JP2017128461A - 半導体装置及び層状カルコゲナイド膜の成長方法 - Google Patents
半導体装置及び層状カルコゲナイド膜の成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017128461A JP2017128461A JP2016007083A JP2016007083A JP2017128461A JP 2017128461 A JP2017128461 A JP 2017128461A JP 2016007083 A JP2016007083 A JP 2016007083A JP 2016007083 A JP2016007083 A JP 2016007083A JP 2017128461 A JP2017128461 A JP 2017128461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plane
- layered
- sapphire substrate
- chalcogenide film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
表面に〔0001〕面のテラス42とステップ43が交互に配列したステップ/テラス構造が自己組織化的に形成する。基板の加熱条件としては、大気雰囲気下で1000℃〜1600℃程度であり、処理時間は1時間〜72時間程度とする。ここでは、基板温度を1100℃とし、処理時間を6時間とする。なお、テラスの幅42は、傾斜角度と熱処理温度に依存するため、所望の構造に合わせて両者を適宜調整する。ここでは、〈11−20〉方向に3°傾いた微傾斜したサファイア基板41を1100℃で6時間加熱することにより、40nm周期の〈11−20〉方向に垂直な、即ち、〈1−100〉方向に沿った〔0001〕面のステップエッジスを有するテップ/テラス構造が得られる。
表面に〔0001〕面のテラス52とステップ53が交互に配列したステップ/テラス構造が自己組織化的に形成する。基板の加熱条件としては、大気雰囲気下で1000℃〜1600℃程度であり、処理時間は1時間〜72時間程度とする。ここでは、基板温度を1250℃とし、処理時間を1時間とする。なお、テラスの幅52は、傾斜角度と熱処理温度に依存するため、所望の構造に合わせて両者を適宜調整する。ここでは、〈1−100〉方向に10°傾いた微傾斜したサファイア基板51を1250℃で1時間加熱することにより、30nm周期の〈1−100〉方向に垂直な、即ち、〈11−20〉方向に沿った〔0001〕面のステップエッジスを有するテップ/テラス構造が得られる。
(付記1)主面が〔0001〕面から傾斜したサファイア基板と、前記サファイア基板に部分的に設けられた表面が〔0001〕面である〔0001〕面領域と、前記〔0001〕面領域の少なくとも一部に形成された層状カルコゲナイド膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。
(付記2)前記サファイア基板が、主面が〔0001〕面から0.5°〜30°傾斜したサファイア基板であることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)前記〔0001〕面領域が、単一の前記層状カルコゲナイド膜で覆われていることを特徴とする付記1または付記2に記載の半導体装置。
(付記4)前記単一の層状カルコゲナイド膜が、前記〔0001〕面領域を越えて前記サファイア基板の〔0001〕面以外の領域に延在していることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5)前記〔0001〕面領域が、周期的テラス構造のテラス面であることを特徴とする付記2に記載の半導体装置。
(付記6)前記層状カルコゲナイド膜の少なくとも一部に、発光領域、受光領域或いは化学物質吸着領域のいずれかを有することを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載の半導体装置。
(付記7)前記層状カルコゲナイド膜が、遷移金属カルコゲナイド、13族カルコゲナイド、14族カルコゲナイド、ビスマスカルコゲナイド、或いは、それらの合金のいずれかの単結晶膜であることを特徴とする付記1乃至付記6のいずれか1に記載の半導体装置。
(付記8)主面が〔0001〕面から傾斜したサファイア基板を準備する工程と、前記サファイア基板に表面が〔0001〕面である〔0001〕面領域を部分的に形成する工程と、前記〔0001〕面領域の少なくとも一部に層状カルコゲナイド膜を成長する工程と
を有することを特徴とする層状カルコゲナイド膜の成長方法。
(付記9)前記〔0001〕面領域を形成する工程において、前記サファイア基板の主面に対して傾斜した方向からイオンビームを照射することによって前記〔0001〕面領域を形成することを特徴とする付記8に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
(付記10)前記〔0001〕面領域を、前記サファイア基板の表面にマトリクス状に形成することを特徴とする付記9に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
(付記11)各前記〔0001〕面領域に成長させた層状カルコゲナイド膜を、前記〔0001〕面領域を越えて成長させることを特徴とする付記10に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
(付記12)前記サファイア基板が、主面が〔0001〕面から0.5°〜30°傾斜したサファイア基板であり、前記〔0001〕面領域を形成する工程において、前記サファイア基板を熱処理して、〔0001〕面がテラス面となる周期的テラス構造を形成することを特徴とする付記8に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
(付記13)前記サファイア基板が、〈11−20〉方向に傾斜した基板であることを特徴とする付記12に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
