KR101167454B1 - 차동 구조를 이용한 전력 증폭기 - Google Patents

차동 구조를 이용한 전력 증폭기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기는, 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 각각 제1단이 연결되며, 크기가 같고 반대 극성의 신호가 입력되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 제1단에 각각 제1단이 연결되는 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터, 그리고 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터의 제2단에 제1단이 연결되며, 상기 제3 트랜지스터 또는 제4 트랜지스터의 발진을 제어하는 제5 트랜지스터를 포함한다.
이와 같이 본 발명에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 의하면, 도움 트랜지스터를 사용함으로써 전력 증폭단의 필요한 구동 전력을 저감시키거나 큰 출력을 낼 수 있다. 또한 발진을 제어하기 위한 스위치 트랜지스터를 발진의 원인이 되는 도움 트랜지스터와만 연결되도록 구성함으로써 작은 크기로도 스위치 트랜지스터를 구현할 수 있으며, 이로 인해 제작비용 절감의 경제적 효과를 얻을 수 있다.

Description

차동 구조를 이용한 전력 증폭기{POWER AMPLIFIER USING DIFFERENTIAL STRUCTURE}
본 발명은 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발진을 방지하기 위한 트랜지스터의 크기를 최소화할 수 있는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다.
무선통신 시스템용 고주파 집적회로에서 흔히 사용되는 회로 중의 하나인 전력 증폭기는 인가되는 신호의 전력을 증가시키기 위해 사용된다. 특히, 차동 구조의 전력 증폭기는 좌측 단과 우측 단의 여러 단의 기본 트랜지스터에 인가되는 신호가 크기는 같고 극성이 반대인 신호가 인가되어 두 신호의 차이를 증폭하기 때문에 반도체 기판에서의 잡음에 강한 특성이 있고, 양 쪽을 사용함으로 전력을 2배를 낼 수 있는 장점이 있다. 하지만, 큰 출력 전력을 위해 많은 수의 트랜지스터를 연결하면 이를 구동하기 위한 구동 전력이 필요하게 되는 단점이 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 차동 구조의 전력 증폭기를 나타내는 구성도이다. 도 1a에 따른 전력 증폭기는 출력 전력을 더욱 효과적으로 증폭시키기 위한 것으로서, 트랜지스터(10, 20, 이하 '기본 트랜지스터'라 함)를 포함하는 전력 증폭기 구조에서 추가적으로 기본 트랜지스터의 증폭을 돕는 트랜지스터(30, 40, 이하 '도움 트랜지스터'라 함)를 더 포함한다. 기본 트랜지스터(10, 20)와 도움 트랜지스터(30, 40)는 각각 드레인과 소스를 공유하며, 도움 트랜지스터(30, 40)의 게이트는 반대쪽의 출력 포트(50, 60)와 연결된다.
도 1a에 도시된 전력 증폭기에서는 도움 트랜지스터(30, 40)가 증폭을 돕기 때문에 기본 트랜지스터(10, 20)는 작은 크기로 형성되어도 더 큰 출력을 낼 수 있고 이 때 필요한 구동 전력이 낮아지게 되는 장점이 있다. 하지만, 인가되는 신호가 없을 시에는 전원 전압(Vs)으로 인해 도움 트랜지스터(30, 40)가 동작을 하여 발진을 하게 되는 문제점이 있다.
도 1b는 도 1a에 따른 전력 증폭기의 문제점을 해결하기 위해 제시된 전력 증폭기의 또 다른 예를 도시한 도면이다. 도 1b에 도시된 전력 증폭기는 도 1a에 도시된 전력 증폭기 구조에서 추가적으로 발진을 제어하는 트랜지스터(70, 이하 '스위치 트랜지스터'라 함)와 스위치 트랜지스터(70)와 반대 특성을 갖는 스위치 트랜지스터(80)를 추가한 것이다. 여기서 스위치 트랜지스터(70)의 드레인은 기본 트랜지스터(10, 20)의 소스와 도움 트랜지스터(30, 40)의 소스에 각각 연결되며, 소스는 접지 전원과 연결된다. 또한 스위치 트랜지스터(80)의 소스는 전원 전압과 같은 크기(Vs)의 전원(25)과 연결되며, 스위치 트랜지스터(70)과 스위치 트랜지스터(80)의 게이트는 서로 연결되어 발진을 제어하는 신호가 인가된다.
