JP6842035B2 - 層状カルコゲナイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
層状カルコゲナイド膜の形成方法の一態様では、金属基材を第1の温度に加熱しながら、前記金属基材の表面で第1の元素とカルコゲンとを反応させて、前記第1の元素の層状カルコゲナイド膜を成長させ、前記層状カルコゲナイド膜上に支持膜を形成し、前記金属基材、前記層状カルコゲナイド膜及び前記支持膜の積層体及び陽極を、電解質を含む水溶液中に浸漬し、前記金属基材と前記陽極との間に電圧を印加して、前記金属基材と前記層状カルコゲナイド膜とを分離し、前記層状カルコゲナイド膜から前記支持膜を除去する。前記金属基材は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成せず、前記第1の元素は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成する元素である。
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係る層状カルコゲナイド膜の形成方法を工程順に示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図4は、第2の実施形態に係る層状カルコゲナイド膜の形成方法を工程順に示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。図5は、第3の実施形態に係る層状カルコゲナイド膜の形成方法を工程順に示す断面図である。
次に、第4の実施形態について説明する。図6は、第4の実施形態に係る層状カルコゲナイド膜の形成方法を工程順に示す断面図である。
次に、第5の実施形態について説明する。図7は、第5の実施形態に係る層状カルコゲナイド膜の形成方法を工程順に示す断面図である。
次に、第6の実施形態について説明する。第6の実施形態は、層状カルコゲナイド膜を含む素子として電界効果トランジスタを備えた半導体装置の製造方法の一例である。図10は、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
金属基材を準備する工程と、
前記金属基材を第1の温度に加熱しながら、前記金属基材の表面で第1の元素とカルコゲンとを反応させて、前記第1の元素の層状カルコゲナイド膜を成長させる工程と、
を有し、
前記金属基材は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成せず、
前記第1の元素は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成する元素であることを特徴とする層状カルコゲナイド膜の形成方法。
化学気相成長法により前記層状カルコゲナイド膜を成長させることを特徴とする付記1に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
前記金属基材の材料はAuであることを特徴とする付記1又は2に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
前記第1の金属元素は、Mo、Nb、W、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Cu、Ag、Zn、Cd、Ni、Pd、Pt、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb若しくはBi又はこれらの任意の組み合わせであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
前記第1の温度は600℃以下であり、
前記金属基材の材料はHf又はZrであることを特徴とする付記1又は2に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
前記第1の金属元素は、Mo、Nb、W、Ta、Ti、V、Cr、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Cu、Ag、Zn、Cd、Ni、Pd、Pt、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb若しくはBi又はこれらの任意の組み合わせであることを特徴とする付記5に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
前記第1の温度は700℃以下であり、
前記金属基材の材料はTi又はNi5Ga3であることを特徴とする付記1又は2に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
前記第1の金属元素は、Mo、Nb、W、Ta、Zr、Hf、V、Cr、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Cu、Ag、Zn、Cd、Ni、Pd、Pt、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb若しくはBi又はこれらの任意の組み合わせであることを特徴とする付記7に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
付記1乃至8のいずれか1項に記載の方法により層状カルコゲナイド膜を形成する工程と、
前記層状カルコゲナイド膜を含む素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12、22、32、42、52:層状カルコゲナイド膜
15、25:第1の元素を含む膜
20:基板
21:金属膜
Claims (7)
- 基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を第1の温度に加熱しながら、前記金属膜の表面で第1の元素とカルコゲンとを反応させて、前記金属膜上に前記第1の元素の層状カルコゲナイド膜を成長させる工程と、
前記金属膜を加熱して前記金属膜を蒸発させ、前記基板上に前記層状カルコゲナイド膜を残す工程と、
を有し、
前記金属膜は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成せず、
前記第1の元素は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成する元素であることを特徴とする層状カルコゲナイド膜の形成方法。 - 化学気相成長法により前記層状カルコゲナイド膜を成長させることを特徴とする請求項1に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
- 前記金属膜の材料はAuであることを特徴とする請求項1又は2に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。
- 前記第1の温度は600℃以下であり、
前記金属膜の材料はHf又はZrであることを特徴とする請求項1又は2に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。 - 前記第1の温度は700℃以下であり、
前記金属膜の材料はTi又はNi5Ga3であることを特徴とする請求項1又は2に記載の層状カルコゲナイド膜の形成方法。 - 金属基材を第1の温度に加熱しながら、前記金属基材の表面で第1の元素とカルコゲンとを反応させて、前記第1の元素の層状カルコゲナイド膜を成長させる工程と、
前記層状カルコゲナイド膜上に支持膜を形成する工程と、
前記金属基材、前記層状カルコゲナイド膜及び前記支持膜の積層体及び陽極を、電解質を含む水溶液中に浸漬し、前記金属基材と前記陽極との間に電圧を印加して、前記金属基材と前記層状カルコゲナイド膜とを分離する工程と、
前記層状カルコゲナイド膜から前記支持膜を除去する工程と、
を有し、
前記金属基材は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成せず、
前記第1の元素は、前記第1の温度で前記カルコゲンとの化合物を生成する元素であることを特徴とする層状カルコゲナイド膜の形成方法。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法により層状カルコゲナイド膜を形成する工程と、
前記層状カルコゲナイド膜を含む素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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