(付記14)前記サファイア基板が、〈1−100〉方向に傾斜した基板であることを特徴とする付記12に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
(付記15)前記層状カルコゲナイド膜を成長する工程が、前記〔0001〕面領域に成長核を形成する工程と、前記成長核を形成する工程における原料供給量より多い原料供給量で前記成長核を起点にして前記層状カルコゲナイド膜を成長する工程とを有することを特徴とする付記8乃至付記14のいずれか1に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
2 イオンビーム
3 〔0001〕面領域
4 層状カルコゲナイド膜
11 管状炉
121〜123 ヒータ
13 カルコゲン
14 前駆体
15 成長基板
16 キャリアガス
21 多結晶サファイア基板
22 (0001)面
23 MoS2膜
31,41,51 サファイア基板
32 Arイオンビーム
33 〔0001〕面領域
34 MoS2成長核
35,45,55 層状MoS2膜
36 層状MoS2膜
42,52 テラス
43,53 ステップ
44,54 MoS2成長核
Claims (5)
- 主面が〔0001〕面から傾斜したサファイア基板と、
前記サファイア基板に部分的に設けられた表面が〔0001〕面である〔0001〕面領域と、
前記〔0001〕面領域の少なくとも一部に形成された層状カルコゲナイド膜と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 主面が〔0001〕面から傾斜したサファイア基板を準備する工程と、
前記サファイア基板に表面が〔0001〕面である〔0001〕面領域を部分的に形成する工程と、
前記〔0001〕面領域の少なくとも一部に層状カルコゲナイド膜を成長する工程と
を有することを特徴とする層状カルコゲナイド膜の成長方法。 - 前記〔0001〕面領域を形成する工程において、前記サファイア基板の主面に対して傾斜した方向からイオンビームを照射することによって前記〔0001〕面領域を形成することを特徴とする請求項2に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
- 前記サファイア基板が、主面が〔0001〕面から0.5°〜30°傾斜したサファイア基板であり、
前記〔0001〕面領域を形成する工程において、前記サファイア基板を熱処理して、〔0001〕面がテラス面となる周期的テラス構造を形成することを特徴とする請求項2に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。 - 前記層状カルコゲナイド膜を成長する工程が、
前記〔0001〕面領域に成長核を形成する工程と、
前記成長核を形成する工程における原料供給量より多い原料供給量で前記成長核を起点にして前記層状カルコゲナイド膜を成長する工程と
を有することを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載の層状カルコゲナイド膜の成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016007083A JP6597333B2 (ja) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 層状カルコゲナイド膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016007083A JP6597333B2 (ja) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 層状カルコゲナイド膜の成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017128461A true JP2017128461A (ja) | 2017-07-27 |
JP6597333B2 JP6597333B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=59395522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016007083A Active JP6597333B2 (ja) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 層状カルコゲナイド膜の成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6597333B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020139230A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 本田技研工業株式会社 | 所定の幅を有する原子層金属ジカルコゲナイドの直接パターン化成長方法 |
JP7375676B2 (ja) | 2020-05-21 | 2023-11-08 | 株式会社レゾナック | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
WO2024127469A1 (ja) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | 富士通株式会社 | 積層構造体、量子ビットデバイス、積層構造体の製造方法及び量子ビットデバイスの製造方法 |
-
2016
- 2016-01-18 JP JP2016007083A patent/JP6597333B2/ja active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020139230A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 本田技研工業株式会社 | 所定の幅を有する原子層金属ジカルコゲナイドの直接パターン化成長方法 |
CN111640648A (zh) * | 2019-03-01 | 2020-09-08 | 本田技研工业株式会社 | 具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法 |