도 1b에 도시된 전력 증폭기에서 스위치 트랜지스터(70)에 인가되는 제어 신호가 로우 레벨이면 스위치 트랜지스터(70)는 동작을 할 수 없기 때문에 전력 증폭단이 접지 전원과의 연결이 끊어지는 반면 스위치 트랜지스터(80)는 동작을 하게 되어 전력 증폭단과 Vs 전원(25)이 서로 연결이 되고, 전원(15)와 전원(25)의 전압이 같기 때문에 전류가 흐를 수 없으므로 도움 트랜지스터(40)의 발진을 차단하게 된다. 반대로 스위치 트랜지스터(70)에 인가되는 제어 신호가 하이 레벨이면 스위치 트랜지스터(70)가 동작을 하면서 전력 증폭단과 접지 전원이 연결되어 전력 증폭단이 증폭을 할 수 있게 된다. 하지만, 스위치 트랜지스터(70)는 기본 트랜지스터(10, 20)와 도움 트랜지스터(30, 40)에 흐르는 전류를 모두 감당해야 하고, 증폭률이 저하되는 것을 방지하기 위하여 그 크기는 매우 크게 형성해야 한다는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발진을 방지하기 위한 트랜지스터의 크기를 최소화할 수 있는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다.
이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기는, 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 각각 제1단이 연결되며, 크기가 같고 반대 극성의 신호가 입력되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 제1단에 각각 제1단이 연결되는 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터, 그리고 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터의 제2단에 제1단이 연결되며, 상기 제3 트랜지스터 또는 제4 트랜지스터의 발진을 제어하는 제5 트랜지스터를 포함한다.
상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 인가되는 각각의 신호 차이를 증폭시키며, 상기 제3 및 제4 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 트랜지스터에 의한 증폭을 보조할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제5 트랜지스터의 제2단은 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원에 연결될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터가 턴오프되면, 상기 제5 트랜지스터는 턴오프될 수 있다.
상기 제3 트랜지스터의 제2단과 상기 제4 트랜지스터의 제2단에 제1 단이 연결되고, 상기 제1 전원과 제2 단이 연결되며, 상기 제5 트랜지스터의 제3 단과 제3 단이 연결되는 제6 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터가 턴오프되면, 상기 제5 트랜지스터는 턴오프되고, 상기 제6 트랜지스터는 턴온될 수 있다.
상기 제5 트랜지스터와 상기 제6 트랜지스터는 서로 다른 극성을 가지는 트랜지스터일 수 있다.
상기 제3 트랜지스터의 제3단은 상기 제2 트랜지스터의 제1단에 연결되고, 상기 제4 트랜지스터의 제3단은 상기 제1 트랜지스터의 제1 단에 연결될 수 있다.
상기 제1 전원과 상기 제1 트랜지스터 사이에 연결되는 제1 인덕터, 상기 제1 전원과 상기 제2 트랜지스터 사이에 연결되는 제2 인덕터, 상기 제1 인덕터와 상기 제1 트랜지스터의 제1단 사이에 연결된 제1 출력포트, 그리고 상기 제2 인덕터와 상기 제2 트랜지스터의 제1단 사이에 연결된 제2 출력포트를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 의하면, 도움 트랜지스터를 사용함으로써 전력 증폭단의 필요 구동 전력을 절감시키거나 높은 출력을 낼 수 있다. 또한 발진을 제어하기 위한 스위치 트랜지스터를 발진의 원인이 되는 도움 트랜지스터와만 연결되도록 구성함으로써 작은 크기로도 스위치 트랜지스터를 구현할 수 있으며, 이로 인해 제작비용 절감의 경제적 효과를 얻을 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 차동 구조의 전력 증폭기를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기의 회로도이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그리고 명세서 전체에서 전압을 유지한다는 표현은 특정 2점간의 전위 차가 시간 경과에 따라 변화하여도 그 변화가 설계상 허용될 수 있는 범위 내이거나 변화의 원인이 당업자의 설계 관행에서는 무시되고 있는 기생 성분에 의한 경우를 포함한다. 또한 방전 전압에 비해 반도체 소자(트랜지스터, 다이오드 등)의 문턱 전압이 매우 낮으므로 문턱 전압을 0V로 간주하고 근사 처리한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기의 회로도이다. 도 2에 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기는 인덕터(201, 202) 및 트랜지스터(210, 220, 230, 240, 250)를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기는 기본 트랜지스터(210, 220)의 양단에 인가되는 두 입력 신호의 전압 차이를 증폭한다.
