JP2017126726A - 半導体発光素子用基板、及びその製造方法、並びにその基板を用いた半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
Hm>Hk1≧Hk2 (1)
Dm>Dk1≧Dk2 (2)
(Hはドット高さ又はドット深さを示し、Dはドットの幅を示し、mは一般部のドットを示し、k1及びk2は任意の隣り合うドットを示す。Hm、Hk1>0であり、Dm、Dk1>0である。)
Hm>Hk1≧Hk2 (1)
Dm>Dk1≧Dk2 (2)
ここでHは上述の通り、各凸部11の最も高い部分又は各凹部12の最も深い部分、即ちドット高さ、又はドット深さを示す。Dは各凸部11の最も大きな凸部11の幅又は最も大きな凹部12の幅、即ちドット13の幅を示す。mは一般部のドット13を示し、k1及びk2は任意の隣り合うドット13を示す。半導体発光素子用基板10に、一般部のドット13(m)と、任意の隣り合うドット13(k1、k2)を形成するために、一般部のドット13(m)の高さ(深さ)Hmは0より大きく、一般部のドット13(m)の幅Dmは0より大きいことが好ましい。また、ドット13(k1)の高さ(深さ)Hk1は0より大きく、ドット13(k1)幅Dk1は0より大きいことが好ましい。任意の隣り合うドット13は、2種類以上であれば特に限定されず、Hk2、及びDk2が0であってもよい。
半導体発光素子用基板10の材質としては、サファイア、Si、SiC、GaN等が挙げられる。
上記式(1)又は(2)を満たすドット13のパタンを作製するために、半導体発光素子用基板10上にエッチング用のマスクを作製する必要がある。その手法として、フォトリソグラフィ及びナノインプリント法が例として挙げられる。
一般的なフォトリソグラフィとエッチング等の加工をすることによりマスクを作製することができる。フォトリソグラフィを行う際のレジストとしては、ラジカル重合ネガ型組成物、溶解抑止型ポジ型組成物、化学増幅ネガ型組成物、化学増幅型ポジ型組成物等を用いることができる。
あらかじめ所望のパタンを反転させた形状をモールド表面に作製することにより、所望のパタンをマスクとして半導体発光素子用基板10上に作成することができる。
得られたレジスト付半導体発光素子用基板を、ウェットエッチングやドライエッチング等で処理することにより、ドット構造を有する半導体発光素子用基板10を作製することができる。エッチングの精度や、所望のドット13形状の作製のしやすさの点で、ドライエッチングが好ましい。
加工処理を行った後に半導体発光素子用基板10表面を洗浄する必要がある。半導体発光素子用基板10の表面には、加工時に用いたエッチング液、エッチングガス、半導体発光素子用基板10、レジスト層106、107に用いられるレジストに由来したデポ物、残渣、ごみ等が残っているためである。これらを除去するために通常強酸や溶剤を用いる。
上記で得られた、凹凸構造を有する半導体発光素子用基板10に半導体結晶を製膜することにより半導体発光素子100を作製することができる。半導体結晶の材質としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、及び、III−V族、II−VI族、VI−VI族等の化合物半導体を用いることができる。半導体発光素子の例を図9に示す。図9は、本実施の形態に係る半導体発光素子の断面模式図である。
凹部の直径:650nm
凹部深さ:800nm
X軸方向のピッチPx:700nm
Y軸方向のピッチPy:700nm
パタン配列:六方
組成物(A)及び化学増幅ネガ型感光性樹脂材組成物(B)を調整した。組成としては、組成物(A)はテトラ−n−ブトキシチタン(東京化成工業社製)2.73質量部、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製)1.45質量部、SH710(トリメチル末端フェニルメチルシロキサン、東レダウコーニング社製)0.21質量部、Irgacure369(BASF社)0.029質量部、Irgacure184(BASF社)0.083質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル5.12質量部、アセトン20.4質量部を混合させたものであり、化学増幅ネガ型感光性樹脂材組成物(B)はVP−15000(ポリ(パラヒドロキシスチレン)、日本曹達社製)2.07質量部、ニカラックMW−390(架橋剤、三和ケミカル社製)0.6質量部、トリアジンPP(DKSHジャパン社製)0.03質量部、BPX−33(液状添加剤、ADEKA社製)0.3質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル12.11質量部、アセトン8.07質量部を混合したものを用いた。使用前には0.2μm孔のフィルターにて濾過を行った。次に調整された組成物(A)を支持フィルム/樹脂モールドシートにおける樹脂モールド上にバーコーター(No4)を用いて塗布し、105℃で15分間乾燥させたのち、化学増幅ネガ型感光性樹脂材組成物(B)をさらにバーコーター(No4)を用いて塗布し、80℃、5分間乾燥させ凹凸レジストフィルム(I)を作製した。
Hm=350nm、Hk1=300nm、Hk2=100nm
Dm=600nm、Dk1=550nm、Dk2=250nm
実施例1と同様の方法で半導体発光素子用基板を作製したが、露光量を15mJ/cm2として半導体発光素子用基板(II)を作製した。得られた半導体発光用基板(II)のドットは下記数値を満たしていた。
Hm=350nm、Hk1=200nm、Hk2=0nm
Dm=600nm、Dk1=350nm、Dk2=0nm
ポジ型感光紙樹脂組成物GXR−601(メルク株式会社製)を用いて、ピッチ3000nm、幅2500nm、高さ3500nmの円柱を六方格子パタンで半導体発光素子用基板上にフォトリソグラフィにより作製した。得られた基板をUVを照射したまま窒素雰囲気化で150℃に15分間さらした後に、ドライエッチングを行い、得られた基板を硫酸/過酸化水素水の混合液で15分間処理した後に純水で15分間流水処理をしたところ、ドットが下記数値の半導体発光素子用基板(I)が得られた。
