JP2017123376A

JP2017123376A - プリント配線板

Info

Publication number: JP2017123376A
Application number: JP2016000564A
Authority: JP
Inventors: 輝幸石原; Teruyuki Ishihara
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2016-01-05
Filing date: 2016-01-05
Publication date: 2017-07-13
Also published as: US20170196084A1; US10219374B2

Abstract

【課題】ビルドアップ多層構造であって、薄いプリント配線板を提供する。
【解決手段】第２導体層５８Ａ、第３導体層５８Ｂおよび第４導体層５８Ｃが、それぞれ第２樹脂絶縁層５０Ｂ、第３樹脂絶縁層５０Ｃを介して積層され、前記第２導体層と前記第３導体層を接続する第２ビア導体３６Ｂと、前記第２導体層と前記第４導体層とを接続する第１スキップビア導体３６Ｃとを有するプリント配線板１０であって、前記第２導体層の厚み（ｔ２）は前記第３導体層の厚み（ｔ３）より厚い。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の樹脂絶縁層を貫通するスキップビア導体を有するプリント配線板に関する。

特許文献１は、１つの絶縁層を貫通するビアと複数の絶縁層を貫通するスキップビアを有する多層プリント配線基板を開示している。

特開２００７−１１５９５４号公報

[特許文献１の課題]
特許文献１の図１に示されるように、特許文献１の多層プリント配線基板は、１つの絶縁層を貫通するビアと複数の絶縁層を貫通するスキップビアを有する。そして、特許文献１の２４段落によれば、特許文献１は、レーザの条件を調整することで、配線に至るスキップビア用の開口をレーザで形成している。特許文献１の図１に示されるように、スキップビアビアの深さは、１つの絶縁層を貫通するビアの深さより深い。そのため、レーザの条件を調整することだけで、スキップビアビアを介する接続信頼性と１つの絶縁層を貫通するビアを介する接続信頼性の両方を高くすることは難しいと考えられる。

本発明に係るプリント配線板は、第２導体層と、前記第２導体層上の第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層上の第３導体層と、前記第２樹脂絶縁層と前記第３導体層上の第３樹脂絶縁層と、前記第３樹脂絶縁層上の第４導体層と、前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第２導体層内の第１導体回路と前記第３導体層内の第１導体回路を接続する第２ビア導体と、前記第３樹脂絶縁層と前記第３導体層内の第２導体回路と前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層内の第２導体回路と前記第４導体層内の第１導体回路とを接続する第１スキップビア導体と、を有する。そして、前記第２導体層の厚み（ｔ２）は前記第３導体層の厚み（ｔ３）より厚い。

本発明の実施形態によれば、１つの樹脂絶縁層を貫通するビア導体を介する接続信頼性と複数の樹脂絶縁層を貫通するスキップビア導体を介する接続信頼性の両方を高くすることができる。工程が簡単になる。プリント配線板の厚みを薄くすることが出来る。樹脂絶縁層の厚みが薄くても、高い絶縁信頼性を有するプリント配線板を提供することができる。

図１（Ａ）と図１（Ｂ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｃ）は本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図である。実施形態のプリント配線板の製造工程図。実施形態のプリント配線板の製造工程図。導体回路の平面図。図５（Ａ）は本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図５（Ｂ）は本発明の第４実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図５（Ｃ）は開口と開口の周りの第３導体層内の第２導体回路を示す。図６（Ａ）は本発明の第５実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図６（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はビア導体の説明図である。

