JP2017118351A - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2017118351A
JP2017118351A JP2015252370A JP2015252370A JP2017118351A JP 2017118351 A JP2017118351 A JP 2017118351A JP 2015252370 A JP2015252370 A JP 2015252370A JP 2015252370 A JP2015252370 A JP 2015252370A JP 2017118351 A JP2017118351 A JP 2017118351A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier circuit
output
voltage
differential amplifier
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015252370A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6571518B2 (ja
Inventor
禎久 磯部
Sadahisa Isobe
禎久 磯部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ablic Inc
Original Assignee
Ablic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ablic Inc filed Critical Ablic Inc
Priority to JP2015252370A priority Critical patent/JP6571518B2/ja
Priority to TW105140995A priority patent/TWI677185B/zh
Priority to US15/385,116 priority patent/US9979351B2/en
Priority to CN201611205248.7A priority patent/CN107026624A/zh
Publication of JP2017118351A publication Critical patent/JP2017118351A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6571518B2 publication Critical patent/JP6571518B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0222Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H03F3/3033NMOS SEPP output stages
    • H03F3/3035NMOS SEPP output stages using differential amplifiers as phase-splitting elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H03F3/3038PMOS SEPP output stages
    • H03F3/304PMOS SEPP output stages using differential amplifiers as phase-splitting element
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/30Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor
    • H03F2203/30087Only the bias of the pull transistor of the SEPP being dynamically controlled by the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/30Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor
    • H03F2203/30099Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor the pull transistor being gated by a switching element
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

【課題】低消費電流で回路面積の小さい差動増幅回路を提供すること。【解決手段】2段の増幅回路1、2と直列接続された2段の出力トランジスタ3、4を有し、出力トランジスタ2つのうち一方の制御を1段目の増幅回路の出力により行い、他方を2段目の増幅回路の出力で制御されるドレイン接地回路(ソースフォロア)として構成した。【選択図】図1