기본 트랜지스터에 해당하는 트랜지스터(210, 220)에는 신호의 크기가 같고, 극성이 반대인 신호가 각각 인가되며, 두 신호의 차이에 대응하여 출력되는 전압을 증폭시키는 역할을 한다. 그리고, 도움 트랜지스터에 해당하는 트랜지스터(230, 240)는 도 2에 나타낸 전력 증폭기의 출력에 대한 증폭을 돕는 역할을 한다. 또한, 스위치 트랜지스터에 해당하는 트랜지스터(250)는 도움 트랜지스터(230, 240)의 동작을 제어하여 도 2에 나타낸 전력 증폭기의 발진을 방지한다.
도 2에서는 트랜지스터(210, 220, 230, 240, 250)를 n채널 전계 효과 트랜지스터, 특히 NMOS(n-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터로 도시하였으며, 이들 트랜지스터(210, 220, 230, 240, 250)에는 소스에서 드레인 방향으로 바디 다이오드가 형성될 수 있다.
그리고 NMOS 트랜지스터 대신에 유사한 기능을 하는 다른 트랜지스터가 이들 트랜지스터(210, 220, 230, 240, 250)로 사용될 수도 있다. 또한 도 2에서는 트랜지스터(210, 220, 230, 240, 250)를 각각 하나의 트랜지스터로 도시하였지만, 트랜지스터(210, 220, 230, 240, 250)는 각각 병렬로 연결된 복수의 트랜지스터로 형성될 수 있다.
이하에서는 도 2에 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기의 연결 관계에 대하여 상세히 설명한다.
도 2에 나타낸 것처럼, 인덕터(201) 및 인덕터(202)의 제1단은 전력 증폭기 전원 전압(Vs)을 공급하는 전원(205)에 연결되어 있다. 그리고, 인덕터(201)의 제2단은 트랜지스터(210) 및 트랜지스터(230)의 드레인에 연결되며, 인덕터(202)의 제2단은 트랜지스터(220) 및 트랜지스터(240)의 드레인에 연결된다. 여기서 인덕터(201)의 제2단과 트랜지스터(210)의 드레인 사이, 인덕터(202)의 제2단과 트랜지스터(220)의 드레인 사이에는 전력 증폭기의 출력 전압이 출력되는 출력 포트(221, 222)가 설치된다.
트랜지스터(210, 220)의 소스는 각각 접지 전원에 연결되고, 게이트에는 트랜지스터(210, 220)의 턴온/턴오프 동작을 제어하기 위한 신호가 입력된다. 여기서, 차동 구조 전력 증폭기의 특성상, 기본 트랜지스터에 해당하는 트랜지스터(210, 220)의 게이트에는 서로 반대 극성의 신호가 입력되며, 트랜지스터(210, 220)의 턴온/턴오프 동작은 각각 서로 반대가 된다.
트랜지스터(230)의 게이트는 출력 포트(222)에 연결되고, 트랜지스터(240)의 게이트는 출력 포트(221)에 연결된다. 그리고, 트랜지스터(230, 240)의 소스는 각각 트랜지스터(250)의 드레인에 연결되며, 트랜지스터(250)의 소스는 접지 전원과 연결된다. 그리고, 트랜지스터(250)의 게이트로 전력 증폭기의 발진을 제어하기 위한 제어 신호가 입력된다.
이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기의 동작에 대하여 설명한다. 트랜지스터(210, 230)과 트랜지스터(220, 240)에는 반대 신호가 인가되므로, 트랜지스터(210, 230)가 턴온 상태가 되면 트랜지스터(220, 240)는 턴오프 상태가 되며, 그 반대의 경우도 마찬가지로 동일하다. 그리고, 트랜지스터(210)과 트랜지스터(220) 중에서 어느 하나의 트랜지스터가 턴온되면 트랜지스터(250)에는 하이 레벨 신호가 입력되어 턴온 상태를 유지한다.
여기서 설명의 편의상, 트랜지스터(210, 230)가 턴온 상태이고, 트랜지스터(220, 240)는 턴오프 상태에서, 트랜지스터(210)가 턴오프 된다고 가정한다. 이 경우 트랜지스터(230)는 턴온 상태가 그대로 유지되므로, 전원(205)으로부터 유기된 전류가 트랜지스터(230)로 전달되며, 트랜지스터(230)가 동작하게 되는 발진 현상이 발생할 수 있다. 이 같은 발진 현상은 입력신호가 없는데도 불구하고 의도하지 않은 신호가 출력되는 현상으로서, 본 발명의 실시예에 따르면 트랜지스터(250)를 구비함으로써 트랜지스터(230)에 의한 발진을 방지할 수 있다.
