JP2017128704A - 静電吐出式インクジェット装置用インク - Google Patents
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Abstract
Description
<インク(金属酸化物薄膜形成用塗布液)の作製>
ビーカーに、3.55gの硝酸インジウム(In(NO3)3・3H2O)と0.267gの塩化ストロンチウム(SrCl2・6H2O)とを秤量し、溶媒Aとしてプロピレングリコール(1,2−プロパンジオール)(25℃における飽和蒸気圧:0.08mmHg、25℃における酢酸ブチルの蒸発速度を1.00として表した蒸発速度:0.01、沸点:188℃)20mL、及び溶媒Bとしてエチレングリコールモノメチルエーテル(25℃における飽和蒸気圧:5.32mmHg、25℃における酢酸ブチルの蒸発速度を1.00として表した蒸発速度:0.53、沸点:125℃)20mLを加え、室温で混合して溶解させ、インク(金属酸化物薄膜形成用塗布液)を作製した。
−ゲート電極の形成−
ガラス基板上に、DCスパッタリングによりモリブデン膜を厚みが約100nmとなるよう成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光及び現像により、形成されるゲート電極のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、燐酸−硝酸−酢酸からなるエッチング液によりエッチングを行い、レジストパターンが形成されていない領域のモリブデン膜を除去した。この後、レジストパターンを除去することにより、ゲート電極を形成した。
形成したゲート電極及び前記ガラス基板上に、RFスパッタリングによりSiO2膜を厚みが約200nmとなるよう成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光及び現像により、形成されるゲート絶縁層のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、バッファードフッ酸を用いたエッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のSiO2膜を除去した。この後、レジストパターンを除去することによりゲート絶縁層を形成した。
形成したゲート絶縁層上に、DCスパッタリングにより透明導電膜であるITO膜(In2O3−SnO2(5質量%))を厚みが約100nmとなるように成膜した。この後、ITO膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極及びドレイン電極のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、シュウ酸系エッチング液を用いたエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のITO膜を除去した。この後、レジストパターンを除去することにより、ITO膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、ソース電極幅で規定されるチャネル幅は50μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
形成したソース電極及びドレイン電極の間のチャネルに、インク(金属酸化物薄膜形成用塗布液)を静電吐出式インクジェット装置で塗布した。この際、1つのノズル孔から吐出されるインクは約5pL/secであった。
−パターン精度−
インクジェット装置を用いてインク(金属酸化物薄膜形成用塗布液)を塗布した際のインクの広がりを光学顕微鏡で観察し、形成されたチャネルの状態を下記評価基準により評価した。
○:活性層がソース電極とドレイン電極間に広がっており、ゲート電極上からはみ出していない。
×:活性層がソース電極とドレイン電極間以外に広がっており、ゲート電極上からはみ出している。
静電吐出式インクジェット装置を用いてTFTアレイを塗布し、焼成及びアニール後、チャネル部の半導体膜厚を反射分光膜厚計(大塚電子社製、FE−3000)を用いて測定し、下記評価基準により評価した。
○:チャネル部の膜厚が平均±3%未満
△:チャネル部の膜厚が平均±3%以上10%未満
×:チャネル部の膜厚が平均±10%以上
実施例1にて作製した電界効果型トランジスタについて、半導体パラメータ・アナライザ装置(キーサイトテクノロジー社製、半導体パラメータ・アナライザB1500)を用いて、ソース・ドレイン電圧Vdsを10Vとした時のゲート電圧Vgsとソース・ドレイン間電流Idsとの関係を求めた。キャリア移動度(cm2/Vs)は、飽和領域において算出した。また、on/off比を求めた。なお、on/off比において、on値は、30VにおけるIds値である。
○:キャリア移動度バラつきが平均±10%未満
△:キャリア移動度バラつきが平均±10%以上30%未満
×:キャリア移動度バラつきが平均±30%以上
表1に示すように溶媒の種類及び量を変えたこと以外は実施例1と同様にしてインク(塗布液)を作製し、静電吐出式インクジェット装置を用いて電界効果型トランジスタを作製した。評価結果を表1に示す。
表1に示すように、使用する溶媒を1種のみとしたこと以外は実施例1と同様にして、インク(塗布液)を作成し、静電吐出式インクジェット装置を用いて電界効果型トランジスタを作製した。評価結果を表1に示す。
Claims (6)
- 沸点が170〜260℃である溶媒Aと、沸点が110〜150℃である溶媒Bとを含むことを特徴とする静電吐出式インクジェット装置用インク。
- 前記溶媒A及び前記溶媒Bの合計量を100体積%として、前記溶媒Aの含有量が10〜90体積%であり、前記溶媒Bの含有量が10〜90体積%である、請求項1に記載の静電吐出式インクジェット装置用インク。
- 前記溶媒Aが、多価アルコール、アミド、含窒素複素環化合物、炭酸エステル、及び多価アルコールアルキルエーテルからなる群より選択される少なくとも1つの極性溶媒であり、前記溶媒Bが、多価アルコールアルキルエーテル、アミド、及び一価アルコールからなる群より選択される少なくとも1つの極性溶媒である、請求項1又は2に記載の静電吐出式インクジェット装置用インク。
- 前記溶媒Aが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、ホルムアミド、2−ピロリジノン、N−メチル−2−ピロリジノン、炭酸プロピレン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、γ−ブチロラクトン、及びジエチレングリコールエチルエーテルからなる群から選択される少なくとも1つであり、前記溶媒Bが、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、N,N−ジメチルホルムアミド、及びn−ブタノールからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項3に記載の静電吐出式インクジェット装置用インク。
- イオン結合性の金属化合物を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の静電吐出式インクジェット装置用インク。
- 1つのノズル孔から吐出されるインクが10nL/sec以下である静電吐出式インクジェット装置に用いられる、請求項1から5のいずれか一項に記載の静電吐出式インクジェット装置用インク。
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