Description

本発明は、2つの入力電圧の差分を増幅する差動増幅回路に関する。
差動増幅回路は、様々な電子機器で幅広く使用されている。特に、負帰還を掛けることで、高精度なアナログ信号処理が可能となり、今日の電子機器の発展に不可欠の技術となっている。
差動増幅回路の機能は、2つの入力電圧の差分を増幅することであるが、電池駆動のモバイル電子機器に代表されるように、低消費電流化と小型軽量化が常に求められている。
図3に、従来の差動増幅回路を示す。従来の差動増幅回路は、2つの入力端子IP及びINの電圧差を増幅する1段目の増幅回路1と、増幅回路1の出力端子OP及びONの電圧差を増幅する2段目の増幅回路2及び6と、増幅回路2の出力GHよってゲートを制御されるP型MOSトランジスタの出力トランジスタ7と、増幅回路6の出力GLによって制御されるN型MOSトランジスタの出力トランジスタ3とからなる。
上述したような差動増幅回路は、出力トランジスタ3及び7を設けることで出力端子OUTの低いインピーダンスを実現し、2段目の増幅回路2及び6を設けることで、出力トランジスタ3及び7が動作するバイアス設定を容易にしている。
特開平03−274911号公報
しかしながら、上述の差動増幅回路は、増幅回路を3つ備えているため、消費電流が多くなり、回路面積が大きくなることが欠点であった。
本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、低消費電流で回路面積の小さい差動増幅回路を実現するものである。
従来の課題を解決するために、本発明の差動増幅回路は以下のような構成とした。
2段の増幅回路と直列接続された2段の出力トランジスタを有し、2つの出力トランジスタうち一方の制御を1段目の増幅回路の出力により行い、他方を2段目の増幅回路の出力で制御されるドレイン接地回路(ソースフォロア)として構成した。
本発明の差動増幅回路によれば、出力トランジスタ2つのうち一方の制御を1段目の増幅回路の出力により行うことで増幅回路が1つ削減され、低い出力インピーダンスと、出力トランジスタが動作するバイアス設定の容易性を損なうことなく、消費電流と回路面積を削減することが出来るという効果がある。
さらに、2段目の増幅回路の出力で制御される出力トランジスタをドレイン接地回路とすることで電圧増幅利得を抑え、負帰還を掛けて使用するときに必要となる位相補償回路を削減することが出来るという効果がある。
本実施形態の差動増幅回路の回路図である。 本実施形態の差動増幅回路の他の例を示す回路図である。 従来の差動増幅回路の回路図である。
図1は、本実施形態の差動増幅回路の回路図である。
本実施形態の差動増幅回路は、増幅回路1と、増幅回路2と、N型MOSトランジスタの出力トランジスタ3及び4とを備えている。
増幅回路1は、二つの入力端子に差動増幅回路の入力端子IP及びINが接続され、二つの入力端子の電圧差を増幅した電圧を出力端子OPと出力端子ONの電圧差として出力する。増幅回路2は、二つの入力端子に増幅回路1の出力端子OP及びONが接続され、出力端子OPと出力端子ONの電圧差を増幅した電圧を出力端子GHに出力する。出力トランジスタ3は、ゲートに増幅回路1の出力端子ONが接続され、ソースはグラウンドに接続され、ドレインは出力端子OUTに接続されている。出力トランジスタ4は、ゲートに増幅回路2の出力端子GHが接続され、ドレインは電源端子に接続され、ソースは出力端子OUTに接続されている。
上述した図1の回路は、入力端子IP及びINの電圧差を増幅した電圧を出力端子OUTに出力する差動増幅回路を構成している。
次に、本実施形態の差動増幅回路の動作について説明する。
差動増幅回路の入力端子IPとINの電圧差が正の場合、増幅回路1の出力端子OPと出力端子ONとの電位差も正となり、出力端子OPの電圧は電源電圧に近づき、出力端子ONの電圧はグラウンド電圧に近づく。そして、出力トランジスタ3は、ゲート電圧が小さくなるので、電流駆動能力は小さくなる。出力端子OPと出力端子ONの電位差が正の場合、増幅回路2の出力端子GHの電圧は電源電圧に近づく。そして、出力トランジスタ4は、ゲート電圧が大きくなるので、電流駆動能力は大きくなる。従って、差動増幅回路は、出力端子OUTに入力端子IPとINの電圧差に応じた高い電圧を出力する。
差動増幅回路の入力端子IPとINの電圧差が負の場合、増幅回路1の出力端子OPと出力端子ONとの電位差も負となり、出力端子OPの電圧はグラウンド電圧に近づき、出力端子ONの電圧は電源電圧に近づく。そして、出力トランジスタ3は、ゲート電圧が大きくなるので、電流駆動能力は大きくなる。出力端子OPと出力端子ONの電位差が負の場合、増幅回路2の出力端子GHの電圧はグラウンド電圧に近づく。そして、出力トランジスタ4は、ゲート電圧が小さくなるので、電流駆動能力は小さくなる。従って、差動増幅回路は、出力端子OUTに入力端子IPとINの電圧差に応じた低い電圧を出力する。
ここで、増幅回路1の出力端子OPと出力端子ONの電圧差は、入力端子IPと入力端子INの電圧差に対し増幅回路1の差動利得倍になる。また、出力端子ONの電圧の変化は、入力端子IPと入力端子INの電圧差に対し、増幅回路1の単相利得倍になる。増幅回路2の出力端子GHの電圧の変化は、増幅回路1の出力端子OPと出力端子ONの電圧差に対し、増幅回路2の利得倍になる。さらに、出力トランジスタ3は、ソース接地増幅回路を構成しており、増幅回路1の出力端子ONの電圧の変化に対し、増幅作用を備えている。
なお、増幅回路1の出力端子OPと出力端子ONの電圧の変化量の絶対値は、必ずしも同等である必要はなく、出力端子OPの電圧の変化量はゼロでも構わない。
以上説明したように、図1の回路は、入力端子IPと入力端子INの電圧差を増幅した電圧を出力端子OUTに出力する、差動増幅回路として機能する。
上述したように、本実施形態の差動増幅回路は、出力トランジスタ3のゲートを増幅回路1の出力端子ONに接続する構成としたので、増幅回路が1つ削減され、従来技術に比較して消費電流と回路面積を削減することが可能となった。
さらに、増幅回路2の出力端子GHがゲートに接続される出力トランジスタ4をドレイン接地回路とし、出力トランジスタ4の利得を抑えたので、従来技術に比較して負帰還を掛けて使用するときに必要となる位相補償回路を削減することが可能となった。なお、負帰還回路や位相補償回路は、同業者には一般に広く知られており図示していない。
図2は、本実施形態の差動増幅回路の他の例を示す回路図である。図2の差動増幅回路は、図1の差動増幅回路に対し、新たにPMOSトランジスタ5を備えている。
PMOSトランジスタ5は、ゲートに制御信号端子ENBが接続され、ソースは電源に接続され、ドレインは出力トランジスタ4のドレインに接続されている。
PMOSトランジスタ5は、制御信号端子ENBがグラウンド電圧のときオン状態となり、制御信号端子ENBが電源電圧のときオフ状態になる、スイッチとして機能する。
差動増幅回路は、増幅回路2の出力端子GHがグラウンド電圧になり、出力トランジスタ4がオフ状態の場合は、出力トランジスタ4にオフリークと呼ばれるリーク電流が流れる場合がある。これは、出力端子OUTの出力電圧をより電源電圧に近づけるため、出力トランジスタ4の閾値電圧を低くした場合により顕著になる。
本実施形態の差動増幅回路では、出力トランジスタ4にリーク電流が流れる状況下において、制御信号ENBを電源電圧としPMOSトランジスタ5をオフ状態にすることでリーク電流を抑制することができる。
なお、通常、PMOSトランジスタ5のサイズは、オン状態では十分オン抵抗が小さく、オフ状態では十分リーク電流が小さくなるようにサイズを設定することが容易である。
以上説明したように、本実施形態の差動増幅回路は、出力トランジスタ4を、スイッチとして機能するPMOSトランジスタ5を介して電源と接続する構成としたので、出力トランジスタ4がオフ状態のときのリーク電流を抑え、消費電流を削減することが可能となった。
なお、本実施形態の差動増幅回路では、出力トランジスタ4をPMOSトランジスタとして増幅回路1の出力と接続し、出力トランジスタ3をPMOSトランジスタとして増幅回路2の出力と接続し、スイッチとして機能するトランジスタ5をNMOSトランジスタとして出力トランジスタ3とグラウンドとの間に備えても、同様の効果が得られることは明らかである。
1、2 増幅回路
3、4 N型MOSトランジスタ
5 P型MOSトランジスタ