[第１実施形態]
図１（Ａ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の断面図を示す。
図１（Ａ）に示されるようにプリント配線板１０は、第２導体層５８Ａと、第２導体層５８Ａ上の第２樹脂絶縁層５０Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂ上の第３導体層５８Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上の第３樹脂絶縁層５０Ｃと、第３樹脂絶縁層５０Ｃ上の第４導体層５８Ｃと、を有する。
第２樹脂絶縁層５０Ｂは第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４を有する。第３樹脂絶縁層５０Ｃは第４面Ｆ４と対向する第５面Ｆ５と第５面Ｆ５と反対側の第６面Ｆ６を有する。図１（Ａ）では、第３面Ｆ３は外に露出している。
第２導体層５８Ａは第２樹脂絶縁層５０Ｂの第３面Ｆ３上に形成されていて、第２樹脂絶縁層５０Ｂに埋まっている。第２導体層５８Ａは第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８Ａ１と第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２を含む複数の導体回路を有する。第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８Ａ１と第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２は同時に形成されている。第２導体層５８Ａの下面５８ＡＬは第３面Ｆ３から露出している。第２導体層５８Ａ内の導体回路間に第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。
第３導体層５８Ｂは第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に形成されている。第３導体層５８Ｂは第３樹脂絶縁層５０Ｃの第５面Ｆ５上に形成されていて、第３樹脂絶縁層５０Ｃに埋まっている。第３導体層５８Ｂは、第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２と第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２を接続する第３導体層５８Ｂ内の第３導体回路５８Ｂ３を有する。第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２と第３導体層５８Ｂ内の第３導体回路５８Ｂ３は同時に形成されている。これらは一体的に形成されている。第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２が、直接、接続されても良い。その場合、第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２は同時に形成される。それらは、一体的に形成される。
第４導体層５８Ｃは第３樹脂絶縁層５０Ｃの第６面Ｆ６上に形成されている。第４導体層５８Ｃは第４導体層５８Ｃ内の第１導体回路５８Ｃ１を有する。第４導体層５８Ｃは第４導体層５８Ｃ内の第１導体回路５８Ｃ１から延びる第４導体層５８Ｃ内の第２導体回路５８Ｃ２を有しても良い。
異なる層に形成されている導体層は樹脂絶縁層５０Ｂ、５０Ｃを貫通するビア導体３６Ｂ、３６Ｃで接続されている。ビア導体３６Ｂは第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｃを接続している第２ビア導体３６Ｂである。第１実施形態では、第２ビア導体３６Ｂは第２樹脂絶縁層５０Ｂのみを貫通し、第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８Ａ１と第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１を接続している。ビア導体３６Ｃは複数の樹脂絶縁層を貫通するスキップビア導体３６Ｃである。図１（Ａ）中のスキップビア導体３６Ｃは第１スキップビア導体３６Ｃ１である。第１実施形態の第１スキップビア導体３６Ｃ１は、第３樹脂絶縁層５０Ｃと第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２と第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し、第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２に至っている。第１スキップビア導体３６Ｃ１は第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２と第４導体層５８Ｃ内の第１導体回路５８Ｃ１とを接続している。第１スキップビア導体３６Ｃ１により、第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２と第４導体層５８Ｃ内の第１導体回路５８Ｃ１が接続される。第１スキップビア導体３６Ｃ１により、第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２と第２導体層５８Ｃ内の第２導体回路５８Ａ２が接続される。

図１（Ａ）に示されるように、プリント配線板１０は、第３樹脂絶縁層５０Ｃのみを貫通し、第３導体層５８Ｂに至るビア導体を有していない。プリント配線板１０は第３樹脂絶縁層５０Ｃのみを貫通し第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃを接続するビア導体を有していない。

各導体層５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃは、厚みｔ２、ｔ３、ｔ４を有する。厚みｔ２、ｔ３、ｔ４の例が以下に示される。第２導体層５８Ａの厚みｔ２は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。第３導体層５８Ｂの厚みｔ３は１μｍ以上、４μｍ以下である。第４導体層５８Ｃの厚みｔ４は１μｍ以上、４μｍ以下である。第２導体層５８Ａの厚みｔ２は第３導体層５８Ｂの厚みｔ３より厚い。第２導体層５８Ａの厚みｔ２は第４導体層５８Ｂの厚みｔ４より厚い。第２導体層５８Ａの厚みｔ２と第３導体層５８Ｂの厚みｔ３との比（ｔ２／ｔ３）は１．５以上、２．５以下である。第２導体層５８Ａの厚みｔ２と第４導体層５８Ｂの厚みｔ４との比（ｔ２／ｔ４）は１．５以上、２．５以下である。
第３導体層５８Ｂの厚みｔ３と第４導体層５８Ｃの厚みｔ４は、ほぼ等しい。比（ｔ３／ｔ４）は０．９以上、１．１以下である。
例えば、第２導体層５８Ａの厚みｔ２は５μｍであり、第３導体層５８Ｂの厚みｔ３は２．５μｍであり、第４導体層５８Ｃの厚みｔ４は２．５μｍである。

各樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂは厚みｄ２、ｄ３を有する。
第２樹脂絶縁層５０Ｂの厚みｄ２は４μｍ以上、６μｍ以下であり、第３樹脂絶縁層５０Ｃの厚みｄ３は４μｍ以上、６μｍ以下である。図１（Ａ）に示されるように、樹脂絶縁層５０Ｂ、５０Ｃの厚みｄ２、ｄ３は樹脂絶縁層を挟んでいる導体層間の距離である。第１実施形態では、厚みｄ２、ｄ３は５μｍである。

プリント配線板１０の厚みＴは各樹脂絶縁層５０Ｂ、５０Ｃの厚みｄ２、ｄ３と各導体層５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃの厚みｔ２、ｔ３、ｔ４の和であって、約２０μｍである。