즉, 본 발명의 제1 실시예에 따르면 상기와 같이 트랜지스터(210)가 턴오프 될 경우, 트랜지스터(210)과 트랜지스터(220)가 모두 턴오프 상태가 되므로, 트랜지스터(250)의 게이트에는 트랜지스터(250)를 턴오프 시키도록 하는 로우 레벨 신호가 입력된다. 따라서, 트랜지스터(250)가 턴오프 되면 트랜지스터(230)과 접지 전원 사이의 연결이 차단되므로 트랜지스터(230)는 동작을 하지 않게 되어 전력 증폭기가 발진되는 것을 방지한다.
반대로 트랜지스터(210, 230)가 턴오프 상태이고, 트랜지스터(220, 240)가 턴온 상태에서 트랜지스터(220)가 턴오프 되는 경우에도 트랜지스터(250)가 턴오프되어 트랜지스터(240)과 접지 전원 사이의 연결이 차단되므로 차동 증폭기가 발진되는 것을 방지한다.
이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따르면 발진을 제어하기 위한 트랜지스터(250)를 트랜지스터(230, 240)에 연결함에 따라, 기본 트랜지스터(210, 220)가 모두 턴오프된 상태에서도 트랜지스터(230) 또는 트랜지스터(240)가 발진을 일으키는 문제점을 해결할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따르면 트랜지스터(250)가 트랜지스터(230, 240)에 의해 발진되는 것을 차단하기 때문에 발진으로 인한 전력의 손실을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 제1 실시예에 따르면 트랜지스터(250)가 트랜지스터(230, 240)에만 연결되어 있고 트랜지스터(210, 220)에는 연결되어 있지 않다. 따라서, 트랜지스터(250)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 차동 증폭기의 동작 시, 트랜지스터(230, 240)에 흐르는 전류만을 감당하면 되므로, 종래의 도 1b에 나타낸 전력 증폭기에 비하여 트랜지스터(250)의 크기를 50% 이하로 줄일 수 있다는 점에서 경제적이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기의 회로도이다. 도 3에 나타낸 본 발명의 제2 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기는 인덕터(201, 202) 및 트랜지스터(210, 220, 230, 240, 250, 260)를 포함한다. 도 3에 나타낸 본 발명의 제2 실시예에 따른 전력 증폭기는 본 발명의 제1 실시예와 비교할 때 트랜지스터(260)를 더 추가한 것으로서, 동일한 부호를 가지는 구성 요소(201, 202, 205, 210, 220, 230, 240, 250)들은 실질적으로 동일한 기능과 연결 관계를 가지므로 중복되는 설명은 생략하고 본 발명의 제1 실시예와 차이점에 대하여 설명한다.
먼저 트랜지스터(260)의 게이트는 트랜지스터(250)의 게이트와 연결되며, 동일한 발진 제어 신호가 입력된다. 트랜지스터(260)는 트랜지스터(250)와 반대 극성을 가지는 트랜지스터로서, 본 발명의 제2 실시예에서는 트랜지스터(250)를 NMOS 트랜지스터로 도시하였으므로, 트랜지스터(260)는 PMOS(p-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이다. 도 3과 같이, 트랜지스터(250)의 게이트와 트랜지스터(260)의 게이트는 연결되어 있으므로, 하나의 입력 신호에 따라서 트랜지스터(250)과 트랜지스터(260)는 서로 반대로 동작을 수행한다.
그리고, 트랜지스터(250)의 드레인 및 트랜지스터(260)의 드레인은 모두 트랜지스터(230)과 트랜지스터(240)에 연결된다. 즉, 트랜지스터(230)의 소스와 트랜지스터(240)의 소스는 전선을 통하여 서로 연결되어 있으며, 전선의 일부 지점은 트랜지스터(250)의 드레인과 연결되고, 전선의 또 다른 일부 지점은 트랜지스터(260)의 드레인과 연결된다. 그리고, 트랜지스터(250)의 소스는 접지 전원에 연결되는 반면, 트랜지스터(260)의 소스는 전원 전압(Vs)과 동일한 전압을 가지는 전원(215)과 연결된다.
이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기의 동작에 대하여 설명한다.
앞에서 설명한 것처럼, 트랜지스터(210)과 트랜지스터(220) 중에서 어느 하나의 트랜지스터가 턴온되면 트랜지스터(250)는 턴온 상태를 유지하며, 트랜지스터(260)는 트랜지스터(250)과 반대로 동작하므로 트랜지스터(260)는 턴오프 상태가 된다.
본 발명의 제1 실시예와 마찬가지로 설명의 편의상, 트랜지스터(210, 230)가 턴온 상태이고, 트랜지스터(220, 240)는 턴오프 상태에서, 트랜지스터(210)가 턴오프 된다고 가정한다. 본 발명의 제2 실시예에 따르면 트랜지스터(210)가 턴오프 될 경우, 트랜지스터(210)과 트랜지스터(220)가 모두 턴오프 상태가 되므로, 트랜지스터(250)의 게이트에는 로우 레벨 신호가 입력되어 트랜지스터(250)는 턴오프되고 트랜지스터(260)는 턴온된다.
따라서, 트랜지스터(250)가 턴오프 되고 트랜지스터(260)가 턴온되면, 트랜지스터(230)의 양단에 걸리는 전압이 Vs로서 동일하므로 전압 강하가 이루어질 수 없게 된다. 이에 따라 트랜지스터(230)는 동작을 할 수 없게 되어 차동 증폭기가 발진되는 것을 방지한다.
반대로 트랜지스터(210, 230)가 턴오프 상태이고, 트랜지스터(220, 240)가 턴온 상태에서 트랜지스터(220)가 턴오프 되면, 트랜지스터(250)가 턴오프되고 트랜지스터(260)는 턴온된다. 이 때에도 마찬가지로 트랜지스터(240)의 양단에 걸리는 전압이 Vs로서 동일하므로 트랜지스터(230)는 동작을 할 수 없게 되어 차동 증폭기가 발진되는 것을 방지한다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 의하면, 도움 트랜지스터(230, 240)를 사용함으로써 전력 증폭단의 필요한 구동 전력을 저감시키거나 큰 출력을 낼 수 있다.
또한 발진을 제어하기 위한 트랜지스터(250, 260)를 발진의 원인이 되는 도움 트랜지스터(230, 240)와만 연결되도록 구성함으로써 작은 크기로도 스위치 트랜지스터(250, 260)를 구현할 수 있으며, 이로 인해 제작비용 절감의 경제적 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10, 20, 210, 220: 기본 트랜지스터, 30, 40, 230, 240: 도움 트랜지스터,
70, 80, 250, 260: 스위치 트랜지스터, 50, 60, 221, 222: 출력 포트,
201, 202: 인덕터, 205, 215: 전원

Claims (9)

  1. 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 각각 제1단이 연결되며, 크기가 같고 반대 극성의 신호가 입력되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 제1단에 각각 제1단이 연결되는 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터, 그리고
    상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터의 제2단에 제1단이 연결되며, 상기 제3 트랜지스터 또는 제4 트랜지스터의 발진을 제어하는 제5 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제5 트랜지스터의 제2단은 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원에 연결되는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 인가되는 각각의 신호 차이를 증폭시키며,
    상기 제3 및 제4 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 트랜지스터에 의한 증폭을 보조하는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터가 턴오프되면, 상기 제5 트랜지스터는 턴오프되는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터의 제2단과 상기 제4 트랜지스터의 제2단에 제1 단이 연결되고, 상기 제1 전원과 제2 단이 연결되며, 상기 제5 트랜지스터의 제3 단과 제3 단이 연결되는 제6 트랜지스터를 더 포함하는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터가 턴오프되면, 상기 제5 트랜지스터는 턴오프되고, 상기 제6 트랜지스터는 턴온되는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제5 트랜지스터와 상기 제6 트랜지스터는 서로 다른 극성을 가지는 트랜지스터인 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터의 제3단은 상기 제2 트랜지스터의 제1단에 연결되고, 상기 제4 트랜지스터의 제3단은 상기 제1 트랜지스터의 제1 단에 연결되는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전원과 상기 제1 트랜지스터 사이에 연결되는 제1 인덕터,
    상기 제1 전원과 상기 제2 트랜지스터 사이에 연결되는 제2 인덕터,
    상기 제1 인덕터와 상기 제1 트랜지스터의 제1단 사이에 연결된 제1 출력포트, 그리고
    상기 제2 인덕터와 상기 제2 트랜지스터의 제1단 사이에 연결된 제2 출력포트를 더 포함하는 차동 구조를 이용한 전력 증폭기.
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