Claims (2)

  1. 第1の入力電圧と第2の入力電圧の差分を増幅する差動増幅回路であって、
    前記第1及び第2の入力電圧の差分を増幅し、第1の出力電圧と第2の出力電圧の差として出力する第1の増幅回路と、
    前記第1の増幅回路の出力電圧の差をさらに増幅する第2の増幅回路と、
    直列接続された第1の出力トランジスタと第2の出力トランジスタと、を有し、
    前記第1の出力トランジスタは、ゲートに前記第1の出力電圧が入力され、ソースが第2の電源端子に接続され、ドレインが出力端子に接続され、
    前記第2の出力トランジスタは、ゲートに前記第2の増幅回路の出力電圧が入力され、ソースが前記出力端子に接続され、ドレインが第1の電源端子に接続され、
    ていることを特徴とする差動増幅回路。
  2. 前記第2の出力トランジスタのドレインは、スイッチとして機能するトランジスタを介して前記第1の電源端子に接続されることを特徴とする、請求項1に記載の差動増幅回路。
JP2015252370A 2015-12-24 2015-12-24 差動増幅回路 Active JP6571518B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015252370A JP6571518B2 (ja) 2015-12-24 2015-12-24 差動増幅回路
TW105140995A TWI677185B (zh) 2015-12-24 2016-12-12 差動放大電路
US15/385,116 US9979351B2 (en) 2015-12-24 2016-12-20 Differential amplifier circuit
CN201611205248.7A CN107026624A (zh) 2015-12-24 2016-12-23 差动放大电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015252370A JP6571518B2 (ja) 2015-12-24 2015-12-24 差動増幅回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017118351A true JP2017118351A (ja) 2017-06-29
JP6571518B2 JP6571518B2 (ja) 2019-09-04