実施形態のプリント配線板１０は、ビア導体とスキップビア導体を有する。ビア導体やスキップビア導体は樹脂絶縁層を貫通する開口内に形成される。ビア導体用の開口とスキップビア導体用の開口はレーザで形成される。ビア導体は１つの樹脂絶縁層のみを貫通する開口内に形成される。スキップビア導体は複数の樹脂絶縁層を貫通する開口内に形成される。スキップビア導体用の開口は複数の樹脂絶縁層を貫通するため、スキップビア導体用の開口を形成するためのレーザのエネルギーはビア導体用の開口を形成するためのレーザのエネルギーより大きくなりやすい。実施形態では、スキップビア導体用の開口は第２導体層５８Ａに至っている。そのため、スキップビア導体用の開口が第２導体層５８Ａを貫通するかもしれない。そのリスクを低減するため、実施形態では、第２導体層５８Ａの厚みｔ２は第３導体層５８Ｂや第４導体層５８Ｃの厚みｔ３、ｔ４より厚い。スキップビア導体用の開口が第２導体層５８Ａを貫通しがたい。また、実施形態では、スキップビア導体３６Ｃは第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２を貫通している。従って、スキップビア導体用の開口は第３導体層内の第２導体回路を貫通する。スキップビア導体用の開口が第３導体層内の第２導体回路を貫通する時、レーザのエネルギーが消費される。そのため、スキップビア導体用の開口が第２導体層５８Ａを貫通しがたい。実施形態のプリント配線板によれば、第２導体層に至るスキップビア導体が容易に形成される。第３導体層内の第２導体回路にレーザを照射することで、スキップビア導体用の開口は第３導体層内の第２導体回路を貫通する。もしくは、第３導体層内の第２導体回路５８Ｂ２に開口５８Ｏが形成される。そして、図５（Ｃ）に示されるように、開口５８Ｏにより第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４が露出する。その開口５８Ｏとその開口の周りの第３導体層内の第２導体回路５８Ｂ２にレーザを照射することで、スキップビア導体用の開口は第３導体層内の第２導体回路を貫通する。

図４（Ａ）に第３導体層５８Ｂの一部の平面図を示す。図４（Ａ）に第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２と第３導体層５８Ｂ内の第３導体回路５８Ｂ３が示されている。第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１は第２ビア導体３６Ｂの周りに形成されていて、第２ビア導体３６Ｂに直接繋がっている。第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１は第２ビア導体３６Ｂのランドである。第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２は第１スキップビア導体３６Ｃ１の周りに形成されていて、第１スキップビア導体３６Ｃ１に直接繋がっている。第２導体回路５８Ｂ２は第１スキップビア導体３６Ｃ１のランド（第１ランド）５８Ｂ２である。第１ランド５８Ｂ２は第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に形成されている。図４（Ａ）に示されるように、第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２は、第３導体層５８Ｂ内の第３導体回路５８Ｂ３で接続されている。これらは、同時に形成されている。
図４（Ｅ）に第４導体層５８Ｃの一部の平面図を示す。図４（Ｅ）に第４導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｃ１と第４導体層５８Ｃ内の第２導体回路５８Ｃ２が示されている。第４導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｃ１は第１スキップビア導体３６Ｃ１の周りに形成されていて、第１スキップビア導体３６Ｃ１に直接繋がっている。第１導体回路５８Ｃ１は第１スキップビア導体３６Ｃ１のランド（第２ランド）５８Ｃ１である。第２ランド５８Ｃ１は第３樹脂絶縁層５０Ｃの第６面Ｆ６上に形成されている。第２ランド５８Ｃ１に第２導体回路５８Ｃ２が繋がっている。第１導体回路５８Ｃ１と第２導体回路５８Ｃ２は同時に形成されている。
図４（Ｂ）に第２導体層５８Ａの一部の平面図を示す。図４（Ｂ）に第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２が示されている。第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２の直上に第１スキップビア導体３６Ｃ１が形成されている。そして、図４（Ｂ）に示されるように、第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２は第２導体層内で独立している。第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２はダミー回路であって、第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２は第２導体層５８Ａ内の他の導体回路に繋がっていない。従って、第１スキップビア導体３６Ｃ１を介し、第３導体層５８Ｂから第４導体層５８Ｃへデータや電源等が伝送される。もしくは、第１スキップビア導体３６Ｃ１を介し、第４導体層５８Ｃから第３導体層５８Ｂへデータや電源等が伝送される。しかしながら、第１スキップビア導体３６Ｃ１を介し、第２導体層５８Ａから第４導体層５８Ｃへデータや電源は伝送されない。第１スキップビア導体３６Ｃ１を介し、第４導体層５８Ｃから第２導体層５８Ａへデータや電源は伝送されない。実施形態のプリント配線板１０が図４（Ａ）と図４（Ｂ）、図４（Ｅ）に示される導体回路を有することで、第２導体層５８Ａ内のデータや電源等は、第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８Ａ１と第２ビア導体３６Ｂを通り、第３導体層５８Ｂに至る。そして、それらは、第３導体層５８Ｂ内の導体回路５８Ｂ１、５８Ｂ２、５８Ｂ３を介し第１スキップビア導体３６Ｃ１に至る。その後、それらは、第１スキップビア導体３６Ｃ１を介し第４導体層５８Ｃ内の導体回路５８Ｃ１、５８Ｃ２に至る。実施形態のプリント配線板はスキップビア導体を有しても、データや電源等は次の導体層に順に伝達される。各導体層が効率的に使用される。

実施形態のプリント配線板は第３導体層５８Ｂに至るビア導体を有しない。従って、第３導体層５８Ｂの厚みｔ３は薄くてもよい。このため、プリント配線板１０の厚みを薄くすることができる。

