする高分子／液晶複合体。
   
   
2. ネマチック液晶、および下記構造式（１０２）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いた、ブルー相を発現する高分子／液晶複合体であって、
   ブルー相を発現させたときの配向状態において、プレートレット状組織が観察されないことを特徴とする高分子／液晶複合体。
   
   
3. 請求項１又は請求項２において、
   非液晶モノマーと、重合開始剤と、を有し、
   前記非液晶モノマーは、メタクリル酸ドデシルであり、
   前記重合開始剤は、前記液晶組成物に対して０．５ｗｔ％以下であることを特徴とする高分子／液晶複合体。