Hm=2600nm
Dm=1500nm
11 凸部
12 凹部
13(m) 第1ドット
13(k1、k2) 第2ドット
21 第1のドットエリア
22、24、25、26 第2のドットエリア
100 半導体発光素子
Claims (13)
- 基板の主面上に半導体結晶を成長させることによって半導体発光素子が製造される半導体発光素子用基板であって、
複数の凸部又は凹部にて構成される複数のドットが前記主面上に形成されており、
前記複数のドットの少なくとも一部に下記式(1)又は下記式(2)に従うドットが含まれることを特徴とする半導体発光素子用基板。
Hm>Hk1≧Hk2 (1)
Dm>Dk1≧Dk2 (2)
(Hはドット高さ又はドット深さを示し、Dはドットの幅を示し、mは一般部のドットを示し、k1及びk2は任意の隣り合うドットを示す。Hm、Hk1>0であり、Dm、Dk1>0である。) - 前記複数のドットが、少なくとも一次元に周期的に配列していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子用基板。
- 前記Hk1、Hk2、Dk1、及び/又はDk2を成すドットが、少なくとも一次元に略周期的に存在していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子用基板。
- 前記Hk2及びDk2が0であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体発光素子用基板。
- 前記一般部の第1のドットが占める第1のドットエリアの中に、前記第1ドットに囲まれた第2のドットエリアを有し、
前記第2のドットエリアには、前記k1及びk2で示される第2ドットが設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体発光素子用基板。 - 前記第2のドットエリアでは、前記第1のドットエリアに近い側に前記式(1)における前記Hk1又は前記式(2)における前記Dk1に従う前記第2ドットが設けられ、その内側に前記式(1)における前記Hk2又は前記式(2)における前記Dk2に従う前記第2ドットが設けられていることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子用基板。
- 複数の前記第2のドットエリアが、前記第1のドットエリアを介して行方向に配列されたエリア群を構成し、複数の前記エリア群が、前記行方向に直交する列方向に前記第1のドットエリアを介して複数列、設けられていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体発光素子用基板。
- 前記エリア群では1列置きに前記第2のドットエリアが前記列方向に揃っていると共に、隣り合う前記エリア群では、前記列方向に対し、一方の前記エリア群の前記第2のドットエリアの間に、他方の前記エリア群の前記第2のドットエリアが配置されることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれかに記載の半導体発光素子用基板。
- 基板の主面上に半導体結晶を成長させることによって半導体発光素子が製造される半導体発光素子用基板であって、
複数の凸部又は凹部にて構成されるドットが前記主面上に形成されており、
前記複数のドットの一部が一般部よりも高さ、深さ及び幅のうち少なくとも一つが小さいドットを有し、
前記高さ、深さ及び幅のうち少なくとも一つが小さいドットが少なくとも一次元に略周期的に存在していることを特徴とする半導体発光素子用基板。 - 前記複数のドットの高さ又は幅が5000nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の半導体発光素子用基板。
- 前記複数のドットの裾間の間隙が500nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれかに記載の半導体発光素子用基板。
- ドットを表面に有するレジスト層付半導体発光素子基板を作製する工程と、前記レジスト層付半導体発光素子基板をフォトリソグラフィすることにより異なった大きさのドットを作製するフォトリソグラフィ工程と、前記フォトリソグラフィ後に得られたレジスト層付半導体発光素子基板をエッチングするエッチング工程とを有することを特徴とする請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体発光素子用基板の製造方法。
- 請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体発光素子用基板の主面上に半導体結晶を成長させることによって作製したことを特徴とする半導体発光素子。
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WO2013031887A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 旭化成株式会社 | 光学用基材および半導体発光素子 |
WO2014199851A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光装置 |
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WO2013031887A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 旭化成株式会社 | 光学用基材および半導体発光素子 |
WO2014199851A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光装置 |
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