図１（Ｂ）に示されるように、実施形態のプリント配線板１０は第３樹脂絶縁層５０Ｃと第４導体層５８Ｃ上にソルダーレジスト層７０Ｆを有しても良い。ソルダーレジスト層７０Ｆは第４導体層５８Ｃに含まれるパッド７４を露出する開口７２を有する。パッド７４上に半田バンプ７６Ｆが形成される（図１（Ｂ））。半田バンプ７６Ｆを介して図示されないＩＣチップ等の電子部品がプリント配線板１０に実装される。

[第２実施形態]
第２実施形態のプリント配線板１０の断面図が図１（Ｃ）に示される。図４（Ｃ）に第２実施形態の第４導体層５８Ｃの一部の平面図が示されている。図１（Ｃ）と図４（Ｃ）に示されるように、第２実施形態では、第１実施形態のプリント配線板に第２スキップビア導体３６Ｃ２と第４導体層５８Ｃ内の第３導体回路５８Ｃ３が追加されている。そして、第２ビア導体３６Ｂが存在しない。あるいは、第２スキップビア導体の一部が第２ビア導体と考えられる。
第２スキップビア導体３６Ｃ２は第３樹脂絶縁層５０Ｃと第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１と第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８Ａ１に至っている。
第４導体層５８Ｃ内の第３導体回路５８Ｃ３は、第２スキップビア導体３６Ｃ２の周りに形成されていて、第２スキップビア導体３６Ｃ２に直接繋がっている。第３導体回路５８Ｃ３は第２スキップビア導体３６Ｃ２のランド（第４ランド）５８Ｃ３である。第２スキップビア導体３６Ｃ２のランド５８Ｃ３はダミー回路であって、第２スキップビア導体３６Ｃ２のランド５８Ｃ３は第４導体層５８Ｃ内の他の導体回路に繋がっていない。
第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１は、第２スキップビア導体３６Ｃ２の周りに形成されていて、第２スキップビア導体３６Ｃ２に直接繋がっている。第１導体回路５８Ｂ１は第２スキップビア導体３６Ｃ２のランド（第３ランド）５８Ｂ１である。第２スキップビア導体３６Ｃ２のランド５８Ｂ１は第３導体層５８Ｂ内の第３導体回路５８Ｂ３を介し第１スキップビア導体３６Ｃ１のランド５８Ｂ２に繋がっている。
第２スキップビア導体３６Ｃ２を介し、第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８Ａ１と第２導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１は接続される。従って、第２スキップビア導体３６Ｃ２を介し、第２導体層５８Ａから第３導体層５８Ｃへデータや電源等が伝送される。あるいは、第２スキップビア導体３６Ｃ２を介し、第３導体層５８Ｂから第２導体層５８Ａへデータや電源等が伝送される。例えば、第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８Ａ１から第２スキップビア導体３６Ｃ２を介し第３導体層５８Ｃ内の第１導体回路５８Ｃ１へデータや電源等が伝送される。その後、それらは第１実施形態と同様に、第１スキップビア導体３６Ｃ１に至る。その後、それらは、第１スキップビア導体３６Ｃ１を介し、第４導体層５８Ｃ内の導体回路５８Ｃ１、５８Ｃ２へ至る。第２実施形態では、一つの樹脂絶縁層のみを貫通するビア導体を有しない。あるいは、一つの樹脂絶縁層のみを貫通するビア導体の数が少なくなる。高密度なプリント配線板が提供される。工程が簡単になる。