JP7018980B2 (ja) | 2019-03-01 | 2022-02-14 | 本田技研工業株式会社 | 所定の幅を有する原子層金属ジカルコゲナイドの直接パターン化成長方法 |
CN111640648B (zh) * | 2019-03-01 | 2023-08-25 | 本田技研工业株式会社 | 具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法 |
JP7375676B2 (ja) | 2020-05-21 | 2023-11-08 | 株式会社レゾナック | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
WO2024127469A1 (ja) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | 富士通株式会社 | 積層構造体、量子ビットデバイス、積層構造体の製造方法及び量子ビットデバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6597333B2 (ja) | 2019-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101701237B1 (ko) | 대면적의 단결정 단일막 그래핀 및 그 제조방법 | |
US8338825B2 (en) | Graphene/(multilayer) boron nitride heteroepitaxy for electronic device applications | |
WO2012118023A1 (ja) | グラフェンの製造方法、基板上に製造されたグラフェン、ならびに、基板上グラフェン | |
KR101939450B1 (ko) | 그래핀 상 금속산화물층의 형성방법, 그에 의해 제조된 그래핀 상 금속산화물층 및 그래핀 상 금속산화물층을 포함하는 전자소자 | |
Yang et al. | Shape evolution of two dimensional hexagonal boron nitride single domains on Cu/Ni alloy and its applications in ultraviolet detection | |
JP6597333B2 (ja) | 層状カルコゲナイド膜の成長方法 | |
US11060186B2 (en) | In situ generation of gaseous precursors for chemical vapor deposition of a chalcogenide | |
Wang et al. | Epitaxial and quasiepitaxial growth of halide perovskites: New routes to high end optoelectronics | |
CN109056057B (zh) | 一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法 | |
Castelino et al. | Substrate temperature dependence of the crystalline quality for the synthesis of pure-phase MoTe2 on graphene/6H-SiC (0001) by molecular beam epitaxy | |
KR20180117762A (ko) | 전이금속 칼코제나이드 이종 접합 박막, 이의 제조 방법 및 이의 제조 장치 | |
CN108545705A (zh) | 一种过渡金属硫族化合物纳米线及其制备方法与应用 | |
JP4904541B2 (ja) | 有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法 | |
KR102058293B1 (ko) | 대면적의 전이금속 산화물 박막, 이의 제조 방법 및 이의 제조 장치 | |
CN114232101A (zh) | 一种单层p型半导体相二硒化钒单晶及其盐辅助的生长方法以及其背栅场效应晶体管 | |
KR20190024675A (ko) | 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법 | |
KR102280763B1 (ko) | 전이금속 디칼코게나이드 박막, 그 제조 방법 및 제조 장치 | |
KR101993365B1 (ko) | 전이금속 칼코젠 화합물의 제조 방법 | |
KR100793417B1 (ko) | 산화아연계 나노선을 구비한 3차원 구조를 갖는 나노 소자및 이를 이용한 장치 | |
Fedotov et al. | Scanning tunneling microscopy of Bi2Te3 films prepared by pulsed laser deposition: from nanocrystalline structures to van der Waals epitaxy | |
US20140196775A1 (en) | Synthesis method of cu(in,ga)se2 nanorod or nanowire and materials including the same | |
JP4527090B2 (ja) | 半導体基材の製造方法 | |
JP6842035B2 (ja) | 層状カルコゲナイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP5900872B2 (ja) | 電子デバイスおよび電子デバイスの作製方法 | |
JP6773963B2 (ja) | 層状カルコゲナイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190604 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6597333 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |