JP2017117955A5 - - Google Patents
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Claims (13)
- 正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
- 前記正孔輸送層が第１の電極上に設けられている請求項１記載の製造方法。
- 前記正孔輸送層がポリチオフェン誘導体を主成分として含む請求項１または２に記載の製造方法。
- 前記金属酸化物が、酸化チタンである請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
- 前記金属酸化物が、多孔質体である請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
- 前記ペロブスカイト結晶が、アニールにより形成される請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
- 前記ペロブスカイト結晶が、結晶性半導体を主成分として含む請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
- 前記ペロブスカイト結晶が、式：（ＲＮＨ３）ｎＰｂＸ（２＋ｎ）（但し、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、ｎは１または２を示し、ＸはＩ、ＢｒまたはＣｌを示す。）で表される化合物を主成分として含む請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法。
- 前記光電変換層を形成した後、前記光電変換層上に、電子輸送層を形成する請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。
- 前記電子輸送層が、金属を主成分として含む請求項９記載の製造方法。
- 前記電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に、第２の電極を形成する請求項９または１０に記載の製造方法。
- 正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を含む光電変換装置を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
- 前記光電変換装置が太陽電池である請求項１２記載の製造方法。
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| JP2015252321A JP6739729B2 (ja) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | 光電変換素子の製造方法 |
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