[第３実施形態]
図５（Ａ）に第３実施形態の断面図が示される。図４（Ｄ）に第２導体層５８Ａの一部が示され、図４（Ｆ）に第４導体層５８Ｃの一部が示される。第３実施形態では、第１実施形態のプリント配線板に第３スキップビア導体３６Ｃ３と第２導体層５８Ａ内の第３導体回路５８Ａ３と第２導体層５８Ａ内の第４導体回路５８Ａ４と第４導体層５８Ｃ内の第４導体回路５８Ｃ４と第４導体層５８Ｃ内の第５導体回路５８Ｃ５が追加されている。図５（Ａ）と図４（Ｆ）に示されるように、第３実施形態の第４導体層５８Ｃ内の第１導体回路５８Ｃ１は第１スキップビア導体３６Ｃ１のランド５８Ｃ１である。第３実施形態では、第１スキップビア導体３６Ｃ１のランド５８Ｃ１は、ダミー回路である。第３実施形態の第１スキップビア導体のランド５８Ｃ１は、第４導体層５８Ｃ内で独立していて、第４導体層５８Ｃ内の他の導体回路に繋がっていない。
図５（Ａ）に示されるように、第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２は第１スキップビア導体３６Ｃ１に直接繋がっている。第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２の直上に第１スキップビア導体３６Ｃ１が形成されている。そして、図４（Ｄ）に示されるように、第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８Ａ２は、第２導体層５８Ａ内の第４導体回路５８Ａ４を介し、第２導体層５８Ａ内の第３導体回路５８Ａ３に繋がっている。そして、図５（Ａ）に示されるように、第２導体層５８Ａ内の第３導体回路５８Ａ３の直上に第３スキップビア導体３６Ｃ３が接続されている。第３スキップビア導体３６Ｃ３を介し、第２導体層５８Ａ内の第３導体回路５８Ａ３と第４導体層５８Ｃ内の第４導体回路５８Ｃ４が接続される。第４導体層５８Ｃ内の第４導体回路５８Ｃ４は、第３スキップビア導体３６Ｃ３のランド５８Ｃ４である。ランド５８Ｃ４は第３スキップビア導体３６Ｃの周りに形成されていて、第３スキップビア導体３６Ｃに直接繋がっている。第４導体回路５８Ｃ４から第４導体層５８Ｃ内の第５導体回路５８Ｃ５が延びている。図５（Ａ）に示されるように、第３スキップビア導体３６Ｃ３は第３導体層に含まれるランドを有していない。しかしながら、第３スキップビア導体３６Ｃ３は第３導体層５８Ｃ内で独立しているランド（第３導体層３６Ｃ内の導体回路）を有しても良い。
データや電源等は、第２ビア導体３６Ｂを介し第２導体層５８Ａから第３導体層５８Ｂに至る。それから、それらは、第１スキップビア導体３６Ｃ１を介し、第３導体層５８Ｂから第２導体層５８Ｃに伝送される。その後、第３スキップビア導体３６Ｃ３を介し、第２導体層５８Ａから第４導体層５８Ｃに伝送される。第３実施形態では、スキップビア導体を介して、データや電源等が隣の導体層に伝送される。また、第３実施形態によれば、スキップビア導体により、隣の導体層以外の導体層にデータや電源等を伝送することができる。第３実施形態では、複雑な伝送が可能になる。プリント配線板に高機能な電子部品を実装することができる。

[第４実施形態]
第４実施形態のプリント配線板１０の断面図が図５（Ｂ）に示される。第４実施形態のプリント配線板１０は第１実施形態のプリント配線板１０に第１導体層３４と第１導体層３４上の第１樹脂絶縁層５０Ａが加えられている。第１樹脂絶縁層５０Ａは第１面Ｆ１と第１面と反対側の第２面Ｆ２を有している。そして、第１樹脂絶縁層５０Ａは第２樹脂絶縁層５０Ｂと第２導体層５８Ａの下に形成されていて、第２面Ｆ２と第３面Ｆ３が対向している。第２樹脂絶縁層５０Ｂは第１樹脂絶縁層５０Ａと第２導体層５８Ａ上に形成されている。第１導体層３４と第２導体層５８Ａは第１樹脂絶縁層５０Ａを貫通する第１ビア導体３６Ａで接続されている。第１導体層３４の厚みｔ１は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。第１樹脂絶縁層を貫通し、第１導体層３４に至る第１ビア導体３６Ａ用の開口がレーザで形成されても、第１導体層３４は第２導体層５８Ａと同様な厚みを有するので、レーザが第１導体層を貫通しがたい。
第１樹脂絶縁層５０Ａの厚みｄ１は第１導体層３４と第２導体層５８Ａとの間の距離であり、４μｍ以上、６μｍ以下である。第４実施形態では、厚みｔ１は５μｍであり、厚みｄ１は５μｍである。厚みｔ１と厚みｔ２は略等しく、厚みｔ１は厚みｔ３や厚みｔ４より大きい。厚みｄ１と厚みｄ２と厚みｄ３は略等しい。
第４実施形態のプリント配線板１０は、第１実施形態のプリント配線板１０に第１導体層３４と第１樹脂絶縁層５０Ａと第１ビア導体３６Ａを追加することで形成される。第４実施形態によれば、高機能な電子部品をプリント配線板上に搭載することができる。

[第５実施形態]
第５実施形態のプリント配線板１０の断面図が図６（Ａ）に示される。第５実施形態のプリント配線板１０は、第１導体層３４の厚みｔ１を除き、第４実施形態のプリント配線板１０と同様である。第５実施形態のプリント配線板１０の第１導体層３４の厚みｔ１と厚みｔ３、ｔ４は略等しく、厚みｔ１は厚みｔ２より小さい。厚みｔ１、ｔ３、ｔ４は１μｍ以上４μｍ以下であり、厚みｔ２は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。第５実施形態のプリント配線板の厚みｔ１は第４実施形態のプリント配線板の厚みｔ１より小さいので、第５実施形態のプリント配線板の厚みＴは第４実施形態のプリント配線板の厚みＴより薄い。第５実施形態のプリント配線板では、第１導体層３４に至るスキップビア導体用の開口が形成されない。そのため、レーザでビア導体用の開口が形成されても、開口は第１導体層を貫通しがたい。第４実施形態や第５実施形態では、第１ビア導体３６Ａは第１樹脂絶縁層５０Ａのみを貫通する。そして、第１樹脂絶縁層５０Ａにスキップビア導体は形成されない。