Family

ID=59086799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015252370A Active JP6571518B2 (ja) 2015-12-24 2015-12-24 差動増幅回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9979351B2 (ja)
JP (1) JP6571518B2 (ja)
CN (1) CN107026624A (ja)
TW (1) TWI677185B (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS575404A (en) * 1980-05-09 1982-01-12 Philips Nv Arithmetic amplifier
JPH05218755A (ja) * 1992-01-31 1993-08-27 Sony Corp 広帯域出力回路
JPH0856128A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Nec Corp 演算増幅器
JPH11154832A (ja) * 1997-11-19 1999-06-08 Fujitsu Ltd 差動増幅回路及びオペアンプ回路
JP2001053559A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Oki Micro Design Co Ltd 演算増幅器
JP2004222015A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 増幅回路
WO2015168497A1 (en) * 2014-05-01 2015-11-05 Texas Instruments Incorporated Current-limiting in an amplifier system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274911A (ja) 1990-03-26 1991-12-05 Hitachi Ltd 演算増幅器
JPH05191162A (ja) * 1991-09-18 1993-07-30 Hitachi Ltd 演算増幅器および回線終端装置
CN101183270B (zh) * 2007-11-21 2010-06-02 北京中星微电子有限公司 一种低压差稳压器
JP5412968B2 (ja) * 2009-06-09 2014-02-12 富士通セミコンダクター株式会社 オペアンプ
CN101651449B (zh) * 2009-09-03 2011-06-15 上海博为光电科技有限公司 一种用于光通信接收机的光输入前置放大器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS575404A (en) * 1980-05-09 1982-01-12 Philips Nv Arithmetic amplifier
JPH05218755A (ja) * 1992-01-31 1993-08-27 Sony Corp 広帯域出力回路
JPH0856128A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Nec Corp 演算増幅器
JPH11154832A (ja) * 1997-11-19 1999-06-08 Fujitsu Ltd 差動増幅回路及びオペアンプ回路
JP2001053559A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Oki Micro Design Co Ltd 演算増幅器
JP2004222015A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 増幅回路
WO2015168497A1 (en) * 2014-05-01 2015-11-05 Texas Instruments Incorporated Current-limiting in an amplifier system

Also Published As

Publication number Publication date
TW201725851A (zh) 2017-07-16
JP6571518B2 (ja) 2019-09-04
US20170187330A1 (en) 2017-06-29
US9979351B2 (en) 2018-05-22
TWI677185B (zh) 2019-11-11
CN107026624A (zh) 2017-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8410854B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US8193861B2 (en) Differential amplifier
US9531336B2 (en) Operational amplifier and driving circuit
JP2000183672A (ja) 増幅回路
US8294518B2 (en) Class-AB/B amplifier and quiescent control circuit for implementation with same
US20160373077A1 (en) Operational amplifier circuit
US9214904B2 (en) Differential power amplifier using mode injection
US9369098B2 (en) Inverting amplifier
US20180287576A1 (en) Transconductance amplifier
US20070024367A1 (en) Operational amplifier and constant-current generation circuit using the same
JP6571518B2 (ja) 差動増幅回路
JP2017143473A (ja) 差動増幅回路
KR100695510B1 (ko) 차동증폭기
US20180278221A1 (en) Differential amplifier circuit
US9374047B2 (en) Buffer circuit
Vij et al. An operational amplifier with recycling folded Cascode topology and adaptive biaisng
KR101338711B1 (ko) 전류원을 이용한 전력 증폭 장치
JP7479753B2 (ja) 差動増幅器
US8786366B1 (en) Amplifier circuit
KR101167454B1 (ko) 차동 구조를 이용한 전력 증폭기
JP5237715B2 (ja) 出力回路
JP2015159462A (ja) ボルテージフォロア回路
KR20020002556A (ko) 고주파에서 고속으로 동작하는 버퍼 증폭기
JPH0233206A (ja) 演算増幅器
JP2010226649A (ja) 半導体集積回路

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20160112

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181004

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190730

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190808

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6571518

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250