スキップビア導体用の開口は厚い導体層に至ることが好ましい。ビア導体用の開口（１つの樹脂絶縁層のみを貫通する開口）は薄い導体層に至ることが好ましい。

実施形態によれば、薄いプリント配線板を提供することができる。ビア導体やスキップビア導体を介する接続信頼性を高くすることができる。

[第４実施形態や第５実施形態のプリント配線板の製造方法]
図２〜図３は第４実施形態や第５実施形態のプリント配線板の製造方法を示す。図２（Ａ）に示されるように支持板１２ｚが準備される。
支持板の例は、両面銅張積層板である。支持板１２ｚに銅箔１６が積層される（図２（Ａ））。銅箔１６上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する銅箔１６上に電解銅めっきにより電解銅めっき膜２４が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜２４から成る第１導体層３４が形成される（図２（Ｂ））。第１導体層３４の厚みｔ１は１μｍ以上４μｍ以下である。あるいは、第１導体層３４の厚みｔ１は、３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。図２（Ｂ）中の第１導体層３４の厚みｔ１は１μｍ以上４μｍ以下である。厚みｔ１の例は２．５μｍである。第１導体層３４と銅箔１６上に第１樹脂絶縁層５０Ａが形成される（図２（Ｃ））。第１導体層３４は第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ１側に埋まっている。

レーザで第１樹脂絶縁層５０Ａを貫通し第１導体層３４に至る第１ビア導体用の開口５１Ａが形成される（図２（Ｄ））。第１導体層３４の厚みｔ１は薄いが、第１導体層３４は銅箔１６上に形成されている。そのため、銅箔１６を介し、熱が逃げるため、レーザが第１導体層３４を貫通し難い。もし、レーザが第１導体層３４を貫通しても、レーザは銅箔１６で止まる。その例が図６（Ｂ）に示される。図６（Ｂ）に示される開口５１Ａは第１樹脂絶縁層５０Ａと第１導体層３４を貫通している。無電解銅めっき膜等のシード層５２Ａが、第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２上と第１ビア導体用の開口５１Ａ内に形成される。図６（Ｂ）に示されるように、開口５１Ａが第１導体層３４を貫通しても、開口５１Ａは銅箔１６で閉じられている。シード層５２Ａは開口５１Ａにより露出される銅箔１６上に形成されるので、シード層５２Ａにより、開口５１Ａの底が閉じられる。開口５１Ａの底は銅箔１６上に位置している。その後、シード層５２Ａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出するシード層上に銅等からなる電解めっき膜５４Ａが形成される。第１ビア導体用の開口５１Ａは電解めっき膜５４Ａで充填される。開口５１Ａにフィルドビア導体からなる第１ビア導体３６Ａが形成される（図２（Ｄ））。図６（Ｂ）に示されるように、開口５１Ａが第１導体層３４を貫通しても、開口５１Ａの底はシード層５２Ａで閉じられているので、開口５１Ａ内にシード層５２Ａと電解めっき膜５４Ａとからなる第１ビア導体を形成することができる（図６（Ｃ））。めっきレジストが除去される。電解めっき膜５４Ａから露出するシード層５２Ａが除去され、第２導体層５８Ａが形成される（図２（Ｄ））。第２導体層５８Ａの厚みｔ２は５μｍである。

図６（Ｂ）の開口５１Ａに形成される第１ビア導体３６Ａが図６（Ｃ）に示されている。図２（Ｄ）の第１ビア導体３６Ａは第１導体層３４に至っている。それに対し、図６（Ｃ）の第１ビア導体３６Ａは第１樹脂絶縁層５０Ａと第１導体層３４を貫通している。そして、図６（Ｃ）の第１ビア導体３６Ａは銅箔１６に至っている。図６（Ｃ）の第１ビア導体３６Ａと第１導体層３４は、開口５１Ａから露出する第１導体層の側壁と第１ビア導体３６Ａの側壁で接続されている。

第１樹脂絶縁層５０Ａと第２導体層５８Ａ上に第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成される。第２樹脂絶縁層５０Ｂにレーザにより第２導体層５８Ａに至る第２ビア導体用の開口５１Ｂが形成される（図３（Ａ））。第２導体層５８Ａの厚みｔ２（５μｍ）が厚いため、レーザが第２導体層５８Ａを貫通し難い。セミアディティブ法で無電解めっき膜５２Ｂと電解めっき膜５４Ｂとから成る第３導体層５８Ｂと第２ビア導体３６Ｂが形成される（図３（Ａ））。第３導体層５８Ｂの厚みｔ３は２．５μｍである。

第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上に第３樹脂絶縁層５０Ｃが形成される。レーザにより、第３樹脂絶縁層５０Ｃと第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し第２導体層５８Ａに至る各スキップビア導体用の開口５１Ｃ１、５１Ｃ２、５１Ｃ３が形成される。スキップビア導体用の開口は第３導体層を貫通しても良い。第３導体層５８Ｂの厚みｔ３は薄いため、レーザが第３導体層５８Ｂを貫通することができる。それに対し、第２導体層５８Ａの厚みｔ２は厚いため、レーザが第２導体層５８Ａを貫通し難い。レーザが第３導体層を貫通すると、レーザのエネルギーが消費されるので、レーザは第２導体層を貫通しがたくなる。
第１スキップビア導体３６Ｃ１用の開口５１Ｃ１は、第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８Ｂ２を貫通する。第２スキップビア導体３６Ｃ２用の開口５１Ｃ２は、さらに、第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８Ｂ１を貫通する。第３スキップビア導体３６Ｃ３用の開口５１Ｃ３は、第３導体層５８Ｂ内の導体回路を貫通してもよいし、貫通しなくても良い。図３（Ｂ）では、開口５１Ｃ３は第３導体層を貫通していない。
セミアディティブ法で無電解めっき膜５２Ｃと電解めっき膜５４Ｃから成る第４導体層５８Ｃとスキップビア導体３６Ｃ１、３６Ｃ２、３６Ｃ３が形成される（図３（Ｃ））。第４導体層５８Ｃの厚みｔ４は２．５μｍである。樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃと導体層３４、５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃとビア導体３６Ａ、３６Ｂとスキップビア導体３６Ｃ１、３６Ｃ２、３６Ｃ３とを有する中間基板１１０が銅箔１６上に形成される。中間基板１１０は、スキップビア導体３６Ｃ１、３６Ｃ２，３６Ｃ３の内、第１スキップビア導体３６Ｃ１のみを有しても良い。中間基板１１０は、スキップビア導体３６Ｃ１、３６Ｃ２，３６Ｃ３の内、第１スキップビア導体３６Ｃ１と第２スキップビア導体３６Ｃ２のみを有しても良い。中間基板１１０は、スキップビア導体３６Ｃ１、３６Ｃ２，３６Ｃ３の内、第１スキップビア導体３６Ｃ１と第３スキップビア導体３６Ｃ３のみを有しても良い。

中間基板１１０と銅箔１６が支持板１２ｚから分離される。銅箔１６は中間基板１１０に接着している。中間基板１１０から銅箔１６がエッチング等で除去される。第１導体層３４が露出する。プリント配線板１０が形成される（図６（Ａ））。中間基板１１０が図６（Ｃ）の第１ビア導体３６Ａを有する場合、図６（Ｄ）に示されるように、銅箔１６を除去することで第１ビア導体３６ＡＴの底３６Ａｂが露出する。図６（Ｄ）に示されるように、プリント配線板１０は第１導体層３４に至る第１ビア導体３６ＡＮと第１導体層３４を貫通する第１ビア導体３６ＡＴを共に有しても良い。もしくは、全ての第１ビア導体３６Ａが第１導体層３４を貫通する第１ビア導体３６ＡＴで形成されても良い。プリント配線板１０が第１ビア導体３６ＡＴを有すると、外部のマザーボードや電子部品等から第１ビア導体３６ＡＴに、直接、データや電源等が伝送される。あるいは、第１ビア導体３６ＡＴから外部のマザーボードや電子部品等に、直接、データや電源等が伝送される。伝送の損失が小さくなる。

図１（Ｂ）に示されるように、プリント配線板１０の第３樹脂絶縁層５０Ｃと第４導体層５８Ｃ上に第４導体層５８Ｃを露出する開口７２を有するソルダーレジスト層７０Ｆを形成することができる。開口７２により露出される第４導体層５８Ｃはパッド７４として機能する。図１（Ｂ）に示されるようにパッド７４上に半田バンプ７６Ｆを形成することができる。第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ１から露出する第１導体層３４上に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。第１導体層３４を貫通する第１ビア導体３６ＡＴの底３６Ａｂ上に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。

[第１や第２、第３実施形態のプリント配線板の製造方法]
図２（Ｂ）のプロセスで、銅箔１６上に第２導体層５８Ａが形成される。第２導体層５８Ａの厚みｔ２は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。例えば、厚みｔ２は５μｍである。その後、図２（Ｃ）と同様な方法により、銅箔１６と第２導体層５８Ａ上に第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成される。それから、図３（Ａ）に示される方法と同様な方法で第３導体層５８Ｂと第２ビア導体３６Ｂが形成される。図３（Ｂ）と図３（Ｃ）に示される方法と同様な方法が行われる。第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上に第３樹脂絶縁層５０Ｃが形成される。第３樹脂絶縁層５０Ｃ上に第４導体層５８Ｃが形成される。スキップビア導体３６Ｃ１、３６Ｃ２、３６Ｃ３が形成される。樹脂絶縁層５０Ｂ、５０Ｃと導体層５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃとビア導体３６Ｂとスキップビア導体３６Ｃ１、３６Ｃ２、３６Ｃ３とを有する中間基板１１０が銅箔１６上に形成される。中間基板１１０は第１スキップビア導体３６Ｃ１のみを有しても良い。中間基板は第１スキップビア導体３６Ｃ１と第２スキップビア導体３６Ｃ２のみを有しても良い。中間基板１１０は第１スキップビア導体３６Ｃ１と第３スキップビア導体３６Ｃ３のみを有しても良い。その後、中間基板１１０と銅箔１６が支持板１２ｚから分離される。銅箔１６は中間基板１１０に接着している。中間基板１１０から銅箔１６がエッチング等で除去される。第２導体層３４が露出する。図１（Ａ）に示されるプリント配線板１０が形成される。もしくは、図１（Ｃ）に示されるプリント配線板１０が形成される。または、図５（Ａ）に示されるプリント配線板１０が形成される。
樹脂絶縁層や導体層の数は自由である。

１０プリント配線板
３４第１導体層
３６Ａ第１ビア導体
３６Ｃ１第１スキップビア導体
５０Ａ第１樹脂絶縁層
５０Ｂ第２樹脂絶縁層
５０Ｃ第３樹脂絶縁層
３４第１導体層
５８Ａ第２導体層
５８Ｂ第３導体層

Claims

第２導体層と、
前記第２導体層上の第２樹脂絶縁層と、
前記第２樹脂絶縁層上の第３導体層と、
前記第２樹脂絶縁層と前記第３導体層上の第３樹脂絶縁層と、
前記第３樹脂絶縁層上の第４導体層と、
前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第２導体層内の第１導体回路と前記第３導体層内の第１導体回路を接続する第２ビア導体と、
前記第３樹脂絶縁層と前記第３導体層内の第２導体回路と前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層内の第２導体回路と前記第４導体層内の第１導体回路とを接続する第１スキップビア導体と、を有するプリント配線板であって、
前記第２導体層の厚み（ｔ２）は前記第３導体層の厚み（ｔ３）より厚い。
請求項１のプリント配線板であって、前記第３導体層は第３導体層内の第３導体回路を含み、前記第３導体層内の第１導体回路と前記第３導体層内の第２導体回路は、前記第３導体層内の前記第３導体回路を介し電気的に接続されている。
請求項２のプリント配線板であって、前記第３導体層内の前記第１導体回路と前記第３導体層内の前記第２導体回路と前記第３導体層内の前記第３導体回路は同時に形成されている。
請求項２のプリント配線板であって、前記第３導体層内の前記第１導体回路と前記第３導体層内の前記第２導体回路と前記第３導体層内の前記第３導体回路は一体的に形成されている。
請求項１のプリント配線板であって、前記第３導体層内の前記第１導体回路と前記第３導体層内の前記第２導体回路は、一体的に形成されている。
請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層内の前記第２導体回路はダミー回路であって、前記第２導体層内の前記第２導体回路は前記第２導体層内の他の導体回路に繋がっていない。
請求項１のプリント配線板であって、前記第４導体層は前記第４導体層内の第３導体回路を有し、前記第２ビア導体は前記第２樹脂絶縁層と前記第３樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層と前記第４導体層を接続する第２スキップビア導体の一部であって、前記第２スキップビア導体は前記第４導体層内の前記第３導体回路と前記第２導体層内の前記第１導体回路を接続する。
請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第２樹脂絶縁層と前記第３樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層と前記第４導体層を接続する第３スキップビア導体を有し、前記第２導体層は前記第２導体層内の第３導体回路と前記第２導体層内の第４導体回路を有し、前記第４導体層は前記第４導体層内の第４導体回路を有し、前記第３スキップビア導体は前記第２導体層内の前記第３導体回路と前記第４導体層内の前記第４導体回路を接続し、前記第２導体層内の前記第２導体回路と前記第２導体層内の前記第３導体回路は前記第２導体層内の前記第４導体回路で接続されている。
請求項８のプリント配線板であって、前記第２導体層内の前記第２導体回路と前記第２導体層内の前記第３導体回路と前記第２導体層内の前記第４導体回路は一体的に形成されている。
請求項１のプリント配線板であって、さらに、第１導体層と第１導体層上の第１樹脂絶縁層と前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体とを有し、前記第２導体層は前記第１樹脂絶縁層上に形成されていて、前記第２樹脂絶縁層は前記第１樹脂絶縁層と前記第２導体層上に形成されている。
請求項１のプリント配線板であって、前記第３樹脂絶縁層のみを貫通し前記第３導体層と前記第４導体層を接続するビア導体は存在しない。
請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層の厚み（ｔ２）は前記第４導体層の厚み（ｔ４）より厚い。
請求項１０のプリント配線板であって、前記第２導体層の厚み（ｔ２）は前記第４導体層の厚み（ｔ４）より厚い。
請求項１３のプリント配線板であって、前記第２導体層の厚み（ｔ２）は前記第１導体層の厚み（ｔ１）より厚い。
請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層の厚み（ｔ２）は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下であり、前記第３導体層の厚み（ｔ３）は１μｍ以上４μｍ以下である。
請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層の厚み（ｔ２）と前記第３導体層の厚み（ｔ３）との比（ｔ２／ｔ３）は１．５以上、